Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Podobne dokumenty
Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Elektryczne własności ciał stałych

- 1 WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI

Badanie charakterystyki diody

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

Wykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

Rozszczepienie poziomów atomowych

Elektryczne własności ciał stałych

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

Przyrządy półprzewodnikowe

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

KARTA PRZEDMIOTU. Egzamin / zaliczenie na ocenę* - 1

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Fizyka 3.3. dr hab. Ewa Popko, prof. P.Wr. p.231a

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Teoria pasmowa ciał stałych

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Podstawy krystalografii

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

W5. Rozkład Boltzmanna

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Przerwa energetyczna w germanie

Skończona studnia potencjału

Ćwiczenie Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika

METALE. Cu Ag Au

Struktura pasmowa ciał stałych

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Układy nieliniowe. Stabilizator - dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) Logiczna bramka NAND. w.7, p.1

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

Podstawy fizyki wykład 4

Wykład V Złącze P-N 1

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - diody

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Wewnętrzna budowa materii - zadania

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Stany skupienia materii

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

na dnie (lub w szczycie) pasma pasmo jest paraboliczne, ale masa wyznaczona z krzywizny niekoniecznie = m 0

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Przewodniki, półprzewodniki i izolatory

+ + Struktura cia³a sta³ego. Kryszta³y jonowe. Kryszta³y atomowe. struktura krystaliczna. struktura amorficzna

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

Prawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +

Urządzenia półprzewodnikowe

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

3. Jaka jest masa atomowa pierwiastka E w następujących związkach? Który to pierwiastek? EO o masie cząsteczkowej 28 [u]

Wrocław dn. 23 listopada 2005 roku

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 2003

Układy nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1

ELEKTRONIKA ELM001551W

Elementy teorii powierzchni metali

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Różne dziwne przewodniki

35 KATEDRA FIZYKI STOSOWANEJ

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Elementy przełącznikowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Wykład FIZYKA II. 14. Fizyka ciała stałego. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA

10 K AT E D R A F I Z Y K I S T O S OWA N E J

Układy nieliniowe. Stabilizator dioda Zenera. Dioda LED. Prostownik na diodach (Graetza) w.9, p.1

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Zasady obsadzania poziomów

VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY

elektryczne ciał stałych

Zakres wykładu. Detekcja światła. Zakres wykładu. Zakres wykładu

Absorpcja związana z defektami kryształu

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Materiały używane w elektronice

Elektryczne własności ciał stałych

Transkrypt:

Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1

Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15 Współczesna technologia półprzewodników i urządzeń półprzewodnikowych. Wzrost kryształów litych i warstw epitaksjalnych. Rodzaje półprzewodników i ich właściwości. Koncentracja równowagowa elektronów i dziur w półprzewodnikach samoistnych i domieszkowanych Nośniki nadmiarowe w półprzewodnikach: ekscytacja optyczna i elektryczna Dyfuzja i dryft nośników. Relacja Einsteina. Równanie ciągłości. Kwazipoziomy Fermiego. Złącze p-n w stanie równowagi termodynamicznej. Ładunek przestrzenny w złączu p-n. Równanie Poissona i jego rozwiązanie. Pole elektryczne w złączu. Obszar zubożony i potencjał wbudowany. Charakterystyka prądowo-napięciowa złącza p-n. Równanie Schockley a. Model małosygnałowy diody p-n. Dioda w układach prostowniczych. Pojemność złącza p-n. Waraktory. Transport prądu przez rzeczywiste złącze p-n. Efekt Zenera, jonizacja zderzeniowa. Dioda Zenera i dioda lawinowa. Układy pracy. Złącze metal-półprzewodnik: prostujące i omowe. Charakterystyka I-V diody Schottky ego. Zastosowania. Test zaliczeniowy

Literatura LITERATURA PODSTAWOWA: [1] Materiały do wykładu, dostępne poprzez internet : www.if.pwr.wroc.pl/~popko [2] E.Płaczek-Popko, Fizyka odnawialnych źródeł energii Skrypt DBC [3] W.Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone WNT Warszawa 1987 [4] S.Kuta Elementy i układy elektroniczne Wyd. AGH, wyd. I 2000 LITERATURA UZUPEŁNIAJĄCA: [1] S.M.Sze Physics of Semiconductor Devices J.Wiley and Sons, NY 1981, dostępna wersja elektroniczna, e-książki, BG P.Wr. [2] M.Rusek, J.Pasierbiński Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach WNT Warszawa 1990

Pierwszy tranzystor

Wstęp do półprzewodników 1. Budowa atomu 2. Półprzewodniki, przewodniki i izolatory 3. Wiązanie kowalencyjne 4. Przewodnictwo półprzewodników

Półprzewodniki - historia

Budowa atomu Atom zbudowany jest z trzech podstawowych cząstek: Protony (ładunek dodatni) Neutrony (obojętne) Jądro (rdzeń atomowy) Elektrony (ładunek ujemny) ATOM

Budowa atomu Liczba atomowa Liczba atomowa = liczbie protonów w jądrze Kolejność atomów w tablicy układu okresowego wynika z liczby atomowej Atom wodoru Atom helu

Budowa atomu Powłoki i orbity - Orbity grupują się w powłoki (ang. shells) - Różnice energii pomiędzy poziomami w obrębie powłoki są << od różnic energii pomiędzy powłokami - Energia elektronu rośnie ze wzrostem odległości od jądra

Budowa atomu Elektrony walencyjne - Elektrony o najwyższej energii znajdują się na zewnętrznych powłokach - Są to elektrony walencyjne - Walencyjność potencjał konieczny do usunięcia elektronu walencyjnego 4 elektrony walencyjne Atom krzemu Atom germanu

Model Bohra Niels Bohr - 1915 elektrony krążą wokół jądra jadro jest zbudowane z: i) +protonów ii) neutralnych neutronów

Półprzewodniki, przewodniki i izolatory Atom może być przedstawiony jako powłoka walencyjna i rdzeń Rdzeń składa się z wewnętrznych powłok i jadra Atom węgla: -powłoka walencyjna 4 e -wewnętrzna 2 e Jadro: -6 protonów -6 neutronów

Półprzewodniki, przewodniki i izolatory Przewodniki materiał przewodzący prąd elektryczny Najlepsze przewodniki są monoatomowe (Cu, Ag, Au, Al) jeden elektron walencyjny słabo związany z atomem swobodny elektron izotalory materiał nie przewodzący prądu elektrycznego elektrony walencyjne są mocno związane z atomem, brak swobodnych elektronów

Półprzewodniki materiał, który przewodzi prąd elektryczny lepiej niż izolator i gorzej niż przewodnik powszechnie używane półprzewodniki: krzem(si), german Ge), i diament (C). te półprzewodniki posiadają 4 elektrony walencyjne

Układ okresowy pierwiastków W obrębie okresu promienie atomów zmniejszają się malejąc w danym okresie od strony lewej do prawej. Wiąże się to ze wzrostem liczby protonów w jądrze, tzn. z silniejszym przyciąganiem elektronów przez jądro. W obrębie grup promienie atomów wzrastają wraz ze wzrostem liczb atomowych. Wiąże się to ze wzrostem liczby powłok elektronowych, których wpływ na wielkość średnicy atomu przewyższa wpływ wzrostu ładunku jądra, decydującego o zmniejszeniu średnicy atomu

Półprzewodniki, przewodniki i izolatory Pasma energetyczne

Półprzewodniki, przewodniki i izolatory W ciałach stałych istotnemu rozszczepieniu ulegają stany elektronów walencyjnych. Rozszczepione poziomy grupują się w pasma. Najwyższe pasmo obsadzone elektronami w niemetalach nazywa się pasmem walencyjnym. Sąsiednie wyższe pasmo nazywa się pasmem przewodnictwa. Obszar energii zawartej pomiędzy pasmami, niedozwolony dla elektronów nazywa się przerwą wzbronioną.

Półprzewodniki, przewodniki i izolatory Struktura pasmowa 1eV (elektronowolt) energia, jaką uzyskuje elektron w polu elektrycznym o różnicy potencjałów 1V

Półprzewodniki, przewodniki i izolatory Porównanie atomu półprzewodnika i przewodnika Atom Si: 4 elektrony walencyjne półprzewodnik Konfiguracja elektronowa: 2:8:4 Atom Cu: Tylko 1 elektron walencyjny Dobry przewodnik Konfiguracja elektronowa:2:8:18:1 14 protonów 14 jąder 10 elektronów na powłokach wewnętrznych 29 protonów 29 jąder 28 elektronów na powłokach wewnętrznych

Stała sieci, konfiguracja elektronowa i przerwa wzbroniona