Technologia monokryształów i cienkich warstw
|
|
- Aneta Sawicka
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Technologia monokryształów i cienkich warstw Wybór metody zaleŝy od właściwości fizykochemicznych materiału, Ŝądanych parametrów strukturalnych i uŝytkowych materiału, aspektów ekonomicznych procesu Budowa i cechy monokryształu Cechy materiałów monokrystalicznych: Struktura monokrystaliczna. 1. większa ruchliwość nośników elektrycznych, 2. mniejsze rozpraszanie światła w porównaniu z polikryształem, 3. mniejsza ilość zlokalizowanych stanów w przerwie energetycznej w porównaniu z materiałem amorficznym, 4. moŝliwość łatwiejszego uzyskania gładkiego interfejsu w strukturach warstwowych. 1
2 Monokryształy y stosowane w elektronice Materiałami ami o budowie monokrysm onokrystalicznej stosowanymi zarówno w elektronice jak i optoelektronice są: s Si, GaAs, InP, Ge, Al2O3, GaSb, InSb. Metody otrzymywania monokryształów Ze względu na stan skupienia monokrysztam onokryształy y stosowane min. dla elektroniki moŝna otrzymywać: Z fazy stałej, w wyniku przemiany fazowej w stanie stałym (np. w przemianach metamorficznych w procesach geologicznych), Z fazy ciekłej, ej, przez bezpośrednie zestalanie cieczy, odparowanie, przez wyciąganie monokryształu u ze stopionego materiału, Z fazy gazowej, przez sublimację,, metodą gazowego transportu chemicznego. Ze względu na rodzaj naczynia metody otrzymywania monokryształów dzielimy na: Tyglowe, Beztyglowe. 2
3 Krystalizacja półprzewodników z fazy ciekłej Procesy jednoskładnikowe 1. Krystalizacja zachowawcza 2. Krystalizacja niezachowawcza Metody krystalizacji ad. 1. ad. 2. Metoda Bridgmana-Stockbargera Metoda Czochralskiego LEC (Liquid Encapsulated Czochralski), Metoda Kyropoulosa Metoda wędrującej strefy 3
4 Metoda Bridgmana-Stockbargera Zapoczątkowanie procesu na granicy rozdziału pomiędzy roztopem a zarodkiem krystalizacyjnym Ruchomy tygiel przechodzi przez gradient temperatury Piec grzany oporowo stromy gradient temp. 2 obszary temperatur: T 1 >T kryst. T 2 < T kryst. Metoda Bridgmana-Stockbargera Schemat aparatury 4
5 Metoda Bridgmana Stockbargera Metoda Bridgmana Stockbargera umoŝliwia otrzymywanie kryształów ze wzrostem wynoszącym 1cm/h. Wzrost kryształów w tyglu w układzie pionowym odbywa się poprzez: Opuszczenie tygla, Podnoszenie pieca, Stopniowe obniŝanie temperatury pieca przy stałym połoŝeniu elementów. Idea procesu otrzymywania monokryształów metodą Bridgmana-Stockbargera. Metoda Bridgmana Stockbargera... Układ umoŝliwiający otrzymywanie monokryształów metodą Bridgmana-Stockbargera. 5
6 Metoda Bridgmana Stockbargera... Piec stosowany do wzrostu kryształów Space Station Alpha metodą Bridgmana Stockbargera Cechy metody Bridgmana Stockbargera Zalety: Prostota kształt kryształu zdeterminowany przez kształt naczynia, Nie potrzeba radialnego gradientu temp. w celu kontroli kształtu kryształu, NieduŜe napręŝenia termiczne, a co za tym idzie nieduŝa ilość dyslokacji indukowanych napręŝeniem, Kryształy moŝna hodować w zamkniętych ampułkach (kontrola zawartości stopu), Względnie niski poziom konwekcji stop ma kontakt z stabilizującym gradientem temperatury, Proces nie wymaga wielkiej dbałości. Wady: Ograniczony wzrost: wpływ ciśnienia, jakie wywiera pojemnik na kryształ w czasie chłodzenia, Trudność w obserwacji procesu dalszego zarodkowania i wzrostu kryształu, Utrudnienia w produkcji na duŝą skalę (przygotowanie ampułek i zarodków, uszczelnianie itp.). 6
7 Metoda Czochralskiego, 1916 r. Powolne wyciąganie kryształu z roztopu z jednoczesnym obrotem Schemat aparatury Metoda Czochralskiego Metoda umoŝliwiająca otrzymywanie monokryształów takich pierwiastków jak: krzem Si, german Ge, związki półprzewodnikowe: * arsenek galu GaAs, * fosforek galu GaP, * fosforek indu InP. Urządzenie do otrzymywania monokryształów metodą Czochralskiego. 7
