ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
|
|
- Marcin Białek
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, rof. nadzw. w ITE aczerwin@ite.waw.l, tel. (0-) Zesół: rof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska dr hab. inż. Andrzej Misiuk, misiuk@ite.waw.l dr hab. inż. Tadeusz Piotrowski, iotrows@ite.waw.l dr inż. Jacek Ratajczak, rataj@ite.waw.l dr inż. Adam Łaszcz, laszcz@ite.waw.l dr inż. Mariusz Płuska, mluska@ite.waw.l mgr inż. Marek Wzorek, mwzorek@ite.waw.l 1. Prace rowadzone w 011 r. W 011 r. w Zakładzie Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych realizowano nastęujące rojekty naukowe: Charakteryzacja oraz rozwój metod badania materiałów, struktur i rzyrządów wytworzonych w rocesach mikro- i nanotechnologii elektronicznych. Eta II (rojekt statutowy nr ); Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, sintroniki i technik sensorowych (rojekt badawczy InTechFun, rojekt kluczowy w ramach Programu Oeracyjnego Innowacyjna Gosodarka, zadania Charakteryzacja materiałów metodami mikroskoii elektronowej oraz Charakteryzacja struktur metodami mikroskoii elektronowej ) UDA-POIG / Badania elektronomikroskoowe struktur InAs/GaSb Za omocą wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskoii elektronowej (HRTEM) badane były struktury suersieci InAs/GaSb wytwarzane metodą eitaksji z wiązki molekularnej (MBE) w Zakładzie Fotoniki ITE. Badania olegały na omiarach grubości warstw oraz określeniu stonia ich zdefektowania. Badane były rzekroje orzeczne oraz rearaty lanarne dwóch tyów struktur (#085 i #1) różniących się rocesem technologicznym. W strukturze #1 temeratura była stoniowo obniżana w trakcie rocesu wzrostu. W strukturze #085 zaobserwowano skuiska defektów skoncentrowane w obszarach o rozmiarach rzędu kilku mikrometrów, znacznie oddalonych od siebie (o kilkadziesiąt do kilkuset mikrometrów). W strukturze #1 nie zaobserwowano defektów.
2 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Zastosowanie metody HRTEM umożliwiło omiar grubości warstw InAs/GaSb z dokładnością do ojedynczej warstwy atomowej. Rysunek 1a rzedstawia obraz HRTEM fragmentu struktury #1. W celu omiarów grubości warstw wyznaczono uśredniony rofil intensywności z zaznaczonego obszaru (rys. 1b). Z tego rofilu wyznaczono wartości maksymalne intensywności obrazu odowiadające kolejnym warstwom atomowym I n, gdzie n jest numerem warstwy atomowej. Na rys. 1c rzedstawiono bezwzględną zmianę intensywności omiędzy kolejnymi sąsiadującymi warstwami atomowymi I n -I n-1. Maksima na tym wykresie rzyorządkowano warstwom atomowym rzejściowym między kolejnymi warstwami InAs oraz GaSb. Stwierdzono, że w strukturze #085 grubości warstw są jednorodne z dokładnością do jednej monowarstwy. Jednorodność grubości warstw nie jest natomiast zachowana w strukturze #1. W niej różnice grubości w zależności od miejsca na strukturze wynoszą od 3 monowarstw InAs więcej niż GaSb do 3 monowarstw GaSb więcej niż InAs. Rys. 1. a) Obraz HRTEM fragmentu ze środka struktury #1, b) uśredniony rofil intensywności obrazu, c) bezwzględna zmiana intensywności obrazu omiędzy kolejnymi warstwami atomowymi I n -I n-1 Podsumowując, analiza elektronomikroskoowa wykazała rzewagę rocesu #085 nad #1 od względem jednorodność grubości warstw oraz rzewagę rocesu #1 nad #085 od względem braku obecności defektów w strukturze.
3 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 3 3. Badania elektronomikroskoowe heterostruktur GaN/AlGaN Celem racy było zbadanie jakości struktury krystalicznej heterostruktur GaN/AlGaN wytwarzanych na odłożu szafirowym. Badania rowadzono za omocą wysokorozdzielczej transmisyjnej mikroskoii elektronowej (HRTEM), skaningowej transmisyjnej mikroskoii elektronowej (STEM) oraz sektroskoii charakterystycznego romieniowania rentgenowskiego (EDXS). Wykonano je na heterostrukturach wytworzonych na Wydziale Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej. Badane były trzy struktury (LT wzrost kryształu rowadzony w niskiej temeraturze, HT wzrost w wysokiej temeraturze) [R. Paszkiewicz informacja własna]. struktura M017: Al O 3 /LT-GaN (ok. 40 nm)/ht-gan(1) ( μm)/aln (1 nm)/ /HT-GaN() ( μm)/algan (0 nm, o zawartości 0% Al); struktura M018: Al O 3 /LT-GaN (ok. 40 nm)/ht-gan(1) ( μm)/ht-gan() ( μm)/ /AlGaN (0 nm, o zawartości % Al); struktura M019: Al O 3 /LT-GaN (ok. 40 nm)/ht-gan(1) ( μm)/ht-gan() ( μm)/ /AlGaN (0 nm, o zawartości 0 % Al). We wszystkich strukturach zaobserwowano obecność dyslokacji rozciągających się od warstwy LT-GaN aż do owierzchni materiału. Przykładowe obrazy skaningowej transmisyjnej mikroskoii elektronowej rzekroju orzecznego struktury M017 rzedstawiono na rys.. Obraz z rys. b uzyskano z grubszego obszaru rearatu niż obraz z rys. a, dlatego na rys. b widoczna jest większa liczba dyslokacji. We wszystkich badanych heterostrukturach zaobserwowano nieciągłości (wskazane strzałkami na rys. ) w obrębie warstwy LT-GaN rzy międzyowierzchni z odłożem Al O 3. Rys.. Obrazy STEM rzekroju orzecznego struktury M017: a) obraz uzyskany z cieńszego obszaru róbki, b) obraz uzyskany z grubszego obszaru
4 4 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Rys. 3. Obraz HRTEM rzekroju orzecznego fragmentu warstwy LT-GaN w strukturze M018. Widać fragment nieciągłości warstwy. W obrębie warstwy krystalicznej wystęują błędy ułożenia łaszczyzn rostoadłych do kierunku wzrostu kryształu (0001), które rowadzą do wystęowania cienkich wytrąceń GaN o strukturze kubicznej (olity 3C-GaN). Przy zastosowaniu metod HRTEM stwierdzono, że warstwa LT-GaN nie jest jednorodna. W warstwie wystęują błędy ułożenia łaszczyzn rostoadłych do kierunku wzrostu kryształu, tj. kierunku <0001>. Ułożenie tych łaszczyzn rowadzi do wystęowania cienkich wytrąceń olityu GaN o strukturze kubicznej (3C-GaN) w heksagonalnej strukturze H-GaN (rys. 3). 4. Sektroskoia fotonaięcia w zastosowaniu do diagnostyki ogniw słonecznych Celem badań było oracowanie metody omiaru owierzchniowej i głębokościowej jednorodności fotoelektrycznej ogniw słonecznych dla oceny rocesów technologicznych asywacji owierzchni i efektywności głębokościowej asywacji granic ziaren o ełnym cyklu technologicznym. Metoda ta ozwoliła m. in. rozdzielić efekty owierzchniowe od objętościowych i wykryć nawet niewielkie niejednorodności srawności energetycznej, które w konkretnym rzyadku rawdoodobnie były wywołane nierównomiernością temeratury wygrzewania w rocesie wytwarzania ogniw. Badania mają szczególne zastosowanie dla ogniw wykonanych w materiałach ółrzewodnikowych o strukturze multikrystalicznej lub olikrystalicznej. Zostały rzerowadzone dla ogniw wytworzonych z multikrystalicznego krzemu (mc-si) z asywacją tlenkiem tytanu albo azotkiem krzemu i dla ogniw wytworzonych z monokrystalicznego krzemu z asywacją azotkiem krzemu. Wyniki tych badań wykazały różnicę w asywacji głębokościowej defektów w zależności od zastosowanych warstw dielektrycznych. Dla ogniwa ze złączem -n oświetlanym rostoadle do łaszczyzny złącza o efektywności zbierania nośników w obszarze emitera n + decyduje długość drogi dyfuzji dziur L h oraz szybkość rekombinacji owierzchniowej s, natomiast
5 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 5 w obszarze bazy tyu o tej efektywności decyduje długość drogi dyfuzji elektronów L e = (D e τ) 0,5 (τ jest czasem życia nośników ładunku, wsółczynnik dyfuzji elektronów D e = ktμ/q), rzy czym ruchliwość μ jest funkcją koncentracji domieszek w bazie oraz jej zdefektowania. Na rys. 4 rzedstawiono schemat badanej struktury wraz z wymienionymi arametrami geometrycznymi oraz rozkładem głębokościowym koncentracji nośników G G 0 αex( αx), generowanych romieniowaniem o długości fali 0,6 μm, 0,8 μm i 1 μm dla odowiednich wsółczynników absorcji. G (m -3 s -1 ) Rys. 4. Teoretyczny rozkład nośników generowanych romieniowaniem o długości fal 0,6 μm, 0,8 μm i 1 μm w strukturze n + ogniwa o grubości emitera w n = 0,6 μm i bazy w = 100 μm. Dla bazy rezystywność wynosi 1 Ω cm, a wsółczynniki absorcji dla owyższych długości fal są równe odowiednio 3000/cm, 1000/cm i 00/cm. Zaznaczono obszary odowiadające tyowym efektywnym długości drogi dyfuzji nośników mniejszościowych w obszarach emitera (L h ) i bazy (L e ). Do badań rzestrzennego rozkładu fotonaięcia zastosowano osobno laser He-Ne emitujący romieniowanie o długości fali 68 nm albo żarowe źródło romieniowania o ciągłym widmie w zakresie od 0,4 do 1, μm o zmodyfikowanej charakterystyce sektralnej z maksimum natężenia romieniowania dla długości fali 1,0 μm, które wnika w strukturę do głębokości onad 100 μm. Tak wybrane zakresy widmowe ozwalają na uzyskanie osobno odowiedzi fotoelektrycznej z obszarów ołożonych stosunkowo blisko od owierzchni oraz uśrednionej odowiedzi z obszaru odowiadającego długości drogi dyfuzji w materiale bazy złącza -n. Obraz uzyskiwany rzy długości fali 68 nm dotyczy w rzybliżeniu głębokości do 3 μm, a uzyskany rzy wykorzystaniu źródła żarowego dotyczy całego obszaru o głębokości L e. Pomiary (tyu OBIC) rozkładu naięcia fotoelektrycznego generowanego sondą świetlną o średnicy lamki 0, mm olegały na skanowaniu obszarów 50 mm 50 mm. Na osiach rys. 5 i 6 zaznaczono numery linii i unktu w linii. Liczba linii wynosiła 100 (środki linii były odległe o 0,5 mm), a skanowanie obejmowało 00 unktów w linii (co 0,5 mm).
6 6 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Z ma na rys. 5 na łytce mc-si z asywacją TiO x wynika, że nie nastąiła asywacja defektów objętościowych, gdyż odobne may defektów widać zarówno na obrazie rzyowierzchniowym, jak objętościowym. Zachodzi niewielka asywacja owierzchni zmniejszająca szybkość rekombinacji owierzchniowej (rys. 5b). a) b) Rys. 5. Naięcie fotoelektryczne odane w woltach wg skali kolorów dla ogniwa W-9-8, mc-si z asywacją warstwą TiO x, Srawność 1,5%, rozmiar ogniwa 50 mm 50 mm. Pomiary rzy użyciu światła białego (a) i czerwonego (b) Z ma na rys. 6 wynika, że asywacja warstw owierzchniowych jest dobra (omiary dla λ = 68 nm na rys. 6b), natomiast rzy omiarze światłem białym (rys. 6a) widoczne są niesasywowane granice ziaren w objętości materiału. Korzystając z ogólnych zależności na wartość rądu fotoelektrycznego I = (1 R)ηQαq(L e + L h ) (1)
7 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 7 a) b) Rys. 6. Naięcie fotoelektryczne odane w woltach wg skali kolorów dla ogniwa dla ogniwa F-16-8, mc-si z asywacją warstwą SiN x, srawność 13,7%, rozmiar ogniwa 100 mm 100 mm (na rysunku widać obszar 50 mm 50 mm). Pomiary rzy użyciu światła białego (a) i czerwonego (b) w warunkach stałej wartości generacji w objętości bazy lub I = (1 R)ηQq(L e + L h ) α ex( αw ) () w warunkach generacji zanikającej z odległością od owierzchni (R oznacza wsółczynnik odbicia, η wydajność kwantową generacji, Q strumień romieniowania) można utworzyć stosunek wartości rądów fotoelektrycznych zmierzonych w miejscach o największym i najmniejszym rądzie fotoelektrycznym na łytce. Taki stosunek informuje o zmianie łącznej długości dróg dyfuzji nośników ładunku (L e + L h ) wystęującej w badanej róbce. W rzybliżeniu można traktować tę wartość jako zmianę długości drogi dyfuzji nośników w bazie ogniwa.
8 8 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. Uzyskane wyniki wskazują na brak głębokościowej asywacji defektów rzy okrywaniu mc-si tlenkiem tytanu oraz na stosunkowo dobrą głębokościową asywację defektów dla mc-si z warstwą azotku krzemu. Duża niejednorodność owierzchniowa równa 1,88, definiowana jako stosunek maksymalnego i minimalnego naięcia otwartego obwodu fotoelektrycznego U max /U min, może wynikać z niejednorodności grubości warstwy dyfuzyjnej n +. Wyniki uzyskane na monokrystalicznej łytce otwierdziły jej dobre arametry głębokościowe. Maksymalne fotoelektryczne niejednorodności badanych ogniw odano w tab. 1. Tabela 1. Maksymalne fotoelektryczne niejednorodności badanych ogniw Symbol U max /U min rzy owierzchni U max /U min do głębokości 100 μm Materiał, asywacja, srawność W-9-8 1,77 3,6 mc-si, TiO, 1,5% F ,88 1,45 mc-si, SiN, 13,8% M1 1,0 1,06 monokrystaliczny Si, TiO, 15% 5. Badania rocesów owstawania nanocząstek krzemowych Struktury oarte na obecności wytrąceń krzemowych o bardzo małych wymiarach (określanych często jako nanocząstki krzemowe lub krzemowe kroki kwantowe) są obecnie rzedmiotem wielkiego zainteresowania. Dzięki zmienionej w stosunku do litego krzemu strukturze asmowej mogą znaleźć zastosowanie w budowie laserów i diod elektroluminescencyjnych, czyli w tzw. otoelektronice krzemowej. Struktury te są również bardzo obiecującym materiałem do zastosowań fotowoltaicznych. Nanocząstki krzemowe owstają odczas wygrzewania (w temeraturach rzędu 1000 o C) wielowarstwowych struktur zawierających na rzemian warstwy stechiometrycznego azotku krzemu i azotku rzesyconego krzemem. Do wytworzenia tych warstw wykorzystano metodę osadzania chemicznego wsomaganego lazmą (PECVD), stosowaną do nakładania niskotemeraturowych warstw asywujących. W takim układzie w warstwach azotku rzesyconego krzemem odczas wygrzewania zachodzi krystalizacja cząsteczek krzemowych. Wielkość tych cząsteczek owinna zależeć głównie od grubości warstwy, a także od temeratury wygrzewania. Rola warstw stechiometrycznych jest tu dwojaka. Powinny one być barierą uniemożliwiającą dyfuzję atomów krzemu z warstw rzesyconych w czasie krystalizacji, a także razem z owstałymi nanokryształami tworzyć suersieć decydującą o własnościach całej warstwy. W 011 r. badano możliwość kontroli wielkości nanokryształów krzemowych orzez zastosowanie wyjściowych warstw azotku krzemu o określonej grubości.
9 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 9 Badania rzerowadzano na trzech tyach struktur wytworzonych w Zakładzie Fotoniki, zawierających różną liczbę (0 i 50) ar warstw o różnej grubości, zarówno o składzie stechiometrycznym, jak i rzesyconych krzemem. Struktury te były nastęnie wygrzewane w dwustoniowych rocesach: najierw rzez 0 min. w temeraturze 500 o C w celu usunięcia wodoru z warstw, a otem w temeraturze 1000 lub 1100 o C rzez godz. w celu wytworzenia krystalicznych nanocząstek krzemowych. Jak wykazały badania rzerowadzone wysokorozdzielczą transmisyjną mikroskoią elektronową (HRTEM), w strukturach o najmniejszej grubości warstw azotku, rzędu nm, roces owstawania nanokryształów krzemowych rzebiegał w sosób mało kontrolowany. Zarówno kształty, jak i rozmiary oraz rozmieszczenie owstałych kryształków były bardzo rzyadkowe. Rozmiary niektórych z nich znacznie rzekraczały grubości warstw. W strukturach z warstwami Si 3 N 4 o większych grubościach (3 i 5 nm) cząsteczki krzemu krystalizowały tylko w obrębie warstw rzesyconych krzemem (rys. 7a). Ich wzrost w kierunku rostoadłym do warstw był skutecznie ograniczany rzez warstwy stechiometrycznego amorficznego azotku krzemu (warstwy Si 3 N 4 ), które ozostały jednolite o wygrzewaniu. Rys. 7. Wysokorozdzielcze obrazy elektronomikroskoowe struktur z nanocząstkami krzemowymi Jednak niekontrolowany wzrost ziaren w kierunku równoległym do warstw sowodował ich wydłużanie się w tym kierunku (rys. 7b). W strukturach wygrzewanych w temeraturze 1100 o C obserwowano też znaczne obszary, w których warstwy nasycone krzemem rzekrystalizowały w całości tworząc leżące obok siebie kryształy o różnych orientacjach. W strukturach tych obserwowano też nanocząstki o znacznie większych rozmiarach (grubszych od wyjściowej warstwy), częściowo wchodzących w warstwę Si 3 N 4. Kryształki te najczęściej składały się z kilku mniejszych ziarenek ołączonych bliźniaczymi granicami (rys. 7c). W strukturach wygrzewanych w temeraturze 1000 o C takie rzerośnięte nanokryształy były obserwowane w znacznie mniejszej ilości. Struktury zawierające nanocząstki krzemowe badane były również metodą owierzchniowego naięcia fotowoltaicznego (SPV). Na rys. 8 rzedstawione są charakterystyki sektralne SPV zmierzone dla struktury, w której grubości warstw
10 10 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. stechiometrycznego i rzesyconego krzemem azotku wynosiły o 3 nm. Mierzona wielkość sygnału SPV była normalizowana (do natężenia romieniowania źródła mierzonego w czasie omiaru dla każdej długości światła) w celu uniknięcia błędów związanych z charakterystyką sektralną stosowanego źródła oświetlenia badanego rearatu. Jako odniesienie rzedstawiona jest charakterystyka dla łytki krzemowej. W sektrum tym jest widoczny tylko niewielki łaski ik w zakresie 1,1 1, ev odowiadający Rys. 8. Wykresy sektralne znormalizowanego owierzchniowego naięcia fotowoltaicznego dla struktury o grubości warstw 3 nm rzerwie zabronionej w krzemie. W charakterystyce ochodzącej od niewygrzanych warstw Si 3 N 4 i warstw azotku rzesyconego krzemem widać łaskie maksimum ołożone w zakresie 1,83,0 ev. Przy wzroście temeratury wygrzewania maksimum to staje coraz ostrzejsze i rzesuwa w stronę większych energii, do ok.,06 ev. W charakterystyce struktur wygrzanych staje się coraz bardziej widoczne drugie maksimum rzy,4 ev. Istnienie maksimów i ich ewolucja w wyniku wygrzewania wskazuje na ich związek ze zmianami zachodzącymi w strukturach i owstawaniem nanocząstek krzemowych. Nie udało się jednak zaobserwować bliższej korelacji sygnału SPV z wielkościami nanocząstek dla wszystkich tyów badanych struktur (różniących się grubością i liczbą warstw) charakterystyki sektralne sygnału SPV były odobne. 6. Zjawiska transortu cieła i ładunku w strukturach molekularnych i biologicznych W 011 r. analizowano oddziaływania krótkotrwałych imulsów laserowych z tkankami biologicznymi tkanki guzów nowotworowych i tkanki mózgu. Ponieważ materiały biologiczne mają czas relaksacji dla transortu cieła w zakresie nawet wielu sekund, oddziaływanie ultrakrótkich imulsów laserowych na te tkanki generuje fale termiczne oruszające się ze skończoną rędkością. Ois rocesu transortu cieła orzez równanie hierboliczne wykazuje, że temeratura, jaka owstaje w tkankach biologicznych, jest znacznie wyższa niż ta, jaką rzewiduje rozwiązanie równania arabolicznego. Znajomość rocesów transortu cieła w strukturach molekularnych i biologicznych odgrywa istotną rolę we wsółczesnej medycynie. Zwykle rocesy te oisuje się za omocą arabolicznego równania Fouriera: T( x, t) T( x, t) = D, (3) t x
11 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 11 gdzie: T (x,t) ole temeratury, D termiczny wsółczynnik dyfuzji. Za omocą tego równania zbadano m. in. zagadnienia hiertermii, diagnostyki medycznej i roagacji cieła w skórze ludzkiej. Dobrze wiadomo, że araboliczne równanie ma ograniczony zakres stosowalności. Można je wykorzystać jedynie do badania rocesów, w których czas trwania imulsu termicznego Δt inicjującego roces transortu cieła jest znacznie dłuższy od czasu relaksacji τ. Relacja Δt >> τ jest leiej sełniona w materiałach jednorodnych: jednorodnych metalach, ółrzewodnikach i izolatorach. Cechą tkanek biologicznych skóry, rogówki oka, tkanki mózgu jest czas relaksacji nawet rzędu od kilku do kilkunastu sekund. Jedną z rzyczyn jest fakt, że tkanki te są materiałami silnie niejednorodnymi. W ciągu kilku ostatnich lat w chirurgii oka, chirurgii mózgu, a także w onkologii są stosowane lasery femtosekundowe, w których czas trwania imulsu jest rzędu s. W tym rzyadku warunki stosowalności równ. (3) nie są sełnione. Równanie Fouriera musi być wówczas zastąione rzez hierboliczne równanie dyfuzji cieła: τ T( x, t) T( x, t) T( x, t) + = D. (4) t t x Rozwiązanie równania hierbolicznego okazuje, że temeratura, jaka owstaje w tkankach biologicznych, jest znacznie wyższa niż ta, jaką rzewiduje rozwiązanie równania arabolicznego (rzy tych samych warunkach granicznych). Różnice między rozchodzeniem się cieła w tkankach biologicznych, oisywanym rzez równanie hierboliczne, a wynikami równania arabolicznego są tak duże, że jest to ważny roblem dla wykorzystania laserów w medycynie. Prace rowadzone w 011 r. w Zakładzie były oświęcone w szczególności rozwiązaniu tego zagadnienia. Jak wykazano w monografii Attosecond Matter Tomograhy [P30], w rzyadku oddziaływania femtosekundowych imulsów laserowych z materiałami biologicznymi stosowanie równ. (4) z uwzględnieniem czasu relaksacji termicznej ozwala wyodrębnić nowe własności zjawisk termicznych: W materiałach biologicznych mogą być generowane fale termiczne, oruszające się ze skończoną rędkością. W materiałach biologicznych energia termiczna gromadzi się na froncie fali termicznej. Prowadzi to do szybkiego rzekazu energii termicznej do otoczenia. Równanie hierboliczne uwzględnia historię rocesu ogrzewania materiału biologicznego. Ma to ważne znaczenie teraeutyczne, gdyż ozwala dobrać otymalny czas oświetlania laserem wybranej tkanki. W ublikacji [P13], będącej rozdziałem w książce Theoretical Physics Research Develoments, zastosowano hierboliczne równanie transortu do badania zjawisk transortu w mózgu i w tkance nowotworowej. Materiał biologiczny mózgu i guza nowotworowego otraktowano jako ciecz nienewtonowską, czyli łyn, w którym
12 1 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. nie można zaniedbać zmian strumienia nośników w rzyadku czasów orównawalnych lub krótszych od czasu relaksacji. Dlatego w cieczy tej uwzględnia się zmianę strumienia cieła w czasie rzędu czasu relaksacji. Zawiesiny, takie jak n. mózg (w tym łyn mózgowy i neurony), można traktować jako ciecz nienewtonowską. Ciecze takie odznaczają się często długimi czasami relaksacji rzędu kilku, a nawet kilkunastu sekund. Dodatkowo dla rozważenia zjawisk jest istotne, że strukturę mózgu można rzybliżyć za omocą zawiesiny neuronów w cieczy nienewtonowskiej. Masa neuronu jest rzędu 10 5 g, czyli rzędu tzw. masy Plancka równej 10 5 g. Z rozwiązania zmodyfikowanego równania Schrödingera dla neuronów o masie Plancka wynika, że w materiale mózgu mogą być generowane oscylacje w skali czasu Plancka (ok s) M c ω = ω ω 1 1 M = M ω = M = c c c + M M + im c h im c h h h c c V 1 M c V 1 M c V M c V M c 1 1 dla M c > V (5) M dla c < V. (6) gdzie V jest otencjałem dla neuronów. Rozważono własności termiczne tkanki nowotworowej oświetlonej krótkotrwałym imulsem laserowym. Zastosowano hierboliczne równanie transortu w ostaci równ. (7), dla którego znaleziono rozwiązanie w ostaci równ. (8): T DT T = DT T (7) t υ t t 1 τ e Θ( t t0) + t T( x, t) = dx' T( x',0) υ s t 1 ( t t0) t ( t t0) τ e I I ( ) 1 Θ( t t0) τ τ t t τ 0 s (8)
13 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 13 gdzie v s jest rędkością fali termicznej, t 0 = ( x x')/ υs, I0( z), I1( z ) są zmodyfikowanymi funkcjami Bessela, Θ( t t0) jest funkcją Heaviside a, T(x,0) oznacza oczątkowy rozkład temeratury dla oczątkowego czasu t 0. Korzystając z dostęnych danych z onkologii (tab. ) obliczono termiczny wsółczynnik dyfuzji D dla rozważanych tkanek 8 D m s 1. (9) = k c V ρ = 8,0 10 Tabela. Literaturowe i obliczone arametry termiczne badanej tkanki Rodzaj tkanki Przewodność cielna W (m C) Cieło właściwe [kj/(kg C)] Gęstość [kg/m 3 ] Obliczony wsółczynnik dyfuzji termicznej [m /s] Carcinoma 0,8 (a, b) 3,5 (c) 1000 (c) a) wg Sudarshan et al., Comut Methods Biomech. Biomed. Eng. (1999) 187; (b) wg Gautherie et al., Biomedicine (1975) 37; (c) wg Erdmann B., Ann NY Acad. Sci. 858 (1998) 36. Biorąc od uwagę wyznaczony czas relaksacji dla materiału biologicznego obliczono rędkość roagacji imulsu termicznego w tej tkance nowotworowej: D υ = τ = 100 μm/s. (10) Wyznaczone wartości ozwalają na otrzymanie rozwiązań dla konkretnych rzyadków tkanek. Rozwiązanie równania arabolicznego nie ma struktury falowej. Natomiast obliczenia w rzyadku równania hierbolicznego rowadzą do tworzenia się skomlikowanego układu lokalnych maksimów i minimów na maie temeratury. W rzyadku tego równania energia cielna jest zlokalizowana w czole fali, co jest bardzo ważne w onkologii, gdyż ozwala skuić energię termiczną tylko w chorej tkance nowotworowej. Publikacje 011 [P1] BĄK-MISIUK J., MISIUK A., BARCZ A., ROMANOWSKI P.: Solid Phase Eitaxial Re-Growth of Amorhous Layer in Si:Si Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. Solid St. Phenom. 011 vol s [P] BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., MYŚLIWIEC M., WZOREK M., KUCHUK A., BARCZ A., DYNOWSKA E., DI FORTE-POISSON M.-A., GIESEN C., PIOTROWSKA A.: Fundamentals and Practice of Metal Contacts to Wide Band Ga Semiconductor Devices. Cryst. Res. Technol. (złoż. do red.). [P3] CAPAN I., BĄK-MISIUK J., PIVAC B., DUBCEK P., MISIUK A., BERNSTORFF S.: Defects in Silicon Introduced by Helium Imlantation and Subsequent Annealing. Radiat. Phys. a. Chem. 011 vol. 80 s
14 14 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. [P4] CZERWIŃSKI A.: Badanie ółrzewodników wiązką elektronów, fotonów lub jonów wływ nielokalnych właściwości materiału na mierzony sygnał [w serii: Biblioteka Elektroniki t. 34] ITE, Warszawa, 011, ss [P5] CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Electron Microscoy Studies of Non-Local Effects Imact on Cathodoluminescence of Semiconductor Laser Structures. Mater. Trans. 011 vol. 5 s [P6] CZERWIŃSKI A., SKWAREK A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., WITEK K.: Tin Pest and Tin Oxidation on Tin-Rich Lead Free Alloys Investigated by Electron Microscoy Methods. Solid St. Phenom. (złoż. do red.). [P7] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PŁUSKA M., PIOTROWSKA A.: Otymalizacja rocesu NIL od kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 00 nm na krzemie o orientacji (100). Elektronika 011 vol. LII nr 9 s [P8] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PŁUSKA M., PIOTROWSKA A.: Otymalizacja rocesu NIL od kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 00 nm na krzemie o orientacji (100). Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, , CD, s [P9] GUZIEWICZ M., SŁYSZ W., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., DOMAGAŁA J., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., SOBOLEWSKI R.: Fabrication and Proerties of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Suerconducting Photodetectors. Acta Phys. Pol. A (złoż. do red.). [P10] JASIK A., SANKOWSKA I., REGIŃSKI K., MACHOWSKA-PODSIADŁO E., WAWRO A., WZOREK M., KRUSZKA R., JAKIEŁA R., KUBACKA-TRACZYK J., MOTYKA M., KANIEWSKI J.: MBE Growth of Tye-II InAs/GaSb Suerlattices for MWIR Detection. Crystal Growth: Theory, Mechanisms and Morhology. Nova Sci. Publ. Inc. (złoż. do red.). [P11] KANIEWSKA M., ENGSTRÖM O., KARMOUS A., KIRFEL O., KASPER E., RAEISSI B., PISCATOR J., ZAREMBA G., KACZMARCZYK M., WZOREK M., CZERWIŃSKI A., SURMA B., WNUK A.: Satial Variation of Hole Eigen Energies in Ge/Si Quantum Wells. 30th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors. Seul, Korea, AIP Conf. Proc. 011 t. 1399, s [P1] KANIEWSKA M., ENGSTRÖM O., KARMOUS A., KIRFEL O., KASPER E., RAEISSI B., PISCATOR J., ZAREMBA G., KACZMARCZYK M., SURMA B., WNUK A., WZOREK M., CZERWIŃSKI A.: Hole Emission Mechanism in Ge/Si Quantum Dots. hys. stat. sol. C 011 vol. 8 s [P13] KOZŁOWSKI M., MARCIAK-KOZŁOWSKA J.: Dark Energy as the Source of the Time Deendent Einstein Cosmological Constant. [W] Theoretical Physics Research Develoments. Nova Sci. Publ. Inc., New York, 011 s [P14] KOZŁOWSKI M., MARCIAK-KOZŁOWSKA J.: On the Interaction of the Ultra-Short Laser Pulses with Human Brain. Lasers in Eng. 011 vol. 1 nr 5/6 s [P15] KOZŁOWSKI M., MARCIAK-KOZŁOWSKA J.: The Temerature of the Atom. Lasers in Eng. 011 vol. Secial, s [P16] KROPMAN D., MELLIKOV E., KARNER T., HEINMAA I., LAAS T., LONDOS C. A., MISIUK A.: Interaction of Point Defects with Imurities in the Si-SiO System and Its Influence on the Interface Proerties. Solid St. Phenom. 011 vol s [P17] KRUSZKA R., EKIELSKI M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., KORWIN-MIKKE K., SIDOR Z., WZOREK M., PIERŚCIŃSKA D., SARZAŁA R. P., CZYSZANOWSKI T., PIOTROWSKA A.: GaAs/AlGaAs Photonic Crystals for VCSEL-Tye Semiconductors Lasers. Oto-Electron. Rev. 011 vol. 19 nr 11 s
15 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 15 [P18] KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., TAUBE A., PASTERNAK I., KORWIN-MIKKE K., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Procesy trawienia suchego ICP w lazmie BCl 3 cienkich warstw HfO wytworzonych techniką reaktywnego rozylania katodowego. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s [P19] KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., TAUBE A., PASTERNAK I., KORWIN-MIKKE K., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Procesy trawienia suchego ICP w lazmie BCl 3 cienkich warstw HfO wytworzonych techniką reaktywnego rozylania katodowego. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, , CD, s [P0] KRUSZKA R., KORWIN-MIKKE K., PASTERNAK I., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Trawienia ółrzewodników szerokorzerwowych GaN i SiC. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s [P1] KRUSZKA R., KORWIN-MIKKE K., PASTERNAK I., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Trawienia ółrzewodników szerokorzerwowych GaN i Sic. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki Darłówko Wschodnie, , CD, s [P] KUCHUK A., KLADKO V. P., GOŁASZEWSKA-MALEC K., GUZIEWICZ M., WZOREK M., PIOTROWSKA A.: The Formation Mechanism of Ni-Based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC. Mater. Sci. Forum (złoż. do red.). [P3] LONDOS C. A., ANDRIANAKIS A., MISIUK A.: The Effect of Neutron Irradiation on Oxygen Aggregation Processes in Si Material Treated under Hydrostatic Pressure. hys. stat. sol. A 011 vol. 08 nr 3 s [P4] LONDOS C. A., SGOUROU E. N., ANDRIANAKIS A., MISIUK A., EMTSEV V. V., OHYAMA H.: IR Studies on VO n, C i O i and C i C s Defects in Ge-Doed Cz-Si. Solid St. Phenom. 011 vol s [P5] ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Study of Oxides Formed in the HfO /Si Structure for High-k Dielectric Alications. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P6] ŁASZCZ A., RATAJCZAK J., CZERWIŃSKI A., KĄTCKI J., BREIL N., LARRIEU G., DUBOIS E.: TEM Studies of PtSi Low Schottky-Barrier Contacts for Source/Drain in MOS Transistors. Centr. Euro. J. of Phys. 011 vol. 9 s [P7] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Thermal Processes Generated in Quark-Gluon Plasma (QGP) by Yoctosecond (10 4 s) Laser Pulses. Lasers in Eng. 011 vol. 1 nr 1/ s [P8] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Quantum Water Excited by Attosecond Laser Pulses. Lasers in Eng. 011 vol. Secial s [P9] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Time Delay in Photoemission Excited by Attosecond Laser Pulses. Lasers in Eng. 011 vol. Secial s [P30] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Attosecond Matter Tomograhy. Nova Sci. Publ., New York, 011, ss [P31] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Thermal Processes Generated in an In Vitro Cancer Tumour by Laser Pulses. Lasers in Eng. (złoż. do red.). [P3] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Thermal Waves Generated In Vitro Cancer Tumor by Laser Pulses. Lasers in Eng. (złoż. do red.). [P33] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: A Proosed Mathematical Model of Tumor Growth and Host Consciousness. Neuroquantol. (złoż. do red.).
16 16 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. [P34] MARCIAK-KOZŁOWSKA J., KOZŁOWSKI M.: Fourier Diffusion and Secial Relativity in Nanotechnology. [W] Advances in Nanotechnology. Monograh (złoż. do red.). [P35] MISIUK A., ABROSIMOV N. V., BĄK-MISIUK J., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., LONDOS C. A., ROMANOWSKI P., KULIK M., KUCYTOWSKI J., PRUJSZCZYK M., ANDRIANAKIS A.: Defects in Single Crystalline Si-Ge Annealed under Enhanced Pressure. Microelectron. Eng. (złoż. do red.). [P36] MISIUK A., BARCZ A., ULYASHIN A. G., BĄK-MISIUK J., PRUJSZCZYK M.: Hydrogen (Deuterium) Accumulation/Release Versus Nanostructure of Si:He. J. of Nanosci. a. Nanotechnol. (złoż. do red.). [P37] MISIUK A., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., ULYASHIN A. G., ROMANOWSKI P.: Hydrogen Gettering Within Processed Oxygen-Imlanted Silicon. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices [w serii: Advanced Materials Research t. 76] Trans Tech Publ. 011 s [P38] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., BARCZ A., ROMANOWSKI P., SURMA B., WNUK A.: Structure of Self-Imlanted Silicon Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. High Press. Res. 011 vol. 31 nr 1 s [P39] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., PRUJSZCZYK M., ROMANOWSKI P.: Pressure-Assisted Generation of Thermal Donors in Doed Cz-Si. Prz. Elektrotech. (złoż. do red.). [P40] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., SURMA B., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., LONDOS C. A., ABROSIMOV N. V., KUCYTOWSKI J.: Imact of Hydrostatic Pressure Alied at Annealing on Homogeneity of Si-Ge Single Crystals. Solid St. Phenom. 011 vol s [P41] MISIUK A., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., CHOW L., VANFLEET R., PRUJSZCZYK M.: Proerties of Si:V Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. Acta Phys. Pol. A 011 vol. 10 nr 1 s [P4] MYŚLIWIEC M., SOCHACKI M., KISIEL R., GUZIEWICZ M., WZOREK M.: TiAl-Based Ohmic Contacts on -Tye SiC. Tatrzańska Łomnica, Słowacja, , s [P43] PIETRZAK T. K., MACIASZEK M., NOWIŃSKI J., ŚLUBOWSKA W., FERRARI S., MUSTARELLI P., WASIUCIONEK M., WZOREK M., GARBARCZYK J. E.: Electrical Proerties of V O 5 Nanomaterials Preared by Twin Rollers Technique. Solid St. Ion. (złoż. do red.). [P44] PIOTROWSKI T., KRUSZEWSKI P., LIPIŃSKI M.: Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego rocesem geterowania. Elektronika 011 vol. LII nr 4 s [P45] PIOTROWSKI T., MALYUTENKO V. K., WĘGRZECKI M., CZERWIŃSKI A., POLAKOWSKI H., TYKHONOV A. M.: Otimization of Parameters for Silicon Planar Source of Modulated Infrared Radiation. Mater. Sci. Eng. B 011 vol. 176 s [P46] PIOTROWSKI T., TOMASZEWSKI D., WĘGRZECKI M., MALYUTENKO V. K., TYKHONOV A. M.: Planar Silicon Structure in Alication to the Modulation of Infrared Radiation. Ot. Al. 011 vol. XLI nr s [P47] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Defect Detection in Semiconductor Layers with Built-In Electric Field with the Use Cathodoluminescence. Physica B (złoż. do red.). [P48] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Cathodoluminescence and Electroluminescence of Semiconductor Structures in SEM. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P49] PRUDNIKOV A., SHALAEV R., MISIUK A., VARYUKHIN V., EFROS B. M., BURKHOVECKII V. V., SURMA B., BĄK-MISIUK J., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K.: Photoluminescence from Laser
17 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 17 Processed Nanostructured Hydrogen-Imlanted Silicon Treated Primary at High Temerature- -Pressure. Al. Surf. Sci. (zgłosz. do red.). [P50] RATAJCZAK J., HEJDUK K., LIPIŃSKI M., PIOTROWSKI T., PŁUSKA M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A.: Study of Silicon Nanoarticles Formation in Silicon Nitride. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P51] RECKINGER N., DUTU C. A., TANGUY Y., DUBOIS E., YAREKHA D. A., GODEY S., NOUGARET L., ŁASZCZ A., RATAJCZAK J., RASKIN J. P.: Comarative Study of Erbium Disilicide Thin Films Grown in situ under Ultrahigh Vacuun or ex situ with a Caing Layer. Thin Solid Films (złoż. do red.). [P5] RECKINGER N., TANG X., GODEY S., DUBOIS E., ŁASZCZ A., RATAJCZAK J., VLAD A., DUTU C. A., RASKIN J. P.: Erbium Silicide Growth in the Presence of Residual Oxygen. J. Electrochem. Soc. 011 vol. 158 nr 7 s. H715 H73. [P53] ROMANOWSKI P., SHALIMOV A., BĄK-MISIUK J., MISIUK A.: Structural and Magnetic Proerties of Si Single Crystals Imlanted with Mn +. Radiat. Phys. a. Chem. (zgłosz. do red.). [P54] SHCHENNIKOV V. V., KOROBEJNIKOV I. V., MOROZOVA N. V., GOLUBKOVA I. A., OVSYANNIKOV S. V., MISIUK A., ABROSIMOV N. V.: Thermoelectric Power of Comensated Si 1-x Ge x Samles at High Pressure. Thermoelectr. (złoż. do red.). [P55] SKWAREK A., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., WITEK K.: Influence of Substrate Tye on Tin Whisker Growth for Tin-Rich Lead-Free Solder Alloys. Proc. of the Int. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, , s [P56] SKWAREK A., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., WITEK K.: Influence of Substrate Tye on Tin Whisker Growth in Tin-Rich Lead-Free Solder Alloys. Mater. Sci. a. Eng. (złoż. do red.). [P57] SKWAREK A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., CZERWIŃSKI A., WITEK K., SZWAGIERCZAK D.: Analysis of Tin Whisker Growth on Lead-Free Alloys with Ni Presence under Thermal Shock Stress. Mater. Sci. a. Eng. B 011 vol. 176 s [P58] SKWAREK A., ŚRODA M., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., WITEK K.: Occurence of Tin Pest on the Surface of Tin-Rich Lead-Free Alloys. Solder. a. Surf. Mount Technol. 011 vol. 3 nr 3 s [P59] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., DOMAGAŁA J., PASTERNAK I., HEJDUK K., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., SOBOLEWSKI R.: Ultrathin NbN Films Designed for Suerconducting Single-Photon Detectors. Acta Phys. Pol. A 011 vol. 10 nr 1 s [P60] TAUBE A., KORWIN-MIKKE K., GIERAŁTOWSKA S., GUTT T., MAŁACHOWSKI T., WZOREK M., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., DYNOWSKA E., SOCHACKI M., MROCZYŃSKI R., PASTERNAK I., RZODKIEWICZ W., SZMIDT J., PIOTROWSKA A.: Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, , CD, s [P61] TAUBE A., KORWIN-MIKKE K., GUTT T., MAŁACHOWSKI T., PASTERNAK I., WZOREK M., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., RZODKIEWICZ W., PIOTROWSKA A., GIERAŁTOWSKA S., SOCHACKI M., MROCZYŃSKI R., DYNOWSKA E., SZMIDT J.: Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s [P6] VANFLEET R., MISIUK A., LING D. C., PONG W. F., CHOW L.: Microstructure of Silicon Imlanted with Transition Metals. J. of Mater. Sci.: Mater. in Electron. (złoż. do red.). [P63] VOLODIN V. A., BUGAEV K. O., GUTAKOVSKII A. K., FEDINA L. I., NEKLYUDOVA M. A., LATYSHEV A. V., MISIUK A.: Otical Proerties of Si Nanoclusters Formed in Silicon-Rich Nitride Films under Annealing: Influence of High Hydrostatic Pressure. J. Al. Phys. (złoż. do red.).
18 18 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. [P64] VOLODIN V. A., POPOV A. A., MISIUK A., RINNERT H., VERGNAT M.: Evolution of Silicon and Hydrogen Bonding in Silicon-Rich Nitride Films Preared by Plasma-Enhanced Chemical Vaor Deosition and Annealed under High Pressure. Nanosci. a. Nanotechnol. Lett. (złoż. do red.). [P65] WITEK K., PIOTROWSKI T., SKWAREK A.: Analysis of Polymer Foil Heaters as Infrared Radiation Source. Proc. of the Int. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, , s [P66] WITEK K., PIOTROWSKI T., SKWAREK A.: Analysis of Polymer Foil Heaters as Infrared Radiation Sources. Mat. Sci. a. Eng. B (złoż. do red.). [P67] WOLSKA A., KLEPKA M., ŁAWNICZAK-JABŁOŃSKA K., MISIUK A., ARVANITIS D.: Structural and Magnetic Proerties of Mn + Imlanted Silicon Crystals Studied Using X-Ray Absortion Sectroscoy Techniques. Radiat. Phys. a. Chem. 011 vol. 80 s [P68] WONG C. K., WONG H., LIU J., MISIUK A.: Proerties of Silicon Oxynitride Films Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. J. of the Electrochem. Soc. 011 vol. 158 nr 3 s. H3 H37. [P69] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: TEM Characterisation of Silicide Phase Formation in Ni-Based Ohmic Contacts to 4H n-sic. Mater. Trans. 011 vol. 5 s [P70] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Badania elektronomikroskoowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu. Elektronika 011 vol. LII nr 9 s [P71] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Ni- Based Ohmic Contacts to Silicon Carbide Examined by Electron Microscoy. Solid State Phenom. (złoż. do red.). [P7] WZOREK M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., PŁUSKA M., BORYSIEWICZ M., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., KUCHUK A., KORWIN-MIKKE K., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Badania elektronomikroskoowe struktur ółrzewodnikowych wytwarzanych w oarciu o SiC i ZnO. Mat. konf. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, , CD, s [P73] ZARASKA K., GAUDYN J., BIEŃKOWSKI A., CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M.: Surface Proerties of Laser-Etched LTCC Ceramic. Proc. of the 44th Int. Sym. on Microelectronics. Long Beach, USA, , s [P74] ZARASKA K., GAUDYN J., BIEŃKOWSKI A., DOHNALIK M., CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M., MACHNIK M., WÓJCIK K.: X-Ray Insection of LTCC Devices: Theory and Practice. J. of Microelectron. a. Electron. Packag. 011 vol. 8 s [P75] ZARASKA K., GAUDYN J., BIEŃKOWSKI A., DOHNALIK M., CZERWIŃSKI A., PŁUSKA M., MACHNIK M.: X-Ray Insection of LTCC Devices. Proc. of the Ceramic Interconnect and Ceramic Microsystems Technologies. San Diego, USA, , s Prezentacje konferencyjne 011 [K1] ABALOSHEVA I., ZAYTSEVA I., ALESZKIEWICZ M., CIEPLAK M.Z., SYRYANYY Y., GIERŁOWSKI P., ABAL'OSHEV O., SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., PASTERNAK I., HEJDUK K., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., SOBOLEWSKI R.: Suerconducting Thin Films with High Critical Current Densities. 4th Forum Sci. & Technol. Days Poland East. Białowieża, (lakat).
