INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)
|
|
- Maciej Karpiński
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 74).Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z charakterystykami statycznymi i parametrami statycznymi bramki standardowej NAND TTL oraz sposobami ich pomiaru. 2.Wiadomości teoretyczne Bramka NAND TTL (UCY 74) jest podstawowym układem cyfrowym realizującym funkcję negacji iloczynu NIE-I (NAND). Jako samodzielny układ jest produkowany w wersji scalonej o małej skali integracji (SSI). Układ scalony zawiera cztery niezależne funktory NAND dwuwejściowe w jednej obudowie /Rys./. Rys.. Rozkład wyprowadzeń układu UCY 74 Symbol bramki NAND pokazany jest na Rys.2. Cechą bramki NAND jest konieczność podania stanu wysokiego H na oba wejścia A i B w celu uzyskania stanu niskiego L na wyjściu Y. Aby uzyskać stan wysoki H na wyjściu należy podać stan niski L na przynajmniej jedno z wejść A lub B /Tab./. Rys. 2. Symbol bramki NAND
2 Tab. Tablica stanów bramki NAND A B Y O bramce mówimy, że jest włączona, gdy na jej wyjściu panuje niski poziom napięcia. Bramka jest wyłączona, gdy na wyjściu panuje wysoki poziom napięcia. W stanie wyłączenia na co najmniej jednym wejściu panuje i drugie wejście nie ma wpływu na stan bramki. W stanie włączenia na jednym z wejść panuje zawsze stan i o stanie wyjścia decyduje poziom napięcia na drugim wejściu. Własności bramki opisują charakterystyki statyczne. Charakterystyka przejściowa (przełączania) przedstawia zależność napięcia wyjściowego od wejściowego U O =f(u I ). Na jej podstawie możemy określić graniczne wartości napięć wejściowych i wyjściowych oraz napięcie progowe /Rys.3/. Rys. 3. Charakterystyka przejściowa bramki NAND UCY74 Charakterystyka poboru prądu I CC =f(u I ) przedstawia zależność prądu pobieranego ze źródła zasilania przez bramkę podczas przełączania, czyli przy zmianie napięcia wejściowego ze stanu niskiego na wysoki. Na podstawie tej charakterystyki możemy wyznaczyć pobór prądu przez bramkę w stanie niskim L, wysokim H oraz maksymalny pobór prądu I CCmax /Rys.4/. Rys. 4 Charakterystyka poboru prądu 2
3 Obciążanie bramki, tzn. pobór prądu z jej wyjścia lub wprowadzanie prądu do obwodu wyjściowego, powoduje zmianę napięcia wyjściowego. Charakterystyka wyjściowa przedstawia zależność napięcia wyjściowego od prądu wyjściowego. Bramka opisywana jest dwoma charakterystykami wyjściowymi: w stanie niskim na wyjściu U OL =f(i OL ), i w stanie wysokim na wyjściu U OH =f(i OH ) /Rys.5/. Jeżeli bramka jest w stanie wysokim na wyjściu to prąd wypływa z jej wyjścia, a jeżeli jest w stanie niskim na wyjściu to prąd wpływa do jej wyjścia. Na podstawie charakterystyk wyjściowych możemy określić maksymalne prądy wyjściowe w stanie niskim i wysokim oraz wartość prądu zwarciowego. Stan zwarcia nie jest dla bramki niszczący pod warunkiem, że jest zwierane wyjście tylko jednej bramki układu scalonego. a) b) Rys. 5 Charakterystyki wyjściowe a) w stanie wysokim na wyjściu, b) w stanie niskim na wyjściu Charakterystyka wejściowa przedstawia zależność prądu wejściowego od napięcia wejściowego I I =f(u I ). W stanie niskim na wejściu prąd wejściowy wypływa z wejścia bramki a w stanie wysokim na wejściu prąd wpływa do wejścia bramki. Z charakterystyki wejściowej możemy wyznaczyć maksymalne wartości prądu wejściowego w stanie niskim I Ilmax i wysokim na wejściu I IHmax. Rys. 6 Charakterystyka wejściowa 3
