Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki.

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki."

Weronika Adamska
7 lat temu
Przeglądów:

1 Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra dla elastycznej elektroniki. dr Andrzej Kinart Łódź; Jaracza 6; Poland III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki r.

2 Amepox Microelectronics - data założenia r. Funkcjonalne materiały do zastosowań w elektronice i mikroelektronice : - Proszki i płatki srebra, - Proszki i płatki miedzi, - Kleje, pasty lakiery z wypełniaczem srebrowym, - Kleje i smary termoprzewodzące, - Kleje przewodzące strumień magnetyczny. Nanotechnologia : - Metale w rozmiarach nanometrycznych: nanosrebro 3-8 nm i nm (złoto i miedź w trakcie opracowywania, - Atramenty z nanosrebrem do zastosowań w elektronice i mikroelektronice, - Pasty dla technologii Roll-to-roll. Laureat kilku innowacyjnych nagród : r (Samopoziomująca się posadzka podłogowa), r (Proszek srebra o najwyższej czystości), r (Pasty lutownicze), r (Nanosrebro). Uczestnik kilku programów badawczo rozwojowych (R&D).

3 Amepox Microelectronics Aktywność Amepox Microelectronics w projektach badawczo rozwojowych od 2000r. FP5 NANOJOINING EUREKA MAJE Koordynator TNO Koordynator SPS FP6 STABILIGHT EURIPIDES CANOPY Koordynator UNIPMN (Universita del Piemonte Orientale) F16 Offset Program FP7 NanoFate Koordynator THALES ALENIA SPACE FP7 PRIAM Koordynator CRF FP7 NANOTHERM Koordynator NERC Koordynator THALES Projekty krajowe (aktualnie 2 granty) III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki r.

4 Amepox Microelectronics Wykaz instytucji z którymi współpracuje Amepox MC: Politechnika Łódzka Łódź, Polska, Polska Akademia Nauk Warszawa, Polska, Politechnika Wrocałwska Wrocław, Polska, Uniwersytet Łódzki, Katedra Fizyki Ciała Stałego Łódź, Polska, Fraunhofer Institut Brema, Niemcy Fraunhofer IZM Monachium, Niemcy Paul Sabatier University Tuluza, Francja Oxford University Oksford, Wielka Brytania TNO Science & Industry Eindhoven, Holandia VTT Technical Research Centre of Finland Oulu, Finlandia, i inne.

5 Atramenty przewodzące na bazie nanosrebra NANOSREBRO 3 8nm ATRAMNTY PRZEWODZĄCE: - Fotowoltaika i technologia OLED - Elastycznej elektronika, NAOSREBRO 50 60nm - Mikroelektronika: anteny RFID, zminiaturyzowane układy elektryczne, itd, - Technologia Ink-jet i Rll-to-roll.

6 Nanosrebro 3-8nm W celu przygotowania cząstek o wielkości mniejszej niż 10 nm, została zastosowana technologia rozkładu termicznego mieszaniny srebra. Mieszanina srebra Reaktor Nanosrebro Nanosrebro po obróbce technologicznej (mycie, suszenie) Atrament z nanosrebrem

7 Nanosrebro 3-8nm Rozkład wielkości cząstek nanosrebra Nu mber of particles [%] Silver particle dimension [nm]

8 Nanosrebro 50-60nm

9 Atramenty przewodzące podłoża

10 Atramenty przewodzące dla technologii Ink-jet WYSOKO TEMPERATUROWY ATRAMNET NISKO TEMPERATUROWY ATRAMNET Konsystencja Środowisko Kolor Bardzo niska lepkość cieczy Nie polarne Ciemno brązowy do czarnego Koncentracja nag 40-60% Lepkość * Współczynnik tiksotropowości Napięcie powierzchniowe Ciężar właściwy Rezystywność po synteryzacji** *)Brookfield LVDVII + CP; 100 rpm; 25 C **) Synteryzacja w 230 C; 60 min 3,6-18 mpas ~ 1, mn/m 1,1 1,3 g/cm3 (4-6) 10-6 Ωcm Konsystecja Środowisko Kolor Bardzo niska lepkośc cieczy Polarne Szary Koncentracja nag 20% Lepkość * Współczynnik tiksotropowości Napięcie powierzchniowe Ciężar właściwy Rezystywność po synteryzacji ** 5,5-10 mpas ~ 1, mn/m 1,1 1,3 g/cm3 (4-6) 10-6 Ωcm *)Brookfield LVDVII + CP; 100 rpm; 25 C **) Synteryzacja w 150 C; 60 min

11 Atramenty przewodzące dla technologii Ink-jet

12 Synteryzacja za pomocą impulsów o wysokiej energii światła. Folia PI Folia PET Energia max J Regulacja mocy - 1/16-1/1 Czas impulsu - 1/800-1/1200 s Rezystancja wydrukowanych struktur na foliach PI i PET w zależności od liczby impulsów Podłoże Ilość impulsów. Rezystancja [Ω] Rezystywność [Ωcm] PI 20 0,41 6, PET 20 2,

13 Zastosowanie technologii Ink-jet

14 Zastosowanie technologii Ink-jet r -Ag / µw*cm Tests by Fraunhofer IZM, München Current / ma R / mw Rho rho-bulk Current / ma III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki r. Rsq

15 Zastosowanie technologii Ink-jet

16 Zastosowanie technologii Ink-jet

17 Amepox Microelectronics prace badawczo rozwojowe Mag x Mag x Mag. 5000x

18 Dziękuje bardzo za uwagę. III Warsztaty Organicznej Drukowanej i Elastycznej Elektroniki r.

Podobne dokumenty

Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet.

www.amepox-mc.com www.amepox.com.pl Badanie Podstawowych Właściwości Atramentów Przewodzących Prąd Elektryczny dla Technologii Ink-Jet. Andrzej Kinart, Andrzej Mościcki, Anita Smolarek Amepox Microelectronics,