BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

Podobne dokumenty
Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

U kłady scalone typu UCY 7407N

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

BN UL 1403L I UL 1405L

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

Kondensatory elektrolityczne

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Ćw. 8 Bramki logiczne

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

Agregaty pompowe

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

BRANŻOWA. Mikroukłady scalone cyfrowe. Wymagania i badania

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.


3. Funktory CMOS cz.1

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

IN ST Y T U T TECHNOLOGII E LEK T R O N O W E

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów Rozdział 3. Przedmiot zamówienia

Tranzystory w pracy impulsowej

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

Wzmacniacze. Klasyfikacja wzmacniaczy Wtórniki Wzmacniacz różnicowy Wzmacniacz operacyjny

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

S.A RAPORT ROCZNY Za 2013 rok

Parametry układów cyfrowych

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

K a r l a Hronová ( P r a g a )

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

Podstawowe układy cyfrowe

δ δ δ 1 ε δ δ δ 1 ε ε δ δ δ ε ε = T T a b c 1 = T = T = T

Badanie właściwości multipleksera analogowego

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2

Niniejsza wersja jest wersją elektroniczną Krajowej Oceny Technicznej CNBOP-PIB nr CNBOP-PIB-KOT-2017/ wydanie 1, wydanej w formie

Liniowe układy scalone. Wykład 4 Parametry wzmacniaczy operacyjnych

0 ( 1 ) Q = Q T W + Q W + Q P C + Q P R + Q K T + Q G K + Q D M =

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

7. M i s a K o ł o

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

ARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJ CEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC 201

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.


Stabi listory typu '.

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..

3. 4 n a k r ę t k i M k o r p u s m i s a n a w o d ę m i s a n a w ę g i e l 6. 4 n o g i

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.


BN-7I. warstw nawęglonych. rdzenia Grupa katalogowa 0304 NORMA BRANŻOWA. OBRÓBKA Obróbka cieplno-chemiczna stali Wzorce struktur

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Instrukcja obiegu i kontroli dokumentów powodujących skutki finansowo-gospodarcze w ZHP Spis treści

n ó g, S t r o n a 2 z 1 9


1 3. N i e u W y w a ć w o d y d o d o g a s z a n i a g r i l l a! R e k o m e n d o w a n y j e s t p i a s e k Z a w s z e u p e w n i ć s i

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Sprawdzenie poprawności podstawowych bramek logicznych: NOT, NAND, NOR

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

o d ro z m ia r u /p o w y ż e j 1 0 c m d ł c m śr e d n ic y 5 a ) o ś r e d n ic y 2,5 5 c m 5 b ) o śr e d n ic y 5 c m 1 0 c m 8

jm ST Y T U T TECHNOLOGII E LE K T

888 A 888 V 1. ZASTOSOWANIE 2. BUDOWA GENERATOR NAPIĘCIA 3-FAZOWEGO L2 L3 N PE

'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.

Seria 7E licznik energii

Układy sekwencyjne przerzutniki 2/18. Przerzutnikiem nazywamy elementarny układ sekwencyjny, wyposaŝony w n wejść informacyjnych (x 1.

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań

4. Funktory CMOS cz.2

Transkrypt:

UKD 621.38.049.77 N O R M A BRANŻOWA MIKROUKŁADY U kłady scalone SCALONE typu UCY 7404N BN83 337552/11 Grupa katalogowa 1925 l. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych bipolarnych układów scalonych cyfrowych TTL typu UCY 7404N pełniących funkcję sześciokrotnego inwertera NIE (NOT), przeznaczonych do pracy w elektronicznych urządzeniach profesjonalnych oraz urządzeniach wymagających zastosowania układów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości, zgodnie z PN78/T01615. Kategoria klimatyczna dla układów: podwyższonej jakości (poziom jakości II) 00/070/10, wysokiej jakości (poziom jakości III) 00/070121, bardzo wysokiej jakości (poziom jakości IV) 00/070/56. Schemat elektryczny jednej bramki układu wg rys. 1 (jednego inwertera). Schemat logiczny i rozkład wyprowadzeń wg rys. 2 (widok z góry). Układy scalone 2 stopnia (IS2) Wejście Aor wg PN78/T01615. r..._oucc 1.6k'il 1k'il 130n ~oy=a!fasa ~~+~ Rys. l!bn831337552/11 1! 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y f1asa Rys. 2 2. Przykład oznaczenia układów a) podwyższonej jakości:!bn8313375521112! UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7404N b) wysokiej jakości: BN83/337552/11 UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7404N/3 BN83/337552/11 c) bardzo wysokiej jakości : UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7404N/4 BN83/337552/11 3. Cechowanie układów powinno zawierać następujące dane: a) znak lub nazwę producenta, b) oznaczenie typu (UCY 7404), c) oznaczenie wyprowadzeń (znak odniesienia dla identyfikacji numerów wyprowadzeń zgodnie z PN73/ T01602), d) datę produkcji dla wyrobów mających nadany znak jakości Q. Ponadto układy wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3, a układy bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układu wg rys. 3 (obudowa CE 70) i tab\. I. Mikroukład kompletny A49B wg PN73/ T01603/ 16. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 70. Zgłoszona przez NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka BadawczoRozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 29 grudnia 1983 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1987. r. (Dz. Norm. i Miar nr 16/1986, poz. 33) WYOAWNICTWA NORMALIZACYJNE "ALFA" 1987. Oruk. Wyd. Norm. Wwa. Ark. wyd. 1,00 Nakł. 2300+40 Zam. 157/87 Cena zł 27,00

2 BN83/337552/11 r _._J +_4 ~ i~1 I l ~ I ł' I f' r H f'..: I. ' o.. ' t. I 18 b ~ Lma254Kttl1 c IBN "83/337552111 31 I i... +++. +t+ ++++! ~ 2 3~D~4 5 6 Rys. 3 Tablica l. Wymiary obudowy CE 70 Symbol Wymiary, mm Kąt Symbol Wymiary, mm wymiaru mm nom max w st,?pniach wymiaru mm nom max A 5, 1 e, 7,62 A, 0,51 L 2,54 4,50 b 0,38 0,59 i ME 8,30 c 0,20 0,36 z 2,54 D 20,32 Q e 2,54 E 6,35 B 1,77 Kąt w stopniach 15 5. Badania w grupie A, B, C i D wg BN801 337552/00 p. 5.1. 6. Wymagania szczegółowe do badań grupy A, B, C id a) badania podgrupy A l sprawdzenie wymiarów (głównych) A l, D i b wg rys. 3 i tabl. l, b) badania podgrupy A2 sprawdzenie podsta wowych parametrów elektrycznych wg tabl. 2, c) badania podgrupy A3 sprawdzenie typu układu wg tabl. 2, d) badania podgrupy B, C i D wg tabl. 3, e) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniu grupy B, C i D ' wg tabl. 4, f) dodatkowe wymagania dla pomiaru parametrów elektrycznych wg rys. 4 ; 11 dla UQL wg rys. 4 dla U OH wg rys. 5 dla IlL wg rys. 6 IBN B3/337552/11 51 Rys. 5 Ul IIL /0 Otwarte IBN 83/33755 211141 Rys. 4 IBN 83/337552111 61 Rys. 6

BN83/337552/ 11 3 dla lihll) hh12) wg rys. 7 dla Ul wg rys. 10 "X) Ofwarf~ :>0 Ofw(!rfe IBN 83/3375 52/1171 Rys. 7 dla los wg rys. 8; każdy inwerter jest mlerzonv oddzielnie IBN 83/3375 52/:n:::1Q] Rys. 10 dla tphl i t PLH wg rys. 11, parametry impulsu wejściowego: ampl(tuda U g = +3,5 V, poziom podstawy O V, czas trwania tw = 500 ns, częstotliwość powtarzania fg = l MHz, czas narastania ty = 10 ns, czas opadania tf = 5 ns; impedancja wyjściowa generatora Za = = 50 n, wszystkie diody są typu BA YP 95 lub odpowiedniki, wartość CL uw zględnia pojemność sondy i pojemność montażu; każdy in werter jest testowany oddzielnie. Wejście u~~ Wyjście IBN 83/ 3375 52/ 11 81 Rys. 8 dla lecl i ICCH wg rys. 9; sprawdzane są oba stany logiczne; sygnał wejściowy jest podawany na wszystkie inwertery jednocześnie Generator impulsów U I >0 Otwart~ Sygnał wejściowy Sygnał wyjściowy ISN83/3375 52/11 91 Rys. 9 Rys. II Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 i A3 ISN 83/3375 52/11111 Podgrupa Rodzaj Kontrolowany Metoda pomiaru badań badania parametr wg BN74/ 337524 Warunki pomiaru mm Warto ś ci gramczne 1 2 3 4 5 6 7 8 A2 Sprawdzenie UOL ark. 1 I Ucc = 4,75 V, Ul = 2 V V 0,4 podstawowych oraz wg rys. 4 na wej ś cia mierzone, parametrów IOL = 16 ma z wyjścia elektrycznych mierzonego UOH ark. 12 Ucc = 4,75 V, Ul = 0,8 V V 2,4 oraz wg rys. 5 na wejścia, IOH = 0,8 ma z wyjścia mierzonego IIL ark. 03 Ucc = 5,25 V, Ul = 0,4 V ma 1.6 oraz wg rys. 6 na wejście mierzone; na pozostałe wejścia 4,5 V IlHlll ark. 04 Ucc = 5,25 V, Ul = 2,4 V!lA 40 oraz wg rys. 7 na wejście mierzone; na pozostałe wejścia 4,5 V IlH(2) ark. 04 Ucc = 5,25 V, Ul = 5,5 V ma 1 oraz wg rys. 7 na wejście mierzone; na pozostałe wejścia O V max

4 BN83/337552/ II cd. tabl. 2 Podgrupa R:>dzaj Kontrolowany Metoda pomiaru badań badania parametr wg BN74/ 337524 Warunki pomiaru Wartości graniczne mm max I 2 3 4 5 6 7 8 A2 Sprawdzenie los ark. 05 Ucc = 5,25 V, Ul = O V na ma 18 55 podstawowych oraz wg rys. 8 wejścia U" = O V na wyjście parametrów mierzone elektrycznych lecl ark. Ol Ucc = 5,25 V, UI = 5 V na ma 33 oraz wg rys. 9 wszystkie wejścia układu jednocześn i e l ech ark. 02 Uec = 5,25 V, UI = O V na ma 12 oraz wg rys. 9 wszystkie wejścia Ul ark. 20 Uee = 4,75 V, II = 12 ma V 1,5 oraz wg rys. 10 z każdego wejścia mierzonego po kolei; na pozosta, le wejścia O V; lamb = 25 C lphl ark. 16 Uee = 5 V, R L = 400 n ns 15 oraz wg rys. II C L = 15 pf, lamb = 25 C; I PLH każde wejście po kolei ste ns 22 rowane syg n ałem impulsowym ; na pozostałe wejścia 2,4 V A3 Sprawdzenie Um stan niski wg równania logicz Uee = 5 V, lu O ma V 0,4 typu układu nego rys. l UI = 5 V U"H stan wysoki Uee = 5 V, UI= O V V 2,4 l o = O ma Tablica 3. Wymagania szczegółowe.10 badań grupy B, C D Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szc zegółowe 1 2 3 4 I BI, CI Spra wdzenie wytrzymałości mechanicznej wypro próba Ub, metoda 2 2,5 N wadzeń 2 B3, C9 Spra wdzenie wytr zy małości na spadki swobodne położenie układu w czasie spadania : wyprowadzeniami do góry 3 B4, C4 Spra wdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne mocowanie sztywno za wyprowadzenia w odległości 3 mm od dowolnej pł aszczyz ny obudowy 4 B5, C5 Sprawdze nie wytrzymałości na nagłe zmiany tem TA = 55 C (poziom jakości peratury To = 125 C III I IV) 5 86, C6 Sprawdzenie od po rn ośc i na narażenia elektryczne metoda badania A, lamb = 70 C, b ada ną próbkę podzielić na 2 części i badać w warunkach : I O V na wszystkie wejścia, wyjścia otwarte, zasilanie układu 5 V II 5 V na wszystkie wejścia, wyjścia otwarte, zasilanie układu 5 V 6 C2 Spra wdze nie parametrów elektrycznych wg tabl. 4 7 C3 Sprawdze nie masy wyrobu 1.1 g Spra wd ze nie trwał ośc i cechowania wg PN78/ TOI615 p. 5.3.6. la) 8 C4 Spra wdzenie wytrzymałości na przy ś pie sze ni a s tałe kierunek probierczy pro s t o padł y do pła szczy zn y ko r pusu układu. mocowanie za o bud owę Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o s t a łej mocowanie sztywno za wyprowadzenia w odległości częs t o tliw ośc i (dla poziomu jakości II) 3 mm od dolnej pł aszczyzny o budowy Sprawdzenie w y tr zy małości na wibracje o zmiennej częstotliwo śc i (dla poziomu jakości III I IV) JW. 9 C7 Spra wdzenie wytrzymałości na zimno t Slg mm = 55 C 10 C8 Spra wdzenie wytrzymałości na suche gorąco t sig (poziom jakości III I IV) 125 C mu

BN83/ 337552/ II 5 cd. tabl. 3 Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegó łowe l 2 3 4 II CIO Sprawdzenie wymiarów wg rys. 3 i lab I. I 12 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśn i en i e atmo temperatura narażania 15 35 C (poziom jakości sferyczne III I IV) 13 D2 Spra wdzenie wytrzymałości na rozpuszczalni k i aceton, sprawdzane wymiary A i D wg tabl. I i rys. 3, masa układu 1,1 g 14 D3 Sprawdzenie palności wg PN78/T0 1615, załącznik 2 p. 4.3 15 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu (poziom jakości JII I IV) 16 D5 Sprawdzenie wytrzymałości na mglę so ln ą poł ożenie układu dowolne (poziom jakości JII I IV) Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy B, C D Podgrupa Sprawdzany Metoda pomiaru badań parametr wg BN74/337524 Warunki pomiaru Wartości gralliczne mm max I 2 3 4 5 6 7 B3, B4, B5 UOL, U OH wg tabl. 2 C2, C4, C5, V UL, UOH, 11L wg tabl. 2 C9, D l l/hill, 1/H(2) C2 V m stan niski wg tab I. 2 (podgrupa A3) U OH stan wysoki 86, C6. U CJJ stan niski wg tab I. 2 (podgrupa A3) C7. C8 U OH stan wysoki V rn ark. I l Ucc = 4.75 V, U/= 2 V na każde V 0.48 oraz wg rys. 4 wejścia mierzone IOL = 16 ma z wyjścia mierzonego V O I, ark. 12 U cc = 4.75 V. (/, = O,R V na wejśc i a V 1,92 (Ira /., \vg ry'. 5 mierzone 1 011 = 0,8 ma z wyjścia mierzonego l II. ark. 03 U ce = 5,25 V, U, = 0.4 V na wejście ma 1,92.., oraz wg rys. 6 mierzone; na ptlwstale wejścia 4,5 V I'HII ) ark. 04 Ucc = 5,25 V, U, = 2.4 V na wejście f1a 48 oraz wg rys. 7 mierzone; na pozostałe wejścia O V 1/Hlll ark. 04 Ucc = 5,25 V, UJ = 5,5 V na wejście ma 1,2. oraz wg rys. 7 mierzone; na pozostałe wejścia O V 7. Pozostałe postanowienia wg BN80/337552/00. KONIEC INFORMACJE DODATKOWE l. Instytucja opracowująca normę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników. Warszawa. ul. Komarowa 5. 2. Normy związane PN73/ T01602 Elementy półprzewodnikowe. Zasady podawania parametrów geometrycznych na rysunkach PN73/T01603/ 16 Mikroukłady sca lo ne. Zarysy i wymiary. Mikro I ukł ad kompletny A49 PN78/ T016l5 Mikroukłady scalone. Ogólne wymagania i badania BN74/337524/01 Cyfrowe układy sca lone. Metoda pomiaru prądu. zasi lania w stanie niskim lecl BN74/337524/ 02 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zas ilania w stanie wysokim l ech BN76/337524/ 03 Cyfrowe układ y scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejśc i owego w stanie ni skim I'L

6 Informacje dodatkowe d o BN83/ 337552/ II BN76/ 337524/ 04 Cyfrowe ukł a d y sca lone. U kład y kombinatoryjne. 3N76/ 337524120 Cyfrowe ukł a dy scalo ne. Metoda po miaru ujemnego napię c i a wej śc iowego U, Metoda pomiaru prądu wej śc i o we go w sta nie wysokim I/H BN76/ 337524/ 11 Cyfrowe ukł a d y scalone. U kł a d y kombinatoryjne. BN80/ 337552/00 Układ y sca lone cyfrowe. Wymagania i badania Metoda pomiaru napięcia wyjś c i o weg o w sta nie ni skim U OL 3. Symbol wg KTM BN76/ 337524/ 12 Cyfrowe ukł a dy scalone. Układ y kombinato ryjne. UCY 7404N 1156321105001 Metoda pomiaru napięcia w yj śc i o wego w stanie wysokim Uo w 4. Wartości dopuszczalne wg tabl. 1 I. BN76/ 337524/ 16 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. 5. Dane charakterystyczne wg tab I. 12 (przy l umb = O 7 70 C Metoda pomiaru czasów propagacji I PIIL i I PLH j eż eli nie poda no inaczej). Tablica ll. Wartości dopuszczalne Lp. Oznaczenie pa ra metru Na zwa parametru W a rt oś ci mln dopuszczalne max 1 Uce Napięci e zasilania V 7 2 U, Napięci e wej śc i o w e V 5,5 3 I, Ujemny prąd wej śc i o w y ma 12 4 l amh Temperatura otoczenia w czasie pracy oc O +70 5 t SI R Temperatura przec ho wywania oc 55 +125 Tablifa 12. Dane charakterystyczne Lp. Oznaczenie parametru Na zwa para metru Warunki pomi a ru W a rt ośc i parametru mlll typ max 1 2 3 4 5 6 7 8 1 Uec Napię c ie zasila ni a V 4,75 5,25 2 fen Prąd zasilania w stanie Uee = 5,25 V ma 18 33 niskim na wyj śc iu. U, = 5 V 3 fccw Prąd zasilania w stanie U ee = 5,25 V ma 6 12 wysokim na w yjśc iu U, = O V 4 U/H Napięc ie w ejśc IOwe V 2 w stani e wysokim 5 UIL Napi ęc i e wej śc i owe V 0,8 w sta ni e ni skim 6 Um N a pięcie wyj ś ci o we Uel' = 4.75 V V 0,4 w stanie niskim Ul = 2,0 V; I OL 16 ma 7 UOII Napię c i e w yj ś c I o w e Uc(' = 4. 75 V V 2,4 w stanie wy sokim U, = 0,8 V, I {)II = 0,8 ma 8 I "L Prąd w yjśc i o w y Uec = 4,75 V ma 16 w stanic niskim UI = 2 V 9 11/1(1 I Prąd wej śc i o w y Uee = 5.25 V ~A 40 w stanie wysokim Ul = 2,4 V 10 1111121 Pr ą d wej śc i o w y U ee = 5,25 V ma 1 w stanie wysokim Ul = 5,5 V 1 I U, Ujemne n a pi ęc I e Ucc = 4,75 V, II = 12 ma V l 1,5 w ej ścio w e l amn = 25 C 12 I/l. Prąd w ejśc i o w y Uee = 5,25 V ma 1,6 w stanie ni skim UI = 0,4 V 13 10 11 Prąd wyj ś ci o w y Uec = 4,75 V ma 0,8 w stanie wysokim U, = 0,8 V 14 los W yjści o w y pr ą d U ee = 5,25 V ma 18 55 zwarci owy U, = O V 15 I plil Czas p ropagacji sygnalu Uel' = 5 V; C L 15 p F ns 8 15 pr7.y zmiani e stanu 10 R L = 400 n glcznego z wysoki ego l amh = +25 C na ni ski na w yjśc Iu ukł a du 16 IPLH Czas propagacji sy gn a łu U ee = 5 V; CL 15 pf ns 12 22 przy zmiani e stanu 10 R L = 400 n gicznego 7. ni skiego na l amh = + 25 C wysoki na wyj śc iu układu 17 N Obcią ża ln ość w yj śc i o w a /,n = 16 ma 10 10 11 = 0,8 ma 20