1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne"

Transkrypt

1 Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń Zarys właściwości półprzewodników Półprzewodniki stosowane w elektronice Struktura energetyczna półprzewodników Nośniki ładunku w półprzewodnikach Statystyka nośników ładunku w półprzewodnikach Przewodnictwo elektryczne Dyfuzja nośników ładunku Zjawiska kontaktowe Kontakt metal-półprzewodnik (m-p) Złącze p-n Stan równowagi złącza Przepływ prądu przez złącze p-n Diody Model diody złączowej p + -n Równanie rzeczywistej diody złączowej p-n Parametry diody prostowniczej Pojemności złącza p + -n Małosygnałowe modele diody Diody stabilizacyjne Diody tunelowe Tranzystory bipolarne Budowa i działanie tranzystorów bipolarnych Struktury złączowe tranzystorów Konfiguracje i stany pracy tranzystora Charakterystyki stałoprądowe Model Ebersa-Molla Charakterystyki tranzystora w konfiguracji OE Transportowy model tranzystora Parametry i modele małosygnałowe tranzystorów bipolarnych 80 5

2 Definicje podstawowe Określenie punktu pracy tranzystora Tranzystor jako czwórnik aktywny Model typu hybryd n dla konfiguracji OE Model hybryd Ti dla konfiguracji OB Hybrydowe parametry typu h Częstotliwości graniczne tranzystora Narażenia napięciowe tranzystorów Tranzystory polowe Zasada działania i podział tranzystorów polowych Złączowy tranzystor polowy JFET i jego modele Parametry małosygnałowe tranzystora JFET Ograniczenia częstotliwościowe i częstotliwość odcięcia Tranzystor polowy z izolowaną bramką (MOSFET) i jego modele Wielkosygnałowy model zastępczy tranzystora MOSFET Małosygnałowy model tranzystora MOSFET Małosygnałowy admitancyjny schemat zastępczy tranzystorów polowych Przyrządy optoelektroniczne Fotoogniwo Fotodioda Fototranzystor Dioda elektroluminescencyjna (LED - Light Emitting Diodę) Laser półprzewodnikowy Tyrystory i triaki Budowa i działanie tyrystora Triaki Struktury tyrystorowe V-MOS i D-MOS Wybrane przyrządy elektroniczne Termoelement Peltiera (chłodziarka termoelektryczna) Warystor Hallotron Magnetorezystor Układy zasilania tranzystorów Wybór punktu pracy tranzystora Statyczne i dynamiczne proste robocze układów wzmacniających Zasilanie i stabilizacja punktów pracy tranzystorów w układach dyskretnych Układy zasilania tranzystorów bipolarnych Układy zasilania tranzystorów unipolarnych Zasilanie i stabilizacja punktów pracy tranzystorów w układach scalonych 171

3 Ogólna charakterystyka obwodów zasilania w układach scalonych Podstawowe bloki w układach zasilania i stabilizacji punktów pracy tranzystorów bipolarnych Źródła stałoprądowe - lustra prądowe Stałoprądowe źródła odniesienia Źródła napięcia odniesienia Podstawowe bloki w układach zasilania i stabilizacji punktów pracy tranzystorów unipolarnych Źródła stałoprądowe - lustra prądowe Źródła napięciowe Wzmacniacze tranzystorowe w różnych konfiguracjach Wprowadzenie Klasyfikacja wzmacniaczy Tworzenie schematów zastępczych wzmacniaczy Właściwości wzmacniaczy w zakresie średnich częstotliwości Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego emitera Wzmacniacz w konfiguracji wspólnej bazy Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego kolektora - wtórnik emiterowy Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego źródła Wzmacniacz w konfiguracji wspólnej bramki Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego drenu - wtórnik źródłowy Właściwości wzmacniaczy w zakresie dużych częstotliwości Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego emitera i wspólnego źródła Wzmacniacz w konfiguracji wspólnej bazy i wspólnej bramki Wzmacniacz w konfiguracji wspólnego kolektora i wspólnego drenu Charakterystyki częstotliwościowe wzmacniaczy RC w zakresie małych częstotliwości Sprzężenie zwrotne Uwagi ogólne Elementarna teoria sprzężenia zwrotnego Wpływ sprzężenia zwrotnego na właściwości wzmacniaczy Wpływ sprzężenia zwrotnego na wrażliwość wzmocnienia Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na zniekształcenia nieliniowe, zakłócenia i szumy Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na impedancję wejściową wzmacniacza 236

4 Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na impedancję wyjściową wzmacniacza Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego na charakterystyki częstotliwościowe wzmacniaczy Stabilność układów ze sprzężeniem zwrotnym Przykłady wzmacniaczy z ujemnym sprzężeniem zwrotnym Wzmacniacze prądu stałego Wprowadzenie Wzmacniacz różnicowy z tranzystorami bipolarnymi Zasada działania wzmacniacza różnicowego Charakterystyka przejściowa wzmacniacza Analiza małosygnałowa Wzmacniacz różnicowy w zakresie dużych częstotliwości Wzmacniacze z obciążeniem aktywnym Wzmacniacz różnicowy z tranzystorami MOS Charakterystyka przejściowa wzmacniacza Wzmacniacze różnicowe MOS z obciążeniem aktywnym. Analiza małosygnałowa Wzmacniacze operacyjne Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych Budowa wzmacniaczy operacyjnych Kompensacja charakterystyki częstotliwościowej wzmacniacza operacyjnego Szybkość narastania napięcia wyjściowego Inne wzmacniacze operacyjne Liniowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych Wprowadzenie Podstawowe konfiguracje wzmacniacza operacyjnego w układach wzmacniających Wzmacniacz odwracający Wzmacniacz sumujący Wzmacniacz nieodwracający Wtórnik napięciowy Wzmacniacz różnicowy Układy całkujące i różniczkujące Układ całkujący Układ różniczkujący Filtry aktywne Klasyfikacja filtrów aktywnych i metody ich realizacji Filtry bikwadratowe Filtry aktywne realizowane metodą zmiennych stanu Filtry aktywne z analogami indukcyjności 313

5 Filtry C-przełączane Uwagi wstępne Przykłady realizacji integratorów i filtrów SC Filtry aktywne C pracujące w czasie ciągłym Wzmacniacze szerokopasmowe i impulsowe Wprowadzenie Aproksymacja charakterystyk częstotliwościowych oraz związki między charakterystykami częstotliwościowymi i czasowymi układów liniowych Zagadnienie aproksymacji charakterystyk idealnych Maksymalnie płaska charakterystyka wzmocnienia Charakterystyka równomiernie falista Charakterystyka maksymalnie liniowej fazy Związki pomiędzy parametrami częstotliwościowymi i impulsowymi wzmacniacza Sposoby rozszerzania pasma wzmacniaczy Właściwości szerokopasmowe jednostopniowego wzmacniacza oporowego w konfiguracji OE Wzmacniacze z korekcją obwodów sprzęgających Wzmacniacze z korekcją w obwodzie sprzężenia zwrotnego Wzmacniacze kaskodowe Niesymetryczny wzmacniacz różnicowy - układ OC-OB Scalone wzmacniacze szerokopasmowe Wzmacniacze selektywne wielkiej częstotliwości Wprowadzenie Obwody rezonansowe LC Pojedynczy obwód rezonansowy LC Obwody rezonansowe sprzężone Filtry piezoelektryczne Rodzaje filtrów piezoelektrycznych Filtry kwarcowe Filtry ceramiczne Przykłady analizy jednostopniowych wzmacniaczy rezonansowych LC Stabilność wzmacniaczy rezonansowych Wzmacniacze selektywne o ulepszonych właściwościach wielkoczęstotliwościowych Techniki realizacji wzmacniaczy selektywnych w.cz Wzmacniacze mocy Specyficzne problemy wzmacniaczy mocy Odprowadzenie ciepła z tranzystora mocy 380

