TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE ORAZ PRACA W UKLADZIE WZMACNIACZA
|
|
- Zdzisław Przybylski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 POLITHNIK RZSZOWSK Katedra Podstaw lektronk INSTRUKJ NR4, 008 TRNZYSTOR IPOLRNY HRKTRYSTYKI STTYZN ORZ PR W UKLDZI WZMNIZ el cwczena: Pomar analza charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb pnp pracjacego w kladach wspólnego emtera (W) lb wspólnej bazy (W). Zapoznane stdentów z mozlwoscam pracy tranzystora jako wzmacnacza malych sygnalów. ) Zadana do samodzelnego opracowana przed zajecam: Zapoznane se z tresca ponzszej nstrkcj. Zapoznane se z teoretycznym podstawam dzalana tranzystora bpolarnego. Przygotowane - narysowane schematów kladów do pomar charakterystyk statycznych. Przemyslene sposob pomar charakterystyk przejscowej czestotlwoscowej wzmacnacza jednotranzystorowego w kladze wspólnego emtera. Zapoznane se z defncjam parametrów model hybrydowego tranzystora. Wyjasnc role poszczególnych elementów w kladze wzmacnacza jednotranzystorowego z rys. 8). ) WPROWDZNI W tranzystorze n-p-n zlacze n -p jest nazywane zlaczem emterowym (sterjacym), a obszar n emterem ( oznacza slne domeszkowane danego obszar). Zadanem emtera jest wstrzykwane elektronów do obszar p zwanego baza. W baze elektrony stanowa nosnk mnejszoscowe, wekszosc z nch czestnczy w pradze zaporowym drgego zlacza nazywanego zlaczem kolektorowym. Obszar n tego zlacza nazywa se kolektorem. R a) _ U n emter p W b baza _ U n kolektor R b) I n 5 4 I p 3 n I Rys. Idea bdowy tranzystora n-p-n, (klad W), a) polaryzacja dla klad W w stane aktywnym normalnym; b) rozplyw pradów tranzystorze: -lamek lczby elektronów legajacych rekombnacj w baze - elektrony wstrzyknete do bazy osagajace obszar kolektora 3-nosnk generowane termczne - zaporowy prad zlacza kolektora 4-dzry dostarczane przez koncówke bazy rekombnjace z elektronam 5-dzry dyfndjace z bazy do emtera I [ µ ] U 0 h e U 5 I 5 [m] U 0 h 0.8 e h a) e b) h e I 30µ I I 0µ I max I 0µ I 5µ U 5 I 0µ U I 0µ U I µ I O N S Y N I U 0 I 30µ I 0µ Obszar dozwolony ODII I 0µ P tot I 0µ U max U Omax U Rys. a) Rodzna ch-styk dla klad W; b) dozwolony obszar pracy aktywnej tranzystora: P to t - dopszczalna moc admsyjna; I max - maksymalny prad kolektora; U max - dopszczalne napece kolektor-emter (typowo 0.8x U O ); I O - prad zerowy kolektora (granca pomedzy odcecem a zakresem aktywnym); U s at - napece nasycena - rozgrancza obszar nasycena od aktywnego normalnego.
2 Tranzystor jest elementem dwzlaczowym, stneja 4 rózne kombnacje znaków napec polaryzjacych zlacza okreslajace jego stany pracy. U - KTYWNY INWRSYJNY ZPORO/ ZTKNI NSYNI KTYWNY NORMLNY U polaryzacja w stan przewodzena - polaryzacja w stane zaporowym - Rys. 3 Stany pracy tranzystora bpolarnego. Tranzystor jako element trójkoncówkowy, ms mec jedna z koncówek wspólna dla sygnal wejscowego wyjscowego. Daje to 3! mozlwych kombnacj, aby zyskac wzmocnene mocy (jedna z zasadnczych zalet tranzystora) jest koneczne by baza byla jedna z koncówek wejscowych a kolektor jedna z wyjscowych. Ograncza to losc zytecznych kombnacj do trzech. W Wspólny emter W Wspólny kolektor W Wspólna baza Rys. 4 Uklady pracy tranzystora bpolarnego. Prady zerowe : Przy polaryzacj zaporowej któregokolwek ze zlacz tranzystora plyna przez to zlacze prady wsteczne okreslane czesto w tym przypadk pradam zerowym. Najweksze wartosc osaga prad zerowy pomedzy zacskam kolektora emtera I O (zaporowo spolaryzowane zlacze ) przy rozwartym zacsk bazy. IZ I O dla R I S dla R0 I R dla0<r< W R I Z - I I O I R I S I O UOmax UOmax Rys. 5 Uklady pomarowe pradów zerowych. Pomedzy wartoscam pradów zachodz relacja: I O >I R >I S >I O. Przebce tranzystora: Dla zlacza kolektorowego okreslane jest napece przebca U O przy rozwartym emterze (rzed co najmnej klkdzesec woltów - przebce o charakterze lawnowym z wag na slabsze domeszkowane obszar kolektora). Dla zlacza emterowego okreslane jest napece przebca U O przy rozwartym kolektorze (przebce o charakterze Zenera emter slne domeszkowany, napece przebca ponzej 7 ). W tranzystorze moze tez wystapc zjawsko tzw. przebca skrosnego zanm natezene pola eklektycznego w warstwe zaporowej osagne wartosc krytyczna caly obszar netralny bazy moze zostac zajety przez warstwe zaporowa zlacza. Innym efektem jest tzw. przebce wtórne zwazane z przeplywem przez strktre zbyt dzego prad. U W I O - - I W Praca tranzystora w kladze wzmacnacza W Tranzystor jako czwórnk lnowy h Impedancja wejscowa h wspólczynnk oddzalywana zwrotnego h Wspólczynnk wzmocnena pradowego
3 Rys. 6 Tranzystor jako czwórnk. h dmtancja wyjscowa Równana czwórnkowe mozna przedstawc za pomoca równowaznej sec elektrycznej: Indeks przy symbol h oznacza: b - klad W e - klad W c - klad W b c h e h e ce be h e h e b ce Rys. 7. Sec elektryczna równowazna równanom hybrydowym dla klad W. Wartosc parametrów zaleza od klad wlaczena tranzystora, rodzaj klad wlaczena oznaczany jest dodatkowym trzecm ndeksem lterowym. Wartosc parametrów w poszczególnych kladach wlaczena mozna wzajemne przelczac na podstawe zaleznosc dostepnych w lteratrze. Ponewaz: h c e ce b DI DU I const h c e b ce 0 DI DI Uce const h be e b ce 0 DU DI U const h be e ce b DU DU I const Dysponjac zmerzonym charakterystykam statycznym tranzystora mozna latwo te parametry wyznaczyc (Rys. ) Jest to dza zaleta model hybrydowego. Przykladowe wartosc przyjmowane przez parametry czwórnkowe typ h, oraz przyblzone relacje pomedzy parametram typ h parametram nnego poplarnego model model typ hybryd π podaja tabelk: h e kω h e 0-4 / h e / h e S h e r bb r b e r b e h e β(g b c /g m ) h e β h e g ce Te nne, równowazne modele znajdja zastosowane podczas analzy kladów pracy z tranzystoram bpolarnym, na przyklad klad wzmacnacza malych sygnalów: 5 b ) U 5 a) R 330k R R c k W Y W Y R W b 0k T R b 0k W Tranzystor badany,5µ F R 0 00k e g (t) R 00k R 3,3k 0µ F Rys. 8 Tranzystor bpolarny npn w kladze wzmacnacza W. a) klad nwertera do pomar charakterystyk przejscowej, b) wzmacnacz jednotranzystorowy. 3
4 ) POMIRY. Pomary wykonac dla jednego tr anzystor a klad pr acy wskazanego pr zez pr owadzacego.. Podczas pomarów zwracac wage na trzymywane stalej war tosc par ametr ów. 3. Pomary przeprowadzc w mozlwe szerokm zakrese dopszczalnych pradów napec, w raze watplwosc wartosc te nalezy zgadnac z prowadzacym zajeca. 4. Na kazda krzywa pownno przypadac ne mnej nz 5 pnktów pomarowych.. Okreslc typ (npn - pnp) oraz rozklad wyprowadzen koncówek tranzystora przy pomocy testera zlacz. Uklad wspólnego emtera. Zestawc klad pomarowy do zbadana charakterystyk statycznych tranzystora pracjacego w kladze W. 3. Zmerzyc charakterystyk: wejscowa U (I) U const, przejscowa I (I) U const. harakterystyk te mozna wyznaczyc jednoczesne, zmenajac prad wejscowy I merzac równoczesne napece wejscowe U oraz prad wyjscowy I. Pomary wykonac dla trzech wartosc parametr U. Zmerzyc charakterystyk: wyjscowa I(U) I const, oddzalywana zwrotnego U(U) I const. harakterystyk te mozna wyznaczyc jednoczesne, zmenajac napece wyjscowe U merzac równoczesne prad wyjscowy I oraz napece wejscowe U. Pomary wykonac dla trzech wartosc parametr I. Ze szczególna waga nalezy wykonac pomary w zakrese nasycena. Uklad wspólnej bazy 4. Zestawc klad pomarowy do zbadana charakterystyk statycznych tranzystora pracjacego w kladze W. 5. Zmerzyc charakterystyk: wejscowa U(I) U const. oraz przejscowa I(I) U const. harakterystyk te mozna wyznaczyc jednoczesne, zmenajac prad wejscowy I merzac równoczesne napece wejscowe U oraz prad wyjscowy I. Pomary wykonac dla trzech wartosc parametr U. 6. Zmerzyc charakterystyk: wyjscowa I(U) I const oraz oddzalywana zwrotnego U(U) I const w zakrese aktywnym. Mozna je wyznaczyc jednoczesne, zmenajac napece wyjscowe U merzac równoczesne prad wyjscowy I oraz napece wejscowe U. Po wyznaczen charakterystyk wyjscowych w obszarze pracy aktywnej zmerzyc te charakterystyk w zakrese nasycena (po zmane polaryzacj zlacza kolektorowego). harakterystyk pradów zerowych, wyznaczene napeca przebca zlacz 7. Zmerzyc charakterystyk pradowo-napecowe zlacz w ob kernkach. Odpowedno dokladne pomary pownny mozlwc wyznaczene charakterystyk pradów I 0 (U ) oraz I 0 (U ), a takze co najmnej jednego z napec przebca zlacz. W trakce pomarów nalezy pametac o zabezpeczen kladów badanych za pomoca odpowedno dobranego rezystora dekadowego. 8. Zmerzyc charakterystyk I R (U ) dla przypadków R0, 0<R< oraz R dla wybranego typ tranzystora. Wyznaczene charakterystyk czestotlwoscowej czestotlwosc grancznych wzmacnacza tranzystorowego w kladze W 9. W oparc o dostepne w laboratorm podstawk zestawc klad pomarowy do pomar charakterystyk przejscowej U wy f(u we ) wzmacnacza w kladze wspólnego emtera (rys. 8a). Pomary przeprowadzc zaslajac wejsce wyjsce klad z zaslaczy stablzowanych metoda pnkt po pnkce. 0. W oparc o schemat przedstawony na rys. 8b) zestawc klad pomarowy do pomar charakterystyk ampltdowej k f(f) wzmacnacza w kladze wspólnego emtera. Pomary wykonac dla wartosc pojemnosc rezystancj R podanych przez prowadzacego. Pomary ponowc przy podwojonej wartosc rezystancj R o polowe mnejszej nz podane poprzedno. Pomary czestotlwosc wykonywac nalezy czestoscomerzem a ampltdy sygnalów wejscowego wyjscowego za pomoca oscyloskop. 4
5 D) SHMTY POMIROW a) Uklad W, tranzystor npn m ZSILZ m ZSILZ b) Uklad W, tranzystor pnp m m ZSILZ ZSILZ c) Uklad W, tranzystor pnp m ZSILZ m ZSILZ d) Uklad W, tranzystor pnp m m ZSILZ ZSILZ e) klad do pomar pradów I R (tranzystor npn). R m ZSILZ ) Parametry katalogowe przykladowych typów tranzystorów. Jezel pomary w laboratorm dotycza nnych typów tranzystorów ch dane nalezy odszkac samodzelne w katalog elementów pólprzewodnkowych. U max I max [] I max [] U max U ma P tot [W] tj max [] U ST h f T [Mhz] R thj-c [/W] DP t c npn DP t c pnp D t c npn D t c pnp npn pnp TYP F) OPROWNI I NLIZ NIKÓW:. Narysowac (wydrkowac) wszystke zmerzone charakterystyk.. Na podstawe charakterystyk zlacz, narysowanych w skal logarytmczno-lnowej wyznaczyc wspólczynnk zlacza oraz prady zerowe rezystancje szeregowa. 3. Na podstawe charakterystyk statycznych wyznaczyc parametry schemat zastepczego z parametram meszanym typ h dla wybranego pnkt pracy tranzystora. 4. Narysowac charakterystyk pradów zerowych. Sprawdzc teoretyczna zaleznosc pomedzy I 0 oraz I Porównac zyskane wynk z danym katalogowym. 6. Skomentowac charakterystyk przejscowe czestotlwoscowe wzmacnacza. Wyznaczyc czestotlwosc granczne. 7. Dokonac kompleksowej analzy zyskanych wynków. 5
6 Lteratra pomocncza:. W. Marcnak Przyrzady pólprzewodnkowe klady scalone. W. Marcnak Modele elementów pólprzewodnków 3.. Ksy Podstawy elektronk 4. Gray P..,Searle.L.- Podstawy elektronk 5. Kolodzejsk J. Spralsk L. Stolarsk. Pomary przyrzadów pólprzewodnkowych 6
TRANZYSTOR BIPOLARNY CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE
POLITHNIKA RZSZOWSKA Katedra Podstaw lektronk Instrkcja Nr4 F 00/003 sem. letn TRANZYSTOR IPOLARNY HARAKTRYSTYKI STATYZN elem ćwczena jest pomar charakterystyk statycznych tranzystora bpolarnego npn lb
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2. Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych
Ćwczene arametry statyczne tranzystorów bpolarnych el ćwczena odstawowym celem ćwczena jest poznane statycznych charakterystyk tranzystorów bpolarnych oraz metod dentyfkacj parametrów odpowadających m
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADMA GÓRNZO-HUTNZA M. STANSŁAWA STASZA W KRAKOW Wydzał nformatyk, lektronk Telekomunkacj Katedra lektronk LMNTY LKTRONZN dr nż. Potr Dzurdza aw. -3, okój 413; tel. 617-27-02, otr.dzurdza@agh.edu.l dr
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowo8.10. Podzial tranzystorów bipolarnych i ich zastosowanie
8.10. Podzial tranzystorów bipolarnych i ich zastosowanie Najwazniejszymi parametrami tranzystorów sa: wzmocnienie pradowe w ukladzie OE, przy okreslonym pradzie kolektora i napieciu kolektor-emiter; napiecie
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoXXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadanie doświadczalne
XXX OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP III Zadane dośwadczalne ZADANIE D Nazwa zadana: Maszyna analogowa. Dane są:. doda półprzewodnkowa (krzemowa) 2. opornk dekadowy (- 5 Ω ), 3. woltomerz cyfrowy, 4. źródło napęca
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoSystemy Ochrony Powietrza Ćwiczenia Laboratoryjne
ś POLITECHNIKA POZNAŃSKA INSTYTUT INŻYNIERII ŚRODOWISKA PROWADZĄCY: mgr nż. Łukasz Amanowcz Systemy Ochrony Powetrza Ćwczena Laboratoryjne 2 TEMAT ĆWICZENIA: Oznaczane lczbowego rozkładu lnowych projekcyjnych
Bardziej szczegółowo3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STAŁEGO I PRZEMIENNEGO
3. ŁUK ELEKTRYCZNY PRĄDU STŁEGO I PRZEMIENNEGO 3.1. Cel zakres ćwczena Celem ćwczena jest zapoznane sę z podstawowym właścwoścam łuku elektrycznego palącego sę swobodne, w powetrzu o cśnentmosferycznym.
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOR BIPOLARNY
Podstawy teoretyczne Materiały pomocnicze do ćwiczenia nr. 8 TANZYST PLANY 1.1. Tranzystor bipolarny. dowa, zasada działania. Tranzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodnikowym o dwóch złączach p-n
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoexp jest proporcjonalne do czynnika Boltzmanna exp(-e kbt (szerokość przerwy energetycznej między pasmami) g /k B
Koncentracja nośnów ładunu w półprzewodnu W półprzewodnu bez domesz swobodne nośn ładunu (eletrony w paśme przewodnctwa, dzury w paśme walencyjnym) powstają tylo w wynu wzbudzena eletronów z pasma walencyjnego
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowo8.7. Schematy zastepcze tranzystora
8.7. Schematy zastepcze tranzystora Schematy zastepcze tranzystora wykorzystujemy wtedy, kiedy chcemy przeprowadzic analize pracy danego ukladu elektronicznego. Ponizej omówimy trzy podstawowe schematy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne
AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów bipolarnych.
1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tranzystorów bipolarnych. (E 8) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2013/2014
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olmpada Wedzy Elektrycznej Elektroncznej Rok szkolny 232 Zadana z elektronk na zawody III stopna (grupa elektronczna) Zadane. Oblczyć wzmocnene napęcowe, rezystancję wejścową rezystancję
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Ćwiczenie 2 Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych 1. WSTĘP TEORETYCZNY 1.1. Diody Podstawę większości diod półprzewodnikowych stanowi złącze p-n. Ze względu na powszechność zastosowania dzieli
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystora bipolarnego
Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoMetody analizy obwodów
Metody analzy obwodów Metoda praw Krchhoffa, która jest podstawą dla pozostałych metod Metoda transfguracj, oparte na przekształcenach analzowanego obwodu na obwód równoważny Metoda superpozycj Metoda
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka . Zapoznać się ze schematem ideowym płytki ćwiczeniowej 2.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)
LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoA-3. Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A-3. Wzmacniacze operacyjne w kładach liniowych I. Zakres ćwiczenia wyznaczenia charakterystyk amplitdowych i częstotliwościowych oraz parametrów czasowych:. wtórnika napięcia. wzmacniacza nieodwracającego
Bardziej szczegółowoNazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania: 01
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2017 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoLiniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoPARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych
Bardziej szczegółowoIndywidualna Pracownia Elektroniczna 2012
ndywidualna Pracownia lektroniczna 202 Wykłady czwartek sala 7, wtorek sala 09 na Pasteura adanie diod 2-X-202-4 półprzewodnikowych Tranzystor bipolarny. Wzmacniacz tranzystorowy yfrowe układy scalone
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoEGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2018 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 2018 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoElektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7).
114 PRZYPOMNIJ SOBIE! Elektronika: Polaryzację złącza w kierunku zaporowym i w kierunku przewodzenia (pod rozdz. 6.3). Charakterystykę diody (rozdz. 7). 9. Elektroniczne elementy przełączające Elementami
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY
Bardziej szczegółowoSZACOWANIE NIEPEWNOŚCI POMIARU METODĄ PROPAGACJI ROZKŁADÓW
SZACOWANIE NIEPEWNOŚCI POMIARU METODĄ PROPAGACJI ROZKŁADÓW Stefan WÓJTOWICZ, Katarzyna BIERNAT ZAKŁAD METROLOGII I BADAŃ NIENISZCZĄCYCH INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI ul. Pożaryskego 8, 04-703 Warszawa tel.
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY POLARN ZŁĄZOW ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK
TRANZYSTORY - PORÓWNANIE WYKŁAD 15 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, Z. Nosal, J. Baranowski, Układy elektroniczne, PWN 2003 7. PORÓWNANIE TRANZYSTORÓW
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów
LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoGdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...
Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowoWikiWS For Business Sharks
WkWS For Busness Sharks Ops zadana konkursowego Zadane Opracowane algorytmu automatyczne przetwarzającego zdjęce odręczne narysowanego dagramu na tablcy lub kartce do postac wektorowej zapsanej w formace
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego
L A B O A T O I U M A N A L O G O W Y C H U K Ł A D Ó W E L E K T O N I C Z N Y C H Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego Ćwiczenie opracował Jacek Jakusz 4. Wstęp Ćwiczenie umożliwia pomiar
Bardziej szczegółowoOPIS PATENTOWY
RZECZPOSPOLITA POLSKA OPIS PATENTOWY 154 561 w Patent dodatkowy mg do patentu n r ---- Int. Cl.5 G01R 21/06 Zgłoszono: 86 10 24 / p. 262052/ Pierwszeństwo--- URZĄD PATENTOWY Zgłoszenie ogłoszono: 88 07
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA. Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej. Sprawozdanie
Zespół Szkół Technicznych w Skarżysku-Kamiennej Sprawozdanie PRACOWNIA ELEKTRYCZNA I ELEKTRONICZNA imię i nazwisko z ćwiczenia nr Temat ćwiczenia: BADANIE ELEMENTÓW OPTOELEKTRONICZNYCH rok szkolny klasa
Bardziej szczegółowoĆw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB
Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,
Bardziej szczegółowoZaawansowane metody numeryczne Komputerowa analiza zagadnień różniczkowych 1. Układy równań liniowych
Zaawansowane metody numeryczne Komputerowa analza zagadneń różnczkowych 1. Układy równań lnowych P. F. Góra http://th-www.f.uj.edu.pl/zfs/gora/ semestr letn 2006/07 Podstawowe fakty Równane Ax = b, x,
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoEGZAMIN POTWIERDZAJĄCY KWALIFIKACJE W ZAWODZIE Rok 2019 CZĘŚĆ PRAKTYCZNA
Arkusz zawiera informacje prawnie chronione do momentu rozpoczęcia egzaminu Układ graficzny CKE 208 Nazwa kwalifikacji: Eksploatacja urządzeń elektronicznych Oznaczenie kwalifikacji: E.20 Numer zadania:
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy
Bardziej szczegółowo