UKD 621.382.3 LMNTY PÓŁPRZWODNKOW NORMA BRANtOWA T ranzysłry BF 257 BF 258 BF 259 BN80 337531.01 Grupa katagwa 1923 PrzeÓ11it nrmy PrzeÓ11item nrmy sę krzemwe panarne tranzystry npn wysknapiędwe małej mcy wiekiej częsttiwści typu BF 257 BF 25BBF 259 w budwie metawej d zastswań pwszechneg użytku raz w urzędzeniach wymagajęcych zastswania eementów wyskiej i bardz wyskiej jakści c :... Tranzystry przeznaczne sę d pracy we wzmacniaczach dużych sygnałów wiekiej częsttiwści raz w stpniach. A L.D '9. wyjściwych wzmacniaczy wizyjnych dbirników TV krwej i czarnbiałej. Kategria ki ima tyczna wg PN73/0550 da tranzy \ strów: Kektr (C) tranzystra jest płęczny eektrycznie z 0. standardwych 0/125/0 wyskiej jakści 0/125/21 bardz wyskiej jakści. 0/125/56 2 Przykład znaczenia tranzystrów a) standardwych: TAANZYSTOR BF 257 BNe/337531 O 0/125/0 b) wyskiej jakści: TRANZYSTOR BF 257 BNBO/337531.01 0/125/21 c) bardz wyskiej jakści: TRANZYSTOR BF=' 257 BNBO/337531 01 0/125/56 3 Cechwanie tranzystrów pwinn zawierać nazwę prducenta znaczenie typu (pdtypu) raz znakwan i e ddatkwe da tranzystrów wyskiej i bardz wyskiej jakści ' Tranzystry wyskiej jakścr pwinny być znakwane cyfrę 3 a tranzystry bardz wyskiej jakści cyfrę umieszcznę przed znaczeniem typu ' Wymiary i znaczenie wyprwadzeń tranzystra wg rysunku i tab ementy budwy wg PN72/T O 1503 ark 53 budwa C ark 23 pdstawa BC budwę. Symb wymiaru Tab ita 1 Wymiary mm minimany ncx:n i na ny A 6 a 5 OB 1) 2i b 3 rfjd B6 rfjd BO! F 'j 072 079 k 0 7 127 135 C( P 1) Wym iar teretyczny Kęt stpnie maksymany nminany 66 053 939 850 203 086 1. 1 152 5 1 ) 90 1) Zgłuna przez NaukwPrdukcyjne Centrum Półprzewdników Ustanwina przez Generaneg Dyrektra Zjednczenia Przemysłu Pdzespłów i Materiałów ektrnicznych UNTRALKTRON dnia 25 czerwca 1980 r. jak nrma bwiązująca d dnia stycznia 1981 r. (Dz. Nrm. i Miar nr 16/1980 pz. 62) WYOAWNCTW' NORMALZACYJN 1980. Du'. Wyd. Nm. W w. Ak. wyd. 120 Nk. 2800 + SS Zm 21>17 180 Cena z.ł 720
2 BNBO/337S31. O $.Badana w' grupie A B C i D wg ark. 00 p.s. 6. WYmagania szczegółwe d bacteń gr LpY A. B. C D a) badania pdgrlpy A sprawdzenie wymar6w: D D A wg rys; 1 i tab. b) badania pdgrlpy A2 sprawdzenie pdstawwych parametrów eektrycznych wg tab. 2 c) badania pdgrupy A3 sprawdzene drugrzędnych pa M.metr6w eektrycznych wg tab. 3 d) badania pdgrupy A sprawdzenie parametrów eektrycznych w t b= 12S m C (pzim i V) wg tab e) badania pdgrlpy B i C sprawdzenie wytrzxmałścimechanicznej wyprwadzeń: próba Ubmet9aa 2;2; S N 3 cyke' ; próba Ua' 5 N sprawdzenie szczenści: próba Qk pazim nieszczenści 15' 5 Pa' am3 /s f) ba'dania pdgrupy B3 sprawdzenie wytrzyma łśc na spadki swbdne: płżenie tranzystra w czasie spadania wyprwadzen am d góry g).:adana j) badania pdgrupy C2 sprawdzenie parametrów e ektrycznych wg tab. 3 k) badania pdgrupy C3 sprawdzenie masy wyrbu;! g ) badania pdgrupy C sprawdzenie wytrzymałści na przyspieszenie stałe: kierunek prbierczy bydwa kierunki wzdłu;t. si wyprwadzeń mcwanie za budwę sprawdzenie wytrzymałści na wibracje stałej częsttiwści (pzim ) raz zmiennej częsttiwści (pzim 'i V) mcwanie za budwę sprawdzenie wytrzymałści na udary wiekr'tne: ' mcwanie za budwę m) badana pdgrupy CS Ac:L O nj badania pdgrupy C7 sprawdzenie wytrzymałśc 'i zimn 55 C ) badania pdgrupy CB sprawdzenie wytrzymałści na suche griłc (pzim i V) S5 0 C p) badania pdgrupy CO sprawdzenie wymiarów wg rys. i tab. r) badania pdgrupy D (pzim i V) sprawdzenie dprnści na niskie ciśnienie atmsferyczne: temperatury na pdgrlpy B C sprawdzenie wytrzymałśc: na udary ekrtne: mcwanie za budwę h) badania podgrupy 'B5 i es sprawdzenie ci na. nagłe zmhińy tempemtury: 'TA 55' C (pzim V) wy trzymałś T B»15S C naratenia 2S C. s) badanie pdgupy 0 sprawdzenie wytrzymałści peśó p badaniu brak prstu peśni t)' badanie pdg.upy 05 sprawdzenie wytrzymałści ) badania pdgr.py S6 : C6;..sprawdżeni e cprnści'ia ' mgł'ęsónę:piienie 'i :ranzyira dwne naratena eektryczne: tkład OB wg PN';:7B!T::01S5 tab.? :!mb25c BmA UCB=OOV w'} pram etryeet;; Ycesp;'aw'dzrie w czasi e.. ' '. :....; :... '. bctar)iach grpy B C i [j w tab. 5. ' ' ' na na :1'0.. ' Tabica 2. Parametry eektryczne sprawdzane w baniu POdgrUpy' A 2 (pzim. 'i ' V). Wartści graniczne Oznaczenie Metda.Jed Lp. iterwe pmiaru Warunki pmiaru nstka BF 257 BF 2SB BF' 259 parametru wgpn7/ TOS0 m in max min max min max 1 2 3 5 6 7 B g O 11 U CB 0 V 1 O 50 1 CBO ark. 05 [JCB= 200 V O na 50 U CB = 250 V.. O 50 C 00/LA 2 ark. 0 U(BR) CBO 1 = O B 3 U(BR) CO 1) ark. 07 U(BR) t!bo ark. 0 5 h 21 1) ark. OB 1 ao ma C 1 = O 1 =0/LA 1 C C 30 ma U 0 V. C V 160 250 300 V 160 250 300 V 5 5 5 25 25 25 1) Pmar mpuswy: tp300 s 6 2'....
BN80j337531.01 3 T a bi ca 3 Parametry eektrvczne sprawdzane w badaniu pdqrupy A3 i C2 (pzidm V) Lp. Oznaczenie iterwe parametru Wartści graniczne Metda Jedpmiaru Warunki pmiaru ns tka BF 257 BF 258 BF 259 wg PN7jT0150 min max min max min max 1 2 3 5 6 7 8 9 11 1 U C sa ark. 02 C= 30 ma a= 6 ma V. 1 1 1 C: 30 ma 2 f T ark. 2 U = C O V MHz 0 0 30 f= 20 MHz Lp. Oznaczenie iterwe parametru Tabica Parametry eektryczne sprawdzane w badaniu pdqrupy A (pzim V) 1 2 3 5 6 7 8 9 1 1 CBO U ca = 0 V = O 20 tumb = 125 C U = 200 V CB ark. 05 = O t amb = 125 C U = 250 V CB łka 20 O 20 tamb = 25 0 C Oznaczenia ierwe parametru Tab! ica 5 Parametry eektryczne sprawdzane w czasie i p badaniach qrupy 8 C i O (pzim V) Wartści graniczne Metda Jedpmiaru Warunki pmiaru ns tka BF 257 BF 258 BF 259 wg PN7j TO 50 min max min max min max Wartści graniczne Metda..Jed Pdgrupa pmiaru Warunki pmiaru ns tka badań wg PN7j BF 257 BF 258 BF 25 TO 50 min max min max min max 1 2 3 5 6 7 8 9 11 CBO ark. 05 i CB = 0 v: O B 83 8 85 50 C C C5 [JCB 200 V = O C7 C9 D 1) 50 [JCB = 250 V = O 50 na U CB 0V=0 86 C6 C8 250 U CB 200 V f O 250 U CB = 250 V O 250 /J CB 0 V = O C2 3 ) 20 /J CB 200 V J O!LA 20 U CB 250 V O 20 81 83 8 85 C C2 C C5 25 25 25 C7 C9 01 1 ) h 2) ark. 08 21 1) W czasie badania. 2) Pmiar impuswy: tp 300 /Lsi 6 2%. 3) W czasie badania dprnści na suche gręc. ) W czasie badania dprnści na zimn. U C : 1.0 V C 30 ma 86 C6 ce 20 20 20 C2 ) O 7. Pztałe pstanwienia wg BNej337531.00. nfrmacje ddatkwe KONC
nfrmacje ddatkwe d BN80j337531. O NFORMACJ DODATKOW 1. nstytucja pacwujpca nrmę NaukwPrdukcyJ_ ne CentrU P6łpzewdnk6w. 2. Nrmy zwpzane PN73j0550 Wyrby eektrtechniczne. P6by 'F'N72jT 01503.23 ementy p6łpzewdnikwe. i wymiary. Pdstawa B Zarysy PN72jT 01503.53 ementy p6łpzewdnikw.e. Zarysy wymiary. Obudwa C PN7jT0150.02 TanzystY. Pmiar napięć UC sa ' UB su PN7jT 0150.0 Tranzystry. Pmiar napięć U(BR)CBO i U(BR)BO PN7jT 0150.05 Tranzystry. Pm ia P\d6w wstecznych [CBO [BO nasycenia przebicia śdwiskwe PN7jT_0150.07 Tranzystry. Pmiar napi.ć przebicia u U U U metdę impuswę (BR)CO' (BR)CR' (BR)CS (BR)CX PN7jT0150.08 Tranzystry. Pmiar [hzd metdę impu sw\. PN7jT0150.2 Tranzystry. Pm ia mdułu h 21 e w zakresie w. cz. i częstt iwści f T PN78jTO515 ementy p6łpzewdnikwe. Og61ne wymagania i badania BN80j337531.00 ementy p6łpzewdnikwe. TranzYstry małej mcy wiekiej częstt iwści. Wymagania i badania 3. Nrmy zagraniczne RWPG GT C B 136078 TpaH3HCTO!»>1 TJ.łnOB BF 257 BF 258 BF 259 nrma zgdna.. Symb wg K TM BF 257 115622317001 BF 258 115622318002 BF 259 115622319003. 5. Wartści dpuszczane wg tab. 118Z rys. i 12 Tabica Wartści dpuszczane Lp. Oznaczenie Nazwa parametru Jedparametru ns tka BF 257 BF 258 BF 259 1 2 3 5 6 7 1 UCBO Napięcie kektrbaza V 160 250 300 2 U CO Napięcie kektremiter V 160 250 300 3 U CR Napięcie kektremiter przy RB' ki V 160 250 300 U BO Napięcia emiterbaza V ' 5 5 C P{d kektra A O 1 6 P 1 (ease 50 0 C 5 Całkwita mc wejściwa (stała ub średnia) W na wszystkich eektrdach przy t amb 25 0 C 08 7 t j Temperatura zł{cza Oc 175 8 t sg Temperatura przechwywania Oc 55i+175 9 tumb Temperatura tczenia w czasie pracy Oc 0++125
