UKD 6213823 NORMA BRANŻOWA ELEMENTY T ranzystory typu BFP 519 BFP 520 i BFP 521 PÓŁPRZEWODNKOWE BN81 337531/03 Zamiast BN 72/3375 1604 A L Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe F wymagania dotyczące krzemowych tranzystorów npn malej mocy wielkiej częstotliwości wykonanych technologią epitaksjalnoplanarną typu BFP 519 BFP 520 BFP 521 w obudowie metalowej przeznac'zonych do sprzętu powszechnego użytku oraz urządzeń wymagających zastosowania elementówo wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory przeznaczone są do pracy w układach wzmacniających i generacyjnych wielkiej częstotliwości w zakresie do 100 MHz oraz w układach przeiączających średniej szybkości działania Kategoria klimatyczna wg PN73/E04550/00 dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości 1) wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125/ 04 40/125/21 bardzo wysglkiej jakości (poziom jakości ) 40/125/56 2 Przykład oznaczania tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BFP 519 BN81/337531/03 b) wysokiej jakości: TRANZYSTOR BFP 519/3 BN81/337531 03 c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BFP 519/L BN81/337531J03 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) nazwę producenta lub znak fabryczny b) oznaczenie typu (podtypu) c) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej' i Symbol wymiaru A a ąl b 3 (/JD (/J D 1 F J k l oc fi 1) Wymiar teoretyczny Grupa katalogowa 1923 1 Tablica l Wymiary Wymiary mm min nom max 43 53 254 1 ) 053 53 5 8 45 49 1 0 092 104 1 ) 116 05 12 127 L 18N117117$ 31/031 Kąt stopnie nom 45 1 ) 90 1 ) 5 Badanie w grupie A B C i D wg ark 00 p 51 bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń tranzystora wg' rysunku i tab! L Elementy obudowy wg PN72/ T01503: arkusz 28 podstawa Bll arkusz 55 obudowa C7 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 22 6 Wymagania szczegółowe dla badań grupy A B C i D a l badanie podgrupy Al sprawdzenie wymiarów: A ąl D l wg rysunku i tab! 1 b) badanie podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg tab! 2 c) badania podgrupy B C i D wg tab! 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D wg tab! 4 7 Pozostałe postanowienia wg ark 00 niniejszej normy ZgłolZona przez Naukowa Produkcyjne Centrum PÓłprzewodników Uatanowiona przez Nanelnego Dyrektora Zjednoczenia Przemyału Podzeapołów Materiałów Elektronicznych UNTRA ELEKTRON dna 26 lierpnia 1981 t jako norma obowiązująca od dnia 1 atycznia 1982 r (Dz Norm Miar nr 19/1981 poz 77) Wydanie 2 WYDAWNCTWA NOĘMALZACYJNE ALFA198ł Druk Wyd Norm W wa Ark wyd 150 Nakł 200+23 Zam179/84 Cena zł 3000
Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 A3 A4 i C2 tv Wartości graniczne Podgrupa Kontrolowany Metoda pomiaru Rodzaj badania badań parametr wg PN74/T01504 Warunki pomiaru Jednostka BFP 519 BFP 5 20 BFP 521 max min max min max min 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 A2 Sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych lcbo ark 05 U =20; CB l = O na E U(BR)CEO ark 03 c = 10mA; l B = O 100 100 100 50 30 15 U(BR )CBO ark 04 l = 10 )la' C le = O 70 50 30 U(BR) EBO ark 04 l = 10 )la ; E lc = 10 ma; h ZlE ark 01 U =6 CE l C = O 5 5 :J 20 20 20 20 35 20 35 20 35 30 90 30 90 30 90 70 170 70 170 70 170 150 150 150 ljj Z CP w W 'J W o w h Z 'l ark 21 l = 10 ma; U =6'1 f = 1 khz C CE 20 500 20 500 20 500 A3 Sprawdzenie CEsa' drugorzędnych C2 parametrów UBEsa' elektrycznych ark 02 l C 20 ma' lb = 2 ma f T ark 24 lc=5 ma; U CE = lo; f= 100 MHz MHz 05 05 05 1 1 1 100 160 100 A4 Sprawdzenie parametrów elektrycznych w t amb = 125 Oc ark 05 U CB = 20 ; l E = O (poziom i ) CBO JlA 10 10 10 '
BN81 / 337531 / 03 3 Tablica 3 Wymagania szczegółowe do badań grupy B C i D Lp Podgrupa JiJd (ł 1 Rodza j badania Wymagania szczególowe 2 3 4 Hł C Sprawdzen ie wytrzymałości mechanicznej próba Up metoda 2: 2 5 N; w y prow ad zeń próba UP:l : 5N Spr~wd ze nie s z czeln ośc próba Qk; goziom nieszcze ln ości 665 10 Pa ' dm3 / s 2 łu 5pr~wdzenie wytrzymał ości na spadki polo ż enie tranzystora w c ~asie spadania:!>wl'l bodne wyprowad zeniami do góry ) H4 C4 Sprawd zenie wy t r zymak1śc i na udary wielo mocowanie za obudowę kr'ot ne 4 B6 C6 Spra\d ze nie odpolności na narażenia elek uklad OB wg PN78/T01515 tabl 5 fl'ycz H~ E = 15mA U CB = 20 5 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 05 g 6 C4 Sprawu ze Jlie wyl r7ymaloś c i na pr 7y śpie kierunek probierczy : obydwa kierunki szenin s lałe wzdłuż o s i wyprowadzeń mocowanie za obudow ę Sprawdzenie w Y t r zymalości na udary wielokrotne mo cowanie z a obudow~ Sprawdzenie wy t rzymałości na wi bracje mocowanie za obudo w ę o stałej czc;stotli\ośc i 7 C O Sprawd zenie wymiarów wg rysunku i tabl l 8 Dl Sprawdzenie odpornoś c i na ni skie c iśni e temper atura nara żenia 25 Oc ( poziom ja kośc i nl~ atmosfe r yczne i ) 9 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na p l eśń brak porostu pleśni po badaniu lo D5 Spra\ d zenie wytrzymałości na mgle; solną polo że nie tranzystora dowolne Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C i D (poziom l 111 i ) Oznaczenie Metoda Warunki literowe pomiaru wg pomiaru parametru PN74/ Podgrupa badań Jednostka T OEi04 Wartości graniczne HFP 519 BFP 520 BFP 521 min max min max min max l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 r CBO ark 05 U CB = 20 B1 B3 B4 B5 C C2 na 100 100 100 C4 CS C7 C9 D11 ) r E = o B6 c6 C8 na 500 500 500 C2 1) pa 10 10 10
4 BNB1) 337531/03 cd tab! 4 Wartości graniczne pznac zenie Metoda literowe pomiaru wg Warunki Podgrupa badań Jednostka BFP '519 BFP 520 BFP 521 parametru PN74/ pomiaru T01504 min max min max min max l 2 J 4 5 6 7 8 9 10 11 20 35 20 35 20 35 B1 B3 B4 B5 C C2 30 90 30 90 30 90 C4 C5 C7 C9 70 170 70 170 70 170 150 150 150 J e = 10 ma 15 40 15 40 15 40 U CE = 6 h Z1E ark 01 B6 C6 c8 25 110 25 110 25 110 55 180 55 180 55 180 120 120 120 10 10 10 CĄ 1) 15 15 15 35 35 35 75 75 75 1) W czasie badania KONEC NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca normę _ Naukowo Produkcyjne Centrum PóŁprzewodników Warszawa PN 74/ T 01504/03 Tranzystory Pomiar napięć (BR)CEO' U (BR) CES U(BR) CER U(l3R)CEX PN74/ T Q1504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia przebicia 2 Normy z wiązane PN 73/E04550/00 Wyroby elektrotechniczne Próby środow iskowe Postanowienia ogóine PN 72/ T 01503/28 Elementy półprzewodnikowe Zarys l wymiary Podstawa BU PN72/T01503/55 Elementy półprzewodnikowe Zarys i wymiary Obudowa C7 PN74/ T01504/01 Tranzystory Pomiar h 21E i U RE napięcie PN 74/ T 01504/02 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia U CEsat' U REsat U(BR)CBO i U(BR)EBO PN74/ T01504/05 Tranzystory Pomiar prądów wstecznych CBOi r EBO PN74/T01504/21 Tranzystory Pomiar [h z1e ] w zakresie mcz PN74/ T01504/24 Tranzystory Pomiar modułu h 21e w zakre sie w cz i czę stotliwości f T PN 78/ T 01515 Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania BN 80/ 337531/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory małejmocy wielkiej częstotliwości Wymagania i badania
nformacje dodatkowe do BN81/337531/03 5 3 Symbole K TM BFP 519 1156213401002 BFP 519 11 1156213401015 BFP 519 lu 1156213401028 BFP 519 1156213401030 BFP 519 1156213401043 BFP 520 1156213402003 BFP 520 11 1156213402016 BFP 520 1 1156213402029 BFP 520 1156213402031 BFP 520 1156213402044 BFP 521 11563i3403004 BFP 521 11 1156213403017 BFP 521 1 1156213403020 BFP 521 ~ 1156213403032 BFP 521 1156213403045 4 Wartości dopuszczalne wg rys ll i tab! l Rezystancja termiczna złącze otoczenie R th (1_ a) E;; 500 kiw 300 Ft (W] ZOO r ~(; ~ 8FP S19 FP S20 B~P 521 25 O 25 50 75 100 125 tmb N] 175 BNS173315 ]1103=%11 Rys 11 Zależność temperaturowa mocy strat P c = f(t) Tablica ll Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednostka Wartości dopuszczalne BFP 519 BFP 520 BFP 521 1 2 1 U CEO 2 U CBO 3 U EBO 4 lc 5 lcm 6 lb 3 4 5 6 7 Napięcie kolektoremiter 50 30 15 Napięc;ie kolektorbaza 70 50 30 Napięcie emiterbaza 5 Prąd kolektora ma 50 Prąd szczytowy kolektora ma 200 Prąd baiy ma 5 7 P tot Całkowita moc wejściowa (stała lub średnia) na w szystkich elektrodach przy t amb ~ 25 Oc ma 300 8 li 9 t amb 10 taty Temperatura złącza Oc 175 Temperatura otoczenia w czasie pracy Oc 40 +125 Temperatura przechowywania Oc 55 +175
6 nformacje dodatkowe do BN 81/337531/03 5 Dane charakterystyczne wg rys 12; 19 i lab1 12 30 re [lila] zo BFP 519 UP sza BFP 521 _ / 1/ 1~~~ to : 25'C t~~~ 1 lnnll~ l '~)oa 1111)110 A 10 l' fi 04 1~A ~B~F~P~51~9r~r~~r~~ FP 5Z0 (m~~b~f_p~5~r+~r+~ +~~ tal'll~ = 25'C 6r+++~r+;~ 5 r++ł+++ ;:::orj ~t:: c:: 10041 A '041 A_ 6041 A 40«04 r DJA 08 12 U CE [v] l BN 61/3375 31/0321 BN81/3375 31f03fĄ) Rys 12 Charakterystyka wyjściowa lc ~ f(u CE ) l B parametr Rys 14 Charakterystyka wejściowa la ~ f(u BE ); U CE parametr 16 e [rna] 12 10 8 6 2 B~PS9 BFPSZO BFPS21 tqlllb 160~A = 25'C r _141ll'A ~ iolt~~ ~ _11511 A ~ 100ll~ r r 90~~ 8Ou A 70)' A GO)/oA!lO4A 40 A 30)lA ZO)lA r = ld4la 1 1 10 UCE[] 20 BNs173375 31/03131 łoo e [na] lo FP 519!FP 520 afp 521 / ~ ' ~/ 7 ~~ Z5 50 BNB11337s 31JQ:t=rS Rys 13 Charakterystyka wyjściowa lc ~ f(u CE ) ; B parametr Rys ls Zależność temperatura prądu zerowego lcbo ~ f (tamb)
nformacje dodatkowe do BN Bl / 337531 / 03 7 ZOO h Zlr 150 100 50 FP 519 FP 510 FP 521 U Cl :S + l00c + zs C ;$ 10 F [d] s '5t9 '581 Filt ' lin' sw re : 12 A ts Ziest tu' UC 01 10 t (lila] 100 BN 81/3375 31/03161 t 11\ł117337S31103 81 Rys 16 Za leżność statycznego wspólczynnika wzmocnienia prądowego od prądu kolektora h 2 1E = f (Je) częstotli Rys lb Za le żność współczynnika szumów od wości F= f( f) 'DO f r [M H) BFP 519 SFP ~zo afp 521 3DO ZDO 100 J t ll : ZS C / J' / /' i' u : D f 100 MHz F [etl) 4 l'\ '\ '\ t l L11l1 519 Urt: 5 r = 1tM t~ : Z5C 'ł' '~ l\'~ [op ~ ił 7' '1 z 9 8 SlO FP 521 4 001 01 l re [lila] 10 BN811337S 31/o3=71 BN81/317s 311031gl Rys 17 Zależność częstotliwości granicznej od prądu kolektora f T f ( c) Rys ~ Za l eżność wspólczynnlka szwnów od prądu kolektora F = f ( c>
8 nformacje dodatkowe do BN 131 /337531/03 Tablica 12 Typ Oznacze Nazwa Warunki Jed Lp nie pa BFP 519 BFP 520 BFP 521 parametru pomiaru nostrametru ka min typ max min typ max min typ max l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 CBD Prąd zerowy U CB ~ 20 na 100 100 100 kolektora 2 U(RR)CEO Napięcie prze e = 10 ma bicia kolektor 50 30 15 emiter = B O 3 U(BR)CBO 4 U(BR)EBO 5 UCEsat Napięcie prze c= lo łla bicia kolektor 70 50 30 baza Es O Napięcie prze E = 10»A bicia emiter 5 5 5 baza C = O Napięcie nasy le= 20 ma cenia kolektor 05 05 05 emiter B = 2 ma 6 UBEsat Napięcie nasy c = 20 ma cenia baza ' 1 1 1 emiter B = 2 ma 7 h 21E l) Statyczny 20 20 20 w spółczynnik wzmocnienia prądowego (w układzie wspól nego emitera) C = 10 ma UcE! 6 ł3 h Zl e Małosygnalowy r C = 1 m' zwarciowy w spółczynnik ee przenoszenia f= 1 khz prądowego w układzie wspólnego emitera r 20 35 20 35 20 35 r 1l 30 90 30 90 30 30 r 70 170 70 170 70 70 ~ 150 150 150 U = 6 20 500 20 500 20 500 9 h 11e Małosygnałowa zwarciowa impedancja wejś kq 08 08 08 ciowa w układzie wspólnego emi \ tera 10 h 12e Małosygnałowy rc 2 ma rozwarciowy w spółczynnik UCE s 5 w ste'cznego f= 1 khz ic1o 4 przenoszenia 06 06 06 napięciowego w układzie wspóln:ego emitera 11 hi2e Malosygnałowa zwarciowa admitancja wyjściowa w \ls 6 6 6 układzie wspólnego emitera
nformacje dodatkowe do BN81/337531/03 cd tabl 12 Nazwa parametru Warunki pomiaru Oznacze Lp nie parametru ' Jednost ka 1 2 3 4 5 12 Y Małosygnalowa llr 9 11 1' zwarciowa admitancja wejśms ciowa w układzie bile wspólnego emitera Typ BFP 519 BFP 520 BFP 521 min typ max min typ max min typ max 6 7 8 9 10 11 12 13 ł4 43 43 43 62 62 62 13 Y12e Małosygnałowa zwarciowa admitancja przenoszenia w s'tecz w układzie wspólnego emitera lc 5 ma U CE 6 14 Y 21e Małosygnałowa f 35MHz zwarciowa admitancja 'przenoszenia w przód w układzie wspólnego emitera g12e b 12e g21e b 21e ms ms 005 005 005 06 D6 06 17 17 17 65 65 65 15 Y22e Malosyg~łowa wa w układzie wspólnego emitera g22e b 22e zwarciowa admttancja wyjścioms 038 038 038 13 13 13 16 lon 2) Czas włączania C a 200 ma ns 17 loh 2) Czas wyłączania 1~1 ~ 2 B2 a 40 ma 18 fr CzęstotliwoŚć C 5 ma graniczna U CE 10 f 100 MHz 19 ecbo Pojemność złą UCB Wv cza kolektor baza fs MHz ns MHz 20 Tbb Cc Stała czasowa c 25 ma sprzężenia zwrotnego przy UCB 10 ps wielkiej częstof = 5 tliwości MHz pf 40 40 40 150 150 150 ' 150 150 150 8 8 8 500 500 500 1) Selekcja na grupy wzmocnienia!l m tylko dostawę elementów półprzewodnikowych zgodnych z BN t~ do ceny wyrobów nieselekcjonowanych ) Układ do pomiaru czasów przełączeń : 4 na zamowienie odbiorcy Zgodnie z cennikiem CEM za ale wg określonych grup selekcji pobiera' się dodatkowo dopła +5 +fzv JL 562 01 JlF zoo n nr ~ 4 ~{1 =:]1 O1}lF Oscyloskop /2 Wł = 502 tr ~1 ns
/ 10 lruormacje dodatkowe do BN81/337531/03 6 Wydanie 2 stan aktualny: grudzień 1983 uaktualniono normy związane oraz poprawiono błędy /