UKD 621 3823 PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNKOWE N O R M A BRANŻOWA BNB8 Tranzystory typu 337532/25 BDP 392 BDP 394 BDP 396 Grupa katalogowa 1923 i Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczególo: we wymagania dotyczące krzemowych t"ranzystorów mocy PNP małej częstotliwośc i wykonanych techniką ' epitaks jalnej bazy typu BDP 392 l3dp 394 BDP 396 w obudowie ' b) oznaczenie typu c) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane ' '" cyfrą 3 a tranzystory o bardzo wysokiej Jakości cyfrą 4 umieszczoną :po oznaczeniu typu plaswkowej E 30 (TO 220AB)) prze;n;"czonych do za '"?tosowań"w sprzęcie powszechnego użytku oraz w urządzeniach wymagając;ych zastosowania elemeritow o wysokiej j bardzo wysokiej jakości zgodnie z określeniami wg PN78/ 'f01515 Tranzystory przeznaczone są do 'pracy w układach prze 'ączających mocy regulatorach napięcia w stopniach vyjś c owych wzmacniaczy mocy malej częstotliwości Tranzystory typu BDP 392 BDP 394 BDP 396 są komplementarne odpowiednio do tranzystorów BDP 391 BDP 393 BDP 395 <ategoria klimatyczna dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości l )40i 0/ wysokiej Jakości ( poziom jakości!li) 40/0/21 bardzo wysokiej jakości (poziom Jakości V) 40/0/56 2 Przykład oznaczenia tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BDP392 ' BN88/ 337532/ 25 b) wysokiej 'jak ości: TRANZYSTOR BDF 392/ 3 BN88/ 337532/25 c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BOl' 92/4 BN88/ 337532/ 25 3 'echowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) nazw 'ę producenta lub znak fabryczny 4 Wymiary i oznaczenia WyProwadzeń tranzystora wg rys i tab! 1 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta E 30 V A F _ r ' E E E 2 2f J vw t! b b E BN 88!3315 3212511 Rys 1 Obudowa E 30 oł t ' c:: Zgłoszona przez Fabrykę Półprzewodników TEWA Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdu'kcyjnego entrum Półprzewodników dnia 29 marca 1988 r jai<o norma obowiązująca od dnia 1 października 1988 r (Dz Norm i Miar nr /1988 poz' 26) WYDAWNTWA NORMALZAYJNE "ALFA" 1988 Druk Wyd Norm Wwa Ark wyd 170 Naki 2500 + 40 Zam 1320/88 ena zł 9600
BN88/337532/25 Tablica 1 Wymiary obudowy E 30 Symbol Wymiary mm wymiaru min nom max A 406 483 b 064 089 b 1 122 140 038 043 D 1461 1588 e 203 305 e 1 457 559 F 127 H 1 597 673 216 292 L 127 L 1 762 889 vp 358 363 :T L Przekainik fe ma lłc +12V _J 120 S 1V toosl 05 W VrU)EO L f5sz 5W 25 mh N/LLER Nr 4533 lub rownorzę(jfll/ (Jcc Odelll/lanie pionowe yy Osc Poziome xx Q 254 305 Zr 2 152 E 03 41 E 1 920 940 EZ 762 813 O 40 60 80 (Ju V ( Nap{f/a'e kolektaemiter l ) BN88/3375":32m 21 p 5 5 Badania w grupie A B D wg BN80/3375320 Rys 2 Metoda pomiaru napięć przebicia kolektoremiter U(BR)EO i U (BR)ER a) podstawowy układ pomiarowy b) oscylogram napięć przebiciar i R Z ' R 3 R4 rezystory L indukcyjność ' O oscyloskop T mierzony tranzystor ' 6 Wymagania szczegółowe do badań grupy A B i D a) badania podgrupy Al sprawdzenie wymiarów A b b D e (w odległości 645; 650 mm od obudowy) 1 rys 1 i tabl l b) badania podgrupy A2 sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl 2 c) badania podgrupy A3 sprawdzenie drugorzędnych wg parb!letrów elektrycznych wg tabl 3 + d) badania podgrupy A4 sprawdzenie parametrów e o lektrycznych w temperaturze t mb z 0 (pozlom 111 i ' V) wg tabl 4 e) badania podgrupy B i D wg tabl 5 f) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B i D wg tabl 6 g) wartość AQL dla jakości podstawowej dla podgrupy 2 4% dla podgrupy 4 25% c SN88/337532125 al Rys 3 Układ pomiarowy do pomiaru napięciau BE impulsową G generator R S ' R rezystory Vi woltomierz impul sowy V 2 woltomierz do pomiaru napięcia metodą kolektor 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/337532/00 emiter V 3 woltomierz impulsowy Z źródło napięcia stałego W wskaźnik równowagi T mierzony tranzystor
Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom l! llj i iv) Wartość graniczna Lp Oznaczenie literowe Metoda pomiaru Warunki pomiaru Jednostka BDP 392 parametru ' wg ' min max BDP 394 min max min BDP 396 max 1 2 ' 3 4 5 6 7 8 9 11 1 1 PN74/T01504/09 U E = 20 V ma :O 2' PN74/T01504/09 U = 30 V ma EO ' E 3 r EO PN74/T01504/09 u : = 40V ma 4 U(BR)EO 1) p6 rys' 2 lc 02A B =O V 40 5 U ( BR)EąO PN74/T01504/04 1 = 1 ma l = O V 'E 5 6 U 1) p 6 rys 2 (BR)ER oraz PN74/T01504/07 " lc =02A R SE 0a V 45 60 ' ; 5 65 80 5 85 & ' 00 V W N N V 7 h '2łE 1) PN74/T01504/08 1 =5A U = 4 V 20 150 E 20 150 20 150 8 ER PN74/T01504/09 U E = 35 V R BE = 0a pa 500 9 ER PN74/T01504/09 U E = 55 V R BE = 00 pa 500 ler PN74/T01504/09 U E = 75 V R BE = 0 a pa 560 1) Pomiar impulsowy: t p ' 300 P5 " 2% w
Tablica 3 Pa rametry lektryc zne sprawdz an e w badaniu podgrupy A3 i 2 (poziom H V) t Wartości graniczne Lp Oznaczenie lite rowe parametru Metoda pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BDP 392 BDP 394 BDP 396 min max l 2 3 4 5 6 7 min max 8 9 min max 11 l U 1) PN74/ T01504/ 06 =5A B =O5A V 13 E sal 13 13 2 U Ą ) PN74/T01504/06 c =5A BE sat 1 = O5A V 1 5 B 15 15 3 U BE 1) p 6 rys 3 1 = 5A U 4 V V 13 'E 13 13 4 f T PN74/T01504/24 1)Pomiar impulsowy t p 300 's'; 6 2% 1 =O5A U E ' 4V ' MHz 4 f p = 1 MHz Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w badmiu podgrupy A4 ( poziom 1 i V) 4 4 td Z g: W V1 N V1 Wartości graniczne Lp Oznaczenie literowe parametru Metoda pomiaru wg Warunki pomiaru Jednostka BDP 392 min max BDP 394 min max BDP 396 min max l 2 3 4 :5 6 7 8 9 11 U = 35 V ma E R = 0 (} SE 1 l PN74/ T01504/ 05 o crr t am b= 0 U = 55 V ma E i U = 75 V ma E
BN88/337532/25 5 Tablica 5 Wymagania szczegółowe do badań grupy B i D Lp Podgrupa' badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 1 2 3 4 1 B Sprawdzenie wytrzymałości mecha próba Ub SN ' ±05 N liczba cykli 3 nicznej wyprowadzeń próba Uii1 N Sprawdzenie szczelności próba Q 2 B3 ' Sprawdzenie wytrzymał6ści na spadki położenie tranzystora w czasie spadania swobodne wyprowadzeniami do góry 3 B4 i 4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary mocowanie za obudowę wielokrotne Sprawdzenie odporności na nar ażenia wg PN78/T01515 p 5322 elektryczne tablica 5; metoda badania a) układ OB o tamb 25 ±5 BDP 392 u 4 B6 i 6 E BDP 394 30 V lc 60 ma U E 40 V 1 45 ma BDP 396 5 3 Sprawdzenie masy 2g U E 55 V lc = 33 ma Sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenie stałe kierunek probierczy: obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowadzeń: mocowanie za obudowę 6 4 Sprawdzenie wytrzymalości na udary mocowanie za obudowę wielokrotne 7 5 Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stalej częstotliwości Sprawdzel1ie wytrzymałości na ciepło lutowania mocowanie za obudowę temperatura kąpieli 350 0 czas regeneracji 6 h B lo Sprawdzenie wymiarów wg rys 1 i tab! 1 9 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciś temperatura narażenia 2S o (poziom jakości nienie atmosferyczne i V) D2 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpusz alkohol etylowy aceton czalniki 11 D3 Sprawdzenie palności palność zewnętrzna 12 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu (poziom jakości i V) 13 DS Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę położenie tranzystora dowolne (poziom jakośi i V) solną
Tablica 6 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B i O (poziom l V) 0'1 Wartości franiczne Oznaczenie literowe parametru Metoda pomiaru wg Warunki badań Podgrupa badań Jednostka BOP 392 BOP 394 min max min max min BOP 396 max 1 2 3 4 5 6 7 8 9 11 ER PN74/T01504/OS 35 V B l B3 B4 B5 600 55 V l 2 3 4 57 pa 600 75 V 01 1 ) 600 r = O B : [ol to) 35 V B6 25 55 V 6 ma h21e 2) PN74/T01504/08 = 5 A B 1 B3 B4 85 25 R BE = 75 V 8 = won 35 V 55 V 2 1 ) ma 75 V 25 i Oj :z O> O> W Ul W N N Ul 2 3 4 15 180 15 180 5 7 01 1 ) 15 180 'U = 4 V 6 B6 8 E 15 180 15 180 15 180 1) W czasie badania 2 1 ) 200 lo 200 200 2) Pomiar impulsowy t p ::;: 300 ps ej ::;: 2" KONE nformacje dodatkowe
nformacje dodatkowe do BN88/337532/25 7 NFORMAJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca norme Naukowo Produk PN75tT 01504/09 Tranzystory Pomiar prądów resztko cyjne entrum Półprzewodników Fabryka Półprzewodników TEWA Warszawa ul Komarowa 5 2 Normy związane PN74/TOl504/04 Tranzystory Pomiar napięć przebicia U(BR)BO i U(BR)EBO PN74/T 01504/05 Tranzystory Pomiar prądów wstecznych BO i EBO PN74/T01504/ 06 Tranzystory Pomiar napięć nasycenia UEsat i UBEsat metodą impulsową PN74/T01504/07 Tranzystory Pomiar napięć przebicia UBR)EOUBR )ER' U BR ) ES' USR)EX metodą impulso'"'ą wych ler' ' ES EV i prądu zerowego l EO PN74/T01504/24 Tranzystory Pomiar modululh 21e l w zakresie wcz i częstotliwości f T PN7B/T 01515 Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania BN80/337532/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory mocy małej częstotliwości Wymagania i badania 3 Symbol wg KTM BDP 392 1156231314004 BDP 394 115623316006 BDP 396 115623131BOOB 4 Wartości dopuszczalne wg tabl l i rys ll " 12 PN74/ T 01504/0B Tranzystory Pomiar h 21E impulsową metodą 5 Dane charakterystyczne wg tabl 12 i rys3 7 17 o Tablica ll Wartości dopuszczalne ( t amb " 25 ) Lp Symbol Nazwa parametru Jednostka Wartości dopuszczalne BDP 392 BDP 394 BDP 396 1 2 3 4 5 6 7 1 USO Napięcie kolektorbaza przy JE = O V 50 70 90 2 U EO Napięcie kolektor emiter przy l B = O V 40 60 80 3 UESO Napięcie bazaemiter przy l = O V 5 5 5 4 U ER Napięcie Kolektoremiter przy R = _ 00 BE V 45 65 85 5 1 Prąd kolektora A 15 15 15 6 1 Prąd bazy A 5 5 5 S ałkowita moc wejś t li 18 25 W 75 75 75 7 Ptot ciowa na wszystkich elektrodach tllmb :s 25 W 18 1B B B tatg Temperatura przechowywania Oc 40 +155 9 t; Temperatura złącza Oc +155 t amb Temperatura otoczenia w czasie pmcji Oc 40 f +0
Tablica 1 2 Dane charakterystyczne t amb = 25 co Typ Lp Oznaczenie parametru Nazwa parametru Warunki pom iaru Jednostka BDP 392 min typ max BDP 394 min typ max min BDP 396 typ max l 2 3 4 5 6 7 B 9 11 12 13 14 l EO Prąd zerowy kolektora U E = 20 V 1 U = 30 V ma E U E = 40 V 1 1 2 ER Prąd resztkowy koleku E = 35 V 500 tora 3 EBO Prąd zerowyemitera U BE 5V U = 55 V R E SE =l00a pa Uf"'E = 75 V l O c: ma 1 4 h 1) 21E Statyczny współczynu = 4 V E nik wzmocnienia prą 20 150 dowego l 5A 5 U 1) BE U E =4V 1 = 15 A 5 Napięcie bazaemiter U E = 4 V lc = 5 A 13 V U E = 4 V l =15 A 35 6 1) Napięcie UEsat nasycenia 1 = 5 A = O 5 A 13 ' B ' kolektor emiter V =15AB=5A 35 500 l 20 150 20 5 5 13 35 13 35 500 1 150 13 35 13 35 i n 8: e i Z w Ul 7 u 1) Napięcie nasycenia BEsat bazaemiter ' B ' 1 = 5 A [ = O 5 A V 15 15 15
cd tabl 1 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 11 12 13 14 8 U(R)EO 1) Napię c ie przebicia l = 02A V kolektoremiter 40 60 ŚO 9 u 1) Napięcie przebicia e =0 2A R BE = V (BR)ER kolektor emiter = 00 1 _ f T 11 R thi c S zęs totliwoś ć granicz Ze 0 5 A U E = MHz na = 4 V t p = 1 MHz Rezystancja termiczna le 5 A U = / W z ł ą cze obudowa 15 V B 45 65 4 4 167 85 4 167 167 11> P &!! '" 11> P o t:jj Z Ul b1 12 R thi4 Rezys tancja termiczna le= 0 18 A / W z ł ącz e otoczenie U = V es 70 70 70 1) Pomia r impu l s owy t p 300 ps «1 2"
lu nformacje dodatkowe do DN88/337532/25 Je A 5 4 J 2 1 r ' :ms p ms $ ' 1' ' ' NO "' ' '" " " 1 " 1 1 1 "' r r' 1 1 l K a2 BDP392 J t 8(]P394 r V v ' '" BDP396 20 30 40 50 V U ee t p czas trwania impulsu BN 88/337 3272r ll Rys ll Dopuszc zalny obszar pracy tranzystora [ =t<u ) E P t t BDP 392"'"BDP 396 o W 6J ' 50 le A r e f(u ee ) BDP 392 BDP394 BDP39G 4f) 30 20 20 60 0 1 140 tqse 15 1l5 200m A!j(JmA?5 5 75 12' 15 175 20 V ibl! 881337532/25 r 31 ibn 887337 32/25 121 Rys 12 Zależność temperaturowa całkowitej mocy strat od temperatury Ptot=f(tcau) Rys 13 harakterystyka wyjściowa lc =1 (U E )
l nformacje dodatkowe do BN88/337532/25 11 e 15 125 BDP 392 +BDP 39ó BDP 392 394 396 UEoort N) X " 75 5 45 1 20 2/1 V i?88/3375 32/l5H 1;0 Rys 14 harakterystyka przejściowa 1 = f (U ) BE l al 01 42 3 44 Ó5 06 a7 08 ' ag {)ESQJ v BN 88/337532/25161 BDP392 394 396 hz(a f () Rys 16 Napięcie nasycenia kolektoremiter w funkcji prądu kolektora / io"""'" ' ' i" ; 01 o 1 A BN 88/3375 32725r51 Rys 1 5 Typowa charakterystyka statycznego nika wzmocnienia prądowego w funkcji prądu U E = const 4 V współczynkolektora q1wuwuwuwu 05 ' 15 UBEat V 20! BN 88/33 753212511 Rys 17 Napięcie nasycenia bazaemiter w funkcji prądu kolektora