Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki, Katedra K-4. Klucze analogowe. Wrocław 2017"

Transkrypt

1 Poliechnika Wrocławska Klucze analogowe Wrocław 2017 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji układów impulsowych oraz cyfrowych jes wykorzysanie wielkosygnałowej pacy elemenów akywnych, przełączanych między sanami odcięcia i przewodzenia (zero - jeden). Przejścia pomiędzy ymi sanami powinny zachodzić w możliwe jak najkrószym czasie. Jeśli klucz jes włączony o U wyj powinno być równe U wej, jeżeli wyłączony o U wyj powinno być równe zero. Realizacja coraz szybszych układów przełączających wynika z konieczności przewarzania coraz większej ilości informacji w jednosce czasu. Współczesna echnologia umożliwia przełączanie elemenów półprzewodnikowych w zakresie nanosekund do kilkudziesięciu pikosekund. 1

2 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Idealny klucz I I san włączenia san wyłączenia U U zerowa rezysancja w sanie włączenia nieskończona rezysancja w sanie wyłączenia Poliechnika Wrocławska I Pojęcia podsawowe Rzeczywisy klucz I R F san włączenia R F R R >>R F san wyłączenia U U F R R U + U F niezerowa rezysancja w sanie włączenia R F skończona rezysancja w sanie wyłączenia R R 2

3 Poliechnika Wrocławska Pojęcia podsawowe Paramery kluczy analogowych rezysancja w sanie włączenia R F rezysancja w sanie wyłączenia R R zakres napięć wejściowych przenikanie sygnału serującego na wyjście czasy przełączeń wprowadzane zniekszałcenia szcząkowe napięcie klucza maksymalny prąd przewodzenia maksymalna moc rozproszenia Poliechnika Wrocławska Klucze elekroniczne Tranzysor bipolarny jako klucz +E C R C R B E g U be U wy Tranzysor jes serowany silnym sygnałem od sanu zakania do nasycenia 3

4 Poliechnika Wrocławska RC +EC RB Uwy Eg Ube e g E F san akywny ranzysora I Csa i c -E R T włączenie ranzysora T u be u wy U BEwł -E R C b we R san nasycenia ranzysora E C U CEsa d f s r i b I Bwł I BR T b san zakania ranzysora Gdy I C = 0 koniec procesu przejściowego na wyj. Aby na wej napięcie U be osiągnęło poziom E R musi upłynąć czas bierny = 2, 3R b B C we Poliechnika Wrocławska Klucze elekroniczne Tranzysor MOSFET jako klucz E g R g U GS R D C o +E D U wy Układy z MOS sosowane m.in. w scalonych układach cyfrowych, w analogowych ukł. przełączanymi pojemnościami lub w układach z przełączaniem prądów. Szeroki zakres sosowania wynika z faku, że MOS wyróżniają się prosoą echnologiczną i układową, małą powierzchnią i bardzo małym poborem mocy Pojemność C o w prakyce sanowią pojemności wejściowe ranzysora 4

5 Poliechnika Wrocławska Klucze elekroniczne Tranzysor MOSFET jako klucz U gs narasa z τ 1 E F e g -E R T u gs E włączenie klucza usalone u gs 2,2τ 2,2τ 1 1 U OFF -E R d r f +E D i d I DS R D pojawia się i d I DF R g 2 3 przepięcie E g U GS C o U wy u wy +E D U D pass U DF U DSsa Poliechnika Wrocławska Klucze elekroniczne Tranzysor MOSFET jako klucz E F e g -E R T u gs E maleje u 2,2τ gs 2,2τ 1 1 wyłączenie klucza usalone u gs U OFF -E R d r f +E D i d R D I DS I DF i d = 0 R g 2 3 usalone U ds E g U GS C o U wy u wy +E D U D pass U DF U DSsa 5

6 Poliechnika Wrocławska Klucze elekroniczne Tranzysor MOSFET jako klucz CMOS Aby zwiększyć zakres dopuszczalnych napięć wejściowych zamias jednego ranzysora MOSFET sosuje się klucz CMOS, zbudowany z dwóch komplemenarnych ranzysorów MOSFET łączonych równolegle. W akim obwodzie ylko jeden z ranzysorów może być w sanie przewodzenia. Jeżeli na Vin pojawi się san wysoki, o będzie przewodził dolny ranzysor (z kanałem ypu n), górny zaś (z kanałem ypu p) będzie zablokowany. Wyjście Vou przejdzie więc w san niski. Jeśli na Vin pojawi się san wysoki: wówczas będzie przewodził ranzysor górny, co prowadzi do pojawienia się sanu wysokiego na wyjściu. Poliechnika Wrocławska Bramki logiczne Rodzaje 6

7 Poliechnika Wrocławska Bramki logiczne Paramery Obciążalność logiczna bramki (N) - maksymalna liczba bramek, jaka może być równolegle serowana z wyjścia pojedynczej bramki. Napięcia poziomów logicznych (HIGH, LOW) - zakresy napięć wejściowych oraz wyjściowych, kóre układ realizuje jako gwaranowany san 1 oraz gwaranowany san 0. Margines zakłóceń - określa dopuszczalną warość napięcia sygnału zakłócającego, nie powodującego jeszcze nieprawidłowej pracy układu. Moc sra na bramkę - określa moc pobieraną przez układ zeźródła zasilania. Poliechnika Wrocławska Bramki logiczne Paramery Czas propagacji - określa czas opóźnienia odpowiedzi układu na sygnał serujący i jes podsawową miarą szybkości działania układu cyfrowego. 7

8 Poliechnika Wrocławska CMOS - TTL (bramka NAND) Poliechnika Wrocławska Schemay układów TTL CMOS 8

9 Poliechnika Wrocławska Schemay układów TTL CMOS Poliechnika Wrocławska Porównanie TTL - CMOS Pobór prądu przez układy TTL i TTL-LS nie zależy prakycznie od częsoliwości. W układach CMOS poziom przełączania jes równy w przybliżeniu połowie warości napięcia zasilania, w prakyce logiczne 0 o napięcie do 30%U z, a 1 o 60-70%U z. W TTL logiczne 0 jes zdefiniowane jako napięcie w zakresie 0 V do 0,8 V w odniesieniu do masy, a logiczna 1 2,4 V do 5V(przy napięciu zasilania równym 5 V). Napięcie zasilające układy TTL musi zawierać się w przedziale od 4,75 do 5,25 V, a układy CMOS pracują przy napięciach V. 9

10 Poliechnika Wrocławska Porównanie TTL - CMOS 10

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010

Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Klucze analogowe. Wrocław 2010 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Klucze analogowe Wrocław 200 Poliechnika Wrocławska nsyu elekomunikacji, eleinformayki i Akusyki Pojęcia podsawowe Podsawą realizacji

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Klucze Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2015 r. 1 1. Wsęp. Celem ćwiczenia jes ugrunowanie

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR LORTORIUM PODSTWY ELEKTRONIKI adanie ramki X-OR 1.1 Wsęp eoreyczny. ramka XOR ramka a realizuje funkcję logiczną zwaną po angielsku EXLUSIVE-OR (WYŁĄZNIE LU). Polska nazwa brzmi LO. Funkcję EX-OR zapisuje

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 4 2014 r. 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora

Bardziej szczegółowo

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji

Bardziej szczegółowo

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1

Badanie funktorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 adanie funkorów logicznych TTL - ćwiczenie 1 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podsawowymi srukurami funkorów logicznych realizowanych w echnice TTL (Transisor Transisor Logic), ich podsawowymi paramerami

Bardziej szczegółowo

Parametry układów cyfrowych

Parametry układów cyfrowych Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie

Bardziej szczegółowo

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL

Bardziej szczegółowo

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki

Układy TTL i CMOS. Trochę logiki Układy TTL i CMOS O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS AGH Katedra Elektroniki Podstawy Elektroniki dla Informatyki Tranzystory unipolarne MOS Ćwiczenie 3 2014 r. 1 1. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z działaniem i zastosowaniami tranzystora unipolarnego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek

Bardziej szczegółowo

3. Funktory CMOS cz.1

3. Funktory CMOS cz.1 3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście

Bardziej szczegółowo

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania. adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..

Bardziej szczegółowo

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz

Bardziej szczegółowo

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę. WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania

Bardziej szczegółowo

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 171947 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21)Numer zgłoszenia: 301401 (2)Data zgłoszenia: 08.12.1993 (5 1) IntCl6 H03F 3/72 H03K 5/04

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH CMOS I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

19. Zasilacze impulsowe

19. Zasilacze impulsowe 19. Zasilacze impulsowe 19.1. Wsęp Sieć energeyczna (np. 230V, 50 Hz Prosownik sieciowy Rys. 19.1.1. Zasilacz o działaniu ciągłym Sabilizaor napięcia Napięcie sałe R 0 Napięcie sałe E A Zasilacz impulsowy

Bardziej szczegółowo

Ćw. 8 Bramki logiczne

Ćw. 8 Bramki logiczne Ćw. 8 Bramki logiczne 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi, poznanie ich rodzajów oraz najwaŝniejszych parametrów opisujących ich własności elektryczne.

Bardziej szczegółowo

zestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką,

zestaw laboratoryjny (generator przebiegu prostokątnego + zasilacz + częstościomierz), oscyloskop 2-kanałowy z pamięcią, komputer z drukarką, - Ćwiczenie 4. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzunika asabilnego (muliwibraora) wykonanego w echnice dyskrenej oraz TTL a akże zapoznanie się z działaniem przerzunika T (zwanego

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część I Napięcie, naężenie i moc prądu elekrycznego Sygnały elekryczne i ich klasyfikacja Rodzaje układów elekronicznych Janusz Brzychczyk IF UJ Elekronika Dziedzina nauki i echniki

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia

Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów

Bardziej szczegółowo

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400) INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND

Bardziej szczegółowo

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS

Komputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja

Bardziej szczegółowo

Projekt Układów Logicznych

Projekt Układów Logicznych Politechnika Opolska Wydział Elektrotechniki i Automatyki Kierunek: Informatyka Opole, dn. 21 maja 2005 Projekt Układów Logicznych Temat: Bramki logiczne CMOS Autor: Dawid Najgiebauer Informatyka, sem.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 9 Układy scalone CMOS

Ćwiczenie nr 9 Układy scalone CMOS Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Ryszard Korbutowicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowiec,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0 LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..

Bardziej szczegółowo

Przetwarzanie analogowocyfrowe

Przetwarzanie analogowocyfrowe Przewarzanie analogowocyfrowe Z. Serweciński 05-03-2011 Przewarzanie u analogowego na cyfrowy Proces przewarzania u analogowego (ciągłego) na cyfrowy składa się z rzech podsawowych operacji: 1. Próbkowanie

Bardziej szczegółowo

Różnicowe układy cyfrowe CMOS

Różnicowe układy cyfrowe CMOS 1 Różnicowe układy cyfrowe CMOS Różnicowe układy cyfrowe CMOS 2 CVSL (Cascode Voltage Switch Logic) Różne nazwy: CVSL - Cascode Voltage Switch Logic DVSL - Differential Cascode Voltage Switch Logic 1 Cascode

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET) Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (IFET) ze złączem ms (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy (TFT) z kanałem zuobożanym

Bardziej szczegółowo

Generatory impulsowe przerzutniki

Generatory impulsowe przerzutniki Generatory impulsowe przerzutniki Wrocław 2015 Przerzutniki Przerzutniki stosuje się do przechowywania małych ilości danych, do których musi być zapewniony ciągły dostęp. Ze względu na łatwy odczyt i zapis,

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI

LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI LABORAORIM Z ELEKRONIKI PROSOWNIKI Józef Boksa WA 01 1. PROSOWANIKI...3 1.1. CEL ĆWICZENIA...3 1.. WPROWADZENIE...3 1..1. Prosowanie...3 1.3. PROSOWNIKI NAPIĘCIA...3 1.4. SCHEMAY BLOKOWE KŁADÓW POMIAROWYCH...5

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 7 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH TTL I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające

Podstawy Elektroniki dla Elektrotechniki. Układy przełączające AGH Kaedra Elekroniki Podsawy Elekroniki dla Elekroechniki Układy przełączające Insrukcja do ćwiczeń symulacyjnych (5a) Insrukcja do ćwiczeń sprzęowych (5b) Ćwiczenie 5a, 5b 2017 r. 1. Wsęp. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI PROSTOWNIKI ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 5 PROSTOWNIKI DO UŻYTKU

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2

Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Podstawy elektroniki cz. 2 Wykład 2 Elementarne prawa Trzy elementarne prawa 2 Prawo Ohma Stosunek natężenia prądu płynącego przez przewodnik do napięcia pomiędzy jego końcami jest stały R U I 3 Prawo

Bardziej szczegółowo

Gr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE

Gr.A, Zad.1. Gr.A, Zad.2 U CC R C1 R C2. U wy T 1 T 2. U we T 3 T 4 U EE Niekóre z zadań dają się rozwiązać niemal w pamięci, pamięaj jednak, że warunkiem uzyskania różnej od zera liczby punków za każde zadanie, jes przedsawienie, oprócz samego wyniku, akże rozwiązania, wyjaśniającego

Bardziej szczegółowo

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów

Układy akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy

Bardziej szczegółowo

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2 WSTĘP O liczbie elementów użytych do budowy jakiegoś urządzenia elektronicznego, a więc i o możliwości obniżenia jego ceny, decyduje dzisiaj liczba zastosowanych w nim układów scalonych. Najstarszą rodziną

Bardziej szczegółowo

Podstawowe bramki logiczne

Podstawowe bramki logiczne Temat i plan wykładu Podstawowe bramki logiczne 1. Elementarne funkcje logiczne, symbole 2. Struktura bramek bipolarnych, CMOS i BiCMOS 3. Parametry bramek 4. Rodziny układów cyfrowych 5. Elastyczność

Bardziej szczegółowo

10. KLUCZE DWUKIERUNKOWE, MULTIPLEKSERY I DEMULTIPLEKSERY CMOS

10. KLUCZE DWUKIERUNKOWE, MULTIPLEKSERY I DEMULTIPLEKSERY CMOS . KLUZE DWUKIERUNKOWE, MULTIPLEKSERY I DEMULTIPLEKSERY MOS.. EL ĆWIZENIA elem ćwiczenia jest poznanie podstawowych charakterystyk kluczy dwukierunkowych oraz głównych właściwości multipleksera i demultipleksera

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE

ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE WPROWADZENIE ĆWICZENIE 8 ELEMENTY I UKŁADY PRZEŁĄCZAJĄCE Opracował: mgr inż. Adam Kowalczyk Pierwotna wersja ćwiczenia i instrukcji jest dziełem mgr. inż. Leszka Widomskiego WPROWADZENIE Działanie i parametry przełącznika

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Przełącznikowy tranzystor mocy MOSFET Wydział Elekroniki Mikrosysemów i Fooniki Poliechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Przełącznikowy ranzysor mocy MOSFET Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy

Bardziej szczegółowo

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne

Bardziej szczegółowo

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych Dr inż. Jacek Mazurkiewicz Katedra Informatyki Technicznej e-mail: Jacek.Mazurkiewicz@pwr.edu.pl Elementy poważniejsze

Bardziej szczegółowo

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci

Technika Cyfrowa. Badanie pamięci LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie pamięci Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się studentów z budową i zasadą działania scalonych liczników asynchronicznych

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET

Ćwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru

Bardziej szczegółowo

UKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny

UKŁADY CYFROWE. Układ kombinacyjny UKŁADY CYFROWE Układ kombinacyjny Układów kombinacyjnych są bramki. Jedną z cech układów kombinacyjnych jest możliwość przedstawienia ich działania (opisu) w postaci tabeli prawdy. Tabela prawdy podaje

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14

PL B1. POLITECHNIKA WARSZAWSKA, Warszawa, PL BUP 04/11. KRZYSZTOF GOŁOFIT, Lublin, PL WUP 06/14 PL 217071 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217071 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 388756 (51) Int.Cl. H03K 3/023 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Elementy cyfrowe i układy logiczne

Elementy cyfrowe i układy logiczne Elementy cyfrowe i układy logiczne Wykład 4 Legenda Podział układów logicznych Układy cyfrowe, układy scalone Synteza logiczna Układy TTL, CMOS 2 1 Podział układów Układy logiczne kombinacyjne sekwencyjne

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 TRANZYSTORY JAKO ELEMENTY DWUSTANOWE BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

Układy elektroniczne I Przetwornice napięcia

Układy elektroniczne I Przetwornice napięcia kłady elekriczne Przewornice napięcia Jerzy Wikowski Sabilizaor równoległy i szeregowy = + Z = + Z Z o o Z Mniejsze sray mocy 1 Sabilizaor impulsowy i liniowy P ( ) sra P sra sa max o o o Z Mniejsze sray

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp

Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny

Bardziej szczegółowo

PL 183356 B1 H03K 17/687 G05F 1/44. Fig. 1 (19) PL (11) 183356 (12) OPIS PATENTOWY (13) B1. Siemens Aktiengesellschaft, Monachium, DE

PL 183356 B1 H03K 17/687 G05F 1/44. Fig. 1 (19) PL (11) 183356 (12) OPIS PATENTOWY (13) B1. Siemens Aktiengesellschaft, Monachium, DE RZECZPOSPOLITA POLSKA Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (12) OPIS PATENTOWY (21) Numer zgłoszenia: 320932 (22) Data zgłoszenia: 03.07.1997 (19) PL (11) 183356 (13) B1 (51 ) IntCl7 H02J 1/04 H03K

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?

1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki. 2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice? 3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Komparator napięcia. Komparator a wzmacniacz operacyjny. Vwe1. Vwy. Vwe2

Komparator napięcia. Komparator a wzmacniacz operacyjny. Vwe1. Vwy. Vwe2 PUAV Wykład 11 Komparator a wzmacniacz operacyjny Vwe1 Vwe2 + Vwy Komparator a wzmacniacz operacyjny Vwe1 Vwe2 + Vwy Wzmacniacz operacyjny ( ) V wy = k u V we2 V we1 Komparator a wzmacniacz operacyjny

Bardziej szczegółowo

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55

Funkcje logiczne X = A B AND. K.M.Gawrylczyk /55 Układy cyfrowe Funkcje logiczne AND A B X = A B... 2/55 Funkcje logiczne OR A B X = A + B NOT A A... 3/55 Twierdzenia algebry Boole a A + B = B + A A B = B A A + B + C = A + (B+C( B+C) ) = (A+B( A+B) )

Bardziej szczegółowo

Podstawowe układy cyfrowe

Podstawowe układy cyfrowe ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne V MAX V MIN

Bramki logiczne V MAX V MIN Bramki logiczne W układach fizycznych napięcie elektryczne może reprezentować stany logiczne. Bramką nazywamy prosty obwód elektroniczny realizujący funkcję logiczną. Pewien zakres napięcia odpowiada stanowi

Bardziej szczegółowo

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)

Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Przetworniki analogowo-cyfrowe.

Przetworniki analogowo-cyfrowe. POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIEII ŚODOWISKA I ENEGETYKI INSTYTUT MASZYN I UZĄDZEŃ ENEGETYCZNYCH LABOATOIUM ELEKTYCZNE Przeworniki analogowo-cyfrowe. (E 11) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ

Bardziej szczegółowo

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)

Laboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie

Liniowe układy scalone. Komparatory napięcia i ich zastosowanie Liniowe układy scalone Komparatory napięcia i ich zastosowanie Komparator Zadaniem komparatora jest wytworzenie sygnału logicznego 0 lub 1 na wyjściu w zależności od znaku różnicy napięć wejściowych Jest

Bardziej szczegółowo

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny). WFiIS LABOATOIM Z ELEKTONIKI Imię i nazwisko:.. TEMAT: OK GPA ZESPÓŁ N ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Zaprojektowanie i zbadanie

Bardziej szczegółowo

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz

Bardziej szczegółowo

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym 1. Cel ćwiczenia Generatory kwarcowe Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zagadnieniami dotyczącymi generacji przebiegów sinusoidalnych w podstawowych strukturach generatorów kwarcowych. Ponadto ćwiczenie

Bardziej szczegółowo

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów

Bardziej szczegółowo

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU

POMIAR PARAMETRÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH METODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZETWARZANIA SYGNAŁU Pomiar paramerów sygnałów napięciowych. POMIAR PARAMERÓW SYGNAŁOW NAPIĘCIOWYCH MEODĄ PRÓKOWANIA I CYFROWEGO PRZEWARZANIA SYGNAŁU Cel ćwiczenia Poznanie warunków prawidłowego wyznaczania elemenarnych paramerów

Bardziej szczegółowo

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

GENERATORY KWARCOWE. Politechnika Wrocławska. Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki. Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego Politechnika Wrocławska Instytut Telekomunikacji, Teleinformatyki i Akustyki Zakład Układów Elektronicznych Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego GENERATORY KWARCOWE 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający

Bardziej szczegółowo

Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych

Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych Wejścia logiczne w regulatorach, sterownikach przemysłowych Semestr zimowy 2013/2014, WIEiK PK 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI

LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI LABORATORIUM z przedmiotu ALGORYTMY I PROJEKTOWANIE UKŁADÓW VLSI 1. PRZEBIEG ĆWICZEŃ LABORATORYJNYCH Nauka edytora topografii MAGIC na przykładzie inwertera NOT w technologii CMOS Powiązanie topografii

Bardziej szczegółowo

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly

Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly Zabezpieczenie akumulatora Li-Poly rev. 2, 02.02.2011 Adam Pyka Wrocław 2011 1 Wstęp Akumulatory litowo-polimerowe (Li-Po) ze względu na korzystny stosunek pojemności do masy, mały współczynnik samorozładowania

Bardziej szczegółowo

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ

Bardziej szczegółowo

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132 Skład zespołu: 1. 2. 3. 4. KTEDR ELEKTRONIKI G Wydział EIiE LBORTORIUM TECNIKI CYFROWEJ Data wykonania: Suma punktów: Grupa Ocena 1 Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74C00, 74CT00, 7403, 74132 I. Konspekt

Bardziej szczegółowo

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki

Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost

Bardziej szczegółowo

Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach

Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach 0-- Porty wejścia/wyjścia w układach mikroprocesorowych i w mikrokontrolerach Semestr zimowy 0/0, WIEiK-PK Porty wejścia-wyjścia Input/Output ports Podstawowy układ peryferyjny port wejścia-wyjścia do

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych

Rys.1. Układy przełączników tranzystorowych KLUCZ TRANZYSTOROWY 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia jest badanie elementarnych układów przełączających (kluczy). Przeprowadza się pomiary i obserwacje przebiegów czasowych w układach podstawowych: tranzystorowym

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym

ĆWICZENIE 4 Badanie stanów nieustalonych w obwodach RL, RC i RLC przy wymuszeniu stałym ĆWIZENIE 4 Badanie sanów nieusalonych w obwodach, i przy wymuszeniu sałym. el ćwiczenia Zapoznanie się z rozpływem prądów, rozkładem w sanach nieusalonych w obwodach szeregowych, i Zapoznanie się ze sposobami

Bardziej szczegółowo

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Temat i cel wykładu. Tranzystory POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji

Bardziej szczegółowo

Widok z przodu. Power Bus

Widok z przodu. Power Bus Separaor sygnałów binarnych Charakerysyka Konsrukcja 1-kanałowy separaor sygnału Zasilanie 2 V DC Wejście dla czujników 2- lub -przewodowych lub źródeł napięcia AC/DC wyjście syku przekaźnika Funkcja czasowa

Bardziej szczegółowo

Wielkość analogowa w danym przedziale swojej zmienności przyjmuje nieskończoną liczbę wartości.

Wielkość analogowa w danym przedziale swojej zmienności przyjmuje nieskończoną liczbę wartości. TECHNOLOGE CYFOWE kłady elektroniczne. Podzespoły analogowe. Podzespoły cyfrowe Wielkość analogowa w danym przedziale swojej zmienności przyjmuje nieskończoną liczbę wartości. Wielkość cyfrowa w danym

Bardziej szczegółowo

Komparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia:

Komparatory napięcia. Wprowadzenie. Wprowadzenie. Definicja. Najważniejsze parametry komparatorów napięcia: Komparatory napięcia Definicja Komparatorem napięcia nazywamy szerokopasmowy wzmacniacz operacyjny, którego napięcie wyjścio przyjmuje jedynie dwie skrajne wartości: minimalną lub maksymalną, przy czym

Bardziej szczegółowo

Cyfrowe układy scalone

Cyfrowe układy scalone Ryszard J. Barczyński, 2 25 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Układy cyfrowe stosowane są do przetwarzania informacji zakodowanej

Bardziej szczegółowo

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników:

dwójkę liczącą Licznikiem Podział liczników: 1. Dwójka licząca Przerzutnik typu D łatwo jest przekształcić w przerzutnik typu T i zrealizować dzielnik modulo 2 - tzw. dwójkę liczącą. W tym celu wystarczy połączyć wyjście zanegowane Q z wejściem D.

Bardziej szczegółowo