Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL"

Transkrypt

1 Magdalena MARCINIAK, Patrycja ŚPIEWAK, Marta WIĘCKOWSKA, Robert Piotr SARZAŁA Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka doi: / Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Streszczenie. W pracy przedstawiono wyniki modelowania półprzewodnikowego lasera złączowego z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej. Laser zaprojektowano na emisję fali 414 nm w oparciu o materiały azotkowe. Modelowany przyrząd miał konstrukcję hybrydową, tzn. z jednej strony posiadał zwierciadła rodzime (AlN/GaN), a z drugiej dielektryczne Ta 2 O 5 /SiO 2. W pracy wyznaczono rząd modu optycznego jaki wzbudza się w laserze w zależności od jego apertury elektrycznej, długości rezonatora oraz składu molowego jego obszaru czynnego. Dla wybranych warunków pracy określono także selektywność modową przyrządu. Abstract. This paper presents results of numerical modeling of a nitride vertical cavity surface emitting laser. This structure of the laser was designed to emit wavelength of 414 nm. Construction of the analyzed laser is hybrid the bottom DBR is a native AlN/GaN mirror and the top DBR is made from dielectric materials (Ta 2 O 5 and SiO 2 ). In this paper we determined the order of transverse mode which is excited in the active region for different radius of electric aperture, different resonator thicknesses and concentration of indium in the quantum well. For selected parameters mode selectivity was determined. (Transversal modes in nitride VCSELs). Słowa kluczowe: GaN, laser półprzewodnikowy, laser VCSEL, modelowanie. Keywords: GaN, semiconductor laser, VCSEL, numerical modelling. Wprowadzenie Lasery półprzewodnikowe to urządzenia o ogromnym potencjale aplikacyjnym. Są one składnikami zarówno urządzeń używanych w życiu codziennym, jak i elementami wyrafinowanej aparatury naukowej. Obok tradycyjnych laserów o emisji krawędziowej ogromne znaczenie mają lasery o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową, w skrócie nazywane laserami typu VCSEL (ang. Vertical Cavity Surface Emitting Laser). Lasery typu VCSEL, pracując w sposób naturalny na pojedynczym modzie podłużnym, charakteryzują się znacznie lepszymi parametrami emitowanej wiązki promieniowania niż klasyczne lasery emitujące z krawędzi. Dodatkowo, mimo swojej znacznie bardziej skomplikowanej budowy wewnętrznej, są one często tańsze w masowej produkcji od laserów krawędziowych. Pomimo tak wyraźnych zalet tych konstrukcji na chwilę obecną azotkowe lasery o emisji powierzchniowej praktycznie nie istnieją, a zaprezentowane w ostatnich latach prototypy tych urządzeń charakteryzują się parametrami bardzo dalekimi od tych, jakie oczekiwane są przez ich ewentualnych użytkowników [1]. Jednym z większych problemów laserów VCSEL, szczególnie tych wykonanych z materiałów azotkowych, jest łatwe wzbudzanie się w ich rezonatorach poprzecznych modów optycznych wyższych rzędów i praca wielomodowa. W dużej mierze jest to wynikiem trudności z uzyskaniem efektywnego wstrzykiwania nośników do ich warstwy czynnej, co związane jest bezpośrednio z niską przewodnością elektryczną materiałów azotkowych typu p, ale także ze stosowanymi rozwiązaniami konstrukcyjnymi. W pracy określono rząd modu poprzecznego wzbudzającego się w laserze w zależności od jego parametrów konstrukcyjno-materiałowych, takich jak rozmiar apertury elektrycznej, długość rezonatora czy też skład molowy studni kwantowych InGaN/GaN stanowiących jego obszar czynny. Model numeryczny Analizę pracy lasera VCSEL przeprowadzono przy użyciu zaawansowanego samo-uzgodnionego modelu komputerowego. Model ten (patrz rys. 1) składa się z czterech zasadniczych modułów do obliczeń rozpływu ciepła, struktury pasmowej obszaru czynnego i wzmocnienia materiałowego, rozpływu prądu oraz zjawisk optycznych. Użyteczność modelu została potwierdzona np. w pracy [2], a jego szczegóły przedstawiono w pracy [3]. Moduł cieplny pozwala wyznaczyć temperaturę nie tylko w strukturze epitaksjalnej, ale również w elementach montażowych takich jak: luty, chłodnice czy obudowy. Obliczenia prowadzone są z uwzględnieniem temperaturowych zależności parametrów materiałowych takich jak: przewodność cieplna, współczynnik załamania czy współczynnik absorpcji poszczególnych materiałów w tzw. samouzgodnieniu. Moduł struktury pasmowej umożliwia wyznaczenie poziomów energetycznych w studniach kwantowych obszaru czynnego. Moduł wzmocnienia pozwala wyznaczyć obsadzenie poziomów energetycznych w studniach kwantowych oraz wzmocnienie materiałowe generowane w obszarze czynnym. Moduł transportu nośników uwzględnia mechanizmy rekombinacyjne w postaci niepromienistej rekombinacji na defektach, rekombinacji spontanicznej, rekombinacji Augera oraz rekombinacji wymuszonej i związanego z nią zjawiska wypalania nośników. Ponadto umożliwia analizę termicznej ucieczki nośników ze studni. Moduł optyczny umożliwia wyznaczenie rozkładu natężenia pola elektromagnetycznego w strukturze. Przy jego pomocy można np. szczegółowo badać zjawiska związane ze wzbudzaniem się poprzecznych modów optycznych i selektywnością modową. Struktura modelowanego lasera VCSEL Modelowany laser zaprojektowany został na bazie konstrukcji przedstawionej w pracy [4]. Charakterystyczną cechą tej struktury są hybrydowe zwierciadła DBR (ang. Distributed Bragg Reflector): po stronie n wykonane z materiałów azotowych AlN/GaN, a po stronie p z materiałów dielektrycznych Ta 2 O 5 /SiO 2. W celu rozładowania naprężeń mechanicznych wynikających z niedopasowania sieciowego warstw AlN/GaN niektóre warstwy zwierciadła DBR zaprojektowano w postaci supersieci AlN/GaN o małym okresie. Zwierciadło przednie zaprojektowano tak, aby jego współczynnik odbicia wynosił 99,725%, a tylne tak, aby analogiczny współczynnik wynosił 99,931% (patrz rys. 2. W celu zapewnienia dopływu prądu do centrum struktury po stronie p zaprojektowano warstwę półprzezroczystego kontaktu w postaci warstwy ITO (ang. Indium-Tin-Oxide) o grubości 30 nm poprzedzonej 2 nm warstwą In 0.1 Ga 0.9 N. Z uwagi na wysoką absorpcję wymienionych obszarów, konstrukcję rezonatora należało zaprojektować tak, aby warstwy te znalazły się w węźle fali stojącej wygenerowanej w rezonatorze lasera. Możliwe to było dzięki dodaniu między ITO i zwierciadłem DBR dodatkowej warstwy Ta 2 O 5 o odpowiednio dobranej grubości (19 nm). Obszar czynny stanowił zespół dwóch studni kwantowych InGaN/GaN o szerokości 3 nm każda umieszczonych w strzałce fali (patrz rys. 3a i 3 zawierających od 13 do 14% indu. PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN , R. 91 NR 9/

2 Rys. 1. Schemat obliczeń samouzgodnionych zastosowanych przy analizie lasera VCSEL Rys. 2. Schemat struktury modelowanego lasera VCSEL oraz obliczona odbijalność jego zwierciadła tylnego i przedniego Rys. 3. Rozkład fali stojącej w rezonatorze lasera VCSEL oraz powiększony fragment z naniesionymi detalami konstrukcyjnymi Parametry materiałowe poszczególnych warstw użyte do obliczeń elektryczno-cieplnych, takie jak przewodności cieplne i elektryczne, można znaleźć np. w pracy [5]. Podstawowe parametry użyte do obliczeń optycznych zamieszczono w tabeli PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN , R. 91 NR 9/2015

3 Wyniki obliczeń Mimo że laser VCSEL pracuje w sposób naturalny na pojedynczym modzie podłużnym, to w konstrukcjach tych bardzo łatwo wzbudzają się mody poprzeczne wyższych rzędów. Może to znacznie pogorszyć jakość emitowanej wiązki promieniowania. Wynika to z dużych trudności z zapewnieniem jednorodnego wstrzykiwania prądu do obszaru czynnego lasera VCSEL oraz z dość silnego optycznego ograniczenia radialnego sprzyjającego wzbudzaniu się modów wyższego rzędu, które często występuje w tego typu przyrządach. Opisane efekty są szczególnie silne dla azotkowych laserów VCSEL i nasilają się wraz z poszerzaniem apertury ich obszaru czynnego. W pracy przeprowadzono obliczenia dla szerokiego zakresu zmian apertury obszaru czynnego, która w większości przypadków określona jest przez aperturę elektryczną przyrządu. Na rysunku 4a przedstawiono rozkłady gęstości prądu wstrzykiwanego do warstwy czynnej lasera. Można zauważyć, że wraz z poszerzeniem apertury rozkład prądu staje się bardziej niejednorodny. Sprzyja to wzbudzaniu się modów poprzecznych wyższych rzędów, których profil (patrz rys. 4 staje się bardziej dopasowany do wspomnianego profilu prądu, a co za tym idzie także do profilu wzmocnienia obszaru czynnego lasera. Analizując rysunek 4b warto zauważyć, że mody ograniczone są do współrzędnej r równej około 4,5 μm, mimo że promień apertury elektrycznej wynosi 5 μm. Dzieje się tak dlatego, że dolna część górnych zwierciadeł DBR ma promień 4,5 μm, a między r = 4,5 μm i r = 5 μm jest obszar silnie absorbującego złota (porównaj np. rys. 5), który zapewnia dopływ prądu. Tabela 1. Wybrane parametry materiałowe stosowane podczas modelowania zjawisk optycznych określone dla temperatury 300 K i fali 414 nm materiał GaN AlN In 0.1 GaN Al 0.2 GaN SiO 2 Ta 2 O 5 ITO SiN x Au współczynnik załamania [-] absorpcja [cm -1 ] e5 Rys. 4. Rozkład gęstości prądu wstrzykiwanego do obszaru czynnego lasera z rezonatorem 7 lambda dla różnych apertur elektrycznych oraz przykładowe profile modów poprzecznych Przepływ prądu przez strukturę lasera powoduje wydzielanie się ciepła, a co za tym idzie wzrost temperatury w jego wnętrzu. Przykładowy rozkład temperatury w otoczeniu obszaru czynnego pokazany został na rysunku 5. Wzrost temperatury powoduje zmianę parametrów materiałowych, w szczególności zmianę przerwy energetycznej materiałów, z których składa się obszar czynny lasera. Powoduje to m.in. przesuwanie się spektrum wzmocnienia obszaru czynnego, którego profil zależy także istotnie od jego składu molowego (patrz rys. 6. Szybkie przesuwanie się profilu wzmocnienia względem piku rezonatora jest w laserach VCSEL podstawową przyczyną zaniku akcji laserowej, a względne wstępne zestrojenie lub odstrojenie tych elementów może służyć do optymalizacji parametrów eksploatacyjnych tych przyrządów np. stabilizacji lub minimalizacji prądu progowego, co pokazano na rysunku 6b. W pracy przeanalizowano dwa podstawowe przypadki jakie występują w tego typu przyrządach tzn. laser z wstępnie dostrojonym maksimum spektrum wzmocnienia do piku rezonatora oraz laser wstępnie odstrojony (patrz rys. 6. Rys. 5. Przykładowy rozkład temperatury w otoczeniu obszaru czynnego, policzony dla warunków progowych akcji laserowej lasera z rezonatorem 7 lambda i aperturą elektryczną o promieniu 3 μm PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN , R. 91 NR 9/

4 Rys. 6. Zależność wzmocnienia obszaru czynnego lasera od długości fali dla różnych składów molowych studni kwantowych InGaN/GaN i apertur elektrycznych oraz wartość prądu progowego lasera z aperturą elektryczną o promieniu r E = 5 μm w zależności od składu molowego studni kwantowych InGaN/GaN Konstrukcja zestrojona zawierała obszar czynny ze studniami kwantowymi InGaN/GaN z 13,6% zawartością indu, zaś konstrukcja odstrojona zawierała go 13%. Dla każdej z tych konstrukcji wyznaczono zależność prądu progowego od promienia apertury elektrycznej. Wyniki przedstawione zostały na rysunku 7. Podsumowując uzyskane wyniki należy stwierdzić, że praca na podstawowym modzie poprzecznym tzn. LP 01 możliwa jest tylko dla apertur obszaru czynnego do około 6 9 μm. Dla większych apertur mamy pracę na modach wyższego rzędu, często pracę wielomodową. Potwierdza to rysunek 8, na którym pokazano względne wzmocnienie modowe poszczególnych modów w funkcji promienia apertury obszaru czynnego analizowanych laserów VCSEL. Jedną z metod selekcji modowej oraz zapewnienia pracy lasera VCSEL na podstawowym modzie poprzecznym jest zaprojektowanie dłuższego rezonatora. Analiza taka została przedstawiona na rysunku 7. Na podstawie uzyskanych wyników można stwierdzić, że analizowane konstrukcje azotkowych laserów VCSEL, posiadające krótsze rezonatory (szczególnie te z odstrojonym obszarem czynnym), cechują się pracą wielomodową na modach poprzecznych wysokich rzędów. Efekt ten uwydatniony jest też przez to, że długość fali modów wyższego rzędu zmniejsza się wraz ze wzrostem rzędu modu. W przypadku lasera odstrojonego mniejsza długość fali zapewnia większe wzmocnienie materiałowe (porównaj rys. 6, a co za tym idzie większe wzmocnienie modowe i niższy próg wzbudzenia modu. Z uzyskanych wyników wynika także, że w przypadku laserów dostrojonych szybka ucieczka spektrum wzmocnienia względem piku rezonatora powoduje, że ich praca ograniczona jest do temperatur o około 20 K niższych niż w przypadku laserów odstrojonych. Rys. 7. Wartość prądu progowego lasera w zależności od promienia apertury elektrycznej dla studni kwantowych InGaN/GaN zawierających 13,6% In oraz 13% In. Na rysunku pokazano także rząd modu poprzecznego o najniższym progu wzbudzenia oraz temperaturę obszaru czynnego Rys. 8. Względne wzmocnienie modowe poszczególnych modów poprzecznych w zależności od promienia apertury elektrycznej lasera z rezonatorem 7 lambda i zawartością indu w studni kwantowej InGaN/GaN 13,6% i 13% 128 PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN , R. 91 NR 9/2015

5 Praca częściowo finansowana z projektu badawczego NCN nr 2014/13/B/ST7/ LITERATURA [1] Sarzała R.P., Piskorski Ł., Nakwaski W., Azotkowe lasery typu VCSEL, Elektronika, nr 11, , 2014 [2] Sarzała R.P., Czyszanowski T., Nakwaski W., Effect of relief aperture on single-fundamental-mode emission of 1.3-μm GaInNAs GaAs-based VCSELs, IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 50, Issue 11, , 2014 [3] Sarzała R.P. and Nakwaski W., Optimisation of the 1.3-µm GaAs-based oxide-confined (GaIn)(NAs) vertical-cavity surface-emitting lasers for their low-threshold roomtemperature operation (invited), Journal of Physics: Condensed Matter vol. 16, S3121-S3140, 2004 [4] Lu T.-C., Chen S.-W., Wu T.-T., Tu P.-M., Chen C.-K., Chen C.-H., Li Z.-Y., Kuo H.-C., and Wang S.-C., Continuous wave operation of current injected GaN vertical cavity surface emitting lasers at room temperature, Appl. Phys. Lett. 97, , 2010 [5] Kuc M., Sarzała R.P., Nakwaski W., Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers, Materials Science and Engineering: B, vol. 178, no. 20, , 2013 Autorzy: inż. Magdalena Marciniak, Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, Łódź, inż.. Patrycja Śpiewak, Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, Łódź, inż. Marta Więckowska, Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, Łódź; dr hab. inż. Robert Piotr Sarzała, Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, Łódź, PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN , R. 91 NR 9/

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

2 Informacje ogólne i streszczenie rozprawy habilitacyjnej

2 Informacje ogólne i streszczenie rozprawy habilitacyjnej Wrocław,27maja2005r. dr hab. inż. Włodzimierz Salejda, prof. nadzw. PWr, Instytut Fizyki Recenzja rozprawy habilitacyjnej dra inż. Roberta P. Sarzały pt. Lasery złączowe dla systemów światłowodowej telekomunikacji

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER CHARATERYSTYA WIĄZI GENEROWANEJ PRZEZ LASER ształt wiązki lasera i jej widmo są rezultatem interferencji promieniowania we wnęce rezonansowej. W wyniku tego procesu powstają charakterystyczne rozkłady

Bardziej szczegółowo

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe 6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

PL 210400 B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL 02.05.2006 BUP 09/06. ROBERT P. SARZAŁA, Łódź, PL WŁODZIMIERZ NAKWASKI, Łódź, PL MICHAŁ WASIAK, Łódź, PL

PL 210400 B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL 02.05.2006 BUP 09/06. ROBERT P. SARZAŁA, Łódź, PL WŁODZIMIERZ NAKWASKI, Łódź, PL MICHAŁ WASIAK, Łódź, PL RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 210400 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 370876 (51) Int.Cl. H01S 5/00 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Ogólne cechy ośrodków laserowych

Ogólne cechy ośrodków laserowych Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)

Bardziej szczegółowo

MODELOWANIE ROZKŁADU TEMPERATUR W PRZEGRODACH ZEWNĘTRZNYCH WYKONANYCH Z UŻYCIEM LEKKICH KONSTRUKCJI SZKIELETOWYCH

MODELOWANIE ROZKŁADU TEMPERATUR W PRZEGRODACH ZEWNĘTRZNYCH WYKONANYCH Z UŻYCIEM LEKKICH KONSTRUKCJI SZKIELETOWYCH Budownictwo o Zoptymalizowanym Potencjale Energetycznym 2(18) 2016, s. 55-60 DOI: 10.17512/bozpe.2016.2.08 Maciej MAJOR, Mariusz KOSIŃ Politechnika Częstochowska MODELOWANIE ROZKŁADU TEMPERATUR W PRZEGRODACH

Bardziej szczegółowo

VI. Elementy techniki, lasery

VI. Elementy techniki, lasery Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,

Bardziej szczegółowo

VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ,

VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ, VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ, 18-22.09.2000 TECHNOLOGIA NANOSTRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH W ZASTOSOWANIU DO WYTWARZANIA PRZYRZĄDÓW FOTONICZNYCH Maciej Bugajski

Bardziej szczegółowo

Właściwości światła laserowego

Właściwości światła laserowego Właściwości światła laserowego Cechy charakterystyczne światła laserowego: rozbieżność (równoległość) wiązki, pasmo spektralne, gęstość mocy spójność (koherencja). Równoległość wiązki Dyfrakcyjną rozbieżność

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

PL 219159 B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL 12.09.2011 BUP 19/11. ROBERT P. SARZAŁA, Łódź, PL WŁODZIMIERZ NAKWASKI, Kalonka, PL 31.03.

PL 219159 B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL 12.09.2011 BUP 19/11. ROBERT P. SARZAŁA, Łódź, PL WŁODZIMIERZ NAKWASKI, Kalonka, PL 31.03. PL 219159 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 219159 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 390600 (22) Data zgłoszenia: 03.03.2010 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział

Bardziej szczegółowo

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

2. Całkowita liczba modów podłużnych. Dobroć rezonatora. Związek między szerokością linii emisji wymuszonej a dobrocią rezonatora

2. Całkowita liczba modów podłużnych. Dobroć rezonatora. Związek między szerokością linii emisji wymuszonej a dobrocią rezonatora . Całkowita liczba modów podłużnych. Dobroć rezonatora. Związek między szerokością linii emisji wymuszonej a dobrocią rezonatora Gdy na ośrodek czynny, który nie znajduje się w rezonatorze optycznym, pada

Bardziej szczegółowo

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Politechnika Gdańska WYDZIAŁ ELEKTRONIKI TELEKOMUNIKACJI I INFORMATYKI Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE

I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE - lata '90 XIX wieku WSTĘP Widmo promieniowania elektromagnetycznego zakres "pokrycia" różnymi rodzajami fal elektromagnetycznych promieniowania zawartego w danej wiązce. rys.i.1.

