Przyrządy półprzewodnikowe część 3
|
|
- Jakub Łukasik
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011
2 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publ., B.G. Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall, D. Bell, Fundamentals of Electric Circuits, Oxford Univ. Press, T. Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, John Willey&Sons W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, A. Świt, J. Pułtorak, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT, B.G. Streetman, Przyrządy półprzewodnikowe, WNT
3 Przyrządy wzmacniające Rozdział 4 Tranzystory bipolarne (1). Budowa struktury tranzystora, symbole, oznaczenia. Rodzaje pracy: wzmacniacz i przełącznik. Zasada pracy i wymagana polaryzacja złącz tranzystora. Charakterystyki stałoprądowe, układy pracy WE, WB, WC. Warunki polaryzacji punkt pracy, prosta pracy. Model stałoprądowy tranzystora. Parametry małosygnałowe model zastępczy dla m.cz. Analiza pracy wzmacniacza WE małych częstotliwości.
4 Konstrukcja i symbole tranzystora bipolarnego 3 obszary o odmiennym typie przewodności, trzy zaciski wyprowadzenia: E, B, C 2 złącza p-n: złącze Emiter-Baza, złącze Kolektor-Baza obszar Emtera najsilniej domieszkowany (p + lub n + ) obszar Bazy najkrótszy (najcieńszy) obszar Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
5 Dioda jedno złącze p-n ; tranzystor 2 złącza p-n dioda p-n + następne złącze n-p Tranzystor bipolarny npn 2 złącza p-n połączone wspólnym obszarem typu-p Dodany obszar typu-n (domieszki donorowe) Tranzystor npn w monolitycznym krzemowym układzie scalonym Pojedyńczy (dyskretny) tranzystor npn Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp. C - wyprowadzenie obszaru kolektora od podłoża typu-n
6 + Układ wzmacniacza i wzmocnienie napięciowe. Czwórnik - schemat zastępczy. Tranzystor jako czwórnik załóżmy, że: - wewn. wzmocnienie napięciowe E wspólny zacisk dla wejścia i wyjścia więc: OE - układ wspólnego emitera Źródła niezależne IS1 VS2 Sygnał wejściowy Sygnał wyjściowy obciążenie wzmocnienie model zastępczy tranzystora Symbole USA Źródła zależne (sterowane) Symbole europejskie V + VCVS1 I CCCS2 - - wzmocnienie napięciowe tranzystora - wzmocnienie prądowe tranzystora Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
7 Układ przełącznika (switch) Tranzystor - przełącznik sterowany prądem lub napięciem; przykład: sterownik LED (LED driver) WYŁ. ZAŁ. Sygnał wej. napięciowy: niski - wysoki High Low i Tranzystor: ZAŁ. - WYŁ. Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp. Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
8 Tryb i układ pracy polaryzacja złącz tranzystora p-n-p n-p-n V CE CE V BE układ wspólna baza - WB Praca aktywna (wzmacniacz) Polaryzacja złącz: E-B przewodz., C-B zaporowa Nasycenie (przełącznik - ZAŁ.) Polaryzacja złącz: E-B przewodz., C-B przewodz. Odcięcie (przełącznik WYŁ.) Polaryzacja złącz: E-B zaporowa, C-B zaporowa układ wspólny emiter - WE Praca aktywna stałe wzmocnienie prądowe dla wzmacnianych sygnałów dc i ac Relacja prądów: I C + I E + I B =0 (I prawo Kirchhoffa) mały I B, duży I C I E Wzmocnienie prądowe: Wzmocnienie prądowe dla układu WB Wzmocnienie prądowe dla układu WE Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
9 Praca aktywna rozpływ prądów w tranzystorze Praca aktywna polaryzacja złącz: E-B przewodzenia C-B zaporowo Przykład: tranzystor p-n-p Prąd dyfuzji dziur (elektronów w tr. npn) w Bazie (W B - grubość bazy) z Emitera do Kolektora jest odpowiedzialny za wzmocnienie tranz elektrony dziury [obszary zubożone złącz] I C I E Rekombinacja w Bazie: - straty nośników, - spadek wzmocnienia Analiza pracy tranzystora obejmuje zagadnienia: Prądy zacisków tranz. Prądy nośników Prądy dryftu i dyfuzji analiza układowa analiza przyrządu bipolarnego mechanizmy fizyczne 1 gdy: W B -mała I Ep >>I En Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
10 Praca aktywna polaryzacja zacisków tranzystora p-n-p n-p-n Praca aktywna polaryzacja złącz: E-B przewodz., C-B zaporowo Wzmocnienie układu wspólnego emitera, WE: I C + I E + I B =0 Wzmocnienie układu wspólnej bazy, WB: = /(1- ) = 0.995/( ) = 0.995/ » 1 p-n-p n-p-n
11 Charakterystyki I-U tranzystora w układzie WE Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w układzie WE: I C U CE dla ustalonego I B (parametr) Nasycenie I B =const. prąd bazy jest parametrem dla rodziny charakterystyk wyjściowych tranzystora W zakresie pracy aktywnej wzmocnienie prądowe tranzystora niewiele się zmienia ~ const. Aktywny Odcięcie I B = 0 I C = I B W zakresie nasycenie to nie jest prawdą. P=U I czyli I C =P/U CE Maks. moc strat cieplnych (hiperbola mocy) W zakresie odcięcia I C = I CE0 dla I B = 0 b. niewielki prąd (prąd zerowy tranzystora)
12 Ograniczenia polaryzacji tranzystora Limit prądu, napięcia i mocy tranzystora: - dopuszczalne napięcie przebicie złącza CB lub przebicie skrośne bazy (punch-through) - dopuszczalny prąd kolektora - efekty termiczne, wytrzymałość materiałów - dopuszczalna moc - rozpraszanie ciepła ( P = IU ) - efekty termiczne Schematyczne charakterystyki wyjściowe: układ WB układ WE Q-point WB - napięcie przebicia BV CBO BV CBO >> BV CEO (Breakdown Voltage) WE - napięcie przebicia BV CEO typowe wartości: 50 V 100 V (ale także 800 V - tranzystory wysoko-napięciowe) Source: B.C.Streetman Solid State Electronic Devices, Prentice Hall.
13 Parametry katalogowe tranzystora Obudowa (case) Układ wyprowadzeń do druku (pad layout) BC - Krzemowy tranzystor małej częstotliwości, małej mocy Oznaczenia rodzaj półprzewodnika: A - german B - krzem C - inny: GaAs, GaN rodzaj tranzystora: BC m.cz., mała moc BD - m.cz., duża moc BF w.cz., mała moc BL - w.cz., duża moc BS impulsowy BU wysokonapięciowy Stany Zjedn.: 2Nxxxx
14 Parametry katalogowe tranzystora Parametry dopuszczalne (elektryczne i cieplne) Ważne: dla układu WB dla układu WE
15 Parametry katalogowe tranzystora BD - Krzemowy tranzystor mocy, m.cz. z radiatorem
16 Punkt pracy tranzystora (elementu nieliniowego) - dla przypomnienia - układ z diodą (element nieliniowy) Koncepcja prostej pracy Znajdowanie punktu pracy (Q point ) diody Położenie punktu pracy wartości napięcia i prądu diody - znajdujemy metodą graficzną. z I prawa Kirchhoffa równanie oczkowe: V T = R T i D + v D i D piszemy równanie prostej: i D = f(v D ) i D = -(1/ R T ) v D + V T /R T Dana jest też charakterystyka diody: i D = f(v D ) Punkt pracy Q znajdujemy z przecięcia wykresów (rozwiązanie dwóch równań): i DQ = 21mA, v DQ = 1.0 V v D Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
17 Wyznaczanie punktu pracy tranzystora Podstawowy układ wzmacniacza (WE) Charakterystyki wyjściowe tranzystora bipolarnego w układzie, Wspólnego Emitera: I C U CE dla I B = const. + prosta pracy U CC /R L Nasycenie Aktywny Q-point U CC = R L I C + U CE (II prawo Kirchhoffa) I C = + U CE /R L U CC /R L I C _ + II I Odcięcie =U BE I B =U CE U CC Q-point: I C = 48mA, U CE =4V, I B = 0,3mA (punkt pracy, punkt polaryzacji stało prądowej, ang.: quiescent point, dc bias point)
18 Charakterystyki I-U tranzystora w układzie WE Charakterystyki wejściowe tranzystora bipolarnego w układzie Wspólnego Emitera: U BE - I B dla U CE = const. (parametr) napięciowy sygnał wej. v be Charakterystyka złącza p-n (E-B) spolaryzowanego w kier. przewodzenia Prądowy sygnał wej. i b Wykres odwrócony
19 Charakterystyki wyjściowe WE, analiza sygnałów zmiennych Wzmacnianie sygnału w punkcie pracy [Q] - punkt pracy przemieszcza się po prostej pracy zgodnie ze zmianą amplitudy sygnału zmiennego. i c, i b, v ce sygnały zmienne prądowy sygnał wejściowy i b i B i c prądowy sygnał wyjsciowy napięciowy sygnał wyjściowy v ce sygnał wyjściowy i c = i b Source: G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical Engineering, McGraw-Hill
20 Charakterystyki I-U tranzystora w układzie WE Charakterystyki przejściowe (wzmocnieniowe) tranzystora bipolarnego I C I B dla U CE = const. (parametr) Nachylenie wyznacza wzmocnienie prądowe Wykres Gummela lg(i) - U EB (wzmocn. prądowe ) Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
21 Charakterystyki I-U tranzystora w układzie WE Wykres Gummela The Gummel plot (current gain ) Wysoki poziom wstrzykiwania nośników, wpływ rezyst. szeregowej I B = I Bo exp (qu EB /kt) I C = I B Jednakowe nachylenie wykresów I B, I C =f(u EB ) wyznacza zakres stałego wzmocnienia wpływ rekombinacji - generacji Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp.
22 Charakterystyki wyjściowe dla układów WE i WB Porównanie charakterystyk wyjściowych dla układów wspólnej bazy i wspólnego emitera I E - param. Charakt. wejściowa Z poprzednich rozważań wynika: I E - V BE I E - V BE I E - V BE I B - param. jeśli» 1 I E I C jest to zakres pracy aktywnej tranzystora V CE V CB V CE V CE = V CB + V BE (II prawo Kirchhoffa) WB WE
23 Model zastępczy tranzystora bipolarnego (dc) Model Ebersa-Molla tranzystora, ważny dla dużych sygnałów i prądu stałego, bazuje na równaniach Shockleya opisujących zależnoość I-U obu złącz tranzystora p Pol. przewodz. n Pol. zaporowa p F oznacza wzmocnienie prądowe dla układu WB Ogólny przypadek: Układ WB (pnp) Praca aktywna R oznacza wzmocnienie prądowe dla układu WB dla polaryzacji odwrotnej: Zł. E-B k. zaporowy zł. C-B k. przewodz. Source: R.F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, Addison-Wesley Publishing Comp. R «F
24 Model zastępczy małosygnałowy (ac) tranzystora Model zastępczy tranzystora układ czwórnika h Konfiguracja układu pracy tranzystora bipolarnego: I 1, i 1 I 2, i 2 [ h ij ] U 1, u 1 U 2, u 2 WB WE Zależności stałoprądowe: Charakterystyki: U 1 = f(i 1 ) dla U 2 = parametr wejściowa I 2 = f(u 2 ) dla I 1 = parametr wyjściowa I 2 = f(i 1 ) dla U 2 = parametr przejściowa U 1 = f(u 2 ) dla I 1 = parametr oddziaływania wstecznego Zależności zmiennoprądowe: WC u 1 = h 11 i 1 + h 12 u 2 i 2 = h 21 i 1 + h 22 u 2 u, i - wartości małych sygnałów zmiennych h ij elementy (parametry) czwórnika
25 Model zastępczy małosygnałowy (ac) tranzystora Model zastępczy dla małych sygnałów zmiennych [ h ij ] elementy modelu (hybrydowe) ważny dla małych częstotliwości, f 100kHz - nie zawiera pojemności (zespolonych impedancji) - w tym zakresie f, pojemności wewnętrzne tranzystora (rząd pf) stanowią b. dużą admitancję dla sygnału np.: 1/wC = Z c [ ] w= 2pf f=100khz, C=10pF, Z = 160 k dla układu WE [ h ije ], ( dla WB [h ijb ] ) wartości zmiennoprądowe (małosygnałowe) prądów i napięć dla WE: I 1 = i B = ΔI B U 1 = u BE = ΔU BE I 2 = i C = ΔI C U 2 = u CE =ΔU CE I 1 mały sygnał zmienny, tzn.: u BE = ΔU BE = U M sin ωt amplituda U M 25mV (kt/q) zmiana wartości stałoprądowej h 11e h 21 e h du di di di di BE B C B U I I I C B I BE B r C C 22e duce UCE h h ij elementy (parametry) rzeczywiste 12e du du BE U U CE ma niewielkie znaczenie BE CE we 1 r wy Rezystancja wejściowa [ ] Wzmocnienie prądowe Konduktancja wyjściowa [S] Wsp. oddz. wstecznego
26 Model zastępczy małosygnałowy (ac) tranzystora Parametry małosygnałowe analiza graficzna Typowy punkt pracy wzmacniacza WE na ch. wejściowych i wyjściowych nachylenie charakterystyki pochodna - w punkcie pracy Q (Q-point) Q-point Q-point h 11e du di BE B U I BE B r we h di I C C 22e duce UCE 1 r wy Q-point (I B =const., U CE =const.) Q-point (I C =const., U CE =const.)
27 Parametry katalogowe czwórnika h tranzystora Parametry małosygnałowe h ij tranzystora BC846 (układ WE) h ie =h 11E h oe = h 22e h fe =h 21e Zależność temperaturowa h FE =h 21E = β I C - prąd polaryzacji (pkt. pracy)
28 Schemat zastępczy małosygnałowy wzmacniacza WE Schemat ideowy prostego wzmacniacza w układzie WE obejmuje: tranzystor, źródło zasilania, rezystory ustalające stałoprądowy punkt pracy. - Małosygnałowy schemat zastępczy tego wzmacniacza słuszny dla małych częstotliwości sygnału tranzystor R L rezystor kolektorowy, lub rezystor obciążenia (Load) Algorytm przekształcenia dc ac: 1. Tranzystor jest zastąpiony przez odpowiedni model małosygnałowy, np.: czwórnik [h ij ]. 2. Zasilacz napięciowy reprezentuje dużą pojemność dla sygnałów zmiennych. Dlatego jest zwarty do masy.
29 Schemat zastępczy małosygnałowy wzmacniacza WE Wzmocnienie napięciowe układu wzmacniacza WE: U 2 A V U1 U I1 Ib h 1 11e Małosygnałowy schemat zastępczy tego wzmacniacza słuszny dla małych częstotliwości sygnału U2 h21 e I b R L if 1/ h 22e R L A V h h 21e 11e R L W ogólnym przypadku: AV h21 r r wy we A V R R wy we dla wzmacniacz WE» 1 Wzmocnienie mocy sygnału: A P A I A V Rwy 2 R we R R wy we A V ponieważ R R wy we wy R we dla wzmacniacza WB 1 R więc zwykle A v >>1 oraz A P >>1
Przyrządy półprzewodnikowe część 4
Przyrządy półprzewodnikowe część 4 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoWykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkońcówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 12 Pomiar wartości parametrów małosygnałowych h ije tranzystora
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoWykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY
Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY Tranzystor Trójkoocówkowy półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający zdolnośd wzmacniania sygnału elektrycznego. Nazwa tranzystor pochodzi z angielskiego zwrotu "transfer
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2014 Literatura Literatura i źródła rysunków: G. Rizzoni, Fundamentals
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoBadanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II
1 Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE Ćwiczenie nr 14 LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystor jest to element półprzewodnikowy, w zasadzie trójelektrodowy, umożliwiający wzmacnianie mocy sygnałów elektrycznych. Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy półprzewodnikowe
Bardziej szczegółowoTemat i cel wykładu. Tranzystory
POLTECHNKA BAŁOSTOCKA Temat i cel wykładu WYDZAŁ ELEKTRYCZNY Tranzystory Celem wykładu jest przedstawienie: konstrukcji i działania tranzystora bipolarnego, punktu i zakresów pracy tranzystora, konfiguracji
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 6
Przyrządy półprzewodnikowe część 6 Dr inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 5 Tranzystor bipolarny
Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, ogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, eata Ściana, Zdzisław Synowiec, ogusław
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STDIA DZIENNE e LABOATOIM PZYZĄDÓW PÓŁPZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr Pomiar częstotliwości granicznej f T tranzystora bipolarnego Wykonując
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoE104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów
E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów
Bardziej szczegółowoUkłady nieliniowe - przypomnienie
Układy nieliniowe - przypomnienie Generacja-rekombinacja E γ Na bazie półprzewodników γ E (Si)= 1.14 ev g w.8, p.1 Domieszkowanie n (As): Większościowe elektrony pasmo przewodnictwa swobodne elektrony
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowoZygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska 1947 r. pierwszy tranzystor ostrzowy John Bradeen (z lewej), William Shockley (w środku) i Walter Brattain (z prawej) (Bell Labs) Zygmunt Kubiak
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystora bipolarnego
Spis ćwiczeń: Badanie tranzystora bipolarnego Symulacja komputerowa PSPICE 9.1 www.pspice.com 1. Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego 2. Wyznaczanie rezystancji wejściowej 3. Rysowanie charakterystyk
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE SMK WYKŁAD
TRAZYSTORY BPOLARE SMK WYKŁAD 9 a pdstw. W. Marciniak, WT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone 6. Zakresy pracy i układy włączania tranzystora bipolarnego Opis funkcjonalny zestaw równań wiążących
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoTranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny
POLTEHNKA AŁOSTOKA Tranzystory WYDZAŁ ELEKTYZNY 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne bipolarny unipolarne Trójkońcówkowy (czterokońcówkowy) półprzewodnikowy element elektroniczny, posiadający
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.
12 Ć wiczenie 2 TRANZYSTORY MOCY Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami. 1. Wiadomości wstępne Tranzystory są to trójelektrodowe przyrządy
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoTranzystor bipolarny
Tranzystor bipolarny 1. zas trwania: 6h 2. ele ćwiczenia adanie własności podstawowych układów wykorzystujących tranzystor bipolarny. 3. Wymagana znajomość pojęć zasada działania tranzystora bipolarnego,
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów bipolarnych.
1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tranzystorów bipolarnych. (E 8) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowo7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)
7. Tyrystory 1 Tyrystory są półprzewodnikowymi przyrządami mocy pracującymi jako łączniki dwustanowe to znaczy posiadające stan włączenia (charakteryzujący się małą rezystancją) i stan wyłączenia (o dużej
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp
Ćwiczenie 4- tranzystor bipolarny npn, pnp Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH
Ćwiczenie 7 PRMETRY MŁOSYGNŁO TRNZYSTORÓW BIPOLRNYCH Wstęp Celem ćwiczenia jest wyznaczenie niektórych parametrów małosygnałowych hybrydowego i modelu hybryd tranzystora bipolarnego. modelu Konspekt przygotowanie
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoRys. 1. Oznaczenia tranzystorów bipolarnych pnp oraz npn
Ćwiczenie 4. harakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego 1. L ĆWIZNI elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami statycznymi oraz z najwaŝniejszymi parametrami i modelami tranzystora
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5. Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET
Ćwiczenie 5 Zastosowanie tranzystorów bipolarnych cd. Wzmacniacze MOSFET Układ Super Alfa czyli tranzystory w układzie Darlingtona Zbuduj układ jak na rysunku i zaobserwuj dla jakiego położenia potencjometru
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE ZŁĄCZOWE
TRANZYSTORY IPOLARN ZŁĄCZO ipolar Junction Transistor - JT Tranzystor bipolarny to odpowiednie połączenie dwóch złącz pn p n p n p n kolektor baza emiter kolektor baza emiter udowa tranzystora w technologii
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE e LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Pomiary wzmacniacza operacyjnego Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Ćwiczenie 2 Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych 1. WSTĘP TEORETYCZNY 1.1. Diody Podstawę większości diod półprzewodnikowych stanowi złącze p-n. Ze względu na powszechność zastosowania dzieli
Bardziej szczegółowoDiody i tranzystory. - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy)
Diody i tranzystory - prostownicze, stabilizacyjne (Zenera), fotodiody, elektroluminescencyjne, pojemnościowe (warikapy) bipolarne (NPN i PNP) i polowe (PNFET i MOSFET), Fototranzystory i IGBT (Insulated
Bardziej szczegółowo1 Źródła i detektory VI. FOTOTRANZYSTOR
1 Wprowadzenie. VI. FOTOTRANZYSTOR Nazwa tranzystor pochodzi z języka angielskiego: transistor - transferring an electrical signal across a resistor. (transfer sygnału elektrycznego przez rezystancję).
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoInstytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Politechniki Warszawskiej. Elektronika 1. elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT)
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej Elektronika 1 elementy i układy elektroniczne Tranzystor Bipolarny (BJT,HBT) Warszawa, luty 2009 Tranzystor bipolarny w układzie scalonym
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp)
Ćwiczenie nr 4 Tranzystor bipolarny (npn i pnp) Tranzystory są to urządzenia półprzewodnikowe, które umożliwiają sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Tranzystor bipolarny
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji
Tranzystory bipolarne elementarne układy pracy i polaryzacji Ryszard J. Barczyński, 2010 2014 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 22. Tranzystor i układy tranzystorowe
Ćwiczenie 22 Tranzystor i układy tranzystorowe 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z właściwościami i zasadą działania oraz zastosowaniem tranzystorów bipolarnego i polowego. 2. Podstawy
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 2. ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONICZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym)
LAORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWIZENIE 2 ELEMENTARNE UKŁADY ELEKTRONIZNE (Wzmacniacz i inwerter na tranzystorze bipolarnym) K A T E D R A S Y S T E M Ó W M I K R O E L E K T R O N I Z N Y H EL ĆWIZENIA elem
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia w układzie wspólnego emitera REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 1: Pomiar parametrów tranzystorowego wzmacniacza napięcia
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Układy wzmacniaczy operacyjnych z elementami nieliniowymi: prostownik liniowy, ograniczniki napięcia, diodowe generatory funkcyjne układy logarytmujące i alogarytmujące, układy mnożące
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoPRACOWNIA ELEKTRONIKI
PRACOWNIA ELEKTRONIKI Ćwiczenie nr 4 Temat ćwiczenia: Badanie wzmacniacza UNIWERSYTET KAZIMIERZA WIELKIEGO W BYDGOSZCZY INSTYTUT TECHNIKI 1. 2. 3. Imię i Nazwisko 1 szerokopasmowego RC 4. Data wykonania
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 3
Przyrządy półprzewodnikowe część 3 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoTRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)
TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A) obciąże nie dynamiczne +1 +1 + 1 R 47k z erowanie R 8 3k R 9 6, 8 k R 11 6,8 k R 12 3k + T 6 BC17 T 7 BC17 + R c 20k zespół sterowania WY 1 R 2k R 23 9 R c dyn R
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoZbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego.
Zbiór zadań z elektroniki - obwody prądu stałego. Zadanie 1 Na rysunku 1 przedstawiono schemat sterownika dwukolorowej diody LED. Należy obliczyć wartość natężenia prądu płynącego przez diody D 2 i D 3
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC
WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC 1. WSTĘP Tematem ćwiczenia są podstawowe właściwości jednostopniowego wzmacniacza pasmowego z tranzystorem bipolarnym. Zadaniem ćwiczących jest dokonanie pomiaru częstotliwości
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne
TRANZYSTORY IPOLARN Tranzystory bipolarne 1. el ćwiczenia elem ćwiczenia jest ugruntowanie wiadomości dotyczącyc zasad działania i właściwości tranzystorów bipolarnyc. Podstawowa część ćwiczenia poświęcona
Bardziej szczegółowo