6 Klasy pracy wzmacniaczy Układy sprzęgające obciążenie ze wzmacniaczem Zniekształcenia nieliniowe we wzmacniaczach mocy Wzmacniacze mocy klasy A Wzmacniacz z obciążeniem rezystancyjnym bezpośrednio włączonym w obwód kolektora Wzmacniacz ze sprzężeniem transformatorowym Przeciwsobne wzmacniacze klasy B i AB Zależności energetyczne wzmacniacza klasy B Charakterystyka przejściowa i zniekształcenia nieliniowe Rozwiązania układowe wzmacniaczy klasy AB Wzmacniacze mocy z tranzystorami MOSFET Szumy w układach elektronicznych Źródła i rodzaje szumów Uwagi wstępne Szumy cieplne Szumy śrutowe Szumy strukturalne (szumy l/f lub szumy migotania) Szumy wybuchowe Szumy lawinowe Szumowe modele przyrządów półprzewodnikowych Dioda półprzewodnikowa Tranzystor bipolarny Tranzystor unipolarny JFET Tranzystor unipolarny MOSFET Sumowanie źródeł szumowych Całkowity szum zastępczy odniesiony do wejścia wzmacniacza Zastępcze źródła szumów odniesione do wejścia wzmacniacza Zastępcze źródła szumów tranzystora bipolarnego Zastępcze źródła szumów tranzystorów polowych Wpływ sprzężenia zwrotnego na parametry szumowe wzmacniacza Parametry szumowe układów elektronicznych Stabilizatory o pracy ciągłej Definicje, parametry i klasyfikacja stabilizatorów Stabilizatory parametryczne Parametryczny stabilizator napięcia z diodą stabilizacyjną (Zenera) Parametryczny stabilizator prądu Podsumowanie właściwości stabilizatorów parametrycznych Stabilizatory kompensacyjne 429

7 Zasada działania stabilizatorów kompensacyjnych Szeregowe stabilizatory napięcia Równolegle stabilizatory napięcia Układy zabezpieczeń stabilizatorów Układ z ograniczeniem prądu obciążenia Układ z redukcjąprądu zwarcia Ogranicznik prądu ze sprzężeniem zwrotnym Zabezpieczenia nadnapięciowe Zabezpieczenie termiczne Kompensacyjny stabilizator prądu Monolityczne stabilizatory napięcia 445 Literatura uzupełniająca 449

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009 Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego

Liniowe układy scalone. Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Liniowe układy scalone Budowa scalonego wzmacniacza operacyjnego Wzmacniacze scalone Duża różnorodność Powtarzające się układy elementarne Układy elementarne zbliżone do odpowiedników dyskretnych, ale

Bardziej szczegółowo

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych Pytania podstawowe dla studentów studiów II-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Co to jest pomiar? 2. Niepewność pomiaru, sposób obliczania. 3.

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI

Zał. nr 4 do ZW 33/2012 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI Zał. nr 4 do ZW 33/0 KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim : UKŁADY ELEKTRONICZNE Nazwa w języku angielskim: ELECTRONIC CIRCUITS Kierunek studiów (jeśli dotyczy):

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości.

Lekcja 19. Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Lekcja 19 Temat: Wzmacniacze pośrednich częstotliwości. Wzmacniacze pośrednich częstotliwości zazwyczaj są trzy- lub czterostopniowe, gdyż sygnał na ich wejściu musi być znacznie wzmocniony niż we wzmacniaczu

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4

Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4 Lista zagadnień do egzaminu z Elementów Elektronicznych W3-4 1. Dioda półprzewodnikowa: podaj symbol oraz zapisz równanie opisujące zależność pomiędzy prądem i napięciem. Narysuj charakterystyki napięciowo

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Elektroniki

Laboratorium Elektroniki Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na:

Zasilacz. Ze względu na sposób zmiany napięcia do wartości wymaganej przez zasilany układ najczęściej spotykane zasilacze można podzielić na: Układy zasilające Ryszard J. Barczyński, 2010 2013 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasilacz Zasilacz urządzenie, służące do

Bardziej szczegółowo

Spis treści. 1. Podstawy elektrotechniki 11. doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż.

Spis treści. 1. Podstawy elektrotechniki 11. doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż. Spis treści 1. Podstawy elektrotechniki 11 doc. dr inż. Robert Kielsznia, prof. dr inż. Andrzej Piłatowicz, dr inż. Alicja Zielińska 1.1. Pojęcia podstawowe i jednostki miar 11 1.2. Pole elektrostatyczne,

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny

Tranzystor bipolarny Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,

Bardziej szczegółowo

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji

Wzmacniacz jako generator. Warunki generacji Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego

Bardziej szczegółowo

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych

Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Wykład 2 Projektowanie cyfrowych układów elektronicznych Mgr inż. Łukasz Kirchner Lukasz.kirchner@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/lkirchner Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill kłady półprzewodnikowe.tietze,

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

ELEKTROTECHNIKA. Zagadnienia na egzamin dyplomowy dla studentów

ELEKTROTECHNIKA. Zagadnienia na egzamin dyplomowy dla studentów ELEKTROTECHNIKA Zagadnienia na egzamin dyplomowy dla studentów Teoria obwodów 1. Jakimi parametrami (podać definicje) charakteryzowane są okresowe sygnały elektryczne? 2. Wyjaśnić pojecie indukcyjności

Bardziej szczegółowo

Programy CAD w praktyce inŝynierskiej

Programy CAD w praktyce inŝynierskiej Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechniki Łódzkiej Programy CAD w praktyce inŝynierskiej dr inż. Piotr Pietrzak pietrzak@dmcs dmcs.pl pok. 54, tel. 631 26 20 www.dmcs dmcs.p..p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Spis symboli elementów elektronicznych

Spis symboli elementów elektronicznych Spis symboli elementów elektronicznych Symbol Oznaczenie Opis M V cc V dd Ścieżki i punkty łączenia ścieżek - należy zwracać uwagę na czarne kropeczki w miejscu krzyżowania się ścieżek, bowiem oznaczają

Bardziej szczegółowo

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1.

Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Mieszacze Najprostszy mieszacz składa się z elementu nieliniowego, do którego doprowadzone są dwa sygnały. Przykładowy taki układ jest pokazany na rysunku 1. Rysunek 1: Najprostszy mieszacz diodowy Elementem

Bardziej szczegółowo

Diody półprzewodnikowe cz II

Diody półprzewodnikowe cz II Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych

Tranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

Cel wykładu. Elektronika Jakub Dawidziuk

Cel wykładu. Elektronika Jakub Dawidziuk Elektronika program Złącze p-n, diody półprzewodnikowe. Elementy optoelektroniczne. Prostowniki. Zasada działania BJT, charakterystyki statyczne, modele, parametry. Układy polaryzacji i stabilizacja punktu

Bardziej szczegółowo

WYBRANE ZAGADNIENIA ELEKTRONIKI

WYBRANE ZAGADNIENIA ELEKTRONIKI WYRANE ZAGADNIENIA ELEKTRONIKI Opracował: mgr inż. F.Gawlik WYRANE ZAGADNIENIA ELEKTRONIKI Strona 2 1. DIODY... 4 1.1. Diody prostownicze... 4 1.2. Diody stabilizacyjne Diody Zenera... 5 2. TRANZYSTORY

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe.

WZMACNIACZE MOCY. Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. WZMACACZE MCY Klasy, zniekształcenia nieliniowe, sprawność energetyczna, wzmacniacze przeciwsobne, zabezpieczenia przeciwzwarciowe. Wymagania i klasyfikacja uzyskanie małej rezystancji wyjściowej aby dostarczyć

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Stabilizatory impulsowe

Stabilizatory impulsowe POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

CZWÓRNIKI KLASYFIKACJA CZWÓRNIKÓW.

CZWÓRNIKI KLASYFIKACJA CZWÓRNIKÓW. CZWÓRNK jest to obwód elektryczny o dowolnej wewnętrznej strukturze połączeń elementów, mający wyprowadzone na zewnątrz cztery zaciski uporządkowane w dwie pary, zwane bramami : wejściową i wyjściową,

Bardziej szczegółowo

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów

Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Symbole a a 1 operator obrotu podstawowej zmiennych stanu a 1 podstawowej uśrednionych zmiennych stanu b 1 podstawowej zmiennych stanu b 1 A A i A A i, j B B i cosφ 1

Bardziej szczegółowo

Stabilizatory liniowe (ciągłe)

Stabilizatory liniowe (ciągłe) POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory liniowe (ciągłe) 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Stabilizatory parametryczne 4.

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2014 r. Wzmacniacze operacyjne Ćwiczenie 4 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i wybranymi zastosowaniami wzmacniaczy

Bardziej szczegółowo

Zasilacz przetwarza energię elektryczną pobieraną z sieci. Standardowy schemat blokowy zasilacza: filtr. prostownik

Zasilacz przetwarza energię elektryczną pobieraną z sieci. Standardowy schemat blokowy zasilacza: filtr. prostownik 2012 Zasilacze Źródło energii elektrycznej dla układu wykonawczego: źródło napięciowe, źródło prądowe (ogranicznik prądu), zabezpieczenie przed przegrzaniem, zapaleniem, porażeniem itp. Zasilacz przetwarza

Bardziej szczegółowo

Zakład Podstaw Informatyki Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki

Zakład Podstaw Informatyki Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki Zakład Podstaw Informatyki Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki Laboratorium techniczne (Laboratorium podstaw fizyki i laboratorium podstaw elektrotechniki, elektroniki i miernictwa) Przeznaczenie:

Bardziej szczegółowo

Elektronika i techniki mikroprocesorowe

Elektronika i techniki mikroprocesorowe Elektronika i techniki mikroprocesorowe Elektronika Wybrane układy elektroniczne Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki Wydział Elektryczny, ul. Krzywoustego 1. Generatory sinusoidalne:.

Bardziej szczegółowo

5. Elektronika i Energoelektronika test

5. Elektronika i Energoelektronika test 5. Elektronika i Energoelektronika test 5.1. Nośnikami prądu w półprzewodnikach są: A) Elektrony i dziury B) Protony C) Jony D) Elektrony 5.2. Dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, gdy: A)

Bardziej szczegółowo

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.

WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków. Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Materiały dydaktyczne. Podstawy elektrotechniki i elektroniki. Semestr III. Laboratoria

Materiały dydaktyczne. Podstawy elektrotechniki i elektroniki. Semestr III. Laboratoria Materiały dydaktyczne Podstawy elektrotechniki i elektroniki Semestr III Laboratoria 1 Zajęcia Laboratoryjne semestr III Związki z innymi przedmiotami matematyka; fizyka; podstawy elektrotechniki, miernictwa

Bardziej szczegółowo

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5.

Wybrane elementy optoelektroniczne. 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Wybrane elementy optoelektroniczne 1. Dioda elektroluminiscencyjna LED 2. Fotodetektory 3. Transoptory 4. Wskaźniki optyczne 5. Podsumowanie a) b) Light Emitting Diode Diody elektrolumiscencyjne Light

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej

Elektrolityczny kondensator filtrujący zasilanie stabilizatora U12 po stronie sterującej Designator Part Type Description AM2 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V zasilanie logiki AM3 DC/DC QDC2WSIL 5V Przetwornica DC/DC 12V/5V ujemne zasilanie drivera U23 Przetwornica DC/DC 12V/5V

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA

POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA POLITECHNIKA BIAŁOSTOCKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI I ELEKTRONIKI 1. Wybrane zastosowania diod półprzewodnikowych Materiały pomocnicze do pracowni specjalistycznej z przedmiotu: Systemy CAD

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem

Bardziej szczegółowo

Miłosz Andrzejewski IE

Miłosz Andrzejewski IE Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są

Bardziej szczegółowo

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości

Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o

Bardziej szczegółowo

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h Materiały półprzewodnikowe Metal Półprzewodnik Izolator T T T Materiały

Bardziej szczegółowo

KOLEGIUM KARKONOSKIE w Jeleniej Górze Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa. Józef Stanclik PROJEKTOWANIE UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH

KOLEGIUM KARKONOSKIE w Jeleniej Górze Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa. Józef Stanclik PROJEKTOWANIE UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH KOLEGUM KAKONOSKE w Jeleniej Górze Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa Józef Stanclik POJEKTOWANE UKŁADÓW ELEKTONZNYH zęść UKŁADY ZASLANA TANZYSTOÓW BPOLANYH Jelenia Góra 2007 ADA WYDAWNZA KOLEGUM KAKONOSKEGO

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV

Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV Parametry i technologia światłowodowego systemu CTV (Światłowodowe systemy szerokopasmowe) (c) Sergiusz Patela 1998-2002 Sieci optyczne - Parametry i technologia systemu CTV 1 Podstawy optyki swiatlowodowej:

Bardziej szczegółowo

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor

Fotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,

Bardziej szczegółowo

Laboratorium układów elektronicznych. Analogowe układy funkcyjne. Ćwiczenie numer 5. Zagadnienia do przygotowania. Literatura

Laboratorium układów elektronicznych. Analogowe układy funkcyjne. Ćwiczenie numer 5. Zagadnienia do przygotowania. Literatura Ćwiczenie numer 5 Analogowe układy funkcyjne Zagadnienia do przygotowania Układ logarytmujący i delogarytmujący z diodą w układzie sprzężenia zwrotnego Układ logarytmujący i delogarytmujący z kompensacją

Bardziej szczegółowo

Przetworniki A/C. Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Przetworniki A/C. Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Przetworniki A/C Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Parametry przetworników analogowo cyfrowych Podstawowe parametry przetworników wpływające na ich dokładność

Bardziej szczegółowo

Sylabus. (4) Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów. stopnia

Sylabus. (4) Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów. stopnia Załącznik nr 2 do Zarządzenia Rektora UR Nr 4/2012 z dnia 20.01.2012r. Sylabus (1) Nazwa przedmiotu Elektronika (2) Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Katedra Mechatroniki

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK

Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa

WZMACNIACZ OPERACYJNY. Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych. Rodzaj wzmacniacza Rezystancja wejściowa Rezystancja wyjściowa WZMACNIACZ OPEACYJNY kłady aktywne ze wzmacniaczami operacyjnymi... Podstawowe właściwości wzmacniaczy operacyjnych odzaj wzmacniacza ezystancja wejściowa ezystancja wyjściowa Bipolarny FET MOS-FET Idealny

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUIA ZIENNE W-10 LABORATORIUM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET I.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Modelowanie diod półprzewodnikowych

Modelowanie diod półprzewodnikowych Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory

Bardziej szczegółowo

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

Ćw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM

STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami wartości parametrów stabilizatorów parametrycznych

Bardziej szczegółowo

Przyrządy i przetworniki pomiarowe

Przyrządy i przetworniki pomiarowe Przyrządy i przetworniki pomiarowe Są to narzędzia pomiarowe: Przyrządy -służące do wykonywania pomiaru i służące do zamiany wielkości mierzonej na sygnał pomiarowy Znajomość zasady działania przyrządów

Bardziej szczegółowo

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. 4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET

Ćwiczenie nr 7 Tranzystor polowy MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław Synowiec, Bogusław

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

ZAGADNIENIA NA EGZAMIN DYPLOMOWY STUDIA I STOPNIA KIERUNEK ELEKTRONIKA I TELEKOMUNIKACJA

ZAGADNIENIA NA EGZAMIN DYPLOMOWY STUDIA I STOPNIA KIERUNEK ELEKTRONIKA I TELEKOMUNIKACJA ZAGADNIENIA NA EGZAMIN DYPLOMOWY STUDIA I STOPNIA KIERUNEK ELEKTRONIKA I TELEKOMUNIKACJA ZAKŁAD INFORMATYKI STOSOWANEJ I INŻYNIERII SYSTEMÓW 1. Transformacje Fouriera (ciągła, dyskretna), widma sygnałów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny

Ćwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław

Bardziej szczegółowo

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM

IMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

4. MATERIAŁ NAUCZANIA

4. MATERIAŁ NAUCZANIA 4. MATERIAŁ NAUCZANIA 4.1. Diody półprzewodnikowe 4.1.1. Materiał nauczania Diody półprzewodnikowe to elementy zbudowane w oparciu o złącze półprzewodnikpółprzewodnik ( p-n lub l-h: p-p +, n-n + ) lub

Bardziej szczegółowo

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,

Bardziej szczegółowo

Generatory Podział generatorów

Generatory Podział generatorów Generatory Generatory są układami i urządzeniami elektronicznymi, które kosztem energii zasilania wytwarzają okresowe przebiegi elektryczne lub impulsy elektryczne Podział generatorów Generatory moŝna

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE

Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek

Bardziej szczegółowo

Wstęp. System pomiarowy. Przemysław Słota I Liceum Ogólnokształcące Bytom, Grupa Twórcza Quark Pałac Młodzieży w Katowicach

Wstęp. System pomiarowy. Przemysław Słota I Liceum Ogólnokształcące Bytom, Grupa Twórcza Quark Pałac Młodzieży w Katowicach Przemysław Słota I Liceum Ogólnokształcące Bytom, Grupa Twórcza Quark Pałac Młodzieży w Katowicach 1. Wymyśl sam Wiadomo, że niektóre obwody elektryczne wykazują zachowanie chaotyczne. Zbuduj prosty układ

Bardziej szczegółowo

Część 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe

Część 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Część 4 Zmiana wartości napięcia stałego Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Bloki wyjściowe systemów fotowoltaicznych Systemy nie wymagające znaczącego podwyższania napięcia wyjście DC

Bardziej szczegółowo

Montowanie elementów, urządzeń i systemów mechatronicznych 311410.M3. Montowanie elementów i podzespołów elektrycznych i elektronicznych 311410.M3.

Montowanie elementów, urządzeń i systemów mechatronicznych 311410.M3. Montowanie elementów i podzespołów elektrycznych i elektronicznych 311410.M3. Artur Kowalski Moduł Montowanie elementów, urządzeń i systemów mechatronicznych 311410.M3 Jednostka modułowa Montowanie elementów i podzespołów elektrycznych i elektronicznych 311410.M3.J3 Poradnik dla

Bardziej szczegółowo