8 Metoda Czochralskiego... Kryształy Si Kontakt zarodek roztop Początek wyciągania Wzrost części walcowej kryształu Końcowa faza wzrostu monokryształu Etapy wzrostu monokryształu otrzymywanego metodą Czochralskiego Monokryształy y otrzymane metodą Czochralskiego Monokryształy Si otrzymane metodą Czochralskiego. 8
9 Zalety: Szybkość wzrostu kryształu u mm/h, Wzrost z otwartej powierzchni, Kryształ moŝe e być obserwowany, Cechy metody Czochralskiego MoŜliwo liwość produkcji na duŝą skalę otrzymywanie duŝych kryształów, MoŜliwo liwość osiągni gnięcia wysokiej czystości ci kryształów w dochodzącej cej do %, Uzyskanie produktu o określonej orientacji krystalograficznej, Szeroki zakres stosowalności techniki moŝna zastosować do wielu rodzajów w materiałów. Wady: NiemoŜliwe uŝycie u materiałów w o pręŝ ęŝności pary, Proces wymagający stosowania substratu porcjami trudno wdroŝyć proces ciągły, Kryształ musi być obracany (poŝą Ŝądane rotowanie tygla), Proces wymaga dbałości i ciągłej uwagi jak i dokładnej kontroli, DuŜy y gradient temperatury, a przy małym trudność kontroli kształtu, tu, DuŜe e napręŝ ęŝenia termiczne. Metoda LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) Metoda a umoŝliwiaj liwiająca otrzymywanie monokryształów w takich związk zków w jak: arsenek galu GaAs, arsenek indu InAs As, fosforek indu InP. Urządzenie do otrzymywania monokryształów metodą LEC. 9
10 Metoda LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) Podział monokryształy wytwarzane metodą LEC Liquid Encapsulated Czochralski wykorzystywanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych: kryształy wysoko oporowe (półizolujące), o oporności właściwej rzędu Ωcm, zapewniające brak zwierania elektrycznego wykonywanych na nich elementów, np. tranzystorów robionych przez implantację domieszek bezpośrednio do materiału podłoŝa. kryształy przewodzące, przewaŝnie typu n, o oporności właściwej rzędu 10-3 Ωcm, zapewniającej dobre przewodnictwo prądu przez podłoŝe do warstw aktywnych przyrządów np. lasera czy diody elektroluminescencyjnej. Metoda Kyropoulosa Chłodzenie nieruchomego zarodka Chłodzenie nieruchomego zarodka Schemat aparatury 10
11 Przykłady monokrystalizacji Metoda Bridgmana-Stockbargera Substancja Temp. topnienia [ o C] Grad temp. [ o C/mm] Szybkość Tygiel Atmosfera wzrostu [mm/h] Cu CaF As GaAs grafit grafit kwarc kwarc azot próŝnia pary As pary As Substancja Bi Ge Si GaAs CaWO Metoda Czochralskiego Temp. topn. Szybkość wzrostu Atmosfera [ o C] [mm/h] próŝnia próŝnia próŝnia lub Ar pary As powietrze Metoda Topienia strefowego Zarodek monokrystaliczny umieszczony w jednym końcu łódeczki inicjuje wzrost kryształu z fazy ciekłej. Fazę tę wytwarza się w bezpośrednim sąsiedztwie zarodka przez stopienie polikrystalicznego materiału rozmieszczonego równomiernie wzdłuŝ całej łódeczki. Po zwilŝeniu zarodka przetapia się następnie strefowo całą zawartość łódeczki. Proces jest procesem niezachowawczym materiał jest dodawany do stapianego rejonu, a aksjalny (osiowy) rozkład temp. jest przyłoŝony wzdłuŝ tygla. Monokrystalizacja metodą topienia strefowego. 11
12 Cechy metody Topienia strefowego Zalety: Materiał jest oczyszczany przez powtarzane przechodzenie przez strefę (oczyszczanie strefowe), Kryształy mogą rosnąć w zamkniętych ampułach lub w zbiornikach otwartych, MoŜliwość realizacji ciągłego wzrostu, Proces nie wymaga wielkiej dbałości, Prostota: nie ma potrzeby kontroli kształtu kryształu. Wady: Ograniczony wzrost, Trudność obserwacji procesu i wzrostu kryształu, Utrudnione wymuszenie konwekcji, Metody nie moŝna zastosować do niektórych materiałów o wysokich pręŝnościach par Metody wędrującej strefy grzejnej i wędrującej strefy roztopu Schemat aparatury Zalety: czyszczenie strefowe (segregacja domieszek), c-si 1m dł. 12