Bardziej szczegółowo

1. Wstęp. Małgorzata Możdżonek 1, Jarosław Gaca 1, Marek Wesołowski 1

1. Wstęp. Małgorzata Możdżonek 1, Jarosław Gaca 1, Marek Wesołowski 1 M. Możdżonek, J. Gaca, M. Wesołowski Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs Małgorzata Możdżonek 1, Jarosław Gaca 1, Marek Wesołowski

Bardziej szczegółowo

Moc wyjściowa laserów

Moc wyjściowa laserów Moc wyjściowa laserów Wstęp Optymalizacja polega na dobraniu takich warunków, by moc wyjściowa lasera była jak największa. Spróbujemy zoptymalizować straty promieniste. W tym celu zapiszmy wyrażenie na

Bardziej szczegółowo

Przejścia promieniste

Przejścia promieniste Przejście promieniste proces rekombinacji elektronu i dziury (przejście ze stanu o większej energii do stanu o energii mniejszej), w wyniku którego następuje emisja promieniowania. E Długość wyemitowanej

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej 1. Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 2006 1. Wstęp Pomiar profilu wiązki

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia modulacyjna

Spektroskopia modulacyjna Spektroskopia modulacyjna pozwala na otrzymanie energii przejść optycznych w strukturze z bardzo dużą dokładnością. Charakteryzuje się również wysoką czułością, co pozwala na obserwację słabych przejść,

Bardziej szczegółowo

Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi

Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi Badanie pól elektrycznych w azotkach metodami optycznymi Krzysztof Zieleniewski Pod opieką dr. Anety Drabińskiej Proseminarium Fizyki Ciała Stałego, 8 kwietnia 2010 O czym będzie? Dlaczego azotki? Dlaczego

Bardziej szczegółowo

III. Opis falowy. /~bezet

III. Opis falowy.  /~bezet Światłowody III. Opis falowy BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Równanie falowe w próżni Teoria falowa Równanie Helmholtza Równanie bezdyspersyjne fali płaskiej, rozchodzącej

Bardziej szczegółowo

Mgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa

Mgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa MECHANIK 7/2014 Mgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa WYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH SIŁOWNI TURBINOWEJ Z REAKTOREM WYSOKOTEMPERATUROWYM W ZMIENNYCH

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2015/16

Bardziej szczegółowo

L E D light emitting diode

L E D light emitting diode Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone

Bardziej szczegółowo

1 Wprowadzenie. Wrocław, 18 grudnia 2011 r. dr hab. inż. Włodzimierz Salejda, prof. nadzw. PWr

1 Wprowadzenie. Wrocław, 18 grudnia 2011 r. dr hab. inż. Włodzimierz Salejda, prof. nadzw. PWr Wrocław, 18 grudnia 2011 r. dr hab. inż. Włodzimierz Salejda, prof. nadzw. PWr Recenzja rozprawy habilitacyjnej dra inż. Tomasza Czyszanowskiego będącej cyklem publikacji dotyczących badań wpływu obecności

Bardziej szczegółowo

Zespolona funkcja dielektryczna metalu

Zespolona funkcja dielektryczna metalu Zespolona funkcja dielektryczna metalu Przenikalność elektryczna ośrodków absorbujących promieniowanie elektromagnetyczne jest zespolona, a także zależna od częstości promieniowania, które przenika przez

Bardziej szczegółowo

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE

ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE UKŁADY NADAWCZO-ODBIORCZE Plan wykładu: 1. Oddziaływanie fotonów z materią 2. Fotodioda. Dioda świecąca 4. Lasery półprzewodnikowe 5. Układy odbiorcze 6. Układy nadawcze DOSTĘP

Bardziej szczegółowo

Fizyka Laserów wykład 10. Czesław Radzewicz

Fizyka Laserów wykład 10. Czesław Radzewicz Fizyka Laserów wykład 10 Czesław Radzewicz Struktura energetyczna półprzewodników Regularna budowa kryształu okresowy potencjał Funkcja falowa elektronu. konsekwencje: E ψ r pasmo przewodnictwa = u r e

Bardziej szczegółowo

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych doi:10.15199/48.017.08.17 Adam K. SOKÓŁ Łukasz PISKORSKI Maciej KUC Michał WASIAK Robert P. SARZAŁA Instytut Fizyki Politechnika Łódzka Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów

Bardziej szczegółowo

OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki

OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki c Adam Bechler 006 Instytut Fizyki Uniwersytetu Szczecińskiego Równania (3.7), pomimo swojej prostoty, nie posiadają poza nielicznymi przypadkami ścisłych rozwiązań,

Bardziej szczegółowo

Fizyka Laserów wykład 6. Czesław Radzewicz

Fizyka Laserów wykład 6. Czesław Radzewicz Fizyka Laserów wykład 6 Czesław Radzewicz wzmacniacz laserowy (długie impulsy) - przypomnienie 2 bilans obsadzeń: σ 21 N 2 F s σ 21 N 2 F ħω 12 dn 2 dt = σ 21N 1 F σ 21 N 2 F + σ 21 N 1 F 1 dn 1 dt = F

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Zagadnienia optyki"

Ćwiczenie: Zagadnienia optyki Ćwiczenie: "Zagadnienia optyki" Opracowane w ramach projektu: "Wirtualne Laboratoria Fizyczne nowoczesną metodą nauczania realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia: 1.

Bardziej szczegółowo

Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL

Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL Ukazuje się od 1919 roku 8'17 Organ Stowarzyszenia Elektryków Polskich Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Robert Piotr SARZAŁA, Włodzimierz NAKWASKI Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki doi:10.15199/48.2017.08.01

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Światłowody

Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki. Światłowody Uniwersytet Warszawski Wydział Fizyki Marcin Polkowski 251328 Światłowody Pracownia Fizyczna dla Zaawansowanych ćwiczenie L6 w zakresie Optyki Streszczenie Celem wykonanego na Pracowni Fizycznej dla Zaawansowanych

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki światłowodowej. Ćwiczenie 2. Badanie apertury numerycznej światłowodów

Laboratorium techniki światłowodowej. Ćwiczenie 2. Badanie apertury numerycznej światłowodów Laboratorium techniki światłowodowej Ćwiczenie 2. Badanie apertury numerycznej światłowodów Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 2006 1. Wprowadzenie Światłowody

Bardziej szczegółowo

Sprzęg światłowodu ze źródłem światła

Sprzęg światłowodu ze źródłem światła Sprzęg światłowodu ze źródłem światła Oczywistym problemem przy sprzęganiu światłowodu ze źródłami światła jest w pierwszym rzędzie umieszczenie wiazki w wewnatrz apertury numeryczne światłowodu. W przypadku

Bardziej szczegółowo

Wzbudzony stan energetyczny atomu

Wzbudzony stan energetyczny atomu LASERY Wzbudzony stan energetyczny atomu Z III postulatu Bohra kj E k E h j Emisja spontaniczna Atom absorbuje tylko określone kwanty energii przechodząc ze stanu podstawowego do wzbudzonego. Zaabsorbowana

Bardziej szczegółowo

Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o pozostałe metody nagrzewania elektrycznego Prof. dr hab. inż.

Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o pozostałe metody nagrzewania elektrycznego Prof. dr hab. inż. Studia Podyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ w ramach projektu Śląsko-Małopolskie Centrum Kompetencji Zarządzania Energią Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o

Bardziej szczegółowo

Materiały w optoelektronice

Materiały w optoelektronice Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V

Bardziej szczegółowo

PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW

PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW PÓŁPRZEWODNIKOWE ŹRÓDŁA ŚWIATŁA ZARYS PODSTAW DIODY LED I LASERY PÓŁPRZEWODNIKOWE wyświetlacze, systemy oświetleniowe telekomunikacja (WDM) drukowanie, poligrafia obróbka materiałów układy pomiarowe, badania

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Bardziej szczegółowo

Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Lasery budowa, rodzaje, zastosowanie Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Budowa i zasada działania lasera Laser (Light Amplification by Stimulated

Bardziej szczegółowo

OPTYMALIZACJA ZBIORNIKA NA GAZ PŁYNNY LPG

OPTYMALIZACJA ZBIORNIKA NA GAZ PŁYNNY LPG Leon KUKIEŁKA, Krzysztof KUKIEŁKA, Katarzyna GELETA, Łukasz CĄKAŁA OPTYMALIZACJA ZBIORNIKA NA GAZ PŁYNNY LPG Streszczenie Praca dotyczy optymalizacji kształtu zbiornika toroidalnego na gaz LPG. Kryterium

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 18/15. HANNA STAWSKA, Wrocław, PL ELŻBIETA BEREŚ-PAWLIK, Wrocław, PL

PL B1. POLITECHNIKA WROCŁAWSKA, Wrocław, PL BUP 18/15. HANNA STAWSKA, Wrocław, PL ELŻBIETA BEREŚ-PAWLIK, Wrocław, PL PL 224674 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 224674 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 409674 (51) Int.Cl. G02B 6/02 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Optyczne elementy aktywne

Optyczne elementy aktywne Optyczne elementy aktywne Źródła optyczne Diody elektroluminescencyjne Diody laserowe Odbiorniki optyczne Fotodioda PIN Fotodioda APD Generowanie światła kontakt metalowy typ n GaAs podłoże typ n typ n

Bardziej szczegółowo

DIGITALIZACJA GEOMETRII WKŁADEK OSTRZOWYCH NA POTRZEBY SYMULACJI MES PROCESU OBRÓBKI SKRAWANIEM

DIGITALIZACJA GEOMETRII WKŁADEK OSTRZOWYCH NA POTRZEBY SYMULACJI MES PROCESU OBRÓBKI SKRAWANIEM Dr inż. Witold HABRAT, e-mail: witekhab@prz.edu.pl Politechnika Rzeszowska, Wydział Budowy Maszyn i Lotnictwa Dr hab. inż. Piotr NIESŁONY, prof. PO, e-mail: p.nieslony@po.opole.pl Politechnika Opolska,

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

LASERY PODSTAWY FIZYCZNE część 1

LASERY PODSTAWY FIZYCZNE część 1 Politechnika Warszawska Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Zakład Optoelektroniki dr inż. Jerzy Andrzej Kęsik LASERY PODSTAWY FIZYCZNE część 1 SPIS TREŚCI 1. Wstęp. Mechanizm fizyczny wzmacniania

Bardziej szczegółowo

DWUTEOWA BELKA STALOWA W POŻARZE - ANALIZA PRZESTRZENNA PROGRAMAMI FDS ORAZ ANSYS

DWUTEOWA BELKA STALOWA W POŻARZE - ANALIZA PRZESTRZENNA PROGRAMAMI FDS ORAZ ANSYS Proceedings of the 5 th International Conference on New Trends in Statics and Dynamics of Buildings October 19-20, 2006 Bratislava, Slovakia Faculty of Civil Engineering STU Bratislava Slovak Society of

Bardziej szczegółowo

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WPŁYW TRAWIENIA CHEMICZNEGO NA PARAMETRY ELEKTROOPTYCZNE KRAWĘDZIOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH Joanna Kalbarczyk, Marian Teodorczyk, Elżbieta Dąbrowska, Konrad Krzyżak, Jerzy Sarnecki kontakt srebrowy kontakt

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk spektralnych lasera półprzewodnikowego.

Badanie charakterystyk spektralnych lasera półprzewodnikowego. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki WYDZIAŁ ELEKTRONIKI i TECHNIK INFORMACYJNYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa Badanie charakterystyk spektralnych lasera półprzewodnikowego.

Bardziej szczegółowo

OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki

OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki OPTYKA KWANTOWA Wykład dla 5. roku Fizyki c Adam Bechler 2006 Instytut Fizyki Uniwersytetu Szczecińskiego Absorpcja promieniowania w ośrodku Promieniowanie elektromagnetyczne przy przejściu przez ośrodek

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

OTRZYMYWANIE KRÓTKICH IMPULSÓW LASEROWYCH

OTRZYMYWANIE KRÓTKICH IMPULSÓW LASEROWYCH OTRZYMYWANIE KRÓTKICH IMPULSÓW LASEROWYCH Impulsowe lasery na ciele stałym są najbardziej ważnymi i szeroko rozpowszechnionymi systemami laserowymi. Np laser Nd:YAG jest najczęściej stosowany do znakowania,

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA

ĆWICZENIE Nr 4 LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH. Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników POLITECHNIKA ŁÓDZKA POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI KRYSZTAŁÓW STAŁYCH ĆWICZENIE Nr 4 Badanie krawędzi absorpcji podstawowej w kryształach półprzewodników I. Cześć doświadczalna. 1. Uruchomić Spekol

Bardziej szczegółowo

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób:

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób: Zastosowanie laserów w Obrazowaniu Medycznym Spis treści 1 Powtórka z fizyki Zjawisko Interferencji 1.1 Koherencja czasowa i przestrzenna 1.2 Droga i czas koherencji 2 Lasery 2.1 Emisja Spontaniczna 2.2

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

ZASADA DZIAŁANIA LASERA

ZASADA DZIAŁANIA LASERA ZASADA DZIAŁANIA LASERA Rozkład promieniowania lasera w kierunku podłużnym Dwa podstawowe zjawiska: emisja wymuszona i rezonans optyczny. Jeżeli wiązkę promieniowania o długości fali λ wprowadzimy miedzy

Bardziej szczegółowo

Projekt NCN DEC-2013/09/D/ST8/ Kierownik: dr inż. Marcin Kochanowicz

Projekt NCN DEC-2013/09/D/ST8/ Kierownik: dr inż. Marcin Kochanowicz Realizowane cele Projekt pt. Badanie mechanizmów wpływających na różnice we właściwościach luminescencyjnych szkieł i wytworzonych z nich światłowodów domieszkowanych lantanowcami dotyczy badań związanych

Bardziej szczegółowo

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego

1 Źródła i detektory. I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego 1 I. Badanie charakterystyki spektralnej nietermicznych źródeł promieniowania elektromagnetycznego Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki spektralnej nietermicznego źródła promieniowania (dioda LD

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

Metoda Elementów Skończonych

Metoda Elementów Skończonych Metoda Elementów Skończonych Prowadzący: dr hab. Tomasz Stręk Wykonali: Oguttu Alvin Wojciechowska Klaudia MiBM /semestr VII / IMe Poznań 2013 Projekt MES Strona 1 SPIS TREŚCI 1. Ogrzewanie laserowe....3

Bardziej szczegółowo

(półprzewodnikowego) lasera Katana LaserSoft w chirurgii refrakcyjnej

(półprzewodnikowego) lasera Katana LaserSoft w chirurgii refrakcyjnej Zastosowanie stałokrystalicznego (półprzewodnikowego) lasera Katana LaserSoft w chirurgii refrakcyjnej Matteo Piovella, Fabrizio I. Camesasca i Barbara Kusa Zastosowanie techniki laserowej w chirurgii

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

Wykłady 10: Kryształy fotoniczne, fale Blocha, fotoniczna przerwa wzbroniona, zwierciadła Bragga i odbicie omnidirectional

Wykłady 10: Kryształy fotoniczne, fale Blocha, fotoniczna przerwa wzbroniona, zwierciadła Bragga i odbicie omnidirectional Fotonika Wykłady 10: Kryształy fotoniczne, fale Blocha, fotoniczna przerwa wzbroniona, zwierciadła Bragga i odbicie omnidirectional Plan: Jednowymiarowe kryształy fotoniczne Fale Blocha, fotoniczna struktura

Bardziej szczegółowo

BADANIA STRUKTURY MATERIAŁÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

BADANIA STRUKTURY MATERIAŁÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego BADANIA STRUKTURY MATERIAŁÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego 1. MAKROSTRUKTURA 2. MIKROSTRUKTURA 3. STRUKTURA KRYSTALICZNA Makrostruktura

Bardziej szczegółowo

ASER. Wykład 18: M L. Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321.

ASER. Wykład 18: M L. Dr inż. Zbigniew Szklarski. Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321. Wykład 18: M L ASER Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 1 Amplification by Stimulated Emission of Radiation Kwantowe

Bardziej szczegółowo

Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka).

Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka). Optyka geometryczna Optyka stanowi dział fizyki, który zajmuje się światłem (także promieniowaniem niewidzialnym dla ludzkiego oka). Założeniem optyki geometrycznej jest, że światło rozchodzi się jako

Bardziej szczegółowo

WPŁYW PARAMETRÓW KONSTRUKCYJNYCH PASYWNEGO MODULATORA DOBROCI REZONATORA LASERA YAG : Nd 3+ NA JEGO WŁASNOŚCI GENERACYJNE

WPŁYW PARAMETRÓW KONSTRUKCYJNYCH PASYWNEGO MODULATORA DOBROCI REZONATORA LASERA YAG : Nd 3+ NA JEGO WŁASNOŚCI GENERACYJNE BIULETYN WOJSKOWEJ AKADEMII TECHNICZNEJ IM. J. DĄBROWSKIEGO Rok XXXV, nr 4(404), kwiecień, 1986 r. ZYGMUNT MIERCZYK SŁAWOMIR KACZMAREK JERZY CZESZKO WPŁYW PARAMETRÓW KONSTRUKCYJNYCH PASYWNEGO MODULATORA

Bardziej szczegółowo

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203033 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 355071 (51) Int.Cl. H01S 5/343 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Motywacja Podstawy. Historia Teoria 2D PhC Podsumowanie. Szymon Lis Photonics Group szymon.lis@pwr.wroc.pl C-2 p.305. Motywacja.

Motywacja Podstawy. Historia Teoria 2D PhC Podsumowanie. Szymon Lis Photonics Group szymon.lis@pwr.wroc.pl C-2 p.305. Motywacja. Politechnika Wrocławska Plan wykładu 1. 2D Kryształy Fotoniczne opis teoretyczny 2. Podstawowe informacje 3. Rys historyczny 4. Opis teoretyczny - optyka vs. elektronika - równania Maxwella Wydział Elektroniki

Bardziej szczegółowo

III.3 Emisja wymuszona. Lasery

III.3 Emisja wymuszona. Lasery III.3 Emisja wymuszona. Lasery 1. Wyprowadzenie wzoru Plancka metodą Einsteina. Emisja wymuszona 2. Koherencja ciągów falowych. Laser jako źródło koherentnego promieniowania e-m 3. Zasada działania lasera.

Bardziej szczegółowo

Laboratorium techniki światłowodowej. Ćwiczenie 5. Badanie wpływu periodycznych zgięd na tłumiennośd światłowodu

Laboratorium techniki światłowodowej. Ćwiczenie 5. Badanie wpływu periodycznych zgięd na tłumiennośd światłowodu Laboratorium techniki światłowodowej Ćwiczenie 5. Badanie wpływu periodycznych zgięd na tłumiennośd Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 2006 1. Wprowadzenie

Bardziej szczegółowo

TEMPERATURA EKWIWALENTNA I OPERATYWNA W OCENIE ŚRODOWISKA WNĘTRZ

TEMPERATURA EKWIWALENTNA I OPERATYWNA W OCENIE ŚRODOWISKA WNĘTRZ Budownictwo Anna Lis TEMPERATURA EKWIWALENTNA I OPERATYWNA W OCENIE ŚRODOWISKA WNĘTRZ Wprowadzenie Otoczenie, w jakim człowiek przebywa, powinno pozwalać na osiąganie stanu zadowolenia z warunków, które

Bardziej szczegółowo

Technologia elementów optycznych

Technologia elementów optycznych Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 5 rysunek elementu optycznego Polskie Normy PN-ISO 10110-1:1999 Optyka i przyrządy optyczne -- Przygotowywanie

Bardziej szczegółowo

Badanie właściwości laserów i wyznaczanie temperatury Debye a nowe ćwiczenia w pracowniach studenckich WFiIS

Badanie właściwości laserów i wyznaczanie temperatury Debye a nowe ćwiczenia w pracowniach studenckich WFiIS Seminarium Wydziału FiIS, 12 maja 2017 Badanie właściwości laserów i wyznaczanie temperatury Debye a nowe ćwiczenia w pracowniach studenckich WFiIS Andrzej Zięba Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej,

Bardziej szczegółowo