19 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 19 [K] BĄK-MISIUK J., DYNOWSKA E., ROMANOWSKI P., DOMAGAŁA J., DŁUŻEWSKI P., SADOWSKI J., CALIEBE W., MISIUK A.: Influence of Nanoclusters on Lattice Parameter of GaAs:(Mn,Ga) Granular Layers. E-MRS Sring Meet. Nicea, Francja, (lakat). [K3] BĄK-MISIUK J., MISIUK A., BARCZ A., ROMANOWSKI P.: Solid Phase Eitaxial Re-Growth of Amorhous Layer in Si:Si Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, (lakat). [K4] BORYSIEWICZ M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A., KUCHUK A., WZOREK M., BARCZ A., DYNOWSKA E., DI FORTE-POISSON M.-A., GIESEN C.: Fundamentals and Practice of Metal Contacts to Wide Bandga Semiconductor Devices. German Polish Conf. on Crystal Growth. Frankfurt, Niemcy, (ref. zar.). [K5] CZERWIŃSKI A., SKWAREK A., PŁUSKA M., RATAJCZAK J., WITEK K.: Tin Pest and Tin Oxidation on Tin-Rich Lead Free Alloys Investigated by Electron Microscoy Methods. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, (lakat). [K6] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PASTERNAK I., WZOREK M., PIOTROWSKA A.: Fabrication of Polymer Stam for UV Nanoimrint Technology. German Polish Conf. on Crystal Growth. Frankfurt, Niemcy, (lakat). [K7] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., PŁUSKA M., PIOTROWSKA A.: Otymalizacja rocesu NIL od kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 00 nm na krzemie o orientacji (100). X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, (lakat). [K8] EKIELSKI M., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., KRUSZKA R., KAŹMIERCZAK P., WIELGUS M., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: 3-D Patterning of GaN Using Nanoimrint Lithograhy. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, (ref. zar.). [K9] GUZIEWICZ M., SŁYSZ W., BORYSIEWICZ M., KRUSZKA R., SIDOR Z., JUCHNIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., DOMAGAŁA J., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., SOBOLEWSKI R.: Fabrication and Proerties of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Suerconducting Photodetectors. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, (lakat). [K10] KĄTCKI J.: Electron Microscoy of Nanoelectronic and Photonic Structure. Hitachi High Technology Worksho Advanced Electron Microscoy. Warszawa, (ref. zar.). [K11] KĄTCKI J.: Nanotechnology in Poland. Konf. Nanoethics 011. Warszawa, (ref. zar.). [K1] KĄTCKI J.: Electron Microscoy Studies of Semiconductor Materials and Interfaces: Transmission Electron Microscoy. Warsaw-Dresden Sem. Nanomaterials and Nanoanalysis. Warszawa, (ref. zar.). [K13] KĄTCKI J.: Nanotechnology in Poland. 1th Meet. of the High Level Grou of EU Member States & FP7 Associated States on Nanosience and Nanotechnologies. Bruksela, Belgia, (ref. zar.). [K14] KORWIN-MIKKE K., KRUSZKA R., KAMIŃSKA E., PASTERNAK I., WZOREK M., PIOTROWSKA A.: Inductively Couled Plasma (ICP) Etching of Submicrometer Patterns in GaN. German Polish Conf. on Crystal Growth. Frankfurt, Niemcy, (kom.). [K15] KROPMAN D., HEINMAA I., KARNER T., LAAS T., LONDOS C. A., MISIUK A.: Point Defects Interaction with Imurities at the Si-SiO Interface. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, (lakat). [K16] KROPMAN D., MELLIKOV E., KARNER T., HEINMAA I., LAAS T., LONDOS C. A., MISIUK A.: Interaction of Point Defects with Imurities in the Si-SiO System and Its Proerties Modification.
20 0 Srawozdanie z działalności ITE w 011 r. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, (ref.). [K17] KRUSZKA R., GOŁASZEWSKA-MALEC K., TAUBE A., PASTERNAK I., KORWIN-MIKKE K., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Procesy trawienia suchego ICP w lazmie BCl 3 cienkich warstw HfO wytworzonych techniką reaktywnego rozylania katodowego. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, (lakat). [K18] KRUSZKA R., KORWIN-MIKKE K., PASTERNAK I., WZOREK M., KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Trawienia ółrzewodników szerokorzerwowych GaN i SiC. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, (ref.). [K19] KUCHUK A., GOŁASZEWSKA-MALEC K., GUZIEWICZ M., WZOREK M., KLADKO V. P., PIOTROWSKA A.: The Formation Mechanism of Ni-Based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC. The 011 Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials. Cleveland, USA, (lakat). [K0] LONDOS C. A., SGOUROU E. N., ANDRIANAKIS A., MISIUK A., EMTSEV V. V., OHYAMA H.: IR Studies on the VO n, C i O i, C i C s Defects in Ge-Doed Cz-Si. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, (ref.). [K1] ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Study of Oxides Formed in the HfO /Si Structure for High-k Dielectric Alications. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, (lakat). [K] MISIUK A., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., ULYASHIN A. G.: Hydrogen Accumulation/Release Versus Nanostructure of Si:He. E-MRS Sring Meet. Nicea, Francja, (lakat). [K3] MISIUK A., BARCZ A., BĄK-MISIUK J., ULYASHIN A. G.: Out-Diffusion of Hydrogen from Plasma-Processed Oxygen-Imlanted Silicon. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, (kom.). [K4] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., WIERZCHOWSKI W. K., WIETESKA K., ABROSIMOV N. V., LONDOS C. A., KUCYTOWSKI J., KULIK M., PRUJSZCZYK M.: Imact of Enhanced Pressure Alied at Annealing on Homogeneity of Si-Ge Single Crystals. XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, (lakat). [K5] MISIUK A., BĄK-MISIUK J., PRUJSZCZYK M.: Pressure-Assisted Generation of Thermal Donors in Doed Cz-Si. 7th Int. Conf. NEET 011. Zakoane, (ref.). [K6] MYŚLIWIEC M., SOCHACKI M., KISIEL R., GUZIEWICZ M., WZOREK M.: TiAl-Based Ohmic Contacts on -Tye SiC. 34th Int. Sring Sem. on Electronics Technology. Tatrzańska Łomnica, Słowacja, (lakat). [K7] PIOTROWSKI T., KRUSZEWSKI P., LIPIŃSKI M.: Zanieczyszczenia multikrystalicznego krzemu modyfikowanego rocesem generowania. II Kraj. Konf. Fotowoltaiki. Krynica Zdrój, (ref.). [K8] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Cathodoluminescence and Electroluminescence of Semiconductor Structures in SEM. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, (lakat). [K9] PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., SZERLING A., KĄTCKI J.: Defect Detection in Semiconductor Layers with Built-In Electric Field with the Use Cathodoluminescence. 6th Int. Conf. on Defects in Semiconductor. Nelson, Nowa Zelandia, (lakat). [K30] PRUDNIKOV A., SHALAEV R., MISIUK A., VARYUKHIN V., EFROS B. M., BURKHOVECKII V. V., SURMA B., BĄK-MISIUK J., KULIK M.: Photoluminescence from Laser Processed Nanostructured Hydrogen-Imlanted Silicon Treated Primary at High Temerature-Pressure. E-MRS Sring Meet. Nicea, Francja, (lakat).
21 Zakład Badań Materiałów i Struktur Półrzewodnikowych 1 [K31] RATAJCZAK J., HEJDUK K., LIPIŃSKI M., PIOTROWSKI T., PŁUSKA M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A.: Study of Silicon Nanoarticles Formation in Silicon Nitride. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, (lakat). [K3] SCHENNIKOV V. V., KOROBEJNIKOV I. V., MOROZOVA N. V., GOLUBKOVA I. A., OVSYANNIKOV S. V., MISIUK A., ABROSIMOV N. V.: ThermoEDS of Comensated SoGE Samles under High Pressure. XIV Int. Forum of Thermoelectrics. Moskwa, Rosja, (lakat). [K33] SCHCHENNIKOV V. V., KOROBEJNIKOV I. V., MOROZOVA N. V., GOLUBKOVA I. A., OVSYANNIKOV S. V., MISIUK A., ABROSIMOV N. V.: The Strong Effect of Pressure on Thermoelectric Power of Comensated Si 1-x Ge x Samles (x < 0.06). XIV Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Loiersdorf, Niemcy, (lakat). [K34] SKWAREK A., PŁUSKA M., CZERWIŃSKI A., WITEK K.: Influence of Substrate Tye on Tin Whisker Growth for Tin-Rich Lead-Free Solder Alloys. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics. Łódź, Poland, (ref.). [K35] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., GOŁASZEWSKA-MALEC K., JUCHNIEWICZ M., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., CIEPLAK M.Z., ZAYTSEVA I., DORENBOS S., SCHOUTEN R., ZWILLER V., KITAYGORSKY J., JUKNA A., SOBOLEWSKI R.: Ultrathin NbN Films for Suerconducting Detectors. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, (ref. zar.). [K36] SŁYSZ W., GUZIEWICZ M., BORYSIEWICZ M., PASTERNAK I., DOMAGAŁA J., HEJDUK K., RZODKIEWICZ W., RATAJCZAK J., BAR J., WĘGRZECKI M., GRABIEC P., GRODECKI R., WĘGRZECKA I., SOBOLEWSKI R.: Ultrathin NbN Films Designed for Suerconducting Single-Photon Detectors. SPIE Euroe Otics a. Otoelectronics 011. Praga, Czechy, (lakat). [K37] TAUBE A., KORWIN-MIKKE K., GIERAŁTOWSKA S., GUTT T., MAŁACHOWSKI T., WZOREK M., ŁASZCZ A., PŁUSKA M., DYNOWSKA E., SOCHACKI M., MROCZYŃSKI R., PASTERNAK I., RZODKIEWICZ W., SZMIDT J., PIOTROWSKA A.: Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, (lakat). [K38] TRAJNEROWICZ A., HEJDUK K., SZCZUKOCKA E., BARAŃSKA A., KARBOWNIK P., PAPIS- POLAKOWSKA E., SZERLING A., WZOREK M.: Asekty technologiczne trawienia ółrzewodników A III B V metodą trawienia jonowego wsomaganego lazmą. V Kraj. Konf. Nanotechnologii. Gdańsk, (lakat). [K39] TYSCHENKO I. E., VOLODIN V. A., MISIUK A.: Crystallization of Hydrogenated Amorhous- Nanocrystalline Silicon Films under High-Pressure Annealing. E-MRS 011 Fall Meet. Warszawa, (ref.). [K40] WITEK K., PIOTROWSKI T., SKWAREK A.: Analysis of Polymer Foil Heaters as Infrared Radiation Source. Conf. Microtechnology and Thermal Problems in Electronics (lakat). [K41] WZOREK M., CZERWIŃSKI A., KUCHUK A., RATAJCZAK J., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Ni- Based Ohmic Contacts to Silicon Carbide Examined by Electron Microscoy. The XIV Int. Conf. on Electron Microscoy. Wisła, (lakat). [K4] WZOREK M., ŁASZCZ A., CZERWIŃSKI A., RATAJCZAK J., PŁUSKA M., BORYSIEWICZ M., TAUBE A., GIERAŁTOWSKA S., KUCHUK A., KORWIN-MIKKE K., PIOTROWSKA A., KĄTCKI J.: Badania elektronomikroskoowe struktur ółrzewodnikowych wytwarzanych w oarciu o SiC i ZnO. X Kraj. Konf. Elektroniki. Darłówko Wschodnie, (ref.).
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 64 prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska,
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: doc. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (0-) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska, doc.
Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun
Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa
Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
1. Projekty badawcze realizowane w 2011 r.
ZAKŁAD FOTONIKI Kierownik: prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI e-mail: bugajski@ite.waw.pl tel. (0-22) 54 87 932, fax (0-22) 54 87 925 Zespół: prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz, dr hab. Janusz Kaniewski,
J. Szantyr - Wykład nr 30 Podstawy gazodynamiki II. Prostopadłe fale uderzeniowe
Proagacja zaburzeń o skończonej (dużej) amlitudzie. W takim rzyadku nie jest możliwa linearyzacja równań zachowania. Rozwiązanie ich w ostaci nieliniowej jest skomlikowane i rowadzi do nastęujących zależności
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
PŁYN Y RZECZYWISTE Przepływy rzeczywiste różnią się od przepływów idealnych obecnością tarcia (lepkości): przepływy laminarne/warstwowe - różnią się
PŁYNY RZECZYWISTE Płyny rzeczywiste Przeływ laminarny Prawo tarcia Newtona Przeływ turbulentny Oór dynamiczny Prawdoodobieństwo hydrodynamiczne Liczba Reynoldsa Politechnika Oolska Oole University of Technology
Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska
V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM
V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja
Magister: Uniwersytet Śląski w Katowicach, Wydział Matematyczno Fizyczno - Chemiczny, s pecjalność: kierunek fizyka, 1977
Adres do korespondencji: Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, Laboratorium Fotowoltaiczne, 43340 Kozy, ul. Krakowska 22 Tel.: (033) 817424, fax: (033) 4867180 email:m.lipinski@imim.pl marlipin@wp.pl
Wykład 2. Przemiany termodynamiczne
Wykład Przemiany termodynamiczne Przemiany odwracalne: Przemiany nieodwracalne:. izobaryczna = const 7. dławienie. izotermiczna = const 8. mieszanie. izochoryczna = const 9. tarcie 4. adiabatyczna = const
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii
W-23 (Jaroszewicz) 20 slajdów Na podstawie prezentacji prof. J. Rutkowskiego
Bangkok, Thailand, March 011 W-3 (Jaroszewicz) 0 slajdów Na odstawie rezentacji rof. J. Rutkowskiego Fizyka kwantowa fale rawdoodobieństwa funkcja falowa aczki falowe materii zasada nieoznaczoności równanie
Własności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja
LABORATORIUM TECHNIKI CIEPLNEJ INSTYTUTU TECHNIKI CIEPLNEJ WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ
INSYUU ECHNIKI CIEPLNEJ WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI POLIECHNIKI ŚLĄSKIEJ INSRUKCJA LABORAORYJNA emat ćwiczenia: WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA WNIKANIA CIEPŁA DLA KONWEKCJI WYMUSZONEJ W RURZE
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik:prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI e-mail:katcki@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 60, fax 847 06 31 Zespół: doc. dr hab. inż. Andrzej
Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Opis techniczny. Strona 1
Ois techniczny Strona 1 1. Założenia dla instalacji solarnej a) lokalizacja inwestycji: b) średnie dobowe zużycie ciełej wody na 1 osobę: 50 [l/d] c) ilość użytkowników: 4 osób d) temeratura z.w.u. z sieci
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
[ ] 1. Zabezpieczenia instalacji ogrzewań wodnych systemu zamkniętego. 1. 2. Przeponowe naczynie wzbiorcze. ν dm [1.4] 1. 1. Zawory bezpieczeństwa
. Zabezieczenia instalacji ogrzewań wodnych systemu zamkniętego Zabezieczenia te wykonuje się zgodnie z PN - B - 0244 Zabezieczenie instalacji ogrzewań wodnych systemu zamkniętego z naczyniami wzbiorczymi
Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii
Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii sprawozdanie za okres I 2010 XII 2011 Prof. dr hab. Jan Misiewicz www.cmzin.pwr.wroc.pl Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii (CMZiN) Jest
1. Projekty badawcze realizowane w 2012 r.
16 Sprawozdanie z działalności ITE w 2012 r. ZAKŁAD FOTONIKI Kierownik: prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI e-mail: bugajski@ite.waw.pl tel. (0-22) 54 87 932, fax (0-22) 54 87 925 Zespół: prof. dr hab. inż.
Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu
Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika
IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski
Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Photovoltaic and Sensors in Environmental Development of Malopolska Region ZWIĘKSZANIE WYDAJNOŚCI SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH Plan prezentacji
Skalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza
Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,
Jak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Temperatura i ciepło E=E K +E P +U. Q=c m T=c m(t K -T P ) Q=c przem m. Fizyka 1 Wróbel Wojciech
emeratura i cieło E=E K +E P +U Energia wewnętrzna [J] - ieło jest energią rzekazywaną między układem a jego otoczeniem na skutek istniejącej między nimi różnicy temeratur na sosób cielny rzez chaotyczne
ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH
ZAKŁAD FIZYKI I TECHNOLOGII STRUKTUR NISKOWYMIAROWYCH Kierownik: prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI e-mail: bugajski@ite.waw.pl tel. (0-22) 548 79 32, fax 548 79 25 Zespół: prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz,
InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych
Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Technologii Elektronowej InTechFun Zakład ad Bada Materiałów
Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych.
do Zastosowań w Biologii i Medycynie Zadanie 23 Opracowanie metalizacji struktur pólprzewodnikowych na bazie GaN i ZnO przeznaczonych do wymagających warunków eksploatacyjnych. Zadanie 24 Opracowanie technologii
Entalpia swobodna (potencjał termodynamiczny)
Entalia swobodna otencjał termodynamiczny. Związek omiędzy zmianą entalii swobodnej a zmianami entroii Całkowita zmiana entroii wywołana jakimś rocesem jest równa sumie zmiany entroii układu i otoczenia:
półprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
Energia emitowana przez Słońce
Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy
LABORATORIUM TECHNIKI CIEPLNEJ INSTYTUTU TECHNIKI CIEPLNEJ WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ
INSTYTUTU TECHNIKI CIEPLNEJ WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI POLITECHNIKI ŚLĄSKIEJ INSTRUKCJA LABORATORYJNA Temat ćwiczenia: KONWEKCJA SWOBODNA W POWIETRZU OD RURY Konwekcja swobodna od rury
Teoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
MODELOWANIE POŻARÓW. Ćwiczenia laboratoryjne. Ćwiczenie nr 1. Obliczenia analityczne parametrów pożaru
MODELOWANIE POŻARÓW Ćwiczenia laboratoryjne Ćwiczenie nr Obliczenia analityczne arametrów ożaru Oracowali: rof. nadzw. dr hab. Marek Konecki st. kt. dr inż. Norbert uśnio Warszawa Sis zadań Nr zadania
Skończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: doc. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (0-22) 548 77 64 Zespół: prof. dr hab. Janina Marciak-Kozłowska doc.
promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
ZAK AD BADAÑ MATERIA ÓW I STRUKTUR PÓ PRZEWODNIKOWYCH
ZAK AD BADAÑ MATERIA ÓW I STRUKTUR PÓ PRZEWODNIKOWYCH Kierownik:prof. dr hab. in. Jerzy K TCKI e-mail: katcki@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 60, fax 847 06 31 Zespó³: dr in. Andrzej Czerwiñski,
Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów IV. Źródła i rozmnażanie się dyslokacji
Zjawisko Comptona opis pół relatywistyczny
FOTON 33, Lato 06 7 Zjawisko Comtona ois ół relatywistyczny Jerzy Ginter Wydział Fizyki UW Zderzenie fotonu ze soczywającym elektronem Przy omawianiu dualizmu koruskularno-falowego jako jeden z ięknych
Podstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej. wykład 2, Radosław Chrapkiewicz, Filip Ozimek
Podstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej wykład 2, 17.02.2012 wykład: pokazy: ćwiczenia: Czesław Radzewicz Radosław Chrapkiewicz, Filip Ozimek Ernest Grodner Równania Maxwella r-nie falowe
Ćwiczenie nr 1. Oznaczanie porowatości otwartej, gęstości pozornej i nasiąkliwości wodnej biomateriałów ceramicznych
Ćwiczenie nr 1 Oznaczanie orowatości otwartej, gęstości ozornej i nasiąkliwości wodnej biomateriałów ceramicznych Cel ćwiczenia: Zaoznanie się z metodyką oznaczania orowatości otwartej, gęstości ozornej
Urządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Kalorymetria paliw gazowych
Katedra Termodynamiki, Teorii Maszyn i Urządzeń Cielnych W9/K2 Miernictwo energetyczne laboratorium Kalorymetria aliw gazowych Instrukcja do ćwiczenia nr 7 Oracowała: dr inż. Elżbieta Wróblewska Wrocław,
!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Ć W I C Z E N I E N R C-5
INSTYTUT FIZYKI WYDZIAŁ INŻYNIERII PRODUKCJI I TECHNOLOGII ATERIAŁÓW POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA PRACOWNIA ECHANIKI I CIEPŁA Ć W I C Z E N I E N R C-5 WYZNACZANIE CIEPŁA PAROWANIA WODY ETODĄ KALORYETRYCZNĄ
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH
ZAKŁAD CHARAKTERYZACJI STRUKTUR NANOELEKTRONICZNYCH Kierownik: Zespół: dr hab. inż. Henryk M. PRZEWŁOCKI, prof. nadzw. w ITE e-mail: hmp@ite.waw.pl, tel. (22) 548 77 50, fax (22) 847 06 31 dr Paweł Borowicz,
Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk
Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy
Laboratorium z Krystalografii. 2 godz.
Uniwersytet Śląski Instytut Chemii Zakład Krystalografii Laboratorium z Krystalografii 2 godz. Zbadanie zależności intensywności linii Ka i Kb promieniowania charakterystycznego X emitowanego przez anodę
nieciągłość parametrów przepływu przyjmuje postać płaszczyzny prostopadłej do kierunku przepływu
CZĘŚĆ II DYNAMIKA GAZÓW 4 Rozdział 6 Prostoadła fala 6. Prostoadła fala Podstawowe własności: nieciągłość arametrów rzeływu rzyjmuje ostać łaszczyzny rostoadłej do kierunku rzeływu w zbieżno - rozbieżnym
Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: Podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów
Pierwsze prawo Kirchhoffa
Pierwsze rawo Kirchhoffa Pierwsze rawo Kirchhoffa dotyczy węzłów obwodu elektrycznego. Z oczywistej właściwości węzła, jako unktu obwodu elektrycznego, który: a) nie może być zbiornikiem ładunku elektrycznego
Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI. Pomiar ciepła spalania paliw gazowych
Katedra Silników Salinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Pomiar cieła salania aliw gazowych Wstę teoretyczny. Salanie olega na gwałtownym chemicznym łączeniu się składników aliwa z tlenem, czemu
Zapis pochodnej. Modelowanie dynamicznych systemów biocybernetycznych. Dotychczas rozważane były głownie modele biocybernetyczne typu statycznego.
owanie dynamicznych systemów biocybernetycznych Wykład nr 9 z kursu Biocybernetyki dla Inżynierii Biomedycznej rowadzonego rzez Prof. Ryszarda Tadeusiewicza Dotychczas rozważane były głownie modele biocybernetyczne
Ćwiczenia do wykładu Fizyka Statystyczna i Termodynamika
Ćwiczenia do wykładu Fizyka tatystyczna i ermodynamika Prowadzący dr gata Fronczak Zestaw 5. ermodynamika rzejść fazowych: równanie lausiusa-laeyrona, własności gazu Van der Waalsa 3.1 Rozważ tyowy diagram
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
BADANIE PROCESU POLIMORFIZMU LOSARTANU METODAMI KALORYMETRY
Ćwiczenie BADANIE PROCESU POLIMORFIZMU LOSARTANU METODAMI KALORYMETRY I. Cel ćwiczenia: W ramach zajęć zalanowano: otrzymywanie i analizę termogramów DSC dla Losartanu. interretację danych doświadczalnych
Efekt Comptona. Efektem Comptona nazywamy zmianę długości fali elektromagnetycznej w wyniku rozpraszania jej na swobodnych elektronach
Efekt Comptona. Efektem Comptona nazywamy zmianę długości fali elektromagnetycznej w wyniku rozpraszania jej na swobodnych elektronach Efekt Comptona. p f Θ foton elektron p f p e 0 p e Zderzenia fotonów
I Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
W książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Laboratorium z Krystalografii. 2 godz.
Uniwersytet Śląski Instytut Chemii Zakład Krystalografii Laboratorium z Krystalografii 2 godz. Zbadanie zależności intensywności linii Kα i Kβ promieniowania charakterystycznego X emitowanego przez anodę
Ogniwa fotowoltaiczne
Ogniwa fotowoltaiczne Efekt fotowoltaiczny: Ogniwo słoneczne Symulacja http://www.redarc.com.au/solar/about/solarpanels/ Historia 1839: Odkrycie efektu fotowoltaicznego przez francuza Alexandre-Edmond
Metody doświadczalne w hydraulice Ćwiczenia laboratoryjne. 1. Badanie przelewu o ostrej krawędzi
Metody doświadczalne w hydraulice Ćwiczenia laboratoryjne 1. adanie rzelewu o ostrej krawędzi Wrowadzenie Przelewem nazywana jest cześć rzegrody umiejscowionej w kanale, onad którą może nastąić rzeływ.
Rozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Stany materii. Masa i rozmiary cząstek. Masa i rozmiary cząstek. m n mol. n = Gaz doskonały. N A = 6.022x10 23
Stany materii Masa i rozmiary cząstek Masą atomową ierwiastka chemicznego nazywamy stosunek masy atomu tego ierwiastka do masy / atomu węgla C ( C - izoto węgla o liczbie masowej ). Masą cząsteczkową nazywamy
Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Optyka kwantowa wprowadzenie. Początki modelu fotonowego Detekcja pojedynczych fotonów Podstawowe zagadnienia optyki kwantowej
Optyka kwantowa wprowadzenie Początki modelu fotonowego Detekcja pojedynczych fotonów Podstawowe zagadnienia optyki kwantowej Krótka (pre-)historia fotonu (1900-1923) Własności światła i jego oddziaływania
MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie
MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu
Podstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej. wykład 2, Mateusz Winkowski, Jan Szczepanek
Podstawy Fizyki IV Optyka z elementami fizyki współczesnej wykład 2, 06.10.2017 wykład: pokazy: ćwiczenia: Czesław Radzewicz Mateusz Winkowski, Jan Szczepanek Radosław Łapkiewicz Równania Maxwella r-nie
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Badanie i zastosowania półprzewodnikowego modułu Peltiera jako chłodziarki
ĆWICZENIE 38 A Badanie i zastosowania ółrzewodnikowego modułu Peltiera jako chłodziarki Cel ćwiczenia: oznanie istoty zjawisk termoelektrycznych oraz ich oisu, zbadanie odstawowych arametrów modułu Peltiera,
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
ZAKŁAD BADAŃ MATERIAŁÓW I STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Kierownik: doc. dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI e-mail: aczerwin@ite.waw.pl, tel. (0-prefiks-22) 548 77 64, fax 847 06 31 Zespół: dr inż. Jacek Ratajczak,
Płytowe wymienniki ciepła. 1. Wstęp
Płytowe wymienniki cieła. Wstę Wymienniki łytowe zbudowane są z rostokątnych łyt o secjalnie wytłaczanej owierzchni, oddzielonych od siebie uszczelkami. Płyty są umieszczane w secjalnej ramie, gdzie są
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL
PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,