13 Metoda topienia z wędrującą strefą jest metodm etodą otrzymywania monokryształów wykorzystywanych w elektronice naleŝą Ŝącą do grupy metod beztyglowych. Ponadto umoŝliwia ona otrzymywanie kryształów w z fazy ciekłej ej wzrost ze stopu. Zarodek krystalizacji umieszcza się w dolnym uchwycie urządzenia. Stopienie pręta w jego dolnej częś ęści powoduje zwilŝenie zarodka krystalizacji. Przesunięcie ku górze g strefy grzania powoduje, Ŝe e obszar stopiony jest przesuwany w góręg z jednoczesną rotacją wokół osi pionowej oraz zakrzepnięcie częś ęści uprzednio topionej, aŝa całość stanie się krystaliczna. Przy pionowym ustawieniu pręta stopiona strefa jest utrzymywana pomiędzy stałymi jego częś ęściami dzięki siłą napięcia powierzchniowego. Ma to wpływ w na ograniczenia średnicy pręta oraz długości stopionej strefy. Metodą ta moŝna otrzymywać min. monokryształy y krzemu czy arsenku galu, które topi się w temperaturze 1237 ± 3ºC. Schemat metody 13
14 Otrzymywanie monokryształów metodą topnienia z wędrującą strefą. Nowoczesny układ do otrzymywania monokryształów w metodą topnienia z wędrującą strefą 14
15 Problemy otrzymywania monokryształów ze stopów Problemy podczas procesu krystalizacji monokryształów w ze stopów w : występuj pujące w ce w metodach otrzymywania Ustalenie odpowiedniego przedziału u temperatur, w którym ma miejsce krystalizacja, Rosnący kryształ i materiał stopiony nie stanowią układu zamkniętego składniki otoczenia mogą oddziaływa ywać na ten układ (atmosfera ochronna, materiał tygla i izolacji cieplnej), Problem wytworzenia zarodka pozwalającego na wyciagnięcie cie monokryształu u o poŝą Ŝądanej orientacji, Odpowiedni dobór r składu wyjściowego roztopu (uwzględnienie moŝliwych procesów w dysocjacji lub parowania składnik adników), Prędko dkość wyciągania monokryształu u i prędko dkość obrotowa zarodka (decydują o jakości otrzymanego monokryształu). Metoda krystalizacji z roztworów Krystalizacja poprzez odparowanie rozpuszczalnika Krystalizacja poprzez kontrolowane schładzanie roztworu Krystalizacja w gradiencie temperatury Krystalizacja poprzez reakcje chemiczne i elektrochemiczne Zalety: obniżenie temperatury, rozkłady przestrzenne domieszek 15
16 Krystalizacja z roztworu w gradiencie temperatury Schemat aparatury Epitaksja Epitaksja - zorientowany krystalograficzny wzrost warstwy monokrystalicznej na powierzchni zorientowanego krystalograficznie kryształu podłoŝowego Struktura i orientacja krystalograficzna warstwy znajduje się w określonej relacji do struktury i orientacji podłoŝa 16
17 Epitaksja Epitaksja - powszechnie stosowana metoda otrzymywania warstw półprzewodnikowych w technologii laserów i diod Epitaksja: # z fazy ciekłej # z par VPE (vapour phase epitaxy) # z wiązek molekularnych (MBE) Epitaksja z fazy ciekłej liquid phase epitaxy LPE Krystalizacja z nasyconego roztworu na podłoŝu monokrystalicznym GaAs - roztwór Ga nasycony As w kontakcie z podłoŝem schładza się w kontrolowany sposób. Wzrost następuje wskutek tego, Ŝe rozpuszczalność składnika rozcieńczonego w roztworze (As) maleje w miarę obniŝania temperatury 17
18 Epitaksja z fazy ciekłej liquid phase epitaxy LPE Schemat aparatury, technika przesuwowa Epitaksja z par vapour phase epitaxy VPE 3 odmiany metody: * Chlorkowa: AsCl 3, PCl 3, GaCl * Wodorkowa: AsH 3, PH 3 * Metaloorganiczna: trójmetyl galu TMGa trójmetyl glinu TMAl arsen AsH 3, 650<T<750 o C 18
19 Epitaksja z par vapour phase epitaxy VPE Schemat aparatury, metoda MOCVD Epitaksja z par vapour phase epitaxy VPE Schemat reaktora 19
20 Epitaksja z wiązek molekularnych Molecular beam epitaxy MBE Proces wzrostu zachodzący w ultrawysokiej próŝni w wyniku reakcji wiązek molekularnych z powierzchnią kryształu Odmiana naparowania próŝniowego,p u = 10-8 Pa, temp. ok. 600 o C, powolny wzrost, pojedyncze warstwy atomowe, łatwość domieszkowania Epitaksja z wiązek molekularnych Molecular beam epitaxy MBE Ilustracja procesu 20