4 3. Przebieg ćwiczenia 3. Zapoznać się z danymi katalogowymi badanej bramki. 3.2 Wyznaczyć charakterystykę przejściową bramki U o =f(u I ) dla napięcia zasilającego U CC = 5V. UWAGA! Pomiary należy wykonać szczególnie dokładnie w zakresie napięć bliskich napięciu progowemu U p. Wyniki pomiarów należy zapisać w tabeli: U CC =5V U I [ V ] U O [ V ] 3.3 Wyznaczyć charakterystykę poboru prądu zasilania I CC =f(u I ) dla napięcia zasilającego U CC = 5V. UWAGA! Pomiary należy przeprowadzić szczególnie dokładnie dla napięcia bliskiego napięciu przełączenia U p. 4
5 Wyniki pomiarów należy zapisać w tabeli: U I [ V ] U CC =5V I CC [ma] 3.4 Wyznaczyć charakterystykę wejściową bramki I I =f(u I ) dla napięcia zasilającego U CC = 5V. Wyniki pomiarów należy zapisać w tabeli: U I [ V ] U CC =5V I I [ma] 5
6 3.5 Wyznaczyć charakterystykę wyjściową bramki w stanie niskim U OL =f(i OL ). Prąd wyjściowy należy zmieniać (rezystorem obciążającym) od zera do takiej wartości, aby nie przekroczyć dopuszczalnej wartości napięcia wyjściowego U OLmax. Napięcie zasilające należy ustawić na U CC = 5V. Wyniki pomiarów należy zapisać w tabeli: I OL [ ma ] U OL [ V ] 3.6 Wyznaczyć charakterystykę wyjściową bramki w stanie wysokim U OH =f(i OH ). Zmieniać obciążenie w pełnym zakresie (od braku obciążenia do obciążenia maksymalnego, czyli stanu zwarcia). Napięcie zasilające należy ustawić na U CC = 5V. 6
7 Wyniki pomiarów należy zapisać w tabeli: I OH [ ma ] U OH [ V ] 4. Opracowanie ćwiczenia Z wyznaczonych charakterystyk poboru prądu i przejściowej wyznaczyć metodą graficzną napięcie przesterowania U p, a z charakterystyki poboru prądu również I CCL i I CCH. Z charakterystyk wyjściowych należy wyznaczyć następujące parametry: I OHmax maksymalny prąd wyjściowy w stanie wysokim. I OLmax maksymalny prąd wyjściowy w stanie niskim. Prąd I OHmax wyznacza się jako maksymalną wartość prądu I OH, przy której pozostaje na wyjściu stan wysoki. Prąd I OLmax wyznacza się jako maksymalną wartość prądu I OL, przy której na wyjściu pozostaje jeszcze stan niski. Wyznaczyć z charakterystyki wejściowej następujące parametry: I ILmax maksymalny prąd wejściowy w stanie niskim. I IHmax maksymalny prąd wejściowy w stanie wysokim. Wyniki zanotować w tabeli i porównać z wartościami katalogowymi. Sformułować wnioski. 5. Dane katalogowe bramki UCY 74 Parametry statyczne: Napięcie zasilające U CC =5V Napięcie wejściowe U IL = od,5 do +,8V U IH = od 2 do 5,5V Napięcie wyjściowe U OL = od do,4v U OH = od 2,4 do 5V Prąd wejściowy I ILmax = -,6mA I IHmax =4 µa Prąd wyjściowy I OLmax =6mA I OHmax =,8mA Prąd zasilający I CCL =2mA I CCH =4mA Margines zakłóceń U L =,4 V U H =,4 V 6. Ukształtowane umiejętności - wyznaczanie parametrów statycznych bramki z odpowiednich charakterystyk statycznych 7
8 - zestawianie układów pomiarowych i wykonywanie pomiarów w celu zmierzenia określonego parametru - ocenianie wartości parametrów i ich porównywanie - wykonywanie pomiarów dowolnej charakterystyki statycznej bramki metodą punkt po punkcie 7. Wykaz przyrządów - zasilacz stabilizowany regulowany - zasilacz stabilizowany, precyzyjny, regulowany - woltomierze napięcia stałego - miliamperomierz - rezystor dekadowy 8. Literatura. Głodzki W. : Układy cyfrowe. 2. Grabowski L. : Pracownia elektroniczna. Układy elektroniczne. 3. Głodzki W., Grabowski L. : Pracownia postaw techniki cyfrowej. 4. Pieńkos J., Turczyński J. : Układy scalone serii TTL w systemach cyfrowych. Opracowanie: ANNA KOWALSKA 8
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA
BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA 1. OGLĘDZINY Dokonać oględzin badanego układu cyfrowego określając jego:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0
LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI Rev..0 LABORATORIUM TECHNIKI CYFROWEJ: Bramki. CEL ĆWICZENIA - praktyczna weryfikacja wiedzy teoretycznej z zakresu działania bramek, - pomiary parametrów bramek..
