UKO 61383 ELEMENTY POLPRZEWODNKOWE NORMA BRANŻOWA T ranzystry typu BF 19 i BF 195 BN81 3375310 r Grupa kala!gwa 193 l Przedmit nrmy Przedmitem nrmy Sil szczeg6łwe wymagania dtyczfce tranzystrów krzemwych małej mcy wielkiej częsttliwści wyknanych npn technl'ogl epltaksjalnplanarn typu BF 19 BF 195 w budwe plastykwej przeznacznych d sprzętu pwszechneg uiytku raz urzdzeń wymagajcych zastswania elementów wyskej bardz Vlyskie jakści Tranzystry BF 19 przeznaczne sp d pracy we wzmacniaczach pśrednej częsttlwśc dbrników radiwych AM AMFM raz w stpnach wstępnych dbrników radiwych w zakrese fal krótkch średnich długich Tranzystry BF 195 przeznaczne sp d pracy we wzma cniaczach wstępnych i stpniach przemiany częsttlwści dbrnków FM Kategra klimatyczna wg PN 73/E0550 dla tranzystrów: standardowej jakścl (pzim jakśc l) 0/15/0 wyskiej jakścl (pzm jakśc ) 0/15/1 bardz wyskiej jakści (pzim jakści V) 01 15/56 E Przykład znaczfnia tranzystrów: a) standardwej jakści: TRANZYSTOR BF 19 BN8t/337531 b) wyskiej jakści: TRANZYSTOR BF 19/BN81/337531 c) bardz wyskiej jakści: TRANZYSTOR ef 19/ BNSl/33T531 3 Cechwanie tranzystrów pwinn zawerać nastpujce dane: a) nazw ę prducenta lub znak fabryczny b) znaczenle typu c) nakwanle ddatkwe dla tranzystrów wyskiej bardz wyskiej akści Tranzystry wyskej akśc pwnny być znakwane cyfr p 3 a tranzystry bardz w ski ej jakści cyfr p umleszcz p znaczeniu typu Wymiary znaczenia wyprwadzeń traniljystrów wg rysunku tabl D Z E B' C Obudwa CE 36 e '' Z L b1 bz ł b3 BN81733753101 Zgłszna przez NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników Ustanwina przez Naczalneg Dyrektra Zjednczenia Przemysłu Pdzelpłów Materiałów Elektrnicznych UNłTRAELEKTRON dnia 6 alerpnia 1981 r jak nrma bawiqzulqca d dnia 1 stycznia 198 r (Dz Nrm Miar nr 19/1981 pz 17) WYDAWNCTWA NORMAUZACYNE 1981 Druk Wd Nrm W w Ark wd15 Nkt600+S5 Zm 87/81 C 1 70
SymbOl wymiaru Tablica!!!mrary budwy CE 36 mln Wymiary mm nm A A A 1 161) b 15 b 3 070 C O 17 D E e 5 1 ) e 00 e 135 10 L 00 L 185 max 560 780 00 15 0_80 0 750 30 50 175 130 30 15 cd tabl 1 Symbl wymiaru Wymiary mm min nm max _ N 3 0 z 15 1) Wymiar teretyczny 5 Badania w grupie A B C i O wg BN80/337S03100 P 5 1 6 Wym 9lmia szczegółwe d badań grupy A B C i O: a) badania podgrupy Al sprawdzenie wymlar6w: A rp D L wg rysunku i tabl l b) badania POdgrupy A A3 A i C wg tabl c) badania grupy B C O wg tabl 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach grupy B C O wg tabl 7 Pzstałe pstanwienia wg BN80/337S3 t 00 POdgrupa badań Tablica Parametry elektryczne pdstawwe sprawdzane w badaniach pdgrupy A A3 A i C Kntrl Metda War tścl graniczne Rdzaj badania wany ml8c wg Warunki pni aru ednstka 8F 19 8F 195 parametr PN7/ T 0150 mln max mln max 1 3 5 6 7 8 9 10 A Sprawdzenie pd: ledo ark 05 UCB 10 V LE O na 100 100 stawwych parametr6w elektrycznych U(BR)CBO ark 0 C 10 E O V 30 30 U(BR)CEO ark 03 c ma B O V 0 0 U(BR)EBO ark 0 te 10 Le O V h 1E ark 01 le 1 ma UCE 10V 67 5 35 15 A3 Sprawdzenie dru U BE ark 01 le 1 ma 10 V V 065 07 065 07 C grzędnych paramt r6w elektrycznych 1 : f T ark C 'ea al'k 3 Tbb' Cc ark 5 C 1 ma 10 V f 100 MHz lem l ma f l MHz U ee l0v 1<; 5 ma 10 V f50 MHz Mlz 150 150 pf 1 1 ps 17 11 A Sprawdzenie parametrów thektrycznych eba ark 05 UCBOV/E pa 50 50 w tamb= 15 0 C (pzim 11'1 V) 1} Na łyczenie dbircy w uzgdnieniu z prducentem zestaw kntrlwanych parametr6w mfe być rzszerzny współczynnik szum6w F
BN8/3370 Tabca 3 WYmasanla szczeg6łwe d bedań grupy B C P Lp POdgrupa badań Rdzaj badania Wymagania s%czeg6łwe 3 B C Sprawdzenie wytrzymałści mechanicznej próba Ub metda : 5N wyprwadzeń próba U : 5 N a1 Sprawdzenie szczalnścl próba Ql ' B3 C9 Sprawdzenie wytrzymałści na spadki pł!enle tranzystra WO czasie spadan: swbdne wyprwadzeniami d góry 3 B C Sprwdzenle wytrzymałści na udary wle mcwanie za budwę lkrtne 85 C5 Sprawdzene wytrzymałści na nagłe zmia TA (pzim jakści i 10 ny temparatury 55 C; T B 15 C 5 B6 C6 Sprawdzene dprnści na nara!enia układ OB wg PN7/T 01515 tabl 5 elektryczne UCE 1V; EllmA 6 C3 Sprawdzenie masy wyrbu 0 g 7 C Sprawdzenie wytrzymałści na przyśple_ kierunek prbierczy: bydwa kierunki szenia stłe wzdłut si wyprwadzeń mcwane z bud9wę Sprewdzenie wytrzymłści na wibracje stałej częsttliwści (dla pzimu jakści ) Sp}awdzenle wytrzymałści na wibracje zmiennej czsttllwścl (dla pzimu jakści V) mcwanie za budwę 8 C5 Sprawdzenie wytrzymałści na ciepł lutwania 9 C7 Sprawdzenie wytrzymałści i'la zimn lo C8 Sprawdzenie wytrzymałści na suche r{lc temperatura kppiell 350 C AQL O tst g min 65 C 15 Oc tt max 11 CO Sprawdzenie wymlar6w wg rysunku tabl 1 Ol Sprawdzenie dprnści na niskie ciśnie temperatura naruenia 5 Oc (pzim jakści V) nie atmsferyczne 13 0 Sprawdzenie wytrzymałści na rzpusz alkhl etylwy acetn sprawdza! wyczalnlkl miary A O' i L wg tabl rysunku masa tranzystra 0 g 1 03 Sprawdzenie palnści wg PN7/T O 1515 zał{lcznik p 3 15 0 Sprawdzenie wytrzymałśc a pleśń brak prstu ple'nl p badaniu 16 05 Sprawdzenie wytrzymałści na mgłę płżenie tranzystra dwlne sll'l{l :rb!lc! Partmetry elektryczne sprawdzane w czasie i p bad!c!lach grupy B C O (pzm V) Oznaczenie literwe Metda pmiaru wg Warunki ed PN7/T 0150 pcxnlaru ns tka Wartści graniczne Ppdgrupa badań BF 1911 BF 195 mln max min max 1 3 5 6 7 8 9 [CBO ark 05 U CB = 10 V ' re O B C B3 8 BS C C CS C? C9 na 100 100 01') B6 C6 C8 na 00 00 C') 50 50
BN81/337531 0 cd tabl Wartścl graniczne Oznaczanie Metda pmiaru wg Warunk literwe Pdgrupa ' badań ed BF 19 BF 195 PN7/T 0150 pmiaru nstka mln ma>< mln ma>< l 3 5 6 7 8 9 h 1 'E ark 01 1)w czasie badania c ma lice 10 V Bl B3 B B5 C C C C5 C7 cg 67 5 35 15 B6 C6' C8 50 'r 5 150 C l ) 3 18 KONEC NFORMACE DODATKOWE l rtstytucla gpracwujapa nrn;e NaukwPrduk cy jne' Centr um P6łpr zewdni k6w 3 Symbl wg KTM BF 19 11561331006 BF 195 115613315007 Wartści dpuszczalne wg rys 11 tabl 11 Nrmy zwlazane PN'73jE055V Wyrby elektrtechniczne Próby śrdwrskwe PN';7/T 0150 Ol Tranzystry Pmiar h 1E napięcia U BE PN7/T015003 Tranzystry Pmiar napięcia przebicia U(BR )CEO' U(BR) CES' PN7jT O 150 0 Tranystry U [ Ca (BR)CBO' (BR)EBO PN7/T 0150 05 Tranzystry nych lcbo' EBO PN7/T O 150 3 Tranystry w zakresle w cz U(BR)CER ' Pmiar napięcia Pmiar prd6w U(BR ) CEK przebi wstecz Pmiar parameir6w [ y ] PN7/T015V Tranzystry Pmiar mdułu w zakresie w cz i' częsttliwści f T PN7/T 01505 Tranzystry Pmiar stałej sprzę!enla zwrtneg T bb Cc czaswej PN7/T 01515 Elementy p6łprzewdnlkwe Og61ne wymagania badania BN80/337531 00 El ementy p6łprzewdnlkwe Tranzystry małej mcy wielkiej częsttl wścl badana Wymagana Rezystancja termiczna złczetczenle 30 8F1f tdt SF1S! W D 160 1Z0 la \ \ \ 1'\ f\ \ O D D t c lsd BNS!!'''5 3ł0 tł R th ;<1 65 K/W Rys Zale!nść ter:nperaturwa całkwitej mcy wejścwej 'Ptt f(tamb)
nfrmacje ddatkwe d BN 8 i/337531 0 Tablica Lp Oznaczene perametru Wartśc ; dpuszczalne Nazwa edn!;tka ef 19 BF 195 3 1 Uca Napęce klektrbaza U EaO Naplęcle emi terbaza 3 O Napęce klektremiter 'e Prd kólektra 5 'a ' Prd bazy Całkwta mc wejściwa (stała tub średnia) na wszystkich 6 Ptt ełtrdach przy [amb= 5 C 7 tj Temperatura złcz a 8 tamb Temperatura tczenia w czase pracy g t atg Temperatura przechwywania 5 V O V V 0 ma 30 ma mw 160 C l 15 Oc 0 + +15 Oc 65 +15 fe ;;;;; lina] t C 1 ; 'v 5 Dane charakterystyczne wg rys 1 17 tabl 1 l' v ' t ' D if UC[Y) 8 BN8ł1$37! 31 O f1 ' 10 łma 6mA fma 1 6 cma Rys 1 Charakterystyka wyjklwa 'lc f( t ); CB 'E parametr B Gsp! [ms] F [etb] ; 18 fe [ma] 1 10 8 6 8F19Ą Bf195 17 O BFf9 BF 195 1>' t amb =SC 1Z0 1błA 80 la 60pA LlOj1A f B =0jA 8 1 UC[ [Vi 0 BN81/337S310Y31 Rys 13 Charakterystyka wyjściwa l f( U h 'B parametr C CE UC!= 10V fe= 1mA t amb=5 C :1 / f i] '0 D «0 D D BF19 B 195 UCE=fOV tamb!łc ' l/ lłł Q UM{Vj 10 N81/!S1!3iUt 11 Rys 1 Charakterystyka wejścwa 'l = B f( U BE l U parametr CE Sspt F O 10 100 f[!1h7 100 'f) Rys 15 Zaletnść szum6w ptymalnej knduktanc flódła d częsttliwśc F; Gs pl = f(f BN8ł/337SSL0t współczynnika
6 nfrmacje ddatkwe d BNS /337531 0 re [ma) BF 191 8F15 t Qlłtb 5 C 8 6 V / D UeGłO V j 1/ 1O (0 16Dl slp A BA 81/35n31DĄ+&1 hw N 19 ( BF16 'n i(i ' 0 'f {w l' l =lc q t 1 ) ' l e ['1 BNłUs) 13910 111 Rys 17 Zale!nść statyczneg wsp6łczynnika wzmcnenia prdweg znrmalzwaneg d pr{ldu klektra Rys 16 Charakterystyka przejścwa 'lc f( la) h 1E (11) f(le) Tablica 1 LP 1 1 3 5 Typ Oznaczene ad nstka ElF 19 ElF Nazwa Warunk pmaru 195 m n typ max mln typ max 3 5 6 7 S 9 lo l eb Prpd zerwy klektra Uea OV; l O na 100 100 E U(HR)ea lektrbaza V(aR)eEO Napęce przebicia k lc 10 (A; le O V 30 30 Naplcie przebca k le= ma; la=o V 0 0 lektr;emlter U(BR)Ea Napęce przebca em l lo (A' C=O V E ' terbaza h 1E Statyczny wsp6łczynnlk l C 1 ma _ wzmcnenia prdweg Ue!: 10 V 67 SO 5 35 70 15 (w układze wsp61neg emitera) & U BE Naplęcfe baza':emlter le 1 ma 10 V V 065 07 07 065 Q7 07 7 S 9 f T Czsttllwść granczna le 1 ma 10 V MHz 150 300 150 50 f 100 MHz C Pjemnść sprzę!enla 1e le* 1 ma zwrtneg (przy weś clu zwartym dla przeble UCE*OV / pf 1 065 g6w zmennych w ukła * tvtłz 065 dzle wapólneg emter) nia zwrtneg przy wiel Tbb' C e Stała czaswa spr'zę!e 1 5 ma e ' klej częsttl iwścl : 10 V ps 17 f 50 MHz
nfrmacje ddatkyle d 8N81/337531 0 1 cd tabl 1 Typ Lp Oznaczenie Nezwa Warunki pmiaru ed 8F 19 8F 195 nstka min yp max mln yp max ' 3 5 6 7 8 9 10 11 10 F f =00 khz 15 9c m5 Wsp6łczynnik szum6w f =1 MHz 9c 5m5 te ma j100 MHz U ee = OV G ; d8 1 q K lo m5 f =00 khz 11 F e 3 9 O6m5 c Wsp6łczynnlk szumów w d8 układzie mieszacza j MHz 9 C =m5 1 9 11 b Małsygnałwa zawarciwa knduktancja wejściwa w m5 3 bb Małsygnałwa zwarciwa susceplancja wejściwa w m5 Pjemnść wejściwa C (wyjście zwarltl dla przepf llbs bleg6w zmiennych) w 3 13 Y1b Mduł małsygnałwej zwar clwej admltancji przenszenia wprzód w układzie wsp61nej bazy!5 3 py 1 b Faza zwarciwej admitan t e = 1 ma cjf przenszenia wprz6d w f= 100 MHz = 10 V lo 150 1 9 b Małsygnałwa zwarciwa knduktancja wyjściwa w fs 80 układz i e wsp61nej bazy b b Małsygnałwa zwarciwa susceptancje wy jści wa w układzie wsp61nej bazy ł 5 700 15 gile W knd\iktllncjll weścl W w układzie wsp61neg emitera C b Pjemnść wyjściwa (wejście zwarte dla prze bleg6w zmiennych) w pf 1 Małsygnałwa zwarcitc=lma j=500khz 035 055 = 10 V ms f=omlz 0 06 16 9 Małsygnałwa zwar ci 0 e tc=1 ma f=500khz W knduktal1cja wyjści wa w układzie wsp61mig U OV 5 CE emitera f=10 MHz 6 3