Lecture 2. Spin depend electron transport: AMR, GMR
|
|
- Agata Pawlik
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Lecture 2 Spin depend electron transport: AMR, GMR
2 Magnetorezystancja Anizotropowa Magnetorezystancja AMR origin spin orbit coupling ( 1960) Gigantyczna Magnetorezystancja GMR 1986 oscillatory interlayer exchange coupling in Fe/Cr/Fe multilayers P. Grünberg et al. Phys Rev.Lett. 57 (1986), GMR in Fe/Cr/Fe multilayers M. N. Baibich,..., A.Fert,.. et.al. Phys Rev.Lett. 61 (1988), 2472
3 Definicja magnetorezystancji Magnetorezystancja to zmiana oporu elektrycznego pod wpływem pola magnetycznego ΔR(H) R = R(H) R(Hmax) R(Hmax) R(H) i R(H max ) są odpowiednio: Oporem w polu magnetycznym o wartości H i maksymalnym polem w czasie pomiaru H=H max
4 Znane efekty magnetooporowe (MR magnetoresistance) OMR (ordinary) zwyczajny magnetoopór (wywołany siłą Lorentza) AMR (anisotropic) anizotropowy magnetoopór, obserwowany w ferromagnetykach (wywołany zmianą orientacji namagnesowania, względem kierunku prądu ) GMR (giant) gigantyczny magnetoopór (związany z zależnym od spinu rozpraszaniem elektronów w układach warstwowych) TMR (tunnel) tunelowy magnetoopór (związany z zależnym od spinu prawdopodobieństwem tunelowania) CMR (colossal) kolosalny magnetoopór (wywołany zmianą charakteru przewodnictwa pod wpływem pola magnetycznego i/lub temperatury)
5 Mechanizm AMR Uproszczona struktura pasmowa ferromagnetyka Prawdopodobieństwo rozpraszania elektronów 4s do stanu 3d jest różne dla elektronów ze spinem i. Można wykazać, że prawdopodobieństwo rozpraszania s d jest większe w przypadku elektronów poruszających się wzdłuż kierunku namagnesowania, czyli wówczas gdy M r II r j
6 Zakres występowania efektu OMR i GMR Dominuje AMR Dominuje OMR ρ H ρ H ρ H=0 ρ H K H
7 AMR ρ > ρ ρ - rezystancja właściwa ferromagnetyka dla prądu płynącego zgodnie z kierunkiem namagnesowania (ϕ = 0 o ) ρ - rezystancja właściwa ferromagnetyka dla prądu płynącego w kierunku prostopadłym do namagnesowania (ϕ = 90 o ) ρ = ρ + Δ ρ cos 2 ϕ M r j r ϕ Δ ρ = ρ ρ
8 Proces przemagnesowania cienkiej warstwy z anizotropią jednoosiową (a)przemagnesowanie w polu równoległym do osi łatwej (EA easy axis) H II. Skokowa zmiana kierunku namagnesowania w polu koercji H C (b)przemagnesowanie w kierunku trudnym (H do EA). Dla H<H K (H K pole anizotropii) liniowa zmiana składowej wektora M w kierunku H. W zastosowaniach AMR wykorzystywane jest zazwyczaj przemagnesowanie dla H EA
9 AMR dla cienkiej warstwy ferromagnetycznej (o grubości d, szerokości b i długości l) z anizotropią jednoosiową przemagnesowywanej w kierunku prostopadłym do EA (zakładamy, że EA jest równoległy do kierunku przepływu prądu). ( ) Δ Δ + = 2 1 H K H R H R ρ ρ ρ ρ Δ + = ϕ ρ ρ ρ 2 cos 1 bd l R l b j r M r d H r EA Wektory M, H, j leżą w płaszczyźnie warstwy
10 Zmieniając kąt pomiędzy kierunkiem EA i kierunkiem przepływu prądu (kąt ϕ 0 ) można uzyskać zmianę zależności R(H) (w zakresie H<0.5H K ) od parabolicznej dla ϕ 0 = 0 o do liniowej dla ϕ 0 = 45 o. + Δ + = 0 cos 2 arcsin 1 ϕ ρ ρ ρ H K H bd l R
11 Wykorzystując podane zależność R(ϕ 0, H) opracowano mostkowe elementy magnetooporowe, wytwarzane na bazie warstw permalojowych (Ni 80 Fe 20 ). Układy te dzięki zmianie kąta ϕ 0 w sąsiednich gałęziach mostka o 90 o nie wykazują składowej stałej napięcia U na wyjściu oraz charakteryzują się dużą stabilnością termiczną sygnału, a dzięki dużej wartości czynnika l/bd wartość sygnału wyjściowego jest rzędu mV. Elementy takie znalazły zastosowanie jako: mierniki pola magnetycznego, elementy mnożące (stosowane w watomierzach), układy oddzielenia galwanicznego, obrotomierze, itp.
12 AMR- Anisotropic magnetoreistance effect AMR effect can be described as a change of resistance in respect to the angle Θ between sensing current and magnetization M. R = R0 + ΔR cos 2 Θ (4.1)
13 Magnetoresistive sensor Θ = sin 1 ( H y / H k ) (4.2) 2 R = R + ΔR[1 ( H y / H ) ] (4.3) 0 k The value of demagnetizing field, avereged over the element depth, is proportionat to ratio width to length (T/D).
14 Magnetoresistance vs. disk field The vertical field is not sufficient to saturate MR-element, that is, M y <M sat at the middepth y=d/2, an exact analytical solution for the magnetization angle Θ as a function of element depth is: (4.4) = Θ tan ) ( y D T M H y S bias π For MR-element H K << y H D.
15 The work point of MR output signal The slope of this approximated characteristic is equal to ΔR/2 y H bias and it represents the sensitivity of the MR-element when vertical bias field is used. When the proper vertical bias field is used, the output voltage, IδR, is large and linear. Typically, deviations from linearity cause about 20dB of even harmonic distortion, which is stisfactory for a binary or digital channel, is not sufficiently linear for an analog signal channel. If vertical biasing is not used, the response is of low sensitivity and is highly nonlinear.
16 AMR - head λ π λ πδ δ λ π ρ ρ λ π λ πδ λ π / 2 1 / 2 1 / 2 / 2 / 2 w e e e H M IR U w x D y x out Δ =
17 Najczęściej stosowanym materiałem w elementach wykorzystujących efekt AMR są cienkie warstwy permaloju (Ni 80 Fe 20 ). Parametry charakteryzujące warstwy Ni 80 Fe 20 : H C 2 Oe H K 5 Oe ΔR/R 4% w temperaturze pokojowej i grubości warstwy powyżej 100nm. Dla mniejszych grubości ΔR/R silnie maleje ze zmniejszaniem grubości. Z punktu widzenia zastosowań jednym z najważniejszych parametrów sensorów magnetorezystancyjnych jest czułość polowa efektu magnetooporowego określająca względne zmiany oporu wywołane jednostkowym polem magnetycznym S=ΔR/(R ΔH). W sensorach AMR mimo stosunkowo małej wartości ΔR/R można dzięki małej wartości H K uzyskać czułość rzędu S=0.5%/Oe.
18 Ohms law for galvanomagnetic effects E = ρ j + (ρ - ρ ) m (m j ) + ρ Η (m j ) m = M / M m x =sinθ cosφ m y =sinθ sinφ m z =cosφ, magnetoresistivity Δρ = ρ - ρ
19 Galvanomagnetic effects in the plane of thin film Longitudinal magnetoresistivity effect E x = ρ j x + ( x ρ ρ 2 ϕ // ) j cos Transversal magnetoresistivity effect E y = ρ ρ 2 // sin 2ϕ
20 Angle dependence of the longitudinal magnetoresistivity U = R i U = R i U x U U U 2 = cos φ 1 50 nm Ni 80 Fe 20 μ 0 H = 0.11 T Δρ / ρ = 2.39 % (U x U ) / (U U ) φ (M,j) 0
21 Giant Magnetoresistivity - GMR 10 nm I = const ferromagnet nonferromagnet (Cu) ferromagnet U p I = const U a magnetoresistance U a U U p p = R a R p R p = ΔR R p 5 100%
22 Efekt gigantycznego magnetooporu GMR (giant magnetoresistance) odkryty został w 1988 roku (P. Grünberg, A. Fert) w wielokrotnych warstwach Fe/Cr. Odkrycie to poprzedzone zostało obserwacją wskazującą na możliwość uzyskania w stanie remanencji antyrównoległej konfiguracji namagnesowania (antyferromagnetycznego międzywarstwowego sprzężenia wymiennego AFMSW) w sąsiednich warstwach ferromagnetycznych. Wykazano również, że MSW ma charakter oscylacyjny tj. prowadzi do równoległej lub antyrównoległej konfiguracji namagnesowania, w zależności od grubości niemagnetycznej przekładki (Crw omawianym przypadku) rozdzielającej warstwy ferromagnetyczne (Fe). Efekt GMR obserwowany jest jedynie dla warstw wykazujących AFMSW czyli takich, dla których pod pola magnetycznego zachodzi zmiana wzajemnej orientacji namagnesowania od antyrównoległej (H=0) do równoległej (H>H S ).
23 μ 0 H [T] [Cr 10 /Fe 30 ]x60+cr 8 μ0m S t cos( θ 1) = cos( θ 2) = 2J H ΔR/R [%] H/H S M/Ms [a.u.] A-F J= 0.6 [10-6 J/m 2 ] μ 0 M S = 0.59[T] H/H S R R R = R + 2 [ 1 cos( θ θ )] 1 2 Ni-Fe t=1.8 /Cu d= a) μ 0 H [mt] R R H ΔR H = S 2
24 GMR is isotropic in respect to the current [Cr 10 /Fe 30 ]x60+cr 10 kąt obrotu [ o ] MR [%] a) b) μ 0 H [T] c) Hrot = 0.57 T MR [%]
25 GMR można wyjaśnić w oparciu o zależne od spinu rozpraszanie elektronów. Zakaz Pauliego rozpraszanie może zachodzić jedynie do wolnych stanów kwantowych. Najczęściej zachodzą rozpraszania elastyczne (z zachowaniem energii) a tym samym decydująca jest gęstość stanów na poziomie Fermiego D(E F ). ρ D(E F ) Dla ferromagnetycznych metali 3d D (E F ) D (E F ) a w konsekwencji ρ ρ
26 Prawdopodobieństwo rozpraszania elektronów z odwróceniem spinu jest małe. Dlatego możemy ruch transport elektronów ze spinem i traktować jak dwa niezależne kanały przewodnictwa.
27 Efekt GMR w antyferromagnetycznie sprzężonej trójwarstwie F/NF/F (F ferromagnetyk, NF metal nieferromagnetyczny) Gdy H=0 - antyrównoległa konfiguracja namagnesowania warstw ferromagnetycznych. W konsekwencji prawdopodobieństwo rozpraszania elektronów o różnej orientacji spinów jest takie samo, a efektywna oporność układu wysoka. W obecności dostatecznie silnego pola magnetycznego (H HS) kierunki namagnesowania warstw ferromagnetycznych są równoległe do pola H, a tym samym wzajemnie równoległe. Dla takiej konfiguracji większe prawdopodobieństwo rozpraszania mają elektrony o spinie. Wypadkowa oporność jest mniejsza w związku ze słabym rozpraszaniem elektronów o spinie.
28 Warunki wystąpienia GMR (wynikające z fenomenologicznego opisu zjawiska przedstawionego na poprzedniej stronie) 1 Kierunki namagnesowań w sąsiednich warstwach muszą pod wpływem pola magnetycznego zmieniać wzajemne ustawienie od niekolinearnego (najlepiej antyrównoległego) do kolinearnego (równoległego, czyli stanu jaki możemy uzyskać przykładając dostatecznie duże pole magnetyczne). 2 Elektron o określonym spinie musi oddziaływać, z co najmniej dwoma warstwami ferromagnetyka. Oznacza to, że grubości warstwy przekładki nieferromagnetycznej musi być mniejsza niż średnia droga swobodna elektronów
29 Struktury warstwowe wykazujące efekt GMR Struktura R(H) Struktura R(H)
30 Międzywarstwowe sprzężenie wymienne i GMR w warstwach wielokrotnych
31 Sprzężenie wymienne Znak i wartość energii sprzężenia zależy od grubości warstwy nieferromagnetycznej ( t NF ), czyli odległości pomiędzy sprzężonymi warstwami ferromagnetycznymi Sprzężenie to (J) ma charakter zanikających oscylacji Sprzężenie ferromagnetyczne równoległe położenie kierunków namagnesowań w kolejnych warstwach ferromagnetycznych, w zerowym polu magnetycznym Sprzężenie antyferromagnetyczne antyrównoległa konfiguracja kierunków namagnesowań w zerowym polu magnetycznym
32 20 A Ilustracja oscylacyjnego charakteru sprzężenia wymiennego Struktura domenowa (domeny białe i czarne mają wzajemnie antyrównoległą konfigurację namagnesowań) w układzie F 1 /NF/F 2. F 1 monokryształ Fe (dolna część na rys. z lewej strony) NF warstwa Cr w kształcie klina zapewnia zmianę t NF, F 2 cienka warstwa Fe Lewa strona schematyczna ilustracja. Prawa strona zdjęcie struktury Cienka warstwa Fe domenowej warstwy F2. F 2 =Fe NF=Cr Cienka warstwa Cr zmiana kontrastu świadczy o oscylacjach sprzężenia Rozmycie granic pomiędzy domenami świadczy o malejącym oddziaływaniu z tnf μm Około 2 00 μm F 1 =Fe Podłoże Fe
33 Structure of Fe film/ Cr wedge/ Fe whisker illustrating the Cr thickness dependence of Fe-Fe exchange. Above, SEMPA image of domain pattern generated from top Fe film. (J. Unguris et al., PRL 67(1991)140.)
34 M(H) i R(H) dla warstw o sprzężeniu: -Antyferromagnetycznym (AF) - linia czarna największy GMR -Mieszanym - linia czerwona -Ferromagnetycznym (FF)- linia zielona brak GMR Tylko obszary o sprzężeniu AF dają wkład do GMR
35
36 Zależność GMR od grubości przekładki niemagnetycznej w warstwach wielokrotnych (przedstawiony poniżej przykład dotyczy wielokrotnych warstw Co/Cu) UWAGA: zgodnie z 1-wszym warunkiem wystąpienia GMR, efekt ten występuje tylko w obszarach o sprzężeniu AF.
37 Pomiar GMR Pomiaru GMR wykonywany jest zazwyczaj metodą czteroelektrodową (zewnętrzne elektrody są elektrodami prądowymi, wewnętrzne elektrody służą do pomiaru napięcia) Próbka musi być umieszczona w jednorodnym polu magnetycznym H, którego wartość jest zmieniana w trakcie pomiaru.
38 GMR(H) Jak obliczyć wartość GMR? = ΔR(H) R(H ) S = R(H) R R 100% R(H) R(H R(H ) - GMR(H) gigantyczny magnetoopór, -ΔR(H) przyrost oporu (R(H)-R(H S )), - R(H) opór w polu H, -R - opór warstwy wielokrotnej z tym samym kierunkiem namagnesowania, we wszystkich warstwach ferromagnetycznych. -R(H S ) opór w polu nasycającym Amplitudą lub wartością GMR nazywamy największą osiąganą wartość w zależności GMR(H): = S S ) 100% GMR = R R -R 100%
39 Co to jest czułość GMR? S = GMR H S = R R R H S 100% Jest to względna zmiana oporu w jednostkowym polu magnetycznym, zazwyczaj definiowana w powyższej postaci, GMR wartość GMR HS pole nasycające R opór w zerowym polu magnetycznym R opór w polu nasycającym Parametr czułości GMR jest bardzo ważny z punktu widzenia zastosowań
40 Jak wyznaczyć pole nasycające efektu GMR? 0,568 0,566 0,564 0,562 R [Ω] 0,560 0,558 a) 0,556 0,554 0,552 b) H [Oe] Z przecięcia czerwonych prostych a) i b) wyznaczamy pole HS pole nasycające
41 Jak obliczyć energię sprzężenia AF? J AF = μ J AF sprzężenie antyferromagnetyczne M S namagnesowanie nasycenia t grubość przekładki magnetycznej H S pole nasycające efektu GMR lub pętli histerezy magnetycznej μ 0 przenikalność magnetyczna próżni 0 M 4 S t H S
42 Efekt GMR w układach typu zawór spinowy
43 Zawory spinowe spin valve (SV) Pierwszy z warunków wystąpienia GMR w SV zapewniony jest dzięki przyszpileniu kierunku namagnesowania w jednej z warstw F w układzie F/NF/F
44 Oddziaływanie wymienne antyferromagnetyk - ferromagnetyk Dzięki oddziaływaniu wymiany warstwa ferromagnetyczna wykazuje anizotropię jednozwrotową pętla histerezy nie wykazuje symetrii względem H=0
45 Przemagnesowanie i GMR zaworu spinowego (a) pętla histerezy warstwy swobodnej (F2) (b) pętla histerezy warstwy przyszpilonej (F1) (c) efektywna pętla histerezy zaworu spinowego (d) gigantyczny magnetooporu zaworu spinowego (AF/F1/NF/F2). HEB pole anizotropii wymiany M1 (strzałka czerwona) kierunek namagnesowania warstwy F1, M2 (strzałka niebieska) kierunek namagnesowania warstwy F2. Linia różowa i zielona ilustrują zakresy wartości pola magnetycznego, dla których (Θ1-Θ2)=180, dla H zmieniającego się od wartości dodatnich do ujemnych (linia różowa) i w kierunku przeciwnym (linia zielona).
