Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych
|
|
- Aleksander Stankiewicz
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 dr hab. inż. Krzysztof Górecki, prof. nadzw. AMG mgr inż. Przemysław Ptak Wydział Elektryczny Akademia Morska w Gdyni ul. Morska 83, Gdynia Modelowanie modułów LED z uwzględnieniem zjawisk cieplnych Słowa kluczowe: diody LED mocy, zjawiska cieplne, modelowanie STRESZCZENIE W pracy rozważany jest problem modelowania modułów LED przy wykorzystaniu programu SPICE. Przedstawiono elektrotermiczny model takiego modułu uwzględniający zarówno zjawiska elektryczne w poszczególnych diodach LED, samonagrzewanie oraz wzajemne sprzeżenia cieplne między diodami zawartymi w tym module. Poprawność modelu zweryfikowano doświadczalnie zarówno w warunkach pracy statycznej, jak i dynamicznej dla wybranego modułu LED typu. Uzyskano dobrą zgodność między wynikami obliczeń i pomiarów. 1. WPROWADZENIE Półprzewodnikowe źródła światła są coraz powszechniej stosowane w technice oświetleniowej [1, 2]. Podstawowym składnikiem takich źródeł są diody LED mocy. Ze względu na ograniczenie dopuszczalnej wartości prądu przewodzenia tych elementów, warunkującego także ograniczenie wartości emitowanego strumienia świetlnego [3], typowo w lampach LED stosuje się zespoły diod LED, zamiast pojedynczych diod świecących [4]. Wspomniane zespoły diod LED są montowane na wspólnym podłożu dobrze przewodzącym ciepło, tworząc moduły LED [3, 4]. Jak wiadomo [4, 5], w czasie pracy rozważanych elementów półprzewodnikowych temperatura ich wnętrza wzrasta na skutek zjawisk cieplnych samonagrzewania oraz wzajemnych sprzężeń cieplnych między elementami umieszczonymi na wspólnym podłożu [5]. W celu uwzględnienia wpływu tych zjawisk na charakterystyki elektryczne i optyczne oraz na temperaturę wnętrza tych elementów niezbędne są elektrotermiczne modele rozważanych elementów [6, 7]. W pracach [4, 8] przedstawione zostały modele diod LED uwzględniające ich właściwości elektryczne, ale w pracach tych pominięte zostały zjawiska cieplne. Z kolei, elektrotermiczne modele diod LED zostały uprzednio zaproponowane w pracach [5] oraz [9]. W obu rozważanych modelach uwzględniono zjawisko samonagrzewania, a w pracy [5] dodatkowo uwzględniono wzajemne sprzężenia cieplne między diodami LED. W obu cytowanych pracach pominięto inercję cieplną. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki pomiarów i obliczeń charakterystyk modułu LED zawierającego 4 diody umieszczone na wspólnym podłożu i stosowane w lampie LED firmy OSRAM. W kolejnych rozdziałach przedstawiono postać zastosowanego modelu oraz XIV Krajowa Konferencja Elektroniki 1
2 uzyskane wyniki badań rozważanego modułu LED pracującego zarówno w warunkach statycznych, jak i dynamicznych. 2. ELEKTROTERMICZNY MODEL MODUŁU LED Na rys.1 pokazano rozmieszczenie diod LED na powierzchni badanego modułu. Moduł ten zawiera 4 diody LED połączone szeregowo, a środki geometryczne tych diod znajdują się w odległości 13 mm od środka geometrycznego rozważanego modułu. Podłoże modułu stanowi płytka drukowana z rdzeniem metalowym (MCPCB). D3 D4 - + D2 D1 Rys.1. Rozmieszczenie diod LED w module Reprezentację obwodową elektrotermicznego modelu modułu LED pokazano na rys.2. Model ten zawiera 4 identyczne bloki reprezentujące model elektryczny i optyczny każdej diody LED oraz skupiony model termiczny modułu, umożliwiający wyznaczenie temperatury wnętrza każdej z diod przy uwzględnieniu samonagrzewania oraz wzajemnych sprzężeń termicznych między tymi elementami. Opis modelu elektrycznego oraz modelu optycznego diody LED przedstawiono w pracach [5, 9] i nie będzie on w niniejszej pracy przedstawiany w szczegółach. Rys.2. Reprezentacja obwodowa elektrotermicznego modelu modułu Model elektryczny każdej z diod uwzględnia składową dyfuzyjną i generacyjnorekombinacyjną prądu, uzależnioną od temperatury zgodnie wzorem podanym m.in. w pracy [5] oraz rezystancję szeregową wykazująca liniową zależność od temperatury. Zaciski elektryczne poszczególnych diod oznaczają pary wyprowadzeń A1, K1, A2, K2, A3, K3 oraz A4, K4. Model optyczny opisuje zależność natężenia oświetlenia od prądu przewodzenia diody oraz od temperatury, w postaci przedstawionej w pracy [5]. Napięcie na wyprowadzeniach E1, E2, E3 oraz E4 odpowiada natężeniu oświetlenia emitowanego przez poszczególne diody. Sposób wyznaczenia wartości parametrów elektrycznych i optycznych występujących w modelu diody LED mocy opisano w pracy [5]. Model termiczny umożliwia wyznaczenie wartości temperatury wnętrza każdej z diod występujących w rozważanym module. Wartości tej temperatury odpowiadają napięciom 2
3 odpowiednio w węzłach T j1, T j2, T j3 oraz T j4. Sterowane źródła prądowe G 1, G 2, G 3 i G 4 reprezentują moce cieplne wydzielane w poszczególnych diodach rozważanego modułu. Sieć RC widoczna na rys.2 reprezentuje własne i wzajemne przejściowe impedancje termiczne w rozważanym module. Elementy R 11, C 11, R 21, C 21, R 31, C 31 oraz R 41, C 41 modelują przepływ ciepła między strukturami półprzewodnikowymi poszczególnych diod a płytką MCPCB. W modelu przyjęto, że temperatura tej płytki jest jednakowa i równa napięciu w węźle T C. Pozostałe elementy RC charakteryzują przepływ ciepła między płytką MCPCB a otoczeniem, zaś liczba tych elementów RC zależy od wykorzystywanego układu chłodzenia. W prezentowanym modelu przyjęto, że wszystkie diody zawarte w module są identyczne. Dlatego pojemności C 11, C 21, C 31, C 41 oraz rezystancje R 11, R 21, R 31, R 41 mają identyczne wartości. Źródło napięciowe V Ta reprezentuje temperaturę otoczenia T a. Moc cieplna wydzielana w każdej diodzie stanowi różnicę między mocą elektryczną pobieraną przez tę diodę ze źródła zasilania i mocą emitowanego promieniowania. Zgodnie z zależnością uzasadnioną w pracy [9], moc optyczna stanowi iloczyn mocy elektrycznej oraz sprawności konwersji energii elektrycznej na światło. Sprawność ta jest proporcjonalna do skuteczności świetlnej diody LED, podawanej przez producenta. Wyznaczenie wartości elementów modelu termicznego wymaga zmierzenia własnej przejściowej impedancji termicznej każdej diody oraz przejściowej impedancji termicznej między poszczególnymi parami tych diod. Sposób pomiaru tych przejściowych impedancji termicznych opisano w pracach [5, 1], natomiast algorytm wyznaczania wartości elementów RC w modelu termicznym w postaci sieci Cauera opisano w pracy [11]. Należy podkreślić, że elementy RC reprezentujące przepływ ciepła między wnętrzem diody a płytką MCPCB wyznaczane są w oparciu o róznicę między zmierzonymi przebiegami własnej i wzajemnej przejściowej impedancji termicznej. 3. WYNIKI OBLICZEŃ I POMIARÓW Wykorzystując elektrotermiczny model modułu obliczono nieizotermiczne charakterystyki tego modułu pracującego przy róznych warunkach zasilania i chłodzenia. Uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów. Na rys. 3-7 przedstawiono uzyskane wyniki obliczeń i pomiarów, które oznaczono odpowiednio za pomocą linii i punktów. Badania przeprowadzono dla modułu umieszczonego na aluminiowym radiatorze o wymiarach 8x18x118 mm (), na aluminiowym radiatorze o wymiarach 2x1x75 mm () i dla modułu pracującego bez radiatora. Oczywiście, dla wszystkich rozważanych warunków chłodzenia badanego modułu uzyskano inne wartości parametrów modelu termicznego. Przykładowo, wartości własnych rezystancji termicznych poszczególnych diod wynoszą od 13 K/W dla modułu umieszczonego na dużym radiatorze do 42 K/W dla modułu pracującego bez radiatora, a wartości wzajemnych rezystancji termicznych od 6 do 32 K/W. W przeciwieństwie do modelu modułu z pracy [12] uwzględniono zróżnicowanie wartości parametrów optycznych poszczególnych diod. Rys. 3 ilustruje wpływ wzajemnych sprzężeń termicznych między diodami umieszczonymi w badanym module na zmianę temperatury ich wnętrza w czasie chłodzenia. W chwili t = w module panował stan termicznie ustalony. Przedtem jedynie przez jedną diodę (nazywaną grzejnikem) płynął prąd o wartości 35 ma, a od chwili t = przez wszystkie diody płynął stały prąd o małej wartości równej 1 ma. Na rysunku tym, linie ciągłe oznaczają zmiany temperatury grzejnika, a linie kreskowe zmiany temperatury pozostałych diod, nazywanych czujnikami. Jak należało oczekiwać, wzrost rozmiarów radiatora powoduje zmniejszenie wartości T j. Różnica między wartościami temperatury grzejnika i czujnika wynosi w chwili t = XIV Krajowa Konferencja Elektroniki 3
4 około 13 o C bez względu na warunki chłodzenia modułu. Wynika to ze sprzeżeń termicznych między diodami umieszczonymi w tym samym module, które nie są uzaleznione od zewnętrznego systemu chłodzenia. Oczywiście, w stanie ustalonym temperatury grzejnika i czujników są identyczne i równe temperaturze otoczenia. 6 5 Tj [ o C] , t [s] Rys.3. Obliczone i zmierzone czasowe przebiegi przyrostu temperatury wnętrza grzejnika i czujnika w module CLA 25 przy różnych warunkach jego chłodzenia Na rys.4 przedstawiono obliczone i zmierzone czasowe przebiegi temperatury w czasie studzenia rozważanego modułu po uzyskaniu w nim stanu ustalonego w chwili t =. Przed rozpoczęciem studzenia, przez wszystkie, połączone szeregowo diody modułu płynął prąd o wartości 35 ma. Jak można zauważyć, na skutek wzajemnych sprzężeń termicznych między diodami zawartymi w badanym module, obserwuje się nawet trzykrotnie większy przyrost temperatury diody zawartej w module. Obserwowany przyrost jest tym większy, im gorsze są warunki chłodzenia rozważanego modułu. Warunki te są charakteryzowane przez wzajemną przejściową impedancję termiczną między diodami zawartymi w module. Splot tej impedancji i mocy wydzielanej w module decyduje o temperaturze podłoża modułu. T j [ºC] , t [s] Rys.4. Obliczone i zmierzone czasowe przebiegi przyrostu temperatury wnętrza diody zawartej w module przy różnych warunkach jego chłodzenia Na rys.5 pokazano obliczone i zmierzone czasowe przebiegi natężenia oświetlenia emitowanego przez rozważany moduł pracujący przy różnych warunkach chłodzenia i zasilany uskokiem prądu o amplitudzie równej 35 ma, płynącego przez wszystkie diody zawarte w module. Jak można zaobserwować, zależność E(t) jest funkcją malejącą na skutek wzostu temperatury wnętrza diod zawartych w badanym module. Wyraźnie widać, że przy zastosowaniu dużego radiatora spadek wartości natężenia oświetlenia jest prawie niewidoczny, a przy braku radiatora dochodzi nawet do 15%. 4
5 35 33 E [lx] t [s] Rys.5. Obliczone i zmierzone czasowe przebiegi natężenia oświetlenia emitowanego przez moduł CLA 25 przy różnych warunkach jego chłodzenia Rys.6 ilustruje zależność natężenia oświetlenia emitowanego przez rozważany moduł od prądu zasilania w stanie ustalonym E [lx] I [ma] Rys.6. Obliczone i zmierzone zależności natężenia oświetlenia emitowanego przez moduł CLA 25 od prądu zasilania przy różnych warunkach jego chłodzenia Widać, że zależność E(I) jest funkcją rosnącą, a pogarszanie warunków chłodzenia modułu powoduje spadek wartości natężenia oświetlenia. Spadek ten rośnie w funkcji prądu zasilania, dochodząc nawet do kilkunastu procent T C [ o C] I [ma] Rys.7. Obliczone i zmierzone zależności temperatury modułu CLA 25 od prądu zasilania przy różnych warunkach jego chłodzenia Rys. 7 ilustruje obliczone i zmierzone zależności temperatury podłoża modułu T C od prądu przewodzenia. Na rysunku tym dodatkowo zaznaczono liniami kreskowymi obliczone XIV Krajowa Konferencja Elektroniki 5
6 zależności temperatury wnętrza diody zawartej w tym module od prądu zasilania. Jak widać, zarówno temperatura modułu, jak i temperatura wnętrza diody są rosnącymi funkcjami prądu zasilania. Temperatura modułu wzrasta w rozważanym zakresie zmian prądu zasilania nawet do 9 o C. 4. PODSUMOWANIE W pracy przedstawiono wyniki badań symulacyjnych i pomiarowych modułu LED typu CLA 25, stosowanego w lampach LED. Zaproponowano elektrotermiczny model tego modułu LED dla programu SPICE, uwzględniający właściwości elektryczne, optyczne i cieplne zawartych w nim diod. Skupiono uwagę na modelowaniu zjawisk cieplnych w tym module, tzn. samonagrzewania i wzajemnych sprzężeń termicznych między diodami zawartymi w tym module. Poprawność opracowanego modelu zweryfikowano doświadczalnie dla rozważanego modułu pracującego przy różnych warunkach chłodzenia. Uzyskano dobrą zgodnośc między wynikami obliczeń i pomiarów zarówno dla modułu pracującego w warunkach statycznych, jak i dynamicznych. Zgodność ta potwierdza poprawność opracowanego modelu. Przedstawione wyniki obliczeń i pomiarów potwierdzają istotny wpływ zjawisk cieplnych na temperaturę wnętrza i natężenie oświetlenia uzyskiwane z modułu LED. BIBLIOGRAFIA 1. B. Weir: Driving the 21 st Century s Lights. IEEE Spectrum, Vol. 49, No. 3, 212, pp B. Mroziewicz: Biało-świecące diody LED rewolucjonizują technikę oświetleniową. Elektronika, No. 9, 21, pp E. F. Schubert: Light-Emitting Diodes. Cambridge Univ. Press, C.J.M. Lasance, A. Poppe: Thermal Management for LED Applications. Springer Science+Business Media, New York, K. Górecki, The influence of mutual thermal interactions between power LEDs on their characteristics. 19 th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems Therminic, Berlin, 213, pp J. Zarębski: Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, W. Janke: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa A. Poppe, A step forward in multi-domain modeling of power LEDs. 28th Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium (SEMI-THERM), 212, San Jose, pp K. Górecki: Electrothermal model of a power LED for SPICE. International Journal of Numerical Modelling Electronic Network, Devices and