ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, rof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.l, tel. (0-) 548 77 64 Zesół: rof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska dr hab. inż. Andrzej Misiuk, e-mail: misiuk@ite.waw.l dr hab. inż. Tadeusz Piotrowski, e-mail: iotrows@ite.waw.l dr inż. Jacek Ratajczak, e-mail: rataj@ite.waw.l dr inż. Adam Łaszcz, e-mail: laszcz@ite.waw.l dr inż. Mariusz Płuska, e-mail: mluska@ite.waw.l mgr inż. Marek Wzorek, e-mail: mwzorek@ite.waw.l 1. Prace rowadzone w 011 r. W 011 r. w Zakładzie Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych realizowano nastęujące rojekty naukowe: Charakteryzacja oraz rozwój metod badania materiałów, struktur i rzyrządów wytworzonych w rocesach mikro- i nanotechnologii elektronicznych. Eta II (rojekt statutowy nr 1.08.059); Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, sintroniki i technik sensorowych (rojekt badawczy InTechFun, rojekt kluczowy w ramach Programu Oeracyjnego Innowacyjna Gosodarka, zadania Charakteryzacja materiałów metodami mikroskoii elektronowej oraz Charakteryzacja struktur metodami mikroskoii elektronowej ) UDA-POIG.01.03.01-00-159/08-01.. Badania elektronomikroskoowe struktur InAs/GaSb Za omocą wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskoii elektronowej (HRTEM) badane były struktury suersieci InAs/GaSb wytwarzane metodą eitaksji z wiązki molekularnej (MBE) w Zakładzie Fotoniki ITE. Badania olegały na omiarach grubości warstw oraz określeniu stonia ich zdefektowania. Badane były rzekroje orzeczne oraz rearaty lanarne dwóch tyów struktur (#085 i #1) różniących się rocesem technologicznym. W strukturze #1 temeratura była stoniowo obniżana w trakcie rocesu wzrostu. W strukturze #085 zaobserwowano skuiska defektów skoncentrowane w obszarach o rozmiarach rzędu kilku mikrometrów, znacznie oddalonych od siebie (o kilkadziesiąt do kilkuset mikrometrów). W strukturze #1 nie zaobserwowano defektów.

Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Zastosowanie metody HRTEM umożliwiło omiar grubości warstw InAs/GaSb z dokładnością do ojedynczej warstwy atomowej. Rysunek 1a rzedstawia obraz HRTEM fragmentu struktury #1. W celu omiarów grubości warstw wyznaczono uśredniony rofil intensywności z zaznaczonego obszaru (rys. 1b). Z tego rofilu wyznaczono wartości maksymalne intensywności obrazu odowiadające kolejnym warstwom atomowym I n, gdzie n jest numerem warstwy atomowej. Na rys. 1c rzedstawiono bezwzględną zmianę intensywności omiędzy kolejnymi sąsiadującymi warstwami atomowymi I n -I n-1. Maksima na tym wykresie rzyorządkowano warstwom atomowym rzejściowym między kolejnymi warstwami InAs oraz GaSb. Stwierdzono, że w strukturze #085 grubości warstw są jednorodne z dokładnością do jednej monowarstwy. Jednorodność grubości warstw nie jest natomiast zachowana w strukturze #1. W niej różnice grubości w zależności od miejsca na strukturze wynoszą od 3 monowarstw InAs więcej niż GaSb do 3 monowarstw GaSb więcej niż InAs. Rys. 1. a) Obraz HRTEM fragmentu ze środka struktury #1, b) uśredniony rofil intensywności obrazu, c) bezwzględna zmiana intensywności obrazu omiędzy kolejnymi warstwami atomowymi I n -I n-1 Podsumowując, analiza elektronomikroskoowa wykazała rzewagę rocesu #085 nad #1 od względem jednorodność grubości warstw oraz rzewagę rocesu #1 nad #085 od względem braku obecności defektów w strukturze.

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 3 3. Badania elektronomikroskoowe heterostruktur GaN/AlGaN Celem racy było zbadanie jakości struktury krystalicznej heterostruktur GaN/AlGaN wytwarzanych na odłożu szafirowym. Badania rowadzono za omocą wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskoii elektronowej (HRTEM), skaningowej transmisyjnej mikroskoii elektronowej (STEM) oraz sektroskoii charakterystycznego romieniowania rentgenowskiego (EDXS). Wykonano je na heterostrukturach wytworzonych na Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej. Badane były trzy struktury (LT wzrost kryształu rowadzony w niskiej temeraturze, HT wzrost w wysokiej temeraturze) [R. Paszkiewicz informacja własna]. struktura M017: Al O 3 /LT-GaN (ok. 40 nm)/ht-gan(1) ( μm)/aln (1 nm)/ /HT-GaN() ( μm)/algan (0 nm, o zawartości 0% Al); struktura M018: Al O 3 /LT-GaN (ok. 40 nm)/ht-gan(1) ( μm)/ht-gan() ( μm)/ /AlGaN (0 nm, o zawartości % Al); struktura M019: Al O 3 /LT-GaN (ok. 40 nm)/ht-gan(1) ( μm)/ht-gan() ( μm)/ /AlGaN (0 nm, o zawartości 0 % Al). We wszystkich strukturach zaobserwowano obecność dyslokacji rozciągających się od warstwy LT-GaN aż do owierzchni materiału. Przykładowe obrazy skaningowej transmisyjnej mikroskoii elektronowej rzekroju orzecznego struktury M017 rzedstawiono na rys.. Obraz z rys. b uzyskano z grubszego obszaru rearatu niż obraz z rys. a, dlatego na rys. b widoczna jest większa liczba dyslokacji. We wszystkich badanych heterostrukturach zaobserwowano nieciągłości (wskazane strzałkami na rys. ) w obrębie warstwy LT-GaN rzy międzyowierzchni z odłożem Al O 3. Rys.. Obrazy STEM rzekroju orzecznego struktury M017: a) obraz uzyskany z cieńszego obszaru róbki, b) obraz uzyskany z grubszego obszaru

4 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Rys. 3. Obraz HRTEM rzekroju orzecznego fragmentu warstwy LT-GaN w strukturze M018. Widać fragment nieciągłości warstwy. W obrębie warstwy krystalicznej wystęują błędy ułożenia łaszczyzn rostoadłych do kierunku wzrostu kryształu (0001), które rowadzą do wystęowania cienkich wytrąceń GaN o strukturze kubicznej (olity 3C-GaN). Przy zastosowaniu metod HRTEM stwierdzono, że warstwa LT-GaN nie jest jednorodna. W warstwie wystęują błędy ułożenia łaszczyzn rostoadłych do kierunku wzrostu kryształu, tj. kierunku <0001>. Ułożenie tych łaszczyzn rowadzi do wystęowania cienkich wytrąceń olityu GaN o strukturze kubicznej (3C-GaN) w heksagonalnej strukturze H-GaN (rys. 3). 4. Sektroskoia fotonaięcia w zastosowaniu do diagnostyki ogniw słonecznych Celem badań było oracowanie metody omiaru owierzchniowej i głębokościowej jednorodności fotoelektrycznej ogniw słonecznych dla oceny rocesów technologicznych asywacji owierzchni i efektywności głębokościowej asywacji granic ziaren o ełnym cyklu technologicznym. Metoda ta ozwoliła m. in. rozdzielić efekty owierzchniowe od objętościowych i wykryć nawet niewielkie niejednorodności srawności energetycznej, które w konkretnym rzyadku rawdoodobnie były wywołane nierównomiernością temeratury wygrzewania w rocesie wytwarzania ogniw. Badania mają szczególne zastosowanie dla ogniw wykonanych w materiałach ółrzewodnikowych o strukturze multikrystalicznej lub olikrystalicznej. Zostały rzerowadzone dla ogniw wytworzonych z multikrystalicznego krzemu (mc-si) z asywacją tlenkiem tytanu albo azotkiem krzemu i dla ogniw wytworzonych z monokrystalicznego krzemu z asywacją azotkiem krzemu. Wyniki tych badań wykazały różnicę w asywacji głębokościowej defektów w zależności od zastosowanych warstw dielektrycznych. Dla ogniwa ze złączem -n oświetlanym rostoadle do łaszczyzny złącza o efektywności zbierania nośników w obszarze emitera n + decyduje długość drogi dyfuzji dziur L h oraz szybkość rekombinacji owierzchniowej s, natomiast

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 5 w obszarze bazy tyu o tej efektywności decyduje długość drogi dyfuzji elektronów L e = (D e τ) 0,5 (τ jest czasem życia nośników ładunku, wsółczynnik dyfuzji elektronów D e = ktμ/q), rzy czym ruchliwość μ jest funkcją koncentracji domieszek w bazie oraz jej zdefektowania. Na rys. 4 rzedstawiono schemat badanej struktury wraz z wymienionymi arametrami geometrycznymi oraz rozkładem głębokościowym koncentracji nośników G G 0 αex( αx), generowanych romieniowaniem o długości fali 0,6 μm, 0,8 μm i 1 μm dla odowiednich wsółczynników absorcji. G (m -3 s -1 ) 1 10 4 Rys. 4. Teoretyczny rozkład nośników generowanych romieniowaniem o długości fal 0,6 μm, 0,8 μm i 1 μm w strukturze n + ogniwa o grubości emitera w n = 0,6 μm i bazy w = 100 μm. Dla bazy rezystywność wynosi 1 Ω cm, a wsółczynniki absorcji dla owyższych długości fal są równe odowiednio 3000/cm, 1000/cm i 00/cm. Zaznaczono obszary odowiadające tyowym efektywnym długości drogi dyfuzji nośników mniejszościowych w obszarach emitera (L h ) i bazy (L e ). Do badań rzestrzennego rozkładu fotonaięcia zastosowano osobno laser He-Ne emitujący romieniowanie o długości fali 68 nm albo żarowe źródło romieniowania o ciągłym widmie w zakresie od 0,4 do 1, μm o zmodyfikowanej charakterystyce sektralnej z maksimum natężenia romieniowania dla długości fali 1,0 μm, które wnika w strukturę do głębokości onad 100 μm. Tak wybrane zakresy widmowe ozwalają na uzyskanie osobno odowiedzi fotoelektrycznej z obszarów ołożonych stosunkowo blisko od owierzchni oraz uśrednionej odowiedzi z obszaru odowiadającego długości drogi dyfuzji w materiale bazy złącza -n. Obraz uzyskiwany rzy długości fali 68 nm dotyczy w rzybliżeniu głębokości do 3 μm, a uzyskany rzy wykorzystaniu źródła żarowego dotyczy całego obszaru o głębokości L e. Pomiary (tyu OBIC) rozkładu naięcia fotoelektrycznego generowanego sondą świetlną o średnicy lamki 0, mm olegały na skanowaniu obszarów 50 mm 50 mm. Na osiach rys. 5 i 6 zaznaczono numery linii i unktu w linii. Liczba linii wynosiła 100 (środki linii były odległe o 0,5 mm), a skanowanie obejmowało 00 unktów w linii (co 0,5 mm).

6 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Z ma na rys. 5 na łytce mc-si z asywacją TiO x wynika, że nie nastąiła asywacja defektów objętościowych, gdyż odobne may defektów widać zarówno na obrazie rzyowierzchniowym, jak objętościowym. Zachodzi niewielka asywacja owierzchni zmniejszająca szybkość rekombinacji owierzchniowej (rys. 5b). a) b) Rys. 5. Naięcie fotoelektryczne odane w woltach wg skali kolorów dla ogniwa W-9-8, mc-si z asywacją warstwą TiO x, Srawność 1,5%, rozmiar ogniwa 50 mm 50 mm. Pomiary rzy użyciu światła białego (a) i czerwonego (b) Z ma na rys. 6 wynika, że asywacja warstw owierzchniowych jest dobra (omiary dla λ = 68 nm na rys. 6b), natomiast rzy omiarze światłem białym (rys. 6a) widoczne są niesasywowane granice ziaren w objętości materiału. Korzystając z ogólnych zależności na wartość rądu fotoelektrycznego I = (1 R)ηQαq(L e + L h ) (1)

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 7 a) b) Rys. 6. Naięcie fotoelektryczne odane w woltach wg skali kolorów dla ogniwa dla ogniwa F-16-8, mc-si z asywacją warstwą SiN x, srawność 13,7%, rozmiar ogniwa 100 mm 100 mm (na rysunku widać obszar 50 mm 50 mm). Pomiary rzy użyciu światła białego (a) i czerwonego (b) w warunkach stałej wartości generacji w objętości bazy lub I = (1 R)ηQq(L e + L h ) α ex( αw ) () w warunkach generacji zanikającej z odległością od owierzchni (R oznacza wsółczynnik odbicia, η wydajność kwantową generacji, Q strumień romieniowania) można utworzyć stosunek wartości rądów fotoelektrycznych zmierzonych w miejscach o największym i najmniejszym rądzie fotoelektrycznym na łytce. Taki stosunek informuje o zmianie łącznej długości dróg dyfuzji nośników ładunku (L e + L h ) wystęującej w badanej róbce. W rzybliżeniu można traktować tę wartość jako zmianę długości drogi dyfuzji nośników w bazie ogniwa.

8 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Uzyskane wyniki wskazują na brak głębokościowej asywacji defektów rzy okrywaniu mc-si tlenkiem tytanu oraz na stosunkowo dobrą głębokościową asywację defektów dla mc-si z warstwą azotku krzemu. Duża niejednorodność owierzchniowa równa 1,88, definiowana jako stosunek maksymalnego i minimalnego naięcia otwartego obwodu fotoelektrycznego U max /U min, może wynikać z niejednorodności grubości warstwy dyfuzyjnej n +. Wyniki uzyskane na monokrystalicznej łytce otwierdziły jej dobre arametry głębokościowe. Maksymalne fotoelektryczne niejednorodności badanych ogniw odano w tab. 1. Tabela 1. Maksymalne fotoelektryczne niejednorodności badanych ogniw Symbol U max /U min rzy owierzchni U max /U min do głębokości 100 μm Materiał, asywacja, srawność W-9-8 1,77 3,6 mc-si, TiO, 1,5% F-16-8 1,88 1,45 mc-si, SiN, 13,8% M1 1,0 1,06 monokrystaliczny Si, TiO, 15% 5. Badania rocesów owstawania nanocząstek krzemowych Struktury oarte na obecności wytrąceń krzemowych o bardzo małych wymiarach (określanych często jako nanocząstki krzemowe lub krzemowe kroki kwantowe) są obecnie rzedmiotem wielkiego zainteresowania. Dzięki zmienionej w stosunku do litego krzemu strukturze asmowej mogą znaleźć zastosowanie w budowie laserów i diod elektroluminescencyjnych, czyli w tzw. otoelektronice krzemowej. Struktury te są również bardzo obiecującym materiałem do zastosowań fotowoltaicznych. Nanocząstki krzemowe owstają odczas wygrzewania (w temeraturach rzędu 1000 o C) wielowarstwowych struktur zawierających na rzemian warstwy stechiometrycznego azotku krzemu i azotku rzesyconego krzemem. Do wytworzenia tych warstw wykorzystano metodę osadzania chemicznego wsomaganego lazmą (PECVD), stosowaną do nakładania niskotemeraturowych warstw asywujących. W takim układzie w warstwach azotku rzesyconego krzemem odczas wygrzewania zachodzi krystalizacja cząsteczek krzemowych. Wielkość tych cząsteczek owinna zależeć głównie od grubości warstwy, a także od temeratury wygrzewania. Rola warstw stechiometrycznych jest tu dwojaka. Powinny one być barierą uniemożliwiającą dyfuzję atomów krzemu z warstw rzesyconych w czasie krystalizacji, a także razem z owstałymi nanokryształami tworzyć suersieć decydującą o własnościach całej warstwy. W 011 r. badano możliwość kontroli wielkości nanokryształów krzemowych orzez zastosowanie wyjściowych warstw azotku krzemu o określonej grubości.

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 9 Badania rzerowadzano na trzech tyach struktur wytworzonych w Zakładzie Fotoniki, zawierających różną liczbę (0 i 50) ar warstw o różnej grubości, zarówno o składzie stechiometrycznym, jak i rzesyconych krzemem. Struktury te były nastęnie wygrzewane w dwustoniowych rocesach: najierw rzez 0 min. w temeraturze 500 o C w celu usunięcia wodoru z warstw, a otem w temeraturze 1000 lub 1100 o C rzez godz. w celu wytworzenia krystalicznych nanocząstek krzemowych. Jak wykazały badania rzerowadzone wysokorozdzielczą transmisyjną mikroskoią elektronową (HRTEM), w strukturach o najmniejszej grubości warstw azotku, rzędu nm, roces owstawania nanokryształów krzemowych rzebiegał w sosób mało kontrolowany. Zarówno kształty, jak i rozmiary oraz rozmieszczenie owstałych kryształków były bardzo rzyadkowe. Rozmiary niektórych z nich znacznie rzekraczały grubości warstw. W strukturach z warstwami Si 3 N 4 o większych grubościach (3 i 5 nm) cząsteczki krzemu krystalizowały tylko w obrębie warstw rzesyconych krzemem (rys. 7a). Ich wzrost w kierunku rostoadłym do warstw był skutecznie ograniczany rzez warstwy stechiometrycznego amorficznego azotku krzemu (warstwy Si 3 N 4 ), które ozostały jednolite o wygrzewaniu. Rys. 7. Wysokorozdzielcze obrazy elektronomikroskoowe struktur z nanocząstkami krzemowymi Jednak niekontrolowany wzrost ziaren w kierunku równoległym do warstw sowodował ich wydłużanie się w tym kierunku (rys. 7b). W strukturach wygrzewanych w temeraturze 1100 o C obserwowano też znaczne obszary, w których warstwy nasycone krzemem rzekrystalizowały w całości tworząc leżące obok siebie kryształy o różnych orientacjach. W strukturach tych obserwowano też nanocząstki o znacznie większych rozmiarach (grubszych od wyjściowej warstwy), częściowo wchodzących w warstwę Si 3 N 4. Kryształki te najczęściej składały się z kilku mniejszych ziarenek ołączonych bliźniaczymi granicami (rys. 7c). W strukturach wygrzewanych w temeraturze 1000 o C takie rzerośnięte nanokryształy były obserwowane w znacznie mniejszej ilości. Struktury zawierające nanocząstki krzemowe badane były również metodą owierzchniowego naięcia fotowoltaicznego (SPV). Na rys. 8 rzedstawione są charakterystyki sektralne SPV zmierzone dla struktury, w której grubości warstw

10 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. stechiometrycznego i rzesyconego krzemem azotku wynosiły o 3 nm. Mierzona wielkość sygnału SPV była normalizowana (do natężenia romieniowania źródła mierzonego w czasie omiaru dla każdej długości światła) w celu uniknięcia błędów związanych z charakterystyką sektralną stosowanego źródła oświetlenia badanego rearatu. Jako odniesienie rzedstawiona jest charakterystyka dla łytki krzemowej. W sektrum tym jest widoczny tylko niewielki łaski ik w zakresie 1,1 1, ev odowiadający Rys. 8. Wykresy sektralne znormalizowanego owierzchniowego naięcia fotowoltaicznego dla struktury o grubości warstw 3 nm rzerwie zabronionej w krzemie. W charakterystyce ochodzącej od niewygrzanych warstw Si 3 N 4 i warstw azotku rzesyconego krzemem widać łaskie maksimum ołożone w zakresie 1,83,0 ev. Przy wzroście temeratury wygrzewania maksimum to staje coraz ostrzejsze i rzesuwa w stronę większych energii, do ok.,06 ev. W charakterystyce struktur wygrzanych staje się coraz bardziej widoczne drugie maksimum rzy,4 ev. Istnienie maksimów i ich ewolucja w wyniku wygrzewania wskazuje na ich związek ze zmianami zachodzącymi w strukturach i owstawaniem nanocząstek krzemowych. Nie udało się jednak zaobserwować bliższej korelacji sygnału SPV z wielkościami nanocząstek dla wszystkich tyów badanych struktur (różniących się grubością i liczbą warstw) charakterystyki sektralne sygnału SPV były odobne. 6. Zjawiska transortu cieła i ładunku w strukturach molekularnych i biologicznych W 011 r. analizowano oddziaływania krótkotrwałych imulsów laserowych z tkankami biologicznymi tkanki guzów nowotworowych i tkanki mózgu. Ponieważ materiały biologiczne mają czas relaksacji dla transortu cieła w zakresie nawet wielu sekund, oddziaływanie ultrakrótkich imulsów laserowych na te tkanki generuje fale termiczne oruszające się ze skończoną rędkością. Ois rocesu transortu cieła orzez równanie hierboliczne wykazuje, że temeratura, jaka owstaje w tkankach biologicznych, jest znacznie wyższa niż ta, jaką rzewiduje rozwiązanie równania arabolicznego. Znajomość rocesów transortu cieła w strukturach molekularnych i biologicznych odgrywa istotną rolę we wsółczesnej medycynie. Zwykle rocesy te oisuje się za omocą arabolicznego równania Fouriera: T( x, t) T( x, t) = D, (3) t x

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 11 gdzie: T (x,t) ole temeratury, D termiczny wsółczynnik dyfuzji. Za omocą tego równania zbadano m. in. zagadnienia hiertermii, diagnostyki medycznej i roagacji cieła w skórze ludzkiej. Dobrze wiadomo, że araboliczne równanie ma ograniczony zakres stosowalności. Można je wykorzystać jedynie do badania rocesów, w których czas trwania imulsu termicznego Δt inicjującego roces transortu cieła jest znacznie dłuższy od czasu relaksacji τ. Relacja Δt >> τ jest leiej sełniona w materiałach jednorodnych: jednorodnych metalach, ółrzewodnikach i izolatorach. Cechą tkanek biologicznych skóry, rogówki oka, tkanki mózgu jest czas relaksacji nawet rzędu od kilku do kilkunastu sekund. Jedną z rzyczyn jest fakt, że tkanki te są materiałami silnie niejednorodnymi. W ciągu kilku ostatnich lat w chirurgii oka, chirurgii mózgu, a także w onkologii są stosowane lasery femtosekundowe, w których czas trwania imulsu jest rzędu 10 15 s. W tym rzyadku warunki stosowalności równ. (3) nie są sełnione. Równanie Fouriera musi być wówczas zastąione rzez hierboliczne równanie dyfuzji cieła: τ T( x, t) T( x, t) T( x, t) + = D. (4) t t x Rozwiązanie równania hierbolicznego okazuje, że temeratura, jaka owstaje w tkankach biologicznych, jest znacznie wyższa niż ta, jaką rzewiduje rozwiązanie równania arabolicznego (rzy tych samych warunkach granicznych). Różnice między rozchodzeniem się cieła w tkankach biologicznych, oisywanym rzez równanie hierboliczne, a wynikami równania arabolicznego są tak duże, że jest to ważny roblem dla wykorzystania laserów w medycynie. Prace rowadzone w 011 r. w Zakładzie były oświęcone w szczególności rozwiązaniu tego zagadnienia. Jak wykazano w monografii Attosecond Matter Tomograhy [P30], w rzyadku oddziaływania femtosekundowych imulsów laserowych z materiałami biologicznymi stosowanie równ. (4) z uwzględnieniem czasu relaksacji termicznej ozwala wyodrębnić nowe własności zjawisk termicznych: W materiałach biologicznych mogą być generowane fale termiczne, oruszające się ze skończoną rędkością. W materiałach biologicznych energia termiczna gromadzi się na froncie fali termicznej. Prowadzi to do szybkiego rzekazu energii termicznej do otoczenia. Równanie hierboliczne uwzględnia historię rocesu ogrzewania materiału biologicznego. Ma to ważne znaczenie teraeutyczne, gdyż ozwala dobrać otymalny czas oświetlania laserem wybranej tkanki. W ublikacji [P13], będącej rozdziałem w książce Theoretical Physics Research Develoments, zastosowano hierboliczne równanie transortu do badania zjawisk transortu w mózgu i w tkance nowotworowej. Materiał biologiczny mózgu i guza nowotworowego otraktowano jako ciecz nienewtonowską, czyli łyn, w którym

1 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. nie można zaniedbać zmian strumienia nośników w rzyadku czasów orównawalnych lub krótszych od czasu relaksacji. Dlatego w cieczy tej uwzględnia się zmianę strumienia cieła w czasie rzędu czasu relaksacji. Zawiesiny, takie jak n. mózg (w tym łyn mózgowy i neurony), można traktować jako ciecz nienewtonowską. Ciecze takie odznaczają się często długimi czasami relaksacji rzędu kilku, a nawet kilkunastu sekund. Dodatkowo dla rozważenia zjawisk jest istotne, że strukturę mózgu można rzybliżyć za omocą zawiesiny neuronów w cieczy nienewtonowskiej. Masa neuronu jest rzędu 10 5 g, czyli rzędu tzw. masy Plancka równej 10 5 g. Z rozwiązania zmodyfikowanego równania Schrödingera dla neuronów o masie Plancka wynika, że w materiale mózgu mogą być generowane oscylacje w skali czasu Plancka (ok. 10 43 s) M c ω = ω ω 1 1 M = M ω = M = c c c + M M + im c h im c h h h c c V 1 M c V 1 M c V M c V M c 1 1 dla M c > V (5) M dla c < V. (6) gdzie V jest otencjałem dla neuronów. Rozważono własności termiczne tkanki nowotworowej oświetlonej krótkotrwałym imulsem laserowym. Zastosowano hierboliczne równanie transortu w ostaci równ. (7), dla którego znaleziono rozwiązanie w ostaci równ. (8): T DT T = DT T (7) t υ t t 1 τ e Θ( t t0) + t 0 1 1 1 T( x, t) = dx' T( x',0) υ s t 1 ( t t0) t ( t t0) τ e I 0 + 1 I ( ) 1 Θ( t t0) τ τ t t τ 0 s (8)

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 13 gdzie v s jest rędkością fali termicznej, t 0 = ( x x')/ υs, I0( z), I1( z ) są zmodyfikowanymi funkcjami Bessela, Θ( t t0) jest funkcją Heaviside a, T(x,0) oznacza oczątkowy rozkład temeratury dla oczątkowego czasu t 0. Korzystając z dostęnych danych z onkologii (tab. ) obliczono termiczny wsółczynnik dyfuzji D dla rozważanych tkanek 8 D m s 1. (9) = k c V ρ = 8,0 10 Tabela. Literaturowe i obliczone arametry termiczne badanej tkanki Rodzaj tkanki Przewodność cielna W (m C) Cieło właściwe [kj/(kg C)] Gęstość [kg/m 3 ] Obliczony wsółczynnik dyfuzji termicznej [m /s] Carcinoma 0,8 (a, b) 3,5 (c) 1000 (c) 8 10 8 a) wg Sudarshan et al., Comut Methods Biomech. Biomed. Eng. (1999) 187; (b) wg Gautherie et al., Biomedicine (1975) 37; (c) wg Erdmann B., Ann NY Acad. Sci. 858 (1998) 36. Biorąc od uwagę wyznaczony czas relaksacji dla materiału biologicznego obliczono rędkość roagacji imulsu termicznego w tej tkance nowotworowej: D υ = τ = 100 μm/s. (10) Wyznaczone wartości ozwalają na otrzymanie rozwiązań dla konkretnych rzyadków tkanek. Rozwiązanie równania arabolicznego nie ma struktury falowej. Natomiast obliczenia w rzyadku równania hierbolicznego rowadzą do tworzenia się skomlikowanego układu lokalnych maksimów i minimów na maie temeratury. W rzyadku tego równania energia cielna jest zlokalizowana w czole fali, co jest bardzo ważne w onkologii, gdyż ozwala skuić energię termiczną tylko w chorej tkance nowotworowej. Publikacje 011 [P1] BĄK-MISIUK J., MISIUK A., BARCZ A., ROMANOWSKI P.: Solid Phase Eitaxial Re-Growth of Amorhous Layer in Si:Si Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. Solid St. Phenom. 011 vol. 178 179 s. 416 40. [P] BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., MYŚLIWIEC M., WZOREK M., KUCHUK A., BARCZ A., DYNOWSKA E., DI FORTE-POISSON M.-A., GIESEN C., PIOTROWSKA A.: Fundamentals and Practice of Metal Contacts to Wide Band Ga Semiconductor Devices. Cryst. Res. Technol. (złoż. do red.). [P3] CAPAN I., BĄK-MISIUK J., PIVAC B., DUBCEK P., MISIUK A., BERNSTORFF S.: Defects in Silicon Introduced by Helium Imlantation and Subsequent Annealing. Radiat. Phys. a. Chem. 011 vol. 80 s. 1099 1103.

14 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. [P4] CZERWIŃSKI A.: Badanie ółrzewodników wiązką elektronów, fotonów lub jonów wływ nielokalnych właściwości materiału na mierzony sygnał [w serii: Biblioteka Elektroniki t. 34] ITE, Warszawa, 011, ss. 113. [P5] CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Electron Microscoy Studies of Non-Local Effects Imact on Cathodoluminescence of Semiconductor Laser Structures. Mater. Trans. 011 vol. 5 s. 364 369. [P6] CZERWIŃSKI A., SKWAREK A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., WITEK K.: Tin Pest and Tin Oxidation on Tin-Rich Lead Free Alloys Investigated by Electron Microscoy Methods. Solid St. Phenom. (złoż. do red.). [P7] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PŁUSKA M., PIOTROWSKA A.: Otymalizacja rocesu NIL od kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 00 nm na krzemie o orientacji (100). Elektronika 011 vol. LII nr 9 s. 95 97. [P8] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PŁUSKA M., PIOTROWSKA A.: Otymalizacja rocesu NIL od kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 00 nm na krzemie o orientacji (100). Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011, CD, s. 641 64. [P9] GUZIEWICZ M., SŁYSZ W., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., DOMAGAŁA J., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., SOBOLEWSKI R.: Fabrication and Proerties of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Suerconducting Photodetectors. Acta Phys. Pol. A (złoż. do red.). [P10] JASIK A., SANKOWSKA I., REGIŃSKI K., MACHOWSKA-PODSIADŁO E., WAWRO A., WZOREK M., KRUSZKA R., JAKIEŁA R., KUBACKA-TRACZYK J., MOTYKA M., KANIEWSKI J.: MBE Growth of Tye-II InAs/GaSb Suerlattices for MWIR Detection. Crystal Growth: Theory, Mechanisms and Morhology. Nova Sci. Publ. Inc. (złoż. do red.). [P11] KANIEWSKA M., ENGSTRÖM O., KARMOUS A., KIRFEL O., KASPER E., RAEISSI B., PISCATOR J., ZAREMBA G., KACZMARCZYK M., WZOREK M., CZERWIŃSKI A., SURMA B., WNUK A.: Satial Variation of Hole Eigen Energies in Ge/Si Quantum Wells. 30th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors. Seul, Korea, 5 30.07.010. AIP Conf. Proc. 011 t. 1399, s. 93 94. [P1] KANIEWSKA M., ENGSTRÖM O., KARMOUS A., KIRFEL O., KASPER E., RAEISSI B., PISCATOR J., ZAREMBA G., KACZMARCZYK M., SURMA B., WNUK A., WZOREK M., CZERWIŃSKI A.: Hole Emission Mechanism in Ge/Si Quantum Dots. hys. stat. sol. C 011 vol. 8 s. 411 413. [P13] KOZŁOWSKI M., MARCIAK-KOZŁOWSKA J.: Dark Energy as the Source of the Time Deendent Einstein Cosmological Constant. [W] Theoretical Physics Research Develoments. Nova Sci. Publ. Inc., New York, 011 s. 9 5. [P14] KOZŁOWSKI M., MARCIAK-KOZŁOWSKA J.: On the Interaction of the Ultra-Short Laser Pulses with Human Brain. Lasers in Eng. 011 vol. 1 nr 5/6 s. 341 35. [P15] KOZŁOWSKI M., MARCIAK-KOZŁOWSKA J.: The Temerature of the Atom. Lasers in Eng. 011 vol. Secial, s. 49 88. [P16] KROPMAN D., MELLIKOV E., KARNER T., HEINMAA I., LAAS T., LONDOS C. A., MISIUK A.: Interaction of Point Defects with Imurities in the Si-SiO System and Its Influence on the Interface Proerties. Solid St. Phenom. 011 vol. 178 179 s. 63 66. [P17] KRUSZKA R., EKIELSKI M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KORWIN-MIKKE K., SIDOR Z., WZOREK M., PIERŚCIŃSKA D., SARZAŁA R. P., CZYSZANOWSKI T., PIOTROWSKA A.: GaAs/AlGaAs Photonic Crystals for VCSEL-Tye Semiconductors Lasers. Oto-Electron. Rev. 011 vol. 19 nr 11 s. 63 67.

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 15 [P18] KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., TAUBE A., PASTERNAK I., KORWIN-MIKKE K., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Procesy trawienia suchego ICP w lazmie BCl 3 cienkich warstw HfO wytworzonych techniką reaktywnego rozylania katodowego. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s. 91 94. [P19] KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., TAUBE A., PASTERNAK I., KORWIN-MIKKE K., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Procesy trawienia suchego ICP w lazmie BCl 3 cienkich warstw HfO wytworzonych techniką reaktywnego rozylania katodowego. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011, CD, s. 534 539. [P0] KRUSZKA R., KORWIN-MIKKE K., PASTERNAK I., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Trawienia ółrzewodników szerokorzerwowych GaN i SiC. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s. 3 36. [P1] KRUSZKA R., KORWIN-MIKKE K., PASTERNAK I., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Trawienia ółrzewodników szerokorzerwowych GaN i Sic. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011, CD, s. 635 640. [P] KUCHUK A., KLADKO V. P., GOŁASZEWSKA-MALEC K., GUZIEWICZ M., WZOREK M., PIOTROWSKA A.: The Formation Mechanism of Ni-Based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC. Mater. Sci. Forum (złoż. do red.). [P3] LONDOS C. A., ANDRIANAKIS A., MISIUK A.: The Effect of Neutron Irradiation on Oxygen Aggregation Processes in Si Material Treated under Hydrostatic Pressure. hys. stat. sol. A 011 vol. 08 nr 3 s. 615 619. [P4] LONDOS C. A., SGOUROU E. N., ANDRIANAKIS A., MISIUK A., EMTSEV V. V., OHYAMA H.: IR Studies on VO n, C i O i and C i C s Defects in Ge-Doed Cz-Si. Solid St. Phenom. 011 vol. 178 179 s. 147 153. [P5] ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Study of Oxides Formed in the HfO /Si Structure for High-k Dielectric Alications. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P6] ŁASZCZ A., RATAJCZAK J., CZERWIŃSKI A., KĄTCKI J., BREIL N., LARRIEU G., DUBOIS E.: TEM Studies of PtSi Low Schottky-Barrier Contacts for Source/Drain in MOS Transistors. Centr. Euro. J. of Phys. 011 vol. 9 s. 43 47. [P7] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Thermal Processes Generated in Quark-Gluon Plasma (QGP) by Yoctosecond (10 4 s) Laser Pulses. Lasers in Eng. 011 vol. 1 nr 1/ s. 11 19. [P8] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Quantum Water Excited by Attosecond Laser Pulses. Lasers in Eng. 011 vol. Secial s. 14 18. [P9] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Time Delay in Photoemission Excited by Attosecond Laser Pulses. Lasers in Eng. 011 vol. Secial s. 11 15. [P30] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Attosecond Matter Tomograhy. Nova Sci. Publ., New York, 011, ss. 134. [P31] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Thermal Processes Generated in an In Vitro Cancer Tumour by Laser Pulses. Lasers in Eng. (złoż. do red.). [P3] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Thermal Waves Generated In Vitro Cancer Tumor by Laser Pulses. Lasers in Eng. (złoż. do red.). [P33] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: A Proosed Mathematical Model of Tumor Growth and Host Consciousness. Neuroquantol. (złoż. do red.).

16 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. [P34] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Fourier Diffusion and Secial Relativity in Nanotechnology. [W] Advances in Nanotechnology. Monograh (złoż. do red.). [P35] MISIUK A., ABROSIMOV N. V., BĄK-MISIUK J., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., LONDOS C. A., ROMANOWSKI P., KULIK M., KUCYTOWSKI J., PRUJSZCZYK M., ANDRIANAKIS A.: Defects in Single Crystalline Si-Ge Annealed under Enhanced Pressure. Microelectron. Eng. (złoż. do red.). [P36] MISIUK A., BARCZ A., ULYASHIN A. G., BĄK-MISIUK J., PRUJSZCZYK M.: Hydrogen (Deuterium) Accumulation/Release Versus Nanostructure of Si:He. J. of Nanosci. a. Nanotechnol. (złoż. do red.). [P37] MISIUK A., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., ULYASHIN A. G., ROMANOWSKI P.: Hydrogen Gettering Within Processed Oxygen-Imlanted Silicon. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices [w serii: Advanced Materials Research t. 76] Trans Tech Publ. 011 s. 36 40. [P38] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., BARCZ A., ROMANOWSKI P., SURMA B., WNUK A.: Structure of Self-Imlanted Silicon Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. High Press. Res. 011 vol. 31 nr 1 s. 10 105. [P39] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., PRUJSZCZYK M., ROMANOWSKI P.: Pressure-Assisted Generation of Thermal Donors in Doed Cz-Si. Prz. Elektrotech. (złoż. do red.). [P40] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., SURMA B., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., LONDOS C. A., ABROSIMOV N. V., KUCYTOWSKI J.: Imact of Hydrostatic Pressure Alied at Annealing on Homogeneity of Si-Ge Single Crystals. Solid St. Phenom. 011 vol. 178 179 s. 35 40. [P41] MISIUK A., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., CHOW L., VANFLEET R., PRUJSZCZYK M.: Proerties of Si:V Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. Acta Phys. Pol. A 011 vol. 10 nr 1 s. 196 199. [P4] MYŚLIWIEC M., SOCHACKI M., KISIEL R., GUZIEWICZ M., WZOREK M.: TiAl-Based Ohmic Contacts on -Tye SiC. Tatrzańska Łomnica, Słowacja, 11 15.05.011, s. 68 7. [P43] PIETRZAK T. K., MACIASZEK M., NOWIŃSKI J., ŚLUBOWSKA W., FERRARI S., MUSTARELLI P., WASIUCIONEK M., WZOREK M., GARBARCZYK J. E.: Electrical Proerties of V O 5 Nanomaterials Preared by Twin Rollers Technique. Solid St. Ion. (złoż. do red.). [P44] PIOTROWSKI T., KRUSZEWSKI P., LIPIŃSKI M.: Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego rocesem geterowania. Elektronika 011 vol. LII nr 4 s. 17 0. [P45] PIOTROWSKI T., MALYUTENKO V. K., WĘGRZECKI M., CZERWIŃSKI A., POLAKOWSKI H., TYKHONOV A. M.: Otimization of Parameters for Silicon Planar Source of Modulated Infrared Radiation. Mater. Sci. Eng. B 011 vol. 176 s. 363 367. [P46] PIOTROWSKI T., TOMASZEWSKI D., WĘGRZECKI M., MALYUTENKO V. K., TYKHONOV A. M.: Planar Silicon Structure in Alication to the Modulation of Infrared Radiation. Ot. Al. 011 vol. XLI nr s. 333 339. [P47] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Defect Detection in Semiconductor Layers with Built-In Electric Field with the Use Cathodoluminescence. Physica B (złoż. do red.). [P48] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Cathodoluminescence and Electroluminescence of Semiconductor Structures in SEM. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P49] PRUDNIKOV A., SHALAEV R., MISIUK A., VARYUKHIN V., EFROS B. M., BURKHOVECKII V. V., SURMA B., BĄK-MISIUK J., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K.: Photoluminescence from Laser

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 17 Processed Nanostructured Hydrogen-Imlanted Silicon Treated Primary at High Temerature- -Pressure. Al. Surf. Sci. (zgłosz. do red.). [P50] RATAJCZAK J., HEJDUK K., LIPIŃSKI M., PIOTROWSKI T., PŁUSKA M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A.: Study of Silicon Nanoarticles Formation in Silicon Nitride. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P51] RECKINGER N., DUTU C. A., TANGUY Y., DUBOIS E., YAREKHA D. A., GODEY S., NOUGARET L., ŁASZCZ A., RATAJCZAK J., RASKIN J. P.: Comarative Study of Erbium Disilicide Thin Films Grown in situ under Ultrahigh Vacuun or ex situ with a Caing Layer. Thin Solid Films (złoż. do red.). [P5] RECKINGER N., TANG X., GODEY S., DUBOIS E., ŁASZCZ A., RATAJCZAK J., VLAD A., DUTU C. A., RASKIN J. P.: Erbium Silicide Growth in the Presence of Residual Oxygen. J. Electrochem. Soc. 011 vol. 158 nr 7 s. H715 H73. [P53] ROMANOWSKI P., SHALIMOV A., BĄK-MISIUK J., MISIUK A.: Structural and Magnetic Proerties of Si Single Crystals Imlanted with Mn +. Radiat. Phys. a. Chem. (zgłosz. do red.). [P54] SHCHENNIKOV V. V., KOROBEJNIKOV I. V., MOROZOVA N. V., GOLUBKOVA I. A., OVSYANNIKOV S. V., MISIUK A., ABROSIMOV N. V.: Thermoelectric Power of Comensated Si 1-x Ge x Samles at High Pressure. Thermoelectr. (złoż. do red.). [P55] SKWAREK A., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., WITEK K.: Influence of Substrate Tye on Tin Whisker Growth for Tin-Rich Lead-Free Solder Alloys. Proc. of the Int. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, 8.06 1.07.011, s. 13 137. [P56] SKWAREK A., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., WITEK K.: Influence of Substrate Tye on Tin Whisker Growth in Tin-Rich Lead-Free Solder Alloys. Mater. Sci. a. Eng. (złoż. do red.). [P57] SKWAREK A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., CZERWIŃSKI A., WITEK K., SZWAGIERCZAK D.: Analysis of Tin Whisker Growth on Lead-Free Alloys with Ni Presence under Thermal Shock Stress. Mater. Sci. a. Eng. B 011 vol. 176 s. 35 357. [P58] SKWAREK A., ŚRODA M., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., WITEK K.: Occurence of Tin Pest on the Surface of Tin-Rich Lead-Free Alloys. Solder. a. Surf. Mount Technol. 011 vol. 3 nr 3 s. 184 190. [P59] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., DOMAGAŁA J., PASTERNAK I., HEJDUK K., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., SOBOLEWSKI R.: Ultrathin NbN Films Designed for Suerconducting Single-Photon Detectors. Acta Phys. Pol. A 011 vol. 10 nr 1 s. 00 03. [P60] TAUBE A., KORWIN-MIKKE K., GIERAŁTOWSKA S., GUTT T., MAŁACHOWSKI T., WZOREK M., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., DYNOWSKA E., SOCHACKI M., MROCZYŃSKI R., PASTERNAK I., RZODKIEWICZ W., SZMIDT J., PIOTROWSKA A.: Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011, CD, s. 677 68. [P61] TAUBE A., KORWIN-MIKKE K., GUTT T., MAŁACHOWSKI T., PASTERNAK I., WZOREK M., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., RZODKIEWICZ W., PIOTROWSKA A., GIERAŁTOWSKA S., SOCHACKI M., MROCZYŃSKI R., DYNOWSKA E., SZMIDT J.: Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s. 117 10. [P6] VANFLEET R., MISIUK A., LING D. C., PONG W. F., CHOW L.: Microstructure of Silicon Imlanted with Transition Metals. J. of Mater. Sci.: Mater. in Electron. (złoż. do red.). [P63] VOLODIN V. A., BUGAEV K. O., GUTAKOVSKII A. K., FEDINA L. I., NEKLYUDOVA M. A., LATYSHEV A. V., MISIUK A.: Otical Proerties of Si Nanoclusters Formed in Silicon-Rich Nitride Films under Annealing: Influence of High Hydrostatic Pressure. J. Al. Phys. (złoż. do red.).

18 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. [P64] VOLODIN V. A., POPOV A. A., MISIUK A., RINNERT H., VERGNAT M.: Evolution of Silicon and Hydrogen Bonding in Silicon-Rich Nitride Films Preared by Plasma-Enhanced Chemical Vaor Deosition and Annealed under High Pressure. Nanosci. a. Nanotechnol. Lett. (złoż. do red.). [P65] WITEK K., PIOTROWSKI T., SKWAREK A.: Analysis of Polymer Foil Heaters as Infrared Radiation Source. Proc. of the Int. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, 8.06 1.07.011, s. 53 58. [P66] WITEK K., PIOTROWSKI T., SKWAREK A.: Analysis of Polymer Foil Heaters as Infrared Radiation Sources. Mat. Sci. a. Eng. B (złoż. do red.). [P67] WOLSKA A., KLEPKA M., ŁAWNICZAK-JABŁOŃSKA K., MISIUK A., ARVANITIS D.: Structural and Magnetic Proerties of Mn + Imlanted Silicon Crystals Studied Using X-Ray Absortion Sectroscoy Techniques. Radiat. Phys. a. Chem. 011 vol. 80 s. 1119 114. [P68] WONG C. K., WONG H., LIU J., MISIUK A.: Proerties of Silicon Oxynitride Films Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. J. of the Electrochem. Soc. 011 vol. 158 nr 3 s. H3 H37. [P69] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: TEM Characterisation of Silicide Phase Formation in Ni-Based Ohmic Contacts to 4H n-sic. Mater. Trans. 011 vol. 5 s. 315 318. [P70] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Badania elektronomikroskoowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s. 37 40. [P71] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Ni- Based Ohmic Contacts to Silicon Carbide Examined by Electron Microscoy. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P7] WZOREK M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., PŁUSKA M., BORYSIEWICZ M., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., KUCHUK A., KORWIN-MIKKE K., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Badania elektronomikroskoowe struktur ółrzewodnikowych wytwarzanych w oarciu o SiC i ZnO. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011, CD, s. 540 545. [P73] ZARASKA K., GAUDYN J., BIEŃKOWSKI A., CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M.: Surface Proerties of Laser-Etched LTCC Ceramic. Proc. of the 44th Int. Sym. on Microelectronics. Long Beach, USA, 9 13.10.011, s. 000735 000739. [P74] ZARASKA K., GAUDYN J., BIEŃKOWSKI A., DOHNALIK M., CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M., MACHNIK M., WÓJCIK K.: X-Ray Insection of LTCC Devices: Theory and Practice. J. of Microelectron. a. Electron. Packag. 011 vol. 8 s. 49 57 [P75] ZARASKA K., GAUDYN J., BIEŃKOWSKI A., DOHNALIK M., CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M., MACHNIK M.: X-Ray Insection of LTCC Devices. Proc. of the Ceramic Interconnect and Ceramic Microsystems Technologies. San Diego, USA, 5 7.04.011, s. 00015 3. Prezentacje konferencyjne 011 [K1] ABALOSHEVA I., ZAYTSEVA I., ALESZKIEWICZ M., CIEPLAK M.Z., SYRYANYY Y., GIERŁOWSKI P., ABAL'OSHEV O., SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., PASTERNAK I., HEJDUK K., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., SOBOLEWSKI R.: Suerconducting Thin Films with High Critical Current Densities. 4th Forum Sci. & Technol. Days Poland East. Białowieża, 1 14.04.011 (lakat).

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 19 [K] BĄK-MISIUK J., DYNOWSKA E., ROMANOWSKI P., DOMAGAŁA J., DŁUŻEWSKI P., SADOWSKI J., CALIEBE W., MISIUK A.: Influence of Nanoclusters on Lattice Parameter of GaAs:(Mn,Ga) Granular Layers. E-MRS Sring Meet. Nicea, Francja, 9 13.05.011 (lakat). [K3] BĄK-MISIUK J., MISIUK A., BARCZ A., ROMANOWSKI P.: Solid Phase Eitaxial Re-Growth of Amorhous Layer in Si:Si Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, 5 30.09.011 (lakat). [K4] BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KUCHUK A., WZOREK M., BARCZ A., DYNOWSKA E., DI FORTE-POISSON M.-A., GIESEN C.: Fundamentals and Practice of Metal Contacts to Wide Bandga Semiconductor Devices. German Polish Conf. on Crystal Growth. Frankfurt, Niemcy, 14 18.03.011 (ref. zar.). [K5] CZERWIŃSKI A., SKWAREK A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., WITEK K.: Tin Pest and Tin Oxidation on Tin-Rich Lead Free Alloys Investigated by Electron Microscoy Methods. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, 6 30.06.011 (lakat). [K6] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PASTERNAK I., WZOREK M., PIOTROWSKA A.: Fabrication of Polymer Stam for UV Nanoimrint Technology. German Polish Conf. on Crystal Growth. Frankfurt, Niemcy, 14 18.03.011 (lakat). [K7] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PŁUSKA M., PIOTROWSKA A.: Otymalizacja rocesu NIL od kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 00 nm na krzemie o orientacji (100). X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011 (lakat). [K8] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., KRUSZKA R., KAŹMIERCZAK P., WIELGUS M., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: 3-D Patterning of GaN Using Nanoimrint Lithograhy. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, 19 3.09.011 (ref. zar.). [K9] GUZIEWICZ M., SŁYSZ W., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., DOMAGAŁA J., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., SOBOLEWSKI R.: Fabrication and Proerties of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Suerconducting Photodetectors. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, 19 3.09.011 (lakat). [K10] KĄTCKI J.: Electron Microscoy of Nanoelectronic and Photonic Structure. Hitachi High Technology Worksho Advanced Electron Microscoy. Warszawa, 6.10.011 (ref. zar.). [K11] KĄTCKI J.: Nanotechnology in Poland. Konf. Nanoethics 011. Warszawa, 0 1.10.011 (ref. zar.). [K1] KĄTCKI J.: Electron Microscoy Studies of Semiconductor Materials and Interfaces: Transmission Electron Microscoy. Warsaw-Dresden Sem. Nanomaterials and Nanoanalysis. Warszawa, 6 7.1.011 (ref. zar.). [K13] KĄTCKI J.: Nanotechnology in Poland. 1th Meet. of the High Level Grou of EU Member States & FP7 Associated States on Nanosience and Nanotechnologies. Bruksela, Belgia, 14.1.011 (ref. zar.). [K14] KORWIN-MIKKE K., KRUSZKA R., KAMIŃSKA E., PASTERNAK I., WZOREK M., PIOTROWSKA A.: Inductively Couled Plasma (ICP) Etching of Submicrometer Patterns in GaN. German Polish Conf. on Crystal Growth. Frankfurt, Niemcy, 14 18.03.011 (kom.). [K15] KROPMAN D., HEINMAA I., KARNER T., LAAS T., LONDOS C. A., MISIUK A.: Point Defects Interaction with Imurities at the Si-SiO Interface. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, 5 30.09.011 (lakat). [K16] KROPMAN D., MELLIKOV E., KARNER T., HEINMAA I., LAAS T., LONDOS C. A., MISIUK A.: Interaction of Point Defects with Imurities in the Si-SiO System and Its Proerties Modification.

0 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, 5 30.09.011 (ref.). [K17] KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., TAUBE A., PASTERNAK I., KORWIN-MIKKE K., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Procesy trawienia suchego ICP w lazmie BCl 3 cienkich warstw HfO wytworzonych techniką reaktywnego rozylania katodowego. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011 (lakat). [K18] KRUSZKA R., KORWIN-MIKKE K., PASTERNAK I., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Trawienia ółrzewodników szerokorzerwowych GaN i SiC. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011 (ref.). [K19] KUCHUK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., GUZIEWICZ M., WZOREK M., KLADKO V. P., PIOTROWSKA A.: The Formation Mechanism of Ni-Based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC. The 011 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials. Cleveland, USA, 11 16.09.011 (lakat). [K0] LONDOS C. A., SGOUROU E. N., ANDRIANAKIS A., MISIUK A., EMTSEV V. V., OHYAMA H.: IR Studies on the VO n, C i O i, C i C s Defects in Ge-Doed Cz-Si. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, 5 30.09.011 (ref.). [K1] ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Study of Oxides Formed in the HfO /Si Structure for High-k Dielectric Alications. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, 6 30.06.011 (lakat). [K] MISIUK A., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., ULYASHIN A. G.: Hydrogen Accumulation/Release Versus Nanostructure of Si:He. E-MRS Sring Meet. Nicea, Francja, 9 13.05.011 (lakat). [K3] MISIUK A., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., ULYASHIN A. G.: Out-Diffusion of Hydrogen from Plasma-Processed Oxygen-Imlanted Silicon. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, 19 3.09.011 (kom.). [K4] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., ABROSIMOV N. V., LONDOS C. A., KUCYTOWSKI J., KULIK M., PRUJSZCZYK M.: Imact of Enhanced Pressure Alied at Annealing on Homogeneity of Si-Ge Single Crystals. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, 5 30.09.011 (lakat). [K5] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., PRUJSZCZYK M.: Pressure-Assisted Generation of Thermal Donors in Doed Cz-Si. 7th Int. Conf. NEET 011. Zakoane, 8.06 1.07.011 (ref.). [K6] MYŚLIWIEC M., SOCHACKI M., KISIEL R., GUZIEWICZ M., WZOREK M.: TiAl-Based Ohmic Contacts on -Tye SiC. 34th Int. Sring Sem. on Electronics Technology. Tatrzańska Łomnica, Słowacja, 11 15.05.011 (lakat). [K7] PIOTROWSKI T., KRUSZEWSKI P., LIPIŃSKI M.: Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego rocesem generowania. II Kraj. Konf. Fotowoltaiki. Krynica Zdrój, 1 15.05.011 (ref.). [K8] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Cathodoluminescence and Electroluminescence of Semiconductor Structures in SEM. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, 6 30.06.011 (lakat). [K9] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Defect Detection in Semiconductor Layers with Built-In Electric Field with the Use Cathodoluminescence. 6th Int. Conf. on Defects in Semiconductor. Nelson, Nowa Zelandia, 17.07.011 (lakat). [K30] PRUDNIKOV A., SHALAEV R., MISIUK A., VARYUKHIN V., EFROS B. M., BURKHOVECKII V. V., SURMA B., BĄK-MISIUK J., KULIK M.: Photoluminescence from Laser Processed Nanostructured Hydrogen-Imlanted Silicon Treated Primary at High Temerature-Pressure. E-MRS Sring Meet. Nicea, Francja, 9 13.05.011 (lakat).

Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 1 [K31] RATAJCZAK J., HEJDUK K., LIPIŃSKI M., PIOTROWSKI T., PŁUSKA M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A.: Study of Silicon Nanoarticles Formation in Silicon Nitride. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, 6 30.06.011 (lakat). [K3] SCHENNIKOV V. V., KOROBEJNIKOV I. V., MOROZOVA N. V., GOLUBKOVA I. A., OVSYANNIKOV S. V., MISIUK A., ABROSIMOV N. V.: ThermoEDS of Comensated SoGE Samles under High Pressure. XIV Int. Forum of Thermoelectrics. Moskwa, Rosja, 17 0.05.011 (lakat). [K33] SCHCHENNIKOV V. V., KOROBEJNIKOV I. V., MOROZOVA N. V., GOLUBKOVA I. A., OVSYANNIKOV S. V., MISIUK A., ABROSIMOV N. V.: The Strong Effect of Pressure on Thermoelectric Power of Comensated Si 1-x Ge x Samles (x < 0.06). XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, 5 30.09.011 (lakat). [K34] SKWAREK A., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., WITEK K.: Influence of Substrate Tye on Tin Whisker Growth for Tin-Rich Lead-Free Solder Alloys. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, Poland, 8.06 1.07.011 (ref.). [K35] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JUCHNIEWICZ M., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., CIEPLAK M.Z., ZAYTSEVA I., DORENBOS S., SCHOUTEN R., ZWILLER V., KITAYGORSKY J., JUKNA A., SOBOLEWSKI R.: Ultrathin NbN Films for Suerconducting Detectors. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, 19 3.09.011 (ref. zar.). [K36] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., PASTERNAK I., DOMAGAŁA J., HEJDUK K., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., SOBOLEWSKI R.: Ultrathin NbN Films Designed for Suerconducting Single-Photon Detectors. SPIE Euroe Otics a. Otoelectronics 011. Praga, Czechy, 18 0.04.011 (lakat). [K37] TAUBE A., KORWIN-MIKKE K., GIERAŁTOWSKA S., GUTT T., MAŁACHOWSKI T., WZOREK M., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., DYNOWSKA E., SOCHACKI M., MROCZYŃSKI R., PASTERNAK I., RZODKIEWICZ W., SZMIDT J., PIOTROWSKA A.: Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011 (lakat). [K38] TRAJNEROWICZ A., HEJDUK K., SZCZUKOCKA E., BARAŃSKA A., KARBOWNIK P., PAPIS- POLAKOWSKA E., SZERLING A., WZOREK M.: Asekty technologiczne trawienia ółrzewodników A III B V metodą trawienia jonowego wsomaganego lazmą. V Kraj. Konf. Nanotechnologii. Gdańsk, 3 7.07.011 (lakat). [K39] TYSCHENKO I. E., VOLODIN V. A., MISIUK A.: Crystallization of Hydrogenated Amorhous- Nanocrystalline Silicon Films under High-Pressure Annealing. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, 19 3.09.011 (ref.). [K40] WITEK K., PIOTROWSKI T., SKWAREK A.: Analysis of Polymer Foil Heaters as Infrared Radiation Source. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. 8.06 1.07.011 (lakat). [K41] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Ni- Based Ohmic Contacts to Silicon Carbide Examined by Electron Microscoy. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, 6 30.06.011 (lakat). [K4] WZOREK M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., PŁUSKA M., BORYSIEWICZ M., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., KUCHUK A., KORWIN-MIKKE K., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Badania elektronomikroskoowe struktur ółrzewodnikowych wytwarzanych w oarciu o SiC i ZnO. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, 5 9.06.011 (ref.).