46 Pseudo zawory spinowe (pseudo spin valve) PSV Pierwszy z warunków wystąpienia GMR w PSV zapewniany jest dzięki różnej wartości pola koercji warstw ferromagnetycznych w układzie F/NF/F Ferromagnetyk twardy (o dużym polu koercji) Przekładka niemagnetyczna Ferromagnetyk miękki (o małym polu koercji)
47 Przemagnesowanie i GMR pseudo zaworu spinowego a)pętla histerezy warstwy F1, b)pętla histerezy warstwy F2, c)efektywna pętla histerezy układu F1/N/F2, strzałki czerwone oznaczają kierunki namagnesowań warstwy F1, strzałki niebieskie kierunki namagnesowań warstwy F2 d)magnetoopór pseudo-zaworu spinowego.
48
49 Pseudo spin valve (PSV) M(H) & R(H) Two stages charactristics NiFe 2.8nm /Co 2.1nm /Cu 2nm /Co 3nm 1,5 8 7 M 1 M 2 M 1 M 2 1,0 6 μ0m [T] 0,5 0,0-0,5 ΔR/R [%] ,0-1, Field [ka/m] 2 M 1 M 1 M 2 M Field [ka/m]
50 Magnetic dots Co (4nm) Cu (3nm) NiFe (6nm) 0,3 0,2 Rotacja [min] 0,1 0,0-0,1-0,2 15 [Hz] 10 [Hz] 5 [Hz] 1 [Hz] 0,5 [Hz] -0,3-1,0-0,5 0,0 0,5 1,0 H[kOe]
51 Przykładowe zastosowania układów wykazujących GMR Głowice odczytu twardych dysków Pamięci M RAM Czujniki pola magnetycznego Pomiar parametrów ruchu obrotowego Bezstykowy pomiar prądu I inne
52 Większa gęstość zapisu informacji na twardym dysku wymaga bardziej czułych głowic odczytujących 1,6 miliarda bitów na cal kwadratowy (z lewej), 5 miliardów (w środku) i 10 miliardów (z prawej)
53 Głowica odczytu twardego dysku
54 Pamięci magnetyczne Ferrytowe pamięci magnetyczne swobodnego dostępu (RAM) używane były do lat 70-tych. Magnetyczne RAM-y wyparte zostały przez pamięci półprzewodnikowe. Wadami pamięci półprzewodnikowych są: -konieczność zasilania -duże rozmiary komórek pamięci Jak wygląda najbliższa przyszłość pamięci RAM?
Badanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu
Badanie czujników pola magnetycznego wykorzystujących zjawisko gigantycznego magnetooporu Uczestnicy: Łukasz Grabowski Barbara Latacz Kamil Mrzygłód Michał Papaj Opiekunowie naukowi: prof. dr hab. Jan
Bardziej szczegółowoFerromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych
SEMINARIUM SPRAWOZDAWCZE z prac naukowych prowadzonych w IFM PAN w 2014 roku projekt badawczy: Ferromagnetyczne materiały dla kontrolowanego pozycjonowania ścian domenowych Umowa nr UMO-2013/08/M/ST3/00960
Bardziej szczegółowoStanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego
Stanowisko do pomiaru magnetorezystancji elementu odczytowego głowicy dysku twardego Opracował : Witold Skowroński Konsultacja: prof. Tomasz Stobiecki Dr Maciej Czapkiewicz Dr inż. Mirosław Żołądź 1. Opis
Bardziej szczegółowoZastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM
Część 3 Zastosowanie GMR w dyskach twardych HDD i pamięci MRAM wiadomości wstępne krótka historia dysków od czasu odkrycia GMR rozwój głowic MR i GMR odczyt danych, ogólna budowa głowicy budowa i działanie
Bardziej szczegółowoSiła magnetyczna działająca na przewodnik
Siła magnetyczna działająca na przewodnik F 2 B b F 1 F 3 a F 4 I siła Lorentza: F B q v B IL B F B ILBsin a moment sił działający na ramkę: M' IabBsin a B F 2 b a S M moment sił działający cewkę o N zwojach
Bardziej szczegółowoPodstawy Mikroelektroniki
Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Podstawy Mikroelektroniki Temat ćwiczenia: Nr ćwiczenia 1 Pomiary charakterystyk magnetoelektrycznych elementów spintronicznych-wpływ
Bardziej szczegółowoUrządzenia elektroniki spinowej
Urządzenia elektroniki spinowej Tomasz Stobiecki Współautorzy: Maciej Czapkiewicz, Jarosław Kanak, Witold Skowroński, Jerzy Wrona Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie al. Mickiewicza
Bardziej szczegółowoMetody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej
Metody pomiarowe spinowego efektu Halla w nanourządzeniach elektroniki spinowej Monika Cecot, Witold Skowroński, Sławomir Ziętek, Tomasz Stobiecki Wisła, 13.09.2016 Plan prezentacji Spinowy efekt Halla
Bardziej szczegółowoPolitechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Materiały magnetyczne Właściwości podstawowych materiałów magnetycznych
Bardziej szczegółowoMateriały magnetycznie miękkie i ich zastosowanie w zmiennych polach magnetycznych. Jacek Mostowicz
Materiały magnetycznie miękkie i ich zastosowanie w zmiennych polach magnetycznych Jacek Mostowicz Plan seminarium Wstęp Materiały magnetycznie miękkie Podstawowe pojęcia Prądy wirowe Lepkość magnetyczna
Bardziej szczegółowoMaciej Czapkiewicz. Magnetic domain imaging
Maciej Czapkiewicz Magnetic domain imaging Phase diagram of the domain walls Kerr geometry MOKE (Kerr) Magnetometer MOKE signal hysteresis loops [Pt/ Co] 3 [Pt/Co] 3 /Pt(0.1 nm)/irmn 10 2 5 1 Rotation
Bardziej szczegółowoBadanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1)
Badanie pętli histerezy magnetycznej ferromagnetyków, przy użyciu oscyloskopu (E1) 1. Wymagane zagadnienia - klasyfikacja rodzajów magnetyzmu - własności magnetyczne ciał stałych, wpływ temperatury - atomistyczna
Bardziej szczegółowoWłasności magnetyczne materii
Własności magnetyczne materii Ośrodek materialny wypełniający solenoid (lub cewkę) wpływa na wartość indukcji magnetycznej, strumienia, a także współczynnika indukcji własnej solenoidu. Trzy rodzaje materiałów:
Bardziej szczegółowoLaureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r.
Witold Szmaja, Leszek Wojtczak Nagroda Nobla z fizyki w 2007 r. zjawisko gigantycznego magnetooporu i jego praktyczne wykorzystanie Łódź 2008 Laureaci Nagrody Nobla z fizyki w 2007 r. Peter Grünberg (Centrum
Bardziej szczegółowoWyznaczanie przenikalności magnetycznej i krzywej histerezy
Ćwiczenie 13 Wyznaczanie przenikalności magnetycznej i krzywej histerezy 13.1. Zasada ćwiczenia W uzwojeniu, umieszczonym na żelaznym lub stalowym rdzeniu, wywołuje się przepływ prądu o stopniowo zmienianej
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 5. Magnetyzm
Wykład FIZYKA II 5. Magnetyzm Katedra Optyki i Fotoniki Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka2.html ELEKTRYCZNOŚĆ I MAGNETYZM q q magnetyczny???
Bardziej szczegółowoNagroda Nobla 2007 efekt GMR
Nagroda Nobla 2007 efekt GMR Wykład wygłoszony na AGH przez prof. Józefa Barnasia z Uniwersytetu im. A. Mickiewicza z Poznania w styczniu 2008. Prof. J. Barnaś jest współautorem wielu wspólnych publikacji
Bardziej szczegółowoOddziaływania w magnetykach
9 Oddziaływania w magnetykach Zjawiska dia- i paramagnetyzmu są odpowiedzią indywidualnych (nieskorelowanych) jonów dia- i paramagnetycznych na działanie pola magnetycznego. Z drugiej strony spontaniczne
Bardziej szczegółowoZjawisko magnetooporu
Maciej Misiorny Seminarium do przedmiotu Teoria Ciała Stałego Wydział Fizyki UAM Zakład Fizyki Mezoskopowej Poznań, 31.03.2005 Celem tego seminarium jest zaprezentowanie podstaw teoretycznych zjawiska
Bardziej szczegółowoWłasności magnetyczne materii
Własności magnetyczne materii Dipole magnetyczne Najprostszą strukturą magnetyczną są magnetyczne dipole. Fe 3 O 4 Kompas, Chiny 220 p.n.e Kołowy obwód z prądem dipol magnetyczny! Wartość B w środku kołowego
Bardziej szczegółowoElektrodynamika Część 5 Pola magnetyczne w materii Ryszard Tanaś Zakład Optyki Nieliniowej, UAM
Elektrodynamika Część 5 Pola magnetyczne w materii Ryszard Tanaś Zakład Optyki Nieliniowej, UAM http://zon8.physd.amu.edu.pl/~tanas Spis treści 6 Pola magnetyczne w materii 3 6.1 Magnetyzacja.....................
Bardziej szczegółowoZakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoLekcja 59. Histereza magnetyczna
Lekcja 59. Histereza magnetyczna Histereza - opóźnienie w reakcji na czynnik zewnętrzny. Zjawisko odkrył i nazwał James Alfred Ewing w roku 1890. Najbardziej znane przypadki histerezy występują w materiałach
Bardziej szczegółowoPrzegląd Elektrotechniczny
Przegląd Elektrotechniczny 5 Rok LXXVIII Organ Stowarzyszenia Elektryków Polskich Wydawnictwo SIGMA NOT Sp. z o.o. GMR gigantyczny magnetoopór prof. dr hab. inż. SŁAWOMIR TUMAŃSKI Politechnika Warszawska
Bardziej szczegółowoPodstawy mechatroniki 5. Sensory II
Podstawy mechatroniki 5. Sensory Politechnika Poznańska Katedra Podstaw Konstrukcji Maszyn Poznań, 20 grudnia 2015 Budowa w odróżnieniu od czujników indukcyjnych mogą, oprócz obiektów metalowych wykrywać,
Bardziej szczegółowoFizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru
Fizyka silnie skorelowanych elektronów na przykładzie międzymetalicznych związków ceru Rafał Kurleto 4.3.216 ZFCS IF UJ Rafał Kurleto Sympozjum doktoranckie 4.3.216 1 / 15 Współpraca dr hab. P. Starowicz
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI MAGNETYCZNE CIAŁA STAŁEGO
WŁASNOŚCI MAGNETYCZNE CIAŁA STAŁEGO Moment magnetyczny atomu Polaryzacja magnetyczna Podatność magnetyczna i namagnesowanie Klasyfikacja materiałów magnetycznych Diamagnetyzm, paramagnetyzm, ferromagnetyzm
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 3 Temat: Efekt magnetooptyczny 5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą modulowania zmiany polaryzacji światła oraz
Bardziej szczegółowoSpintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników
Sławomir TUMAŃSKI Politechnika Warszawska, Instytut Elektrotechniki Teoretycznej i Systemów Informacyjno-Pomiarowych Spintronika i jej zastosowania pomiarowe w konstrukcji czujników Streszczenie. W artykule
Bardziej szczegółowoKlasyczny efekt Halla
Klasyczny efekt Halla Rysunek pochodzi z artykułu pt. W dwuwymiarowym świecie elektronów, autor: Tadeusz Figielski, Wiedza i Życie, nr 4, 1999 r. Pełny tekst artykułu dostępny na stronie http://archiwum.wiz.pl/1999/99044800.asp
Bardziej szczegółowoIndukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych
Indukowana prądem dynamika momentu magnetycznego w złączach tunelowych mgr inż. Piotr Ogrodnik Warszawa, 19-05-2015 Promotor: prof. dr hab. Renata Świrkowicz Plan wystąpienia Przedmiot badań i motywacja
Bardziej szczegółowoTechnika sensorowa. Czujniki magnetyczne cz.2
Technika sensorowa Czujniki magnetyczne cz.2 dr inż. Wojciech Maziarz, prof. dr hab. T. Pisarkiewicz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Kontakt: Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Magnetorezystory
Bardziej szczegółowoSPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
Bardziej szczegółowoBadanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.
Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie
Bardziej szczegółowoMATERIAŁY XXXVI ZJAZDU FIZYKÓW POLSKICH TORUŃ 2001 WYKŁADY PLENARNE. Spin w elektronice. Józef Barnaś
Spin w elektronice Józef Barnaś Wydział Fizyki, Uniwersytet im. Adama Mickiewicza, Poznań oraz Instytut Fizyki Molekularnej PAN, Poznań 1. Wstęp W konwencjonalnych układach elektronicznych aktywnym elementem
Bardziej szczegółowoWybrane czujniki wytwarzane w technologiach półprzewodnikowych
Wybrane czujniki wytwarzane w technologiach półprzewodnikowych Czujnik (sensor) urządzenie przetwarzające jedną wielkość fizyczną na inną - najczęściej elektryczną (napięcie, natężenie prądu, opór elektryczny).
Bardziej szczegółowoReplikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych
Replikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych Maciej Urbaniak, IFM PAN 16.03.2007 Poznań Replikacja domen magnetycznych w warstwach wielokrotnych Wprowadzenie Replikacja w układach z anizotropią
Bardziej szczegółowoI. PROMIENIOWANIE CIEPLNE
I. PROMIENIOWANIE CIEPLNE - lata '90 XIX wieku WSTĘP Widmo promieniowania elektromagnetycznego zakres "pokrycia" różnymi rodzajami fal elektromagnetycznych promieniowania zawartego w danej wiązce. rys.i.1.
Bardziej szczegółowoPodstawowe własności fizyczne cienkich warstw magnetycznych
Podstawowe własności fizyczne cienkich warstw magnetycznych Badanie procesów przemagnesowania cienkich warstw przy pomocy histerezografu 1 Ferromagnetyzm 1.1 Namagnesowanie 1.2 Proces przemagnesowania
Bardziej szczegółowoWyznaczanie sił działających na przewodnik z prądem w polu magnetycznym
Ćwiczenie 11A Wyznaczanie sił działających na przewodnik z prądem w polu magnetycznym 11A.1. Zasada ćwiczenia W ćwiczeniu mierzy się przy pomocy wagi siłę elektrodynamiczną, działającą na odcinek przewodnika
Bardziej szczegółowoEfekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza
Efekt Halla Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Wstęp Siła Loretza Na ładunek elektryczny poruszający się w polu magnetycznym w kierunku prostopadłym do linii pola magnetycznego działa
Bardziej szczegółowoWłaściwości magnetyczne materii. dr inż. Romuald Kędzierski
Właściwości magnetyczne materii dr inż. Romuald Kędzierski Kryteria podziału materii ze względu na jej właściwości magnetyczne - względna przenikalność magnetyczna - podatność magnetyczna Wielkości niemianowane!
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne magnesu w kształcie kuli
napisał Michał Wierzbicki Pole magnetyczne magnesu w kształcie kuli Rozważmy kulę o promieniu R, wykonaną z materiału ferromagnetycznego o stałej magnetyzacji M = const, skierowanej wzdłuż osi z. Gęstość
Bardziej szczegółowoPL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 02/18
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 229635 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 417862 (22) Data zgłoszenia: 06.07.2016 (51) Int.Cl. G01R 33/12 (2006.01)
Bardziej szczegółowoPOMIAR TEMPERATURY CURIE FERROMAGNETYKÓW
Ćwiczenie 65 POMIAR TEMPERATURY CURIE FERROMAGNETYKÓW 65.1. Wiadomości ogólne Pole magnetyczne można opisać za pomocą wektora indukcji magnetycznej B lub natężenia pola magnetycznego H. W jednorodnym ośrodku
Bardziej szczegółowoElektrodynamika. Część 5. Pola magnetyczne w materii. Ryszard Tanaś. Zakład Optyki Nieliniowej, UAM http://zon8.physd.amu.edu.
Elektrodynamika Część 5 Pola magnetyczne w materii yszard Tanaś Zakład Optyki Nieliniowej, UAM http://zon8.physd.amu.edu.pl/\~tanas Spis treści 6 Pola magnetyczne w materii 3 6.1 Magnetyzacja.......................
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE W MEDYCYNIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE W MEDYCYNIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 4 Temat: Modulacja światła laserowego: efekt magnetooptyczny 5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą
Bardziej szczegółowoProjekt silnika bezszczotkowego z magnesami trwałymi
Projekt silnika bezszczotkowego z magnesami trwałymi dr inż. Michał Michna michna@pg.gda.pl 01-10-16 1. Dane znamionowe moc znamionowa P n : 10kW napięcie znamionowe U n : 400V prędkość znamionowa n n
Bardziej szczegółowoBadanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem
Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 5. Magnetyzm. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Wykład FIZYKA II 5. Magnetyzm Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/fizyka2.html MAGNESY Pierwszymi poznanym magnesem był magnetyt
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne w ośrodku materialnym
Pole magnetyczne w ośrodku materialnym Ryszard J. Barczyński, 2017 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Pole magnetyczne w materii
Bardziej szczegółowoWyznaczanie przenikalności magnetycznej i krzywej histerezy
Ćwiczenie E8 Wyznaczanie przenikalności magnetycznej i krzywej histerezy E8.1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest pomiar zależności B(I) dla cewki z rdzeniem stalowym lub żelaznym, wykreślenie krzywej
Bardziej szczegółowoNadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.
Nadprzewodniki Pewna klasa materiałów wykazuje prawie zerową oporność (R=0) poniżej pewnej temperatury zwanej temperaturą krytyczną T c Większość przewodników wykazuje nadprzewodnictwo dopiero w temperaturze
Bardziej szczegółowoMagnetyzm cz.i. Oddziaływanie magnetyczne Siła Lorentza Prawo Biote a Savart a Prawo Ampera
Magnetyzm cz.i Oddziaływanie magnetyczne Siła Lorentza Prawo Biote a Savart a Prawo Ampera 1 Magnesy Zjawiska magnetyczne (naturalne magnesy) były obserwowane i badane już w starożytnej Grecji 500 lat
Bardziej szczegółowoWyznaczanie stosunku e/m elektronu
Ćwiczenie 27 Wyznaczanie stosunku e/m elektronu 27.1. Zasada ćwiczenia Elektrony przyspieszane w polu elektrycznym wpadają w pole magnetyczne, skierowane prostopadle do kierunku ich ruchu. Wyznacza się
Bardziej szczegółowoRamka z prądem w jednorodnym polu magnetycznym
Ramka z prądem w jednorodnym polu magnetycznym Siła wypadkowa = 0 Wypadkowy moment siły: τ = w F + w ( ) F ( ) = 2 w F w τ = 2wF sinθ = IBl 2 sinθ = θ=90 o IBl 2 θ to kąt między wektorem w i wektorem F
Bardziej szczegółowoZjawiska fizyczne wykorzystywane w czujnikach i nastawnikach urządze. dzeń mechatronicznych
Zjawiska fizyczne wykorzystywane w czujnikach i nastawnikach urządze dzeń mechatronicznych Zjawisko fizyczne Zjawisko fizyczne przemiana, na skutek której zmieniają się tylko właściwości fizyczne ciała
Bardziej szczegółowoLXVII OLIMPIADA FIZYCZNA ZAWODY II STOPNIA
LXVII OLIMPIADA FIZYCZNA ZAWODY II STOPNIA CZĘŚĆ TEORETYCZNA Za każde zadanie można otrzymać maksymalnie 0 punktów. Zadanie 1. przedmiot. Gdzie znajduje się obraz i jakie jest jego powiększenie? Dla jakich
Bardziej szczegółowoKolokwium 2. Środa 14 czerwca. Zasady takie jak na pierwszym kolokwium
Kolokwium 2 Środa 14 czerwca Zasady takie jak na pierwszym kolokwium 1 w poprzednim odcinku 2 Ramka z prądem F 1 n Moment sił działających na ramkę b/2 b/2 b M 2( F1 ) 2 b 2 F sin(θ ) 2 M 1 F 1 iab F 1
Bardziej szczegółowoINSTRUKCJA LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI BADANIE TRANSFORMATORA. Autor: Grzegorz Lenc, Strona 1/11
NSTRKCJA LABORATORM ELEKTROTECHNK BADANE TRANSFORMATORA Autor: Grzegorz Lenc, Strona / Badanie transformatora Celem ćwiczenia jest poznanie zasady działania transformatora oraz wyznaczenie parametrów schematu
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoF = e(v B) (2) F = evb (3)
Sprawozdanie z fizyki współczesnej 1 1 Część teoretyczna Umieśćmy płytkę o szerokości a, grubości d i długości l, przez którą płynie prąd o natężeniu I, w poprzecznym polu magnetycznym o indukcji B. Wówczas
Bardziej szczegółowoWybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC
Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik
Bardziej szczegółowo30/01/2018. Wykład XII: Właściwości magnetyczne. Zachowanie materiału w polu magnetycznym znajduje zastosowanie w wielu materiałach funkcjonalnych
Wykład XII: Właściwości magnetyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wprowadzenie 2. Rodzaje magnetyzmu
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki sezon 2 4. Pole magnetyczne 1
Podstawy fizyki sezon 2 4. Pole magnetyczne 1 Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Pola magnetycznego
Bardziej szczegółowoIndukcja magnetyczna pola wokół przewodnika z prądem. dr inż. Romuald Kędzierski
Indukcja magnetyczna pola wokół przewodnika z prądem dr inż. Romuald Kędzierski Pole magnetyczne wokół pojedynczego przewodnika prostoliniowego Założenia wyjściowe: przez nieskończenie długi prostoliniowy
Bardziej szczegółowoInteligentne Systemy Pomiarowe i Sterujące (1) Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska
Inteligentne Systemy Pomiarowe i Sterujące (1) Instytut Informatyki Politechnika Poznańska zygmunt.kubiak@put.poznan.pl zygmunt.kubiak@cs.put.poznan.pl pok. 424Y, bud. WE lab. 424, bud. WE tel.: 0 61 665
Bardziej szczegółowoII.6 Atomy w zewnętrznym polu magnetycznym
II.6 Atomy w zewnętrznym polu magnetycznym 1. Kwantowanie przestrzenne w zewnętrznym polu magnetycznym. Model wektorowy raz jeszcze 2. Zjawisko Zeemana Normalne zjawisko Zeemana i jego wyjaśnienie w modelu
Bardziej szczegółowoWykład XIII: Właściwości magnetyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIII: Właściwości magnetyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wprowadzenie 2. Rodzaje magnetyzmu
Bardziej szczegółowoMetoda prądów wirowych
Metoda prądów wirowych Idea Umieszczeniu obiektów, wykonanych z materiałów przewodzących prąd elektryczny, w obszarze oddziaływania zmiennego w czasie pola magnetycznego, wytwarzane przez przetworniki
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 2 v.16 Sieci płaskie i struktura powierzchni 1 Typy sieci dwuwymiarowych (płaskich) Przecinając monokryształ wzdłuż jednej z płaszczyzn
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPole magnetyczne. Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
Pole magnetyczne Projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Pole magnetyczne Pole magnetyczne jest nierozerwalnie związane z polem elektrycznym. W zależności
Bardziej szczegółowoWykład 14: Indukcja cz.2.
Wykład 14: Indukcja cz.. Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. -1, pok.31 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 10.05.017 Wydział Informatyki, Elektroniki i 1 Przykład
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 5 Temat: Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowonapięciowych i wybranych parametrów
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoMikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK
Mikroskopia polowa Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania Bolesław AUGUSTYNIAK Efekt tunelowy Efekt kwantowy, którym tłumaczy się przenikanie elektronu w sposób niezgodny
Bardziej szczegółowoRównania dla potencjałów zależnych od czasu
Równania dla potencjałów zależnych od czasu Potencjały wektorowy A( r, t i skalarny ϕ( r, t dla zależnych od czasu pola elektrycznego E( r, t i magnetycznego B( r, t definiujemy poprzez następujące zależności
Bardziej szczegółowoMomentem dipolowym ładunków +q i q oddalonych o 2a (dipola) nazwamy wektor skierowany od q do +q i o wartości:
1 W stanie równowagi elektrostatycznej (nośniki ładunku są w spoczynku) wewnątrz przewodnika natężenie pola wynosi zero. Cały ładunek jest zgromadzony na powierzchni przewodnika. Tuż przy powierzchni przewodnika
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 15 WŁASNOŚCI MAGNETYCZNE MAGNESÓW TRWAŁYCH
WYKŁAD 15 WŁASNOŚCI AGNETYCZNE AGNESÓW TRWAŁYC Przy wzbudzaniu pola magnetycznego za pomocą magnesów trwałych występuje pewna specyfika, związana z występowaniem w badanym obszarze maszyny zarówno źródła
Bardziej szczegółowoOd fal spinowych do gigantycznego magnetooporu (GMR) i dalej
WYKŁAD NOBLOWSKI 2007 Od fal spinowych do gigantycznego magnetooporu (GMR) i dalej Peter A. Grünberg Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, Niemcy From spin waves to giant magnetoresistance
Bardziej szczegółowoWyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym
Ćwiczenie 11B Wyznaczanie momentu magnetycznego obwodu w polu magnetycznym 11B.1. Zasada ćwiczenia Na zamkniętą pętlę przewodnika z prądem, umieszczoną w jednorodnym polu magnetycznym, działa skręcający
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowocz. 1. dr inż. Zbigniew Szklarski
Wykład 14: Pole magnetyczne cz. 1. dr inż. Zbigniew Szklarski szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Wektor indukcji pola magnetycznego, siła Lorentza v F L Jeżeli na dodatni ładunek
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Gaz Fermiego elektronów swobodnych. Gaz Fermiego elektronów swobodnych
Gaz Fermiego elektronów swobodnych charakter idea Teoria metali Paula Drudego Teoria metali Arnolda (1900 r.) Sommerfelda (1927 r.) klasyczna kwantowa elektrony przewodnictwa elektrony przewodnictwa w
Bardziej szczegółowoSilniki prądu stałego z komutacją bezstykową (elektroniczną)
Silniki prądu stałego z komutacją bezstykową (elektroniczną) Silnik bezkomutatorowy z fototranzystorami Schemat układu przekształtnikowego zasilającego trójpasmowy silnik bezszczotkowy Pojedynczy cykl
Bardziej szczegółowoKatedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego. Ćwiczenie 1 Badanie efektu Faraday a w monokryształach o strukturze granatu
Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego Ćwiczenie 1 Badanie efektu Faraday a w monokryształach o strukturze granatu Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest pomiar kąta skręcenia płaszczyzny polaryzacji
Bardziej szczegółowoLaboratorium techniki laserowej. Ćwiczenie 5. Modulator PLZT
Laboratorium techniki laserowej Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdańsk 006 1.Wstęp Rozwój techniki optoelektronicznej spowodował poszukiwania nowych materiałów
Bardziej szczegółowoDielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych
Dielektryki Dielektryk- ciało gazowe, ciekłe lub stałe niebędące przewodnikiem prądu elektrycznego (ładunki elektryczne wchodzące w skład każdego ciała są w dielektryku związane ze sobą) Jeżeli do dielektryka
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoPole elektromagnetyczne
Pole elektromagnetyczne Pole magnetyczne Strumień pola magnetycznego Jednostką strumienia magnetycznego w układzie SI jest 1 weber (1 Wb) = 1 N m A -1. Zatem, pole magnetyczne B jest czasem nazywane gęstością
Bardziej szczegółowoZadanie 106 a, c WYZNACZANIE PRZEWODNICTWA WŁAŚCIWEGO I STAŁEJ HALLA DLA PÓŁPRZEWODNIKÓW. WYZNACZANIE RUCHLIWOŚCI I KONCENTRACJI NOŚNIKÓW.
Zadanie 106 a, c WYZNACZANIE PRZEWODNICTWA WŁAŚCIWEGO I STAŁEJ HALLA DLA PÓŁPRZEWODNIKÓW. WYZNACZANIE RUCHLIWOŚCI I KONCENTRACJI NOŚNIKÓW. 1. Elektromagnes 2. Zasilacz stabilizowany do elektromagnesu 3.
Bardziej szczegółowoFizyka 2 Wróbel Wojciech. w poprzednim odcinku
w poprzednim odcinku 1 Model przewodnictwa metali Elektrony przewodnictwa dla metalu tworzą tzw. gaz elektronowy Elektrony poruszają się chaotycznie (ruchy termiczne), ulegają zderzeniom z atomami sieci
Bardziej szczegółowoBadanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie
Bardziej szczegółowo1 Płaska fala elektromagnetyczna
1 Płaska fala elektromagnetyczna 1.1 Fala w wolnej przestrzeni Rozwiązanie równań Maxwella dla zespolonych amplitud pól przemiennych sinusoidalnie, reprezentujące płaską falę elektromagnetyczną w wolnej
Bardziej szczegółowoMagnetyzm cz.i. Oddziaływanie magnetyczne Siła Lorentza Prawo Biote a Savart a Prawo Ampera
Magnetyzm cz.i Oddziaływanie magnetyczne Siła Lorentza Prawo Biote a Savart a Prawo Ampera 1 Magnesy Zjawiska magnetyczne (naturalne magnesy) były obserwowane i badane już w starożytnej Grecji 2500 lat
Bardziej szczegółowoLiniowe i nieliniowe własciwości optyczne chromoforów organiczych. Summer 2012, W_12
Liniowe i nieliniowe własciwości optyczne chromoforów organiczych Powszechność SHG: Każda molekuła niecentrosymetryczna D-p-A p musi być łatwo polaryzowalna CT o niskiej energii Uporządkowanie ukierunkowanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 5 Badanie sensorów pola magnetycznego na przykładzie magnetorezystora AMR
Ćwiczenie 5 Badanie sensorów pola magnetycznego na przykładzie magnetorezystora AMR 1. Cel ćwiczenia Zbadanie parametrów oraz wyskalowanie czujnika magnetorezystancyjnego AMR. Zbadanie wpływu kierunków
Bardziej szczegółowo