> nfrmacje ddatkwe d BN80j337531. 01 5 c [ma 00 0 DC tcnt 50C 1\ f \ f r\ > PŁt. [H) 5 3 2 T!!! i z 0 5 1GOV nr 30DY T\ ł '! [T! fj ó '. 2 5 5 O.p \;. r.! ;'Q... S. too 1[1 18.80/3375 31.0112 Rys. 12. Zaeżnść temperaturwa mcy strat Ptt=f(t) 1 0 )60 2503 00 U C [V (8N'80375 31.0H i BF257 BF259 BF258 Rys. 11. Obszar bezpiecznej prac y tranzystrów BF 257 BF 258 BF 259 6 Dane charakterystyczne wg rys. 13.;. 19 i tab. 12. 0 e. [pa t 001 000\ UCB : DV B 257 Uca : 20DVBF Z 8 Uca = Z50VSF 259 1/ 1/ ) O Z5 50 0 150 200 t.mb [0 C BN 80/3375 31.0H 31 re [ma] \ZO 0 a 60 0 20 BF 257 8f25S SFZ59 V 17 v... V 06 j / r; j...'./ V 0 V... r './ V... 2 t =25( V... V 1& j...' V' V 08 V B= OmA BN80/3375?1.011t Rys. 13. Zaeżnść temperaturwa prędu zerweg kek tra [C B O = fua mb ) Rys. 1. Charakterystyka wyjściwa [c=f(u C ): Bparametr
6 nfrmacje ddatkwe d BN80j337S31. 01. C 1Z es [ pf] 8F 257 8F 258 BF 259 c [ma 60 &0 0 O z 8F 257. 8 ZS8 af259 V V 1/ V 1/ Łb = 25[ i... 0.5 0. 0.3 O.! '1'0.. r : 1mA f=1mhz tumb = 2SC r r.... OmA O O 30 Ue! [V] 50 2 3 6 8 20 30 0 Ue. [vj!bnao/3!?! )1.01 151!BN80/33?5 \.Q1161 Rys S Charakterystyka wyjści wa parametr c =J (UC)jB Rys. 16. Zae!nść pjemnści sprzę!enia zwrtneg C 12es d napięcia U CB ; Czes=f(UcB f r [MHz) 80 70 60 0 30 20 f 8F 257 8F 258 f : 20 MHz 8F Z 59 tumb: 25C./ '\ \ i'... 1\ ':.: /.. \ ;...' UC : 1V. V' ' r i'. UC : V... UC : 5 V.. UC(:3V Z 3 5 G 789 20 30 0 50 70 0 re [ma]!no337531.0117! Rys 17 Zae!nść częsttiwści granicznej d prpdu kektra f T.. H/C
.. ;. nfrmacje ddatkwe d BN80j337531. 01 7 [es [pfj 9 8 7 6 S 3 2....... '.... '.. ' :.... '. r...... UC : 30V f : 1 MHz BF 257 BF 258 tamb 2S C af 2 59.............'...............'. '..'.... '. '...... t f 2 3 G 8 ZD 30 0 GO 80 0 Ue. [V] SN:80J.3 '175 itj łł U C tv] 8 7 6 5 \ BF 257 \ J BF 258 \ V ar z f:: 20 HWz 59 \ J tab = 25 C \ ' J 1/ V / J 3 ł ft.1 SQHHz f T : GO MHz fr 70MHz..... \ V V J 1/ 1.1''' V / /. ' / ' {=1SH z Z 3 5 20 30 łoo C [ma] 18N80/337511.Qf Q. Rys. 19. Krzywa stałej wartści częsttiwści granicznej f t w funkcj i zasiania e = f ( ic )
8 nfrmacje ddatkwe d 8N80/337531. 01 Typ LP. Oznaczenie Nazwa Warunki pmiaru Jed 8F 257 BF 258 BF 259 parametru parametru ns tka r.rhn typ max min typ max min typ max 1 2 3 5 6 7 8 9 11 12 13 1 2 Prę d zerwy CBO kektra U(BR)CBO ' 0 V 'CB 1 = O 50 LC B = 200 V O t) N O Q na 50 U = 250 V CB O 50 U CB = 0 V = O 20 O U t) ce = 200 V N JiA 20 f. O ic B = 250 V Napięcie prze.. C' 0JiA n Q = O bicia V 160 250 300 kektrbaza = O B Napięcie prze C O ma 3 U 1 bicia kektr V 160 250 300 (BR)CO (BR)BO emiter Napięcie prze bicia emiterbaza Statyczny współczynnik wzmcnienia = O = 0 JiA C O = 30 ma C V 5 5 5 5 h ) 21 prędweg w 25 70 25 0 25 0 układzie wspó U = V C neg emitera. Napięcie na e 30 ma 6 U Csat sycenia kek V 02 1 0 1 05 1 J. = 6mA tr emiter B Częstt iwść C = 30 ma 7 f T graniczna [ C = V MHz 0 90 0 80 30 80 8 CCBO Pjemnść f 20 MHz U ' CB 30 V k ektrbaza O pf f = 1 MHz. 20 9 C 12es Pjemnść sprzężenia ' cs 30 V zwrtneg (przy wejściu zwartym da przebiegów f' 1 ma pf 33 33 33 zmiennych) w f = 1 MHz układzie wspóneg em itera ) Pmiar impuswy: t p 300 Ls h 2%.