21 Epitaksja z wiązek molekularnych Molecular beam epitaxy MBE Komórki efuzyjne Knudsena- sterowany strumień molekularny: monomery metalu, dimery, trimery niemetalu (Ga, As 2, As 3 ) równowaga FAZA SKONDENSOWANA PARY Procesy: adsorpcja As 2,migracja, dysocjacja, desorpcja, reakcje chemiczne, prędkość wzrostu: 0.1 nm/s Osprzęt: pompy kriogeniczne, regulatory temperatury PID, rotacja, kontrola grubości i składu, spektroskopia REED, masowa, sterowanie komputerowe. Co moŝna otrzymać? III-V LED, HEMT, HBT, PD, MQW, Q-W, Q-DOTS Epitaksja z wiązek molekularnych Molecular beam epitaxy MBE Schemat aparatury MBE 21
22 Epitaksja z par vapour phase epitaxy VPE Metoda wodorkowa dla GaAs H 2 (CH 3 ) 3 Ga+AsH 3 GaAs+3CH 4 Metoda wodorkowa dla Ga 1-x Al x As H 2 (1-x)[(CH 3 ) 3 Ga]+x[(CH 3 ) 3 Al]+AsH 3 Ga 1-x Al x As+3CH 4 Domieszkowanie: typ p dwuetylocynk DEZn typ n wodorotlenek selenu 22
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład 11. Wzrost kryształów objętościowych z fazy roztopionej (roztopu) Tomasz Słupiński e-mail: Tomasz.Slupinski@fuw.edu.pl Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński
Bardziej szczegółowoWarunek stabilności zarodka. Krystalizacja zachodzi w kilku etapach. Etapy procesu krystalizacji:
DG Otrzymywanie ów Otrzymywanie monoów w przemyśle, ang. crystal growth technology przemysł półprzewodnikowy: Si, AsGa, LED GaP, InP, CdTe ogniwa fotowoltaiczne, CdHgTe detekcja IR itd. otrzymywanie kamieni
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)
WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoWZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU)
WZROST KRYSZTAŁÓW OBJĘTOŚCIOWYCH Z FAZY ROZTOPIONEJ (ROZTOPU) Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Wykład 13. Wzrost kryształów objętościowych z roztopu Tomasz Słupiński Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski e-mail: tomslu@fuw.edu.pl Stanisław
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW WIADOMOŚCI OGÓLNE 1 Monokryształy można otrzymywać: z fazy stałej: W wyniku przemiany fazowej w stanie stałym ( np. w przemianach metamorficznych w procesach geologicznych)
Bardziej szczegółowoOsadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Bardziej szczegółowoCienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. 1 Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoOtrzymywanie i badanie własności elektrycznych monokrysztalicznych ciał stałych wprowadzenie
Otrzymywanie i badanie własności elektrycznych monokrysztalicznych ciał stałych wprowadzenie George M. Honig Department of Chemistry, Purdue University, USA Część I Hodowla monokryształów Artykuł jest
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoWykład 3. Diagramy fazowe P-v-T dla substancji czystych w trzech stanach. skupienia. skupienia
Wykład 3 Substancje proste i czyste Przemiany w systemie dwufazowym woda para wodna Diagram T-v dla przejścia fazowego woda para wodna Diagramy T-v i P-v dla wody Punkt krytyczny Temperatura nasycenia
Bardziej szczegółowoGaSb, GaAs, GaP. Joanna Mieczkowska Semestr VII
GaSb, GaAs, GaP Joanna Mieczkowska Semestr VII 1 Pierwiastki grupy III i V układu okresowego mają mało jonowy charakter. 2 Prawie wszystkie te kryształy mają strukturę blendy cynkowej, typową dla kryształów
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoFizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów. II. semestr Wstęp. 16 luty 2010
Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów II. semestr Wstęp 16 luty 2010 Zbigniew R. Żytkiewicz Instytut Fizyki PAN 02-668 Warszawa, Al. Lotników 32/46 tel: 22 843 66 01 ext. 3363 E-mail:
Bardziej szczegółowoJak TO działa? Co to są półprzewodniki? TRENDY: Prawo Moore a. Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: *******
Co to są półprzewodniki? Jak TO działa? http://www.fuw.edu.pl/~szczytko/ Google: Jacek Szczytko Login: student Hasło: ******* Jacek.Szczytko@fuw.edu.pl Wydział Fizyki UW 2 TRENDY: Prawo Moore a TRENDY:
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG
Technologie wytwarzania Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413;
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy Półprzewodnikowe
KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
STRUKTURA STOPÓW UKŁADY RÓWNOWAGI FAZOWEJ Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Wykresy układów równowagi faz stopowych Ilustrują skład fazowy
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby
Bardziej szczegółowozasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych.
Cienkie warstwy Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym. Istotnym parametrem charakteryzującym
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl http://www.rk.kujawsko-pomorskie.pl/ Organizacja zajęć Kurs trwa 20 godzin lekcyjnych,
Bardziej szczegółowoKrystalizacja. Jak materiał krystalizuje?
Krystalizacja Jak materiał krystalizuje? o Molekuły zawsze zderzają się za sobą czasami łączą się, a czasami nie. o Gdy ciecz ochładza się, energia kinetyczna cząsteczek maleje. Przy niższej energii kinetycznej
Bardziej szczegółowoKRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana
Bardziej szczegółowoOpis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu
Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Wojciech Gieszczyk Raport sporządzony w ramach czwartego etapu Umowy o Dzieło Autorskie
Bardziej szczegółowoStatyka Cieczy i Gazów. Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał
Statyka Cieczy i Gazów Temat : Podstawy teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał 1. Podstawowe założenia teorii kinetyczno-molekularnej budowy ciał: Ciała zbudowane są z cząsteczek. Pomiędzy cząsteczkami
Bardziej szczegółowoDiagramy fazowe graficzna reprezentacja warunków równowagi
Diagramy fazowe graficzna reprezentacja warunków równowagi Faza jednorodna część układu, oddzielona od innych części granicami faz, na których zachodzi skokowa zmiana pewnych własności fizycznych. B 0
Bardziej szczegółowoRóżne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice. Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7
Różne techniki hodowli kryształów wykorzystywanych w elektronice Paweł Porada Informatyka stosowana semestr 7 Hodowanie Z masy stopionej z roztworu z fazy gazowej z fazy stałej (tzw. rekrystalizacja) Hodowanie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Bardziej szczegółowoWarunki izochoryczno-izotermiczne
WYKŁAD 5 Pojęcie potencjału chemicznego. Układy jednoskładnikowe W zależności od warunków termodynamicznych potencjał chemiczny substancji czystej definiujemy następująco: Warunki izobaryczno-izotermiczne
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoSeria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii
Seria 2, ćwiczenia do wykładu Od eksperymentu do poznania materii 8.1.21 Zad. 1. Obliczyć ciśnienie potrzebne do przemiany grafitu w diament w temperaturze 25 o C. Objętość właściwa (odwrotność gęstości)
Bardziej szczegółowoMateriały w optoelektronice
Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,
Bardziej szczegółowoStan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny
Stan Krystaliczny Stan krystaliczny Stan krystaliczny jest podstawową formą występowania nieorganicznych ciał stałych w przyrodzie (dlaczego?). Cechą wyróżniającą kryształy jest ich uporządkowana, periodyczna
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Pierwiastki. niemetale Be. 27 Co. 28 Ni. 26 Fe. 29 Cu. 45 Rh. 44 Ru. 47 Ag. 46 Pd. 78 Pt. 76 Os.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Copyright 2000 by Harcourt,
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoTermodynamiczne warunki krystalizacji
KRYSTALIZACJA METALI ISTOPÓW Zakres tematyczny y 1 Termodynamiczne warunki krystalizacji hiq.linde-gas.fr Krystalizacja szczególny rodzaj krzepnięcia, w którym ciecz ulega przemianie w stan stały o budowie
Bardziej szczegółowoZespół Szkół Samochodowych
Zespół Szkół Samochodowych Podstawy Konstrukcji Maszyn Materiały Konstrukcyjne i Eksploatacyjne Temat: OTRZYMYWANIE STOPÓW ŻELAZA Z WĘGLEM. 2016-01-24 1 1. Stopy metali. 2. Odmiany alotropowe żelaza. 3.
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.1
METODY PRZECHOWYWANIA I UTRWALANIA BIOPRODUKTÓW ZAMRAŻANIE PODSTAWY CZ.1 Opracował: dr S. Wierzba Katedra Biotechnologii i Biologii Molekularnej Uniwersytetu Opolskiego Zamrażaniem produktów nazywamy proces
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoCzy równowaga jest procesem korzystnym? dr hab. prof. nadzw. Małgorzata Jóźwiak
Czy równowaga jest procesem korzystnym? dr hab. prof. nadzw. Małgorzata Jóźwiak 1 Pojęcie równowagi łańcuch pokarmowy równowagi fazowe równowaga ciało stałe - ciecz równowaga ciecz - gaz równowaga ciało
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej... INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice... Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Struktura materiałów
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoMBE epitaksja z wiązek molekularnych
MBE epitaksja z wiązek molekularnych Tomasz Słupiński Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki, Zakład Fizyki Ciała Stałego (Pracownia Fizyki Wzrostu Kryształów) tomslu@fuw.edu.pl Wykład w PTWK, 4 kwietnia,
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoCzym się różni ciecz od ciała stałego?
Szkła Czym się różni ciecz od ciała stałego? gęstość Czy szkło to ciecz czy ciało stałe? Szkło powstaje w procesie chłodzenia cieczy. Czy szkło to ciecz przechłodzona? kryształ szkło ciecz przechłodzona
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis
Wykład II Monokryształy Jerzy Lis Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów - krystalografia 3. Budowa kryształów rzeczywistych defekty WPROWADZENIE Stan krystaliczny jest podstawową
Bardziej szczegółowopromotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne KRYSZTAŁY
Materiałoznawstwo optyczne KRYSZTAŁY Kryształy kryształ: ciało o prawidłowej budowie wewnętrznej, fizycznie i chemicznie jednorodne, anizotropowe, mające wszystkie wektorowe własności fizyczne jednakowe
Bardziej szczegółowoWzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN
Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Plan wykładu Laboratoria wzrostu kryształów w Warszawie Po
Bardziej szczegółowoAnaliza termiczna Krzywe stygnięcia
Analiza termiczna Krzywe stygnięcia 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 T a e j n s x p b t c o f g h k l p d i m y z q u v r w α T B T A T E T k P = const Chem. Fiz. TCH II/10 1 Rozpatrując stygnięcie wzdłuż kolejnych
Bardziej szczegółowoUMO-2011/01/B/ST7/06234
Załącznik nr 7 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoInstrukcja. Laboratorium
Instrukcja Laboratorium Temperatura mięknięcia tworzyw według metody Vicat str. 1 TEMPERATURA MIĘKNIĘCIA Temperatura przy której materiał zaczyna zmieniać się z ciała stałego w masę plastyczną. Przez pojęcie
Bardziej szczegółowoWzrost fazy krystalicznej
Wzrost fazy krystalicznej Wydzielenie nowej fazy może różnić się of fazy pierwotnej : składem chemicznym strukturą krystaliczną orientacją krystalograficzną... faza pierwotna nowa faza Analogia elektryczna
Bardziej szczegółowoMetody łączenia metali. rozłączne nierozłączne:
Metody łączenia metali rozłączne nierozłączne: Lutowanie: łączenie części metalowych za pomocą stopów, zwanych lutami, które mają niższą od lutowanych metali temperaturę topnienia. - lutowanie miękkie
Bardziej szczegółowoMonokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża... Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych Andrzej Hruban, Wacław Orłowski,
Bardziej szczegółowo1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej?
Tematy opisowe 1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? 2. Omów pomiar potencjału na granicy faz elektroda/roztwór elektrolitu. Podaj przykład, omów skale potencjału i elektrody
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209889 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 384408 (22) Data zgłoszenia: 06.02.2008 (51) Int.Cl. C22B 19/04 (2006.01)
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoPółizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych
Andrzej HRUBAN INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych 1. WSTĘP Monokryształy
Bardziej szczegółowoprof. dr hab. Małgorzata Jóźwiak
Czy równowaga w przyrodzie i w chemii jest korzystna? prof. dr hab. Małgorzata Jóźwiak 1 Pojęcie równowagi łańcuch pokarmowy równowagi fazowe równowaga ciało stałe - ciecz równowaga ciecz - gaz równowaga
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA CIAŁA STAŁEGO
STRUKTURA CIAŁA STAŁEGO Podział ciał stałych Ciała - bezpostaciowe (amorficzne) Szkła, żywice, tłuszcze, niektóre proszki. Nie wykazują żadnych regularnych płaszczyzn ograniczających, nie można w nich
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
STRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Stop tworzywo składające się z metalu stanowiącego osnowę, do którego
Bardziej szczegółowoInżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką
Inżynieria materiałowa: wykorzystywanie praw termodynamiki a czasem... walka z termodynamiką Kilka definicji Faza Stan materii jednorodny wewnętrznie, nie tylko pod względem składu chemicznego, ale również
Bardziej szczegółowoKryształy w życiu człowieka
Kryształy w życiu człowieka Kryształy mają duży szereg zastosowań m.in.w medycynie,farmacji,jubilerstwie itp. Aby dowiedzieć się wielu ciekawych informacji o kryształach,musimy zacząć naszą,,podróż w dział
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoAbsorpcja związana z defektami kryształu
W rzeczywistych materiałach sieć krystaliczna nie jest idealna występują różnego rodzaju defekty. Podział najważniejszych defektów ze względu na właściwości optyczne: - inny atom w węźle sieci: C A atom
Bardziej szczegółowoWstęp. Krystalografia geometryczna
Wstęp Przedmiot badań krystalografii. Wprowadzenie do opisu struktury kryształów. Definicja sieci Bravais go i bazy atomowej, komórki prymitywnej i elementarnej. Podstawowe typy komórek elementarnych.
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoNADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli. miedziowo-lantanowym, w którym niektóre atomy lantanu były
FIZYKA I TECHNIKA NISKICH TEMPERATUR NADPRZEWODNICTWO NADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli nadprzewodnictwo w złożonym tlenku La 2 CuO 4 (tlenku miedziowo-lantanowym,
Bardziej szczegółowoOBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA. Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego
OBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego WPŁYW CHŁODZENIA NA PRZEMIANY AUSTENITU Ar 3, Ar cm, Ar 1 temperatury przy chłodzeniu, niższe od równowagowych A 3, A cm, A 1 A
Bardziej szczegółowoMATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI)
MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI) Metalurgia proszków jest dziedziną techniki, obejmującą metody wytwarzania proszków metali lub ich mieszanin z proszkami niemetali oraz otrzymywania wyrobów z tych proszków
Bardziej szczegółowoWzrost objętościowy z fazy gazowej. Krzysztof Grasza
Wzrost objętościowy z fazy gazowej Krzysztof Grasza Instytut Fizyki PAN Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych WARSZAWA Część pierwsza Zakres stosowalności metody krystalizacji z fazy gazowej,
Bardziej szczegółowoPraca objętościowa - pv (wymiana energii na sposób pracy) Ciepło reakcji Q (wymiana energii na sposób ciepła) Energia wewnętrzna
Energia - zdolność danego układu do wykonania dowolnej pracy. Potencjalna praca, którą układ może w przyszłości wykonać. Praca wykonana przez układ jak i przeniesienie energii może manifestować się na
Bardziej szczegółowo