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia Poznanie własności i zasad działania różnych bramek logicznych. Zmierzenie napięcia wejściowego i wyjściowego bramek
Bardziej szczegółowoBADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO CEL poznanie charakterystyk tranzystora bipolarnego w układzie WE poznanie wybranych parametrów statycznych tranzystora bipolarnego w układzie WE PRZEBIEG ĆWICZENIA: 1.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia
Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia Ćwiczenie 23 Poznanie symboli własności. Zmierzenie parametrów podstawowych bramek logicznych TTL i CMOS. Czytanie schematów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z techniką połączenia za pośrednictwem interfejsu. Zbudowanie
Bardziej szczegółowoBadanie wzmacniacza operacyjnego
Badanie wzmacniacza operacyjnego CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości wzmacniaczy operacyjnych i komparatorów oraz możliwości wykorzystania ich do realizacji bloków funkcjonalnych poprzez dobór
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych
WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY Katedra Inżynierii Systemów, Sygnałów i Elektroniki LABORATORIUM Technika Cyfrowa Badanie Bramek Logicznych Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka 1 BADANIE FUNKCJI LOGICZNYCH 1.1 Korzystając
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego adanie parametrów statycznych i dynamicznych ramek Logicznych Opracował: mgr inż. ndrzej iedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Parametry statyczne bramek logicznych
Bardziej szczegółowoBramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132
Skład zespołu: 1. 2. 3. 4. KTEDR ELEKTRONIKI G Wydział EIiE LBORTORIUM TECNIKI CYFROWEJ Data wykonania: Suma punktów: Grupa Ocena 1 Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74C00, 74CT00, 7403, 74132 I. Konspekt
Bardziej szczegółowoBadanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA Badanie działania
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 Badanie obwodów prądu stałego
Ćwiczenie 3 Badanie obwodów prądu stałego Skład grupy (obecność na zajęciach) 3 Obecność - dzień I Data.. Obecność - dzień II Data.. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z istotą praw Kirchhoffa oraz zastosowaniem
Bardziej szczegółowoP-1a. Dyskryminator progowy z histerezą
wersja 03 2017 1. Zakres i cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zaprojektowanie dyskryminatora progowego z histerezą wykorzystując komparatora napięcia A710, a następnie zmontowanie i przebadanie funkcjonalne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3
Statyczne badanie przerzutników - ćwiczenie 3. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz NO. 2. Wykaz
Bardziej szczegółowoLiniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki. Ćwiczenie E14IS. Elementy logiczne. Wersja 1.0 (29 lutego 2016)
Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E14IS Elementy logiczne Wersja 1.0 (29 lutego 2016) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Zagrożenia... 3 3. Wprowadzenie... 3 4. Dostępna aparatura... 5 4.1. Moduł doświadczalny...
Bardziej szczegółowoStatyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2
tatyczne i dynamiczne badanie przerzutników - ćwiczenie 2. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami przerzutników w wersji TTL realizowanymi przy wykorzystaniu bramek logicznych NAND oraz
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowo3. Funktory CMOS cz.1
3. Funktory CMOS cz.1 Druga charakterystyczna rodzina układów cyfrowych to układy CMOS. W jej ramach występuje zbliżony asortyment funktorów i przerzutników jak dla układów TTL (wejście standardowe i wejście
Bardziej szczegółowoBadanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań
adanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie 6. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi układami SSI (Średniej Skali Integracji). Przed wykonaniem ćwiczenia należy zapoznać
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..
Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI.. Ćwiczenie 26 Cel ćwiczenia Zapoznanie się ze sposobami konstruowania z bramek NAND różnych bramek logicznych. Konstruowanie bramek NOT, AND i OR z bramek NAND.
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoKatedra Energetyki. Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
1 Katedra Energetyki Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Temat ćwiczenia: POMIARY PODSTAWOWYCH WIELKOŚCI ELEKTRYCZNYCH W OBWODACH PRĄDU STAŁEGO (obwód 3 oczkowy) 2 1. POMIARY PRĄDÓW I NAPIĘĆ
Bardziej szczegółowo1.2 Funktory z otwartym kolektorem (O.C)
Wydział EAIiIB Laboratorium Katedra Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 4. Funktory TTL cz.2 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowoSERIA IV. 1. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.
SERIA IV ĆWICZENIE _ Temat ćwiczenia: Badanie tranzystorów unipolarnych. Wiadomości do powtórzenia:. Tranzystor unipolarny: budowa, symbole, zastosowanie, parametry.. Charakterystyki statyczne tranzystora
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 9 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych oraz parametrów tranzystorów PNFET.
Bardziej szczegółowoPodstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:
Wydział EAIiIB Katedra Laboratorium Metrologii i Elektroniki Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Ćw. 5. Funktory CMOS cz.1 Data wykonania: Grupa (godz.): Dzień tygodnia:
Bardziej szczegółowoKatedra Elektrotechniki Teoretycznej i Informatyki
Katedra lektrotechniki Teoretycznej i Informatyki Laboratorium Teorii Obwodów Przedmiot: lektrotechnika teoretyczna Numer ćwiczenia: 1 Temat: Liniowe obwody prądu stałego, prawo Ohma i prawa Kirchhoffa
Bardziej szczegółowoRozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek
Treść zadania praktycznego Rozwiązanie zadania opracowali: H. Kasprowicz, A. Kłosek Opracuj projekt realizacji prac związanych z uruchomieniem i sprawdzeniem działania zasilacza impulsowego małej mocy
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 10 Temat: Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych i parametrów tranzystorów MOS oraz
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 7: Sprawdzenie poprawności działania zasilacza REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 7: Sprawdzenie poprawności działania zasilacza Opracował
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 BADANIE WŁAŚCIWOŚCI UKŁADÓW CYFROWYCH CMOS I. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5: Pomiar parametrów i charakterystyk scalonych Stabilizatorów Napięcia i prądu REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 5: Pomiar parametrów i charakterystyk scalonych Stabilizatorów
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoPodstawowe układy cyfrowe
ELEKTRONIKA CYFROWA SPRAWOZDANIE NR 4 Podstawowe układy cyfrowe Grupa 6 Prowadzący: Roman Płaneta Aleksandra Gierut CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi bramkami logicznymi,
Bardziej szczegółowoBadanie tranzystorów MOSFET
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 7045 Szczecin Pracownia Elektroniki Badanie tranzystorów MOSFET Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: budowa i zasada działania tranzystora MOSFET; charakterystyki
Bardziej szczegółowoParametry układów cyfrowych
Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Parametry układów cyfrowych Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 3.1, 25/10/2012 Rodziny bramek logicznych Tranzystory bipolarne Tranzystory unipolarne Porównanie
Bardziej szczegółowoTRANZYSTORY BIPOLARNE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego TRANZYSTORY BIPOLARNE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Tranzystory bipolarne rodzaje, typowe parametry i charakterystyki,
Bardziej szczegółowoOpis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302)
Opis dydaktycznych stanowisk pomiarowych i przyrządów w lab. EE (paw. C-3, 302) 1. Elementy elektroniczne stosowane w ćwiczeniach Elementy elektroniczne będące przedmiotem pomiaru, lub służące do zestawienia
Bardziej szczegółowoZapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.
adanie funktorów logicznych RTL - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania..
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoBramki logiczne V MAX V MIN
Bramki logiczne W układach fizycznych napięcie elektryczne może reprezentować stany logiczne. Bramką nazywamy prosty obwód elektroniczny realizujący funkcję logiczną. Pewien zakres napięcia odpowiada stanowi
Bardziej szczegółowoPomiar parametrów tranzystorów
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin Pracownia Elektroniki Pomiar parametrów tranzystorów (Oprac dr Radosław Gąsowski) Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: zasada działania tranzystora
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoRys Schemat montażowy (moduł KL blok e) Tablica C B A F
Ćwiczenie 30 Temat: Układy multiplekserów i demultiplekserów. Cel ćwiczenia Poznanie zasad działania multiplekserów. Budowanie multiplekserów z podstawowych bramek logicznych i układu scalonego TTL. Czytanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4: Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej częstotliwości REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie : Pomiar parametrów i charakterystyk wzmacniacza mocy małej
Bardziej szczegółowoU 2 B 1 C 1 =10nF. C 2 =10nF
Dynamiczne badanie przerzutników - Ćwiczenie 3. el ćwiczenia Zapoznanie się z budową i działaniem przerzutnika astabilnego (multiwibratora) wykonanego w technice TTL oraz zapoznanie się z działaniem przerzutnika
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA. I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych
LABORATORIUM ELEKTRONIKA I. Scalony, trzykońcówkowy stabilizator napięcia II. Odprowadzanie ciepła z elementów półprzewodnikowych Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień (I): 1.
Bardziej szczegółowoRys Schemat parametrycznego stabilizatora napięcia
ĆWICZENIE 12 BADANIE STABILIZATORÓW NAPIĘCIA STAŁEGO 12.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania, budowy oraz podstawowych właściwości różnych typów stabilizatorów półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 21 Temat: Komparatory ze wzmacniaczem operacyjnym. Przerzutnik Schmitta i komparator okienkowy Cel ćwiczenia Poznanie zasady działania układów komparatorów. Prześledzenie zależności napięcia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 9. Pomiar rezystancji metodą porównawczą.
Ćwiczenie nr 9 Pomiar rezystancji metodą porównawczą. 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie różnych metod pomiaru rezystancji, a konkretnie zapoznanie się z metodą porównawczą. 2. Dane
Bardziej szczegółowoSystemy i architektura komputerów
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...
Bardziej szczegółowo1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS
1 Tranzystor MOS Podczas bierzącego ćwiczenia omówiony zostanie sposób działania tranzystora polowego nmos, zbadane zostaną podstawowe charakterystyki tranzystora, oraz szybkość jego działania. Przed przystąpieniem
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoUniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie
Uniwersytet Pedagogiczny im. Komisji Edukacji Narodowej w Krakowie Laboratorium elektroniki Ćwiczenie nr 4 Temat: PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE TRANZYSTOR BIPOLARNY Rok studiów Grupa Imię i nazwisko Data
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 43: HALOTRON
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 43: HALOTRON Cel
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoSENSORY i SIECI SENSOROWE
SKRYPT DO LABORATORIUM SENSORY i SIECI SENSOROWE ĆWICZENIE 1: Pętla prądowa 4 20mA Osoba odpowiedzialna: dr hab. inż. Piotr Jasiński Gdańsk, 2018 1. Informacje wstępne Cele ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoZbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk
Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk przejściowych użytych tranzystorów. NOR CMOS Skale integracji
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL
ZESPÓŁ LBORTORIÓW TELEMTYKI TRNSPORTU ZKŁD TELEKOMUNIKJI W TRNSPORIE WYDZIŁ TRNSPORTU POLITEHNIKI WRSZWSKIEJ LBORTORIUM PODSTW ELEKTRONIKI INSTRUKJ DO ĆWIZENI NR Komputerowe pomiary parametrów bramki NND
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI Ćwiczenie 3 Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnego el ćwiczenia elem ćwiczenia jest poznanie wpływu ustawienia punktu pracy tranzystora na pracę wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 1. Regulacja i pomiar napięcia stałego oraz porównanie wskazań woltomierzy.
Ćwiczenie nr 1 Regulacja i pomiar napięcia stałego oraz porównanie wskazań woltomierzy. 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest analiza wpływów i sposobów włączania przyrządów pomiarowych do obwodu elektrycznego
Bardziej szczegółowopłytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa
Tranzystor jako klucz elektroniczny - Ćwiczenie. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi układami pracy tranzystora bipolarnego jako klucza elektronicznego. Bramki logiczne realizowane w technice RTL
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7. Pomiar mocy czynnej, biernej i cosφ
INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7 Pomiar mocy czynnej, biernej i cosφ Wstęp Układy elektryczne w postaci szeregowego połączenia RL, podczas zasilania z sieci napięcia przemiennego, pobierają moc czynną, bierną
Bardziej szczegółowoBadanie diody półprzewodnikowej
Instytut Fizyki ul Wielkopolska 5 70-45 Szczecin 2 Pracownia Elektroniki Badanie diody półprzewodnikowej Zakres materiału obowiązujący do ćwiczenia: (Oprac dr Radosław Gąsowski) półprzewodniki samoistne
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoCHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL
CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie zasad działania, budowy i właściwości podstawowych funktorów logicznych wykonywanych w jednej z najbardziej rozpowszechnionych
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Temat: Własności diody p-n Cel ćwiczenia Ćwiczenie 30 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p-n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoŹródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego
POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoMETROLOGIA EZ1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Elektrotechniki Teoretycznej i Metrologii Instrukcja do zajęć laboratoryjnych z przedmiotu METOLOGI Kod przedmiotu: EZ1C 300 016 POMI EZYSTNCJI METODĄ
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 11 Temat: Charakterystyki i parametry tyrystora Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości elektrycznych tyrystora. I. Wymagane wiadomości. 1. Podział
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoBramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132.
Bramki logiczne 1. Czas trwania: 3h 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki 74132. 3. Wymagana znajomość pojęć stany logiczne Hi, Lo, stan
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI. Komputerowe pomiary parametrów bramki NAND TTL
ZESPÓŁ LBORTORIÓW TELEMTYKI TRNSPORTU ZKŁD TELEKOMUNIKJI W TRNSPORIE WYDZIŁ TRNSPORTU POLITEHNIKI WRSZWSKIEJ LBORTORIUM PODSTW ELEKTRONIKI INSTRUKJ DO ĆWIZENI NR Komputerowe pomiary parametrów bramki NND
Bardziej szczegółowoARKUSZ EGZAMINACYJNY
Zawód: technik elektronik Symbol cyfrowy: 311[07] 311[07]-01-062 Numer zadania: 1 Czas trwania egzaminu: 240 minut ARKUSZ EGZAMINACYJNY ETAP PRAKTYCZNY EGZAMINU POTWIERDZAJĄCEGO KWALIFIKACJE ZAWODOWE CZERWIEC
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki nstrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONCZNE TS1C300 018 BAŁYSTOK 013 1. CEL ZAKRES ĆWCZENA LABORATORYJNEGO
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5b Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. Cel ćwiczenia : Poznanie właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 9 Układy scalone CMOS
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, Ryszard Korbutowicz, Iwona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Zdzisław Synowiec,
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko
Klasa Imię i nazwisko Nr w dzienniku espół Szkół Łączności w Krakowie Pracownia elektroniczna Nr ćw. Temat ćwiczenia Data Ocena Podpis Badanie parametrów wzmacniacza mocy 1. apoznać się ze schematem aplikacyjnym
Bardziej szczegółowoWIECZOROWE STUDIA ZAWODOWE LABORATORIUM OBWODÓW I SYGNAŁÓW
POLTECHNKA WARSZAWSKA NSTYTUT RADOELEKTRONK ZAKŁAD RADOKOMUNKACJ WECZOROWE STUDA ZAWODOWE LABORATORUM OBWODÓW SYGNAŁÓW Ćwiczenie 1 Temat: OBWODY PRĄDU STAŁEGO Opracował: mgr inż. Henryk Chaciński Warszawa
Bardziej szczegółowoNIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY
Ćwiczenie 5 Temat: Pomiar napięcia i prądu stałego. Cel ćwiczenia Poznanie zasady pomiaru napięcia stałego. Zapoznanie się z działaniem modułu KL-22001. Obsługa przyrządów pomiarowych. Przestrzeganie przepisów
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 15 Temat: Zasada superpozycji, twierdzenia Thevenina i Nortona Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 15 Temat: Zasada superpozycji, twierdzenia Thevenina i Nortona Cel ćwiczenia Sprawdzenie zasady superpozycji. Sprawdzenie twierdzenia Thevenina. Sprawdzenie twierdzenia Nortona. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoZakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki
Zakład Zastosowań Elektroniki i Elektrotechniki Laboratorium Wytwarzania energii elektrycznej Temat ćwiczenia: Badanie alternatora 52 BADANIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH ALTERNATORÓW SAMO- CHODOWYCH
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowo