Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Obwody nieliniowe. Rysunek 1. Rysunek 2. Rysunek 3"

Transkrypt

1 Obwody nieliniowe Rysunek 1 Rysunek 2 Rysunek 3 1. Narysuj schemat zasilania diody świecącej, której parametry graniczne przedstawiono na rysunku 1, a charakterystykę prądowo-napięciową na rysunku 2. Układ zasilania powinien zawierać: źródło napięcia, np.. baterię; rezystor i oczywiście diodę. 2. Dobierz wartość rezystora dla otrzymania największej jasności (rys. 3). Dioda jest koloru pomarańczowego. Napięcie zasilające (na baterii)) wynosi 5V. 3. Dorysuj do rysunku 2 charakterystykę prądowo-napięciową rezystora obliczonego w zadaniu 1. Jak będzie wyglądała charakterystyka szeregowego połączenia RD? Spróbuj ją narysować w zeszycie. Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 1

2 Układy i stany pracy tranzystora bipolarnego Wyposażenie stanowiska: tranzystor n-p-n, dioda świecąca, potencjometr liniowy10kω; rezystory R2: 100kΩ (brązowy, czarny, żółty); rezystor R1: 1kΩ (brązowy, czarny, czerwony); multimetr; zasilacz. Rysunek 2: a) WE b) WC c) WB 4. Jakie są układy pracy tranzystora bipolarnego? WE Wspólny emiter: Sygnał wejściowy podajemy na elektrody baza, i emiter. Sygnał wyjściowy otrzymujemy na elektrodach emiter, kolektor. WC Wspólny kolektor: Sygnał wejściowy podajemy na bazę i kolektora, a wyjściem sygnału są końcówki kolektor i emiter. WB Wspólna baza: Sygnał wejściowy podajemy na elektrody baza, i emiter, wyjście jest na wyprowadzeniach baza i kolektor. 5. Skąd, twoim zdaniem, się wzięły nazwy poszczególnych układów pracy? 6. Jakie są stany pracy tranzystora bipolarnego? Niezależnie od układu pracy tranzystora, niezbędne jest prawidłowe spolaryzowanie tranzystora. Gdy tranzystor pracuje jako wzmacniacz (liniowy) powinien pracować w stanie aktywnym. W układach impulsowych wykorzystuje się także stany zatkania i nasycenia. Dla zrozumienia poszczególnych stanów pracy warto wyobrazić sobie tranzystor jako dwie diody połączone jak na rysunku 3. Taki schemat zastępczy (rys. 3) jest także przydatny do prostego sprawdzenia, czy tranzystor nie jest uszkodzony wystarczy użyć testera diod lub omomierza. a) b) c) Rysunek 3:Tranzystor bipolarny n-p-n: a) symbol graficzny b) schemat zastępczy c) widok. W stanie aktywnym złącze (dioda) B-E jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze B-C w kierunku zaporowym. W stanie zatkania obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku zaporowym, a w stanie nasycenia obydwa w kierunku przewodzenia. 7. Sprawdź tranzystor omówionym sposobem. 8. Obok symbolu tranzystora (rys. 3) narysuj strzałki napięć tak, aby tranzystor pracował w stanie aktywnym. Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 2

3 9. Zmontuj układ z tranzystorem pokazany na rys. 4. Regulując potencjometrem napięcie na bazie tranzystora, możemy uzyskać poszczególne stany pracy od zatkania poprzez stan aktywny do nasycenia. W stanie aktywnym mały prąd płynący przez potencjometr steruje większym prądem płynącym przez diodę. 10.W czasie kręcenia potencjometrem obserwuj diodę świecącą i mierz napięcia pomiędzy wyprowadzeniami B-E oraz B-C, aby stwierdzić w jakim stanie pracuje aktualnie tranzystor. Sporządź tabelką do zapisywania wyników pomiaru a później przeanalizuj wyniki i zapisz wnioski. 11.W jakim układzie pracuje tranzystor na rys. 4? 12.Jakie jest wzmocnienie tranzystora w stanie aktywnym? Aby to obliczyć wystarczy zmierzyć napięcia na rezystorach R1 oraz R2. Z prawa Ohma obliczymy prądy płynące przez rezystory, w więc zarazem prąd bazy i prąd kolektora. Wzmocnienie prądowe tranzystora β można obliczyć ze wzoru = I C I B, Rysunek 4: w którym I C to prąd kolektora tranzystora, prąd ten wpływa do kolektora, czyli płynie przez rezystor R 2. Analogicznie prąd I B płynie przez rezystor R 1. Rysunek 5: Schemat zastępczy wzmaczniacza z rys. 7 Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 3

4 Proste układy z tranzystorem bipolarnym Tranzystor wzmacnia, co z pewnością zauważyłeś wykonując pomiary w punkcie 12. Prąd wpływający do bazy jest mniejszy od prądu wpływającego do kolektora mały prąd steruje dużym. Dlatego tranzystor jest podstawowym elementem wzmacniaczy, np. wzmacniacza gitarowego. Z tranzystorów buduje się także układy cyfrowe. Popularnym urządzeniem tego typu jest komputer i wszelkie urządzenia techniki komputerowej. Układy cyfrowe są praktycznie w każdym urządzeniu elektronicznym. W układach cyfrowych tranzystor przetwarza sygnały dwustanowe, więc bardzo często pracuje tylko w dwóch stanach nasycenia i zatkania. Z tranzystorów buduje się bramki, przerzutniki i inne bardziej złożone bloki, a z nich jeszcze bardziej złożone: pamięci, procesory, itp. 13.Jak zbudować czujnik wilgoci? Mały prąd płynący przez czujnik zostanie wzmocniony i będzie wystarczająco duży, aby zaświecić diodę. Z charakterystyki diody wynika, że świeci najjaśniej przy prądzie 30mA. Zakładając, że wzmocnienie tranzystora β wynosi 200, oblicz prąd, który musi wpłynąć do bazy. Oblicz rezystor R, aby w stanie nasycenia prąd płynący przez diodę wynosił 20mA. Wykonaj detektor wilgoci w układzie wspólnego emitera. 14.Jak zbudować komórkę statycznej pamięci RAM? Taka komórka to po prostu przerzutnik. W prostej wersji schemat układu może wyglądać jak na rysunku. Zbuduj układ i sprawdź jego działanie. Po włączeniu napięcia powinna zaświecić jedna z diod. Zmiana stanu przerzutnika następuje przez zwarcie bazy tranzystora do masy. Po zmianie stanu gaśnie jedna dioda i zaświeca się druga przerzutnik pamięta. Na tej zasadzie działają komórki statycznej pamięci RAM (S-RAM). Rysunek 6: Przerzutnik bistabilny 15.Jak zbudować przerywacz? Inna nazwa układu opisanego w punkcje 14 brzmi przerzutnik bistabilny, ponieważ ma dwa stany stabilne. Bardzo łatwo przerobić układ na przerzutnik astabilny. W tym celu w miejsce rezystorów R6 i R4 wstawimy kondensatory. Kondensatory o tak dużej pojemności (330uF) są zwykle kondensatorami elektrolitycznymi, które mają oznaczoną biegunowość (+, -). Odwrotne dołączenie kondensatora grozi uszkodzeniem, a nawet eksplozją. Zastanów się którą końcówkę dołączyć do minusa. Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 4

5 Wzmacniacze m. cz. 16.Jak zbudować wzmacniacz m. cz.? Wzmacniacz małej częstotliwości (m. cz.) pracuje najczęściej w układzie WE, ponieważ w tym układzie wzmacnia zarówno prąd jak i napięcie. Oczywiście należy zapewnić, aby tranzystor pracował w stanie aktywnym. Schemat typowego układu przedstawiono na rysunku 7. Rysunek 7: Prosty wzmacniacz m. cz. Rezystory R1 i R2 ustalają napięcie bazy. Rezystor R3 zapewnia ujemne sprzężenie zwrotne dla sygnału wzmacnianego, które zmniejsza współczynnik zniekształceń harmonicznych. Wzmacniacze prawie mają zawsze ujemne sprzężenie zwrotne. Rezystor R4 zapewnia sprzężenie dla prądu stałego (stabilizuje punkt pracy). Kondensator C3 blokuje rezystor R4 dla składowej zmiennej (kondensator o odpowiednio dużej pojemności stanowi zwarcie dla prądu zmiennego). Wykonaj wzmacniacz. Lista elementów: R1 = 22kΩ, R2 = 10kΩ, R3=100Ω, R4=510Ω, R5=750Ω. 17.Do czego służą schematy zastępcze? W p. 6 poznałeś model (schemat zastępczy) tranzystora, który jest przydatny do przeprowadzenia prostego testu tranzystora przy pomocy omomierza. Do analizy parametrów wzmacniaczy stosuje się inne modele, np. pokazany na rysunku 7, Hybryd-П. Tranzystor składa się ze sterowanego źródła prądu i dwóch rezystorów. Pod schematem umieszczono wzory do obliczeń elementów schematu zastępczego. r = U T I B r o = U CE U A I C g m = I C U T Rysunek 8: Model hybryd П U T = k T q Oblicz elementy modelu tranzystora pracującego we wzmacniaczu z rys. 6. Do obliczeń przyjmij: U CC = 20 V, U T = 26 mv, β = 100, U A = V, U CE = V, I B = μa, I C = ma. 18.Do czego się wykorzystuje schematy zastępcze wzmacniacza? Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 5

6 Do tzw. analizy małosygnałowej wzmacniacza, tranzystor zastępujemy modelem hybryd П, kondensatory sprzęgające i blokujące oraz źródła napięcia zastępujemy zwarciami. Drugi schemat narysujemy do obliczenia punktu pracy. W tym przypadku kondensatory stanowią rozwarcie. Przyjmując, że prąd bazy jest β razy mniejszy od prądu kolektora, oraz że napięcie na złączu B-E wynosi 0,7V, można dobrać rezystory dla zapewnienia właściwego punktu pracy. Pamiętaj, że punkt pracy decyduje o parametrach modelu tranzystora. Narysuj schemat zastępczy wzmacniacza dla składowej zmiennej (małosygnałowy), według schematu ideowego z rys Jak nazywa się najbardziej przydatny przyrząd pomiarowy? Oscyloskop. Przyrząd ten umożliwia obserwację przebiegu czasowego i pomiar wielkości charakteryzujących ten przebieg, a w szczególności: okresu i wartości międzyszczytowej napięcia. Bardzo często wykorzystuje się oscyloskop do diagnostyki układów elektronicznych. Przykładowo: podajemy na wejście wzmacniacza napięcie sinusoidalne z generatora i mierzymy napięcie na wyjściu. Wykonaj pomiary wartości międzyszczytowej sygnału na wejściu i wyjściu wzmacniacza. Oblicz wzmocnienie, jako stosunek napięcia wyjściowego do wejściowego. Czy badany wzmacniacz zniekształca sygnał? 20.Jak zbudowana jest bramka NAND? Bramki to elementy techniki cyfrowej. Obecnie bramki częściej wykonuje się z tranzystorów unipolarnych, nie omawianych na tym kursie. Standardowa bramka NAND, zbudowana z tranzystorów bipolarnych (serii TTL), została przedstawiona na rysunku 8. Układ scalony o oznaczeniu SN7400 zawiera 4 takie bramki. Napięcie zasilające dla serii TTL powinno wynosić Ucc = 5V. Jak widać bramka składa się z czterech tranzystorów, a jeden z ich ma dwa emitery. Gdy na obydwa wejścia A, B bramki podamy stan wysoki (powiedzmy napięcie o wartości Ucc), na wyjściu Y pojawi się stan niski około 0V. Gdy przynajmniej na jednym wejściu jest stan niski (zero logiczne) na wyjściu panuje stan wysoki (jedynka logiczna). A B Rysunek 10: Symbol bramki NAND Y Rysunek 9: Schemat wewnętrzny bramki AND TTL (Układ scalony 7400) Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 6

7 Tranzystor jako klucz elektroniczny 21.Jak z wyjścia bramki sterować żarówką? Jak zapewne pamiętasz, układ WE umożliwia wzmocnienie zarówno napięcia jak i prądu. Dzięki temu z wyjścia bramki cyfrowej, na której napięcie zwykle nie przekracza 5V, można sterować żarówką o wyższym napięciu znamionowym. Rysunek 11: Sterowanie żarówką Żarówka o napięciu znamionowym U N = 12V o mocy znamionowej P N = 5W zasilana napięciem znamionowym pobiera prąd I N = P N U N = 5W 12V =0,417 A Oblicz wartość rezystora R1 wg schematu z rys. 10, aby tranzystor pracował w stanie nasycenia (żarówka zaświeci). Przyjmij: napięcie sterujące U S = 3V, napięcie zasilające U CC = 12V i stałoprądowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora (ang. DC Current Gain) h FE = A jak sterować przekaźnikiem? Przekaźniki umożliwiają włączanie dużych prądów, a przy tym zapewniają izolację galwaniczną układu sterowania od układu sterowanego. Przekaźnik składa się z cewki (wyprowadzenia A1, A2) oraz styków, które służą do załączania stosunkowo dużych prądów i napięć. Przedstawiony tu przekaźnik może załączać urządzenia o mocy pozornej do 2200 VA, np. żelazko. Rysunek 12: Schemat wyprowadzeń przekaźnika miniaturowego RM-83-1P Cewka przekaźnika podobnie jak żarówka może być sterowana za pomocą tranzystora, jednak trzeba pamiętać o zabezpieczeniu przeciwprzepięciowym. Zabezpieczenie można zrealizować za pomocą diody Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 7

8 włączonej równolegle z cewką. Odczytaj z katalogu wartość rezystancji cewki o oznaczeniu kodowym 1012 przekaźnika RM83 i oblicz rezystor R1. Pozostałe założenia jak w poprzednim punkcie. Tabela 1: Parametry cewek przekaźników miniaturowych RM83 (Relpol) 23.Jak dioda zabezpiecza układ z przekaźnikiem? Rysunek 13: a) b) W stanie nasycenia (rys. 12 a) prąd płynie ze źródła Ucc przez przekaźnik i tranzystor. Część energii elektrycznej gromadzi się w cewce w postaci pola magnetycznego. W stanie zatkania energia zgromadzona w cewce indukuje prąd, który przepływa przez diodę i energia pola magnetycznego zamienia się w ciepło. Zbuduj układ wg schematu z rys. 12. Zbadaj przy pomocy oscyloskopu przebieg napięcia na kolektorze tranzystora. Na wejście Us podaj sygnał prostokątny z generatora funkcyjnego o częstotliwości 1 Hz i wartościach napięć: minimalnej 0V i maksymalnej 3V. Grzegorz Cygan Zajęcia dodatkowe z elektroniki 8

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH L B O R T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRMETRY MŁOSYGNŁOWE TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENI - celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodami pomiaru i wyznaczania parametrów małosygnałowych

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki

Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.

Bardziej szczegółowo

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.

Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz.

2. Który oscylogram przedstawia przebieg o następujących parametrach amplitudowo-czasowych: Upp=4V, f=5khz. 1. Parametr Vpp zawarty w dokumentacji technicznej wzmacniacza mocy małej częstotliwości oznacza wartość: A. średnią sygnału, B. skuteczną sygnału, C. maksymalną sygnału, D. międzyszczytową sygnału. 2.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia

Bardziej szczegółowo

PRACOWNIA ELEKTRONIKI

PRACOWNIA ELEKTRONIKI PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych w układach

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Dioda półprzewodnikowa

Dioda półprzewodnikowa mikrofalowe (np. Gunna) Dioda półprzewodnikowa Dioda półprzewodnikowa jest elementem elektronicznym wykonanym z materiałów półprzewodnikowych. Dioda jest zbudowana z dwóch różnie domieszkowanych warstw

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora

ELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh,

2 Dana jest funkcja logiczna w następującej postaci: f(a,b,c,d) = Σ(0,2,5,8,10,13): a) zminimalizuj tę funkcję korzystając z tablic Karnaugh, EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2010/2011 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II. stopnia (okręgowe) 1 Na rysunku przedstawiono przebieg prądu

Bardziej szczegółowo

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika

Instrukcje do doświadczeń. Elektronika Instrukcje do doświadczeń Elektronika 1 Spis doświadczeń 1 Dioda podstawowy obwód elektryczny...7 2 Dioda badanie charakterystyki...8 3 Dioda jako prostownik...9 4 LED podstawowy obwód elektryczny...10

Bardziej szczegółowo

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I)

Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Ćw. 7 Wyznaczanie parametrów rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych (płytka wzm. I) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie parametrów typowego wzmacniacza operacyjnego. Ćwiczenie ma pokazać w jakich warunkach

Bardziej szczegółowo

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Tranzystory bipolarne AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki Tranzystory bipolarne Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora bipolarnego.

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji

Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

BADANIE ELEMENTÓW RLC

BADANIE ELEMENTÓW RLC KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE BADANIE ELEMENTÓW RLC REV. 1.0 1. CEL ĆWICZENIA - zapoznanie się z systemem laboratoryjnym NI ELVIS II, - zapoznanie się z podstawowymi

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze operacyjne

Wzmacniacze operacyjne Wzmacniacze operacyjne Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest badanie podstawowych układów pracy wzmacniaczy operacyjnych. Wymagania Wstęp 1. Zasada działania wzmacniacza operacyjnego. 2. Ujemne sprzężenie

Bardziej szczegółowo

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.

Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów

Ćwiczenie - 4. Podstawowe układy pracy tranzystorów LABORATORIM ELEKTRONIKI Spis treści Ćwiczenie - 4 Podstawowe układy pracy tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Podstawowe układy pracy tranzystora........................ 2 2.2 Wzmacniacz

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych Laboratorium 1 1/10 2/10 PODSTAWOWE WIADOMOŚCI W trakcie zajęć wykorzystywane będą następujące urządzenia: oscyloskop, generator, zasilacz, multimetr. Instrukcje

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ

Bardziej szczegółowo

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych

Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 6: Lokalizacja usterek we wzmacniaczu napięcia Opracował

Bardziej szczegółowo

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12 PL 218560 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 218560 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 393408 (51) Int.Cl. H03F 3/18 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań cz. 1 Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań cz. 1 Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wzmacniacz prądu

Bardziej szczegółowo

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU

Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Podstawy użytkowania i pomiarów za pomocą MULTIMETRU Spis treści Informacje podstawowe...2 Pomiar napięcia...3 Pomiar prądu...5 Pomiar rezystancji...6 Pomiar pojemności...6 Wartość skuteczna i średnia...7

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład...

Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy o wzmacniaczu mocy. Takim obciążeniem mogą być na przykład... Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Gdy wzmacniacz dostarcz do obciążenia znaczącą moc, mówimy

Bardziej szczegółowo

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego

ELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Metrologii

Laboratorium Metrologii Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki 2015 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 5 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i ich podstawowych

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacz operacyjny

Wzmacniacz operacyjny ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 3 Wzmacniacz operacyjny Grupa 6 Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniaczy operacyjnych do przetwarzania

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

Badanie tranzystora bipolarnego

Badanie tranzystora bipolarnego Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 22. Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia Temat: Przerzutnik monostabilny. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 22 Poznanie zasady działania układu przerzutnika monostabilnego. Pomiar przebiegów napięć wejściowego wyjściowego w przerzutniku monostabilny. Czytanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE

Ćwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl

Bardziej szczegółowo

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań

Tranzystor bipolarny. przykłady zastosowań Tranzystor bipolarny przykłady zastosowań Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE

PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE PODSTAWY ELEKTRONIKI TEMATY ZALICZENIOWE 1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych diody półprzewodnikowej a) Jakie napięcie pokaże woltomierz, jeśli wiadomo, że Uzas = 11V, R = 1,1kΩ a napięcie Zenera

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie

Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza

Bardziej szczegółowo

Spis elementów aplikacji i przyrządów pomiarowych:

Spis elementów aplikacji i przyrządów pomiarowych: CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zbudowanie generatora przebiegów dowolnych WSTĘP: Generatory możemy podzielić na wiele rodzajów: poróżnić je między sobą ze względu na jakość otrzymanego przebiegu,

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1

Ćwiczenie nr 05 1 Oscylatory RF Podstawy teoretyczne Aβ(s) 1 Generator w układzie Colpittsa gmr Aβ(S) =1 gmrc1/c2=1 lub gmr=c2/c1 gmr C2/C1 Ćwiczenie nr 05 Oscylatory RF Cel ćwiczenia: Zrozumienie zasady działania i charakterystyka oscylatorów RF. Projektowanie i zastosowanie oscylatorów w obwodach. Czytanie schematów elektronicznych, przestrzeganie

Bardziej szczegółowo

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY 1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka

Bardziej szczegółowo

Uniwersytet Pedagogiczny

Uniwersytet Pedagogiczny Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 5 Temat: STABILIZATORY NAPIĘCIA Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data Podpis Ocena 1. Cel ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY

LABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU

Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora

Bardziej szczegółowo

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu

11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu 11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach

Bardziej szczegółowo

Scalony stabilizator napięcia typu 723

Scalony stabilizator napięcia typu 723 LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń

Bardziej szczegółowo

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: 1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny

Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki. Generator relaksacyjny AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Teleinformatyki 2014 r. Generator relaksacyjny Ćwiczenie 6 1. Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się, poprzez badania symulacyjne, z działaniem generatorów

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy. Jeśli plus (+) zasilania jest podłączony do anody a minus (-)

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C

ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy

Elektronika. Wzmacniacz tranzystorowy LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.

Bardziej szczegółowo

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia

Rys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo