Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory
|
|
- Szymon Pawlak
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Podstawy działania lmntów półprzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2016 Wprowadzni Trójkońcówkowy (cztrokońcówkowy) półprzwodnikowy lmnt lktroniczny, posiadający zdolność wzmacniania synału lktryczno. Nazwa tranzystor pochodzi z anilskio zwrotu "transfr rsistor", który oznacza lmnt transformujący rzystancję. 1
2 Wprowadzni Tranzystor z wzlędu na swoj właściwości wzmacniając znajduj bardzo szroki zastosowani. Wykorzystywany jst do budowy różno rodzaju wzmacniaczy: różnicowych, opracyjnych, mocy (akustycznych), slktywnych, pasmowych. Jst podstawowym lmntm w konstrukcji wilu układów lktronicznych, takich jak źródła prądow, lustra prądow, stabilizatory, przsuwniki napięcia, przłączniki, przrzutniki oraz nratory. Poniważ tranzystor moż płnić rolę przłącznika, z tranzystorów buduj się takż bramki loiczn ralizując podstawow funkcj boolowski, co stało się motorm do bardzo dynamiczno rozwoju tchniki cyfrowj w ostatnich kilkudzisięciu latach. Tranzystory są stosowan do konstrukcji wszlkio rodzaju pamięci półprzwodnikowych. Wprowadzni POLARN (JT ipolar Junction Transistor) TROWAN PRĄOWO, czyli aby 0 musi 0 prąd wyjściowy jst funkcją prądu wjściowo UNPOLARN (FT Fild ffct Transistor) TROWAN POLM LKTRYZNYM występującym pomiędzy bramką i źródłm, czyli napięcim U wytwarzającym to pol, al 0 prąd wyjściowy jst funkcją napięcia wjściowo 2
3 Wprowadzni Złącz PN spolaryzowan zaporowo: P N U - + U AT V U p p q Lp n nn + L n p dzi: p,n współczynniki dyfuzji dziur i lktronów L p,n droi dyfuzji dziur i lktronów p n,n p koncntracj nośników mnijszościowych Wartość prądu nasycnia: Wprowadzni - ni zalży od przyłożono napięcia (źródło prądow) - zalży od poziomu nośników mnijszościowych w poszczólnych obszarach (strowan) np. poprzz zmianę liczby lktronów w obszarz p lub dziur w obszarz n 4 n p n p3 n p2 n p1 U 3
4 Wprowadzni dyby wstrzykiwać okrśloną liczbę nośników (lktronów lub dziur) w obszar zubożony złącza, można by zminiając prędkość wstrzykiwania (nracji) rulować prąd płynący przz diodę spolaryzowaną w kirunku zaporowym. odatkow lktrony P N U - + Jak kontrolować liczbę (koncntrację) lktronów (nośników mnijszościowych)????? Wprowadzni posoby zmiany koncntracji nośników: - doprowadzni nrii z zwnątrz np.: prominiowani świtln, Rntnowski itp. - wstrzykiwani - dodatkowa lktroda (mitr) wprowadzani prądow 4
5 Wprowadzni Przy takij polaryzacji złącza p+- n dziury wstrzykiwan są do obszaru n. Jżli zdołają on przdostać się do obszaru spolaryzowano zaporowo złącza n-p, to zwiększą jo prąd wstczny. y było to możliw obszar typu n musi być wąski w porównaniu z droą dyfuzji dziur. Wprowadzni 1) dziury tracon na rkombinację w bazi; 2) dziury osiąając złącz kolktora spolaryzowan zaporowo; 3) ciplna nracja dziur i lktronów tworząca prąd nasycnia złącza kolktorowo; 4) lktrony dostarczan do bazy i rkombinując z dziurami; 5) lktrony wstrzyknięt do obszaru mitra przz złącz mitrow. 5
6 Wprowadzni Wprowadzni 6
7 Polaryzacja n p n p n p n p n p n p U U U U udowa 7
8 haraktrystyki Tranzystor traktujmy jako czwórnik o cztrch paramtrach: W WY Wyznaczamy charaktrystyki: U W U WY U U W W WY WY f f ( W ) UWY const ( UWY ) WY const ( W ) UWY const ( UWY ) const f - wjściow f W - zwrotn napięciow - przjściow prądow - wyjściow haraktrystyki dla W 8
9 tałoprądowy modl brsa - Molla la stanu aktywnj pracy możmy zapisać: α U xp ϕt 1 - rwrsyjny prąd nasycnia złącza mitrowo ( α ) Uproszczony modl M dla stanu aktywnj pracy normalnj tranzystora : U β U la wysokich tmpratur złącza bliskich max tmp. złącza (np.dla krzmu T jmax ) konicznym staj się uwzlędnini zrowo prądu kolktora. Wówczas przyjmuj postać: β + β + β + tałoprądowy modl brsa - Molla ( ) prąd zrowy złącza kolktor-baza przy polaryzacji wstcznj i odłączonym mitrz (typowa wartość dla krzmu A, podwaja się przy wzrości tmpratury o każd 8 o ). U β (β+1) 0 U 9
10 tałoprądowy modl brsa - Molla Linaryzacja diody w punkci pracy Q U Q b U Q Q β Q U d b U Q du 0 U U Q Punkt pracy Q Q Q Q U Q U U Q U 10
11 tałoprądowy modl zastępczy tatyczny, niliniowy modl brsa Molla wykorzystywany jst do: - analizy stałoprądowj układów tranzystorowych: obliczania paramtrów układów polaryzacji - analizy stabilności tmpraturowj układów tranzystorowych i b Małosynałowy modl hybryd π paramtry r b u ' c c c i c transkonuktancja (ni zalży od indywidualnych właściwości tranzystora di Q ϕ c m uc const du T c mu c ϕ T potncjał trmiczny lktronu 26mV konuktancja wyjściowa du c Q c u const b ' dic U Y + U Q r bb rzystancja rozprosznia bazy wynika z skończonj konduktywności obszaru bazy. Wprowadza dodatkową polaryzację złacza baza-mitr w kirunku przwodznia (poprzz 0 ), co powoduj przypływ prądu mitra nawt przy braku polaryzacji złącza baza-mitr. Ma równiż znaczni przy analizi właściwości szumowych tranzystora dla w. cz. 11
12 Małosynałowy modl hybryd π paramtry c i b r b ' c c i c u c mu c konuktancja wjściowa du uc const dib m Q β ϕ β T di b c ub ' const duc transkonduktancja zwrotna c β β ( U + U ) Y Q Q 0 + c m ω β ω T Zjawisko arly o nachylni c U Y npn ~ (80-200) V pnp ~ (40-150) V U 12
13 Małosynałowy modl hybryd π częstotliwości raniczn zęstotliwości raniczn tranzystora - (wyznaczan z współczynnika β przy zwarciu obwodu kolktora) i b r b ' c c i c u c m u β ( jω) i c uc 0 ib mu i b ( jω) ( jω) m c + c 1+ jω c β ( ω) [d] Małosynałowy modl hybryd π częstotliwości raniczn β 0 0 dy ω > ω ω β β ( jω) j ω 3d dy β(ω Τ )1 ω ω β Τ ( c + c c ) << m + ( c c ) c max częstotliwość prznosznia m ft β f β0 f 2π c + c ( ) β c m ω 0 β ( jω) β0 dy ω ω β to β ( jω) przy β0 1+ jω β f β 2π ω ωβ c częstotliwość raniczna T ωβ ω β ω β + c c 13
14 Paramtry raniczn charaktrystyki dla dużych U U Omax max dopuszczaln nap. - U Omax max dopuszczaln nap. - dla 0 (ok. ½ U Omax ) U R - U Omax przy włączonym R pomiędzy - U - U Omax przy włączonym R0 pomiędzy - Paramtry raniczn Maksymalna moc strat moc zaminiana na cipło w tranzystorz P str U + U U 14
15 Paramtry statyczn Najważnijsz paramtry statyczn tranzystorów: - moc admisyjna P max (hiprbola mocy) - prąd maksymalny cmax - prąd zrowy 0 - maksymaln napięci U max - napięci nasycnia U sat - współczynnik wzmocninia prądowoβ 0 Obudowy tranzystora Tranzystory małosynałow Tranzystory o mocy większj niż 500mW Tranzystory o mocy (5 150)W 15
16 Paramtry popularnych tranzystorów Zastosowania 16
17 Wzmocnini!! Tranzystor polowy FT Fild ffct Transistor JFT Junction (złącz) MOFT Mtal Oxid miconductor (mtal-tlnk-półprzwodnik) (mtalowa bramka izolowana jst (dwu)tlnkim krzmu od półprzwodnikowo kanału wiodąco prąd). MOFT z kanałm zubażanym (MO) dpltion mod MOFT z kanałm wzboacanym (MO) nhacmnt mod W praktyc stosowan są : 1. JFT N, 2. MOFT wzboacany N, 3. MOFT wzboacany P. Tranzystory polow (unipolarn) działani związan tylko z nośnikim jdno rodzaju (dziury lub lktrony) Tranzystory polow strowan napięcim U (bipolarn ) w normalnych warunkach w obw. ni płyni prąd. Oznacza to, ż rzystancja wjściowa tranzystora jst bardzo duża. 17
18 Tranzystor polowy JFT popularn F245, F246, F247 Tranzystory JFT są normalni włączon U 0 tranzystor przwodzi (podobni MOFT zubażan) Tranzystor polowy Tranzystory złączow JFT z kanałm typu n U U U > 0, > 0, U < 0 i U p < 0 [ma] U -U - U p U 0 zakrs nasycnia (pntodowy) 2 U 1 U p U -U p U p U [V] napięci proow przy 0 (stan odcięcia kanału pinch-off) -U p max w zakrsi nasycnia (przy U 0) zakrs ninasycnia (triodowy) tranzystor zachowuj się jak rzystor ( funkcją U ) wart. rzyst. zalży od U U 2 [ ( U U ) U U ] 2 2 p p U [V] 18
19 Tranzystor polowy Tranzystory złączow JFT z kanałm typu p U [ma] U U [V] U p U [V] U U p U < 0, < 0, U > 0 i U p > 0 - U 0 U -U U p Tranzystor polowy Tranzystory złączow JFT modl małosynałowy U s ss d s ' m U s rss ' ds r dd m 2 U Transkonduktancja m δ δu U 0 2 ( U U p ) 2 p U p dy 2 max możliwa do uzyskania m U p mm transkonduktancja s pojmność pomiędzy bramką a źródłm, d pojmność pomiędzy bramką a drnm, s pojmność pomiędzy bramką a podłożm, r dd, r ss rzystancj szrow drnu i źródła, najczęścij pomijan w schmaci 19
20 Tranzystor polowy Tranzystory złączow JFT modl małosynałowy d ' r dd U s ss s ' m U s rss ds Konduktancja drnu ( 0 konduktancja wyjściowa) ds 0 δ δu U 0 ds 2 U p ( U p U ) λ λ λ - współczynnik uwzlędniający fkt modulacji dłuości kanału (0,001 0,100) V -1 Tranzystor polowy Tranzystory złączow JFT częstotliwość f T f T częstotliwość odcięcia (cut-off) wyznaczana przy w m U s, tj. przy zwartym wyjściu w d d ss s m U s przy zwartym wyjściu w jst prądm ładowania pojmności wjściowych ( s + ss d ) U s w jω + w 2πf TU s mu s + + s ss d f T m 2π 20
21 Tranzystory polowy Tranzystory z izolowana bramką z kanałm wzboacanym MOFT normalni wyłączon (MO) z kanałm typu n U > 0, > 0, U > 0 i U T > 0 U [ma] [ma] U U ON U > 0 U T typowo 10 V U [V] U [V] U T napięci proow przy 0 (thrshold), prąd (prąd upływu złącza -) przy napięciu U 0, ON prąd drnu przy płnym włączniu tranzystora (przy R ON ) Tranzystory polowy Tranzystory z izolowana bramką z kanałm wzboacanym MOFT normalni wyłączon (MO) z kanałm typu p U < 0, < 0, U < 0 i U T < 0 U U U [ma] U [V] typowo 10 V U T [ma] U [V] U < 0 ON 21
22 Tranzystor polowy Tranzystory MOFT modl małosynałowy b s d ' m U s r ss mb U bs ' ds bs r dd db Transkonduktancja m δ δu U, U const Konduktancja wyjściowa ds δ 0 δu U, U const mb δ δu U, U const Transkonduktancja wynikająca z wpływu U na paramtry kanału. Wykorzystywana w obliczniach dy pojawi się składowa zminna U. Tranzystor polowy Tranzystory MOFT modl małosynałowy d ' r dd b s ' m U s mb U bs ds db r ss bs w d d U s b s mu s ds db Tranzystory MO pracują najczęścij przy stałym napięciu bramki (brak składowj zminnj U ni występuj fkt podłoża) pomijamyźródło mb U bs 22
23 Tranzystor polowy Tranzystory MOFT częstotliwość odcięcia f T f T częstotliwość odcięcia (cut-off) wyznaczana przy w m U s, tj. przy zwartym wyjściu w d d U s b s m U s ds db f T 2π m ( + + ) s d b Tranzystor polowy Typow dan kataloow F245 (tranzystor złączowy kanał n zubożany małj mocy) Paramtry raniczn RF530 (tranzystor MO typu n wzboacany dużj mocy) Napięci - U max 30 V 100 V Prąd max 25 ma 10 A Napięci - U max -30 V ±20 V Moc strat P tot 300 mw 75 W Paramtry charaktrystyczn Napięci proow U P -1,5... 4,5 V 1,5... 3,5 V Prąd przy U ma 0.25 ma Transkonduktancja m 5 ma/v 5 A/V Prąd max 5 na 0,5 ma Prąd w st. odcięcia max 10 na 1 ma Pojmność wj w 4 pf 750 pf Pojmność wyj wy 1,6 pf 300 pf Pol wzmocninia f T 700 MHz 23
24 24
Podstawy działania elementów półprzewodnikowych - tranzystory
Podstawy działania lmntów ółrzwodnikowych - tranzystory Wrocław 2010 Wrowadzni Złącz PN solaryzowan zaorowo: P N - + AT 0.1...0.2V q L n nn + L n dzi:,n wsółczynniki dyuzji dziur i lktronów L,n droi dyuzji
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH obliczanie załącznik 1 do ćwiczenia nr 7
LMNY LKONZN LA.: Paramtry małosynałow tranz. bipolarnyc zał. 1 PAAMY MAŁOSYGNAŁOW ANZYSOÓW POLANYH oblzani załącznik 1 do ćwznia nr 7 Wstęp Modl małosynałow tranzystorów mają na cl przdstawini tranzystora
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)
Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄCZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn: p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoZADANIA DO ĆWICZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH temat: Tranzystory bipolarne
ZADANIA DO ĆWICZEŃ Z ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH tat: Tranzystory bipolarn prowadzący Piotr Płotka, -ail pplotka@ti.p.da.pl, tl. 347-1634, pok. 301 ZADANIE 1. W układzi jak na rysunku wyznaczyć wilkości
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH załącznik 1 do ćwiczenia nr 6
PMY MŁOSYGNŁOW NZYSOÓW POLNYH załącznik 1 do ćwznia nr 6 Wstęp Modl małosygnałow tranzystorów mają na l przdstawini tranzystora za pomocą obwod liniowgo. aka rprzntacja tranzystora pozwala na zastąpini
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoIndywidualna Pracownia Elektroniczna 2012
ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoWzmacniacz tranzystorowy
Wydział Elktroniki Mikrosystmów i Fotoniki Opracował zspół: Mark Pank, Waldmar Olszkiwicz, yszard Korbutowicz, wona Zborowska-Lindrt, Bogdan Paszkiwicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowic, Bata Ściana,
Bardziej szczegółowo10. Tranzystory polowe (unipolarne FET)
PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Co to jest półprzewodnik unipolarny (pod rozdz. 4.4). Co dzieje się z nośnikiem prądu w półprzewodniku (podrozdz. 4.4). 10. Tranzystory polowe (unipolarne FET) Tranzystory
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoWzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny
Wzmacniacze Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny Zasilanie Z i I we I wy E s M we Wzmacniacz wy Z L Masa Wzmacniacze 2 Podział wzmacniaczy na klasy Klasa A ηmax
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMIA ÓRNICZO-HTNICZA IM. TANIŁAWA TAZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. iotr ziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-7-,
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny wzmacniacz OE
Tranzystor bipolarny wzmacniacz OE projektowanie poradnikowe u 1 (t) C 1 U B0 I 1 R 1 R 2 I 2 T I B0 R E I E0 I C0 V CC R C C 2 U C0 U E0 C E u 2 (t) Zadania elementów: T tranzystor- sterowane źródło prądu
Bardziej szczegółowoPółprzewodnikowe elementy aktywne.
Wykład 2 Półprzwodnikow lmnty aktywn. 17 kwitnia 2018 Wstęp 1. Półprzwodniki 2. Złącz p-n 2.1 Diody prostując 2.2 misja światła 2.3 fkt tunlowy i Znra 3. Tranzystory 3.1 Zasada działania 3.2 Obwody 4.
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKAEMA ÓRNCZO-HTNCZA M. TANŁAWA TAZCA W KRAKOWE Wydział nformatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONCZNE dr inż. iotr ziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel. 617-7-, piotr.dziurdzia@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoUkłady zasilania tranzystorów
kłady zasilania tranzystorów Wrocław 2 Punkt pracy tranzystora B BQ Q Q Q BQ B Q Punkt pracy tranzystora Tranzystor unipolarny SS Q Q Q GS p GSQ SQ S opuszczalny obszar pracy (safe operating conditions
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoInstytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Politechniki Warszawskiej. Elektronika 1. elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT)
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej Elektronika 1 elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT) Warszawa, luty 2009 Tranzystor bipolarny w układzie scalonym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowo5. TRANZYSTOR BIPOLARNY
5. TRANZYSTOR IPOLARNY 5.1. UDOWA TRANZYSTORA I ROZPŁYW PRĄDÓW Nazwa tranzystor wywodzi się z języka angielskiego: TRANSfer resistor, co po polsku oznacza element transformujący rezystancję. Tak nazwano
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoLaboratorium układów elektronicznych. Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.
Ćwiczenie numer Zasilanie i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych i unipolarnych Zagadnienia do przygotowania kłady zasilania tranzystorów bipolarnych Wpływ temperatury na podstawowe parametry
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe. Klasyfikacja tranzystorów polowych
Tranzystory polowe Wiadomości podstawowe Tranzystory polowe w skrócie FET (Field Effect Transistor), są równieŝ nazywane unipolarnymi. Działanie tych tranzystorów polega na sterowanym transporcie jednego
Bardziej szczegółowoElektronika i energoelektronika
Wydzia ł Elektrotechniki i Informatyki Politechnika Lubelska Elektronika i energoelektronika wyk ł ad 4 TRANZYSTOR BIPOLARNY (cz. 1) Lublin, kwiecie ń 2008 Tranzystor bipolarny Dwa g ł ówne zastosowania
Bardziej szczegółowoĆw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)
Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoPROTOKÓŁ POMIAROWY LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW ELEKTRYCZNYCH Grupa Podgrupa Numer ćwiczenia
PROTOKÓŁ POMAROWY LABORATORM OBWODÓW SYGNAŁÓW ELEKTRYCNYCH Grupa Podgrupa Numr ćwicznia 4 Nazwisko i imię Data wykonania ćwicznia Prowadzący ćwiczni 3. Podpis 4. Data oddania 5. sprawozdania Tmat CWÓRNK
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne.
ranzystory bipolarne. 1 M. Grundmann, he Physics of Semiconductors..., Springer 2010 ranzystor bipolarny npn 2 Struktura półprzewodnikowa npn Dwie diody pn połączone szeregowo anoda do anody Symbol układowy
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoData wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA
WFiIS LABORATORIM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)
LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem
Bardziej szczegółowoWzmacniacze operacyjne
Wzmacniacze operacyjne Wrocław 2015 Wprowadzenie jest wzmacniaczem prądu stałego o dużym wzmocnieniu napięciom (różnicom). Wzmacniacz ten posiada wejście symetryczne (różnicowe) oraz jście niesymetryczne.
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 5. Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET
Instrukcja nr 5 Wzmacniacz różnicowy Stabilizator napięcia Tranzystor MOSFET AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Dorosz Lab 5.1 Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz różnicowy jest
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie
Tranzystory bipolarne w układach CMOS i ich modelowanie 1. Po co modelujemy tranzystory bipolarne? W analogowych układach CMOS pasożytnicze struktury bipolarne bywają wykorzystywane jako elementy aktywne.
Bardziej szczegółowo2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.
1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoWzmacniacz na tranzystorze J FET
Wzmacniacz na tranzystorze J FET Najprostszym wzmacniaczem sygnałów w. cz. jest tranzystorowy wzmacniacz oporowy. Można go zrealizować zarówno na tranzystorze bipolarnym jak i na polowym (JFET, MOSFET).
Bardziej szczegółowoVgs. Vds Vds Vds. Vgs
Ćwiczenie 18 Temat: Wzmacniacz JFET i MOSFET w układzie ze wspólnym źródłem. Cel ćwiczenia: Wzmacniacz JFET w układzie ze wspólnym źródłem. Zapoznanie się z konfiguracją polaryzowania tranzystora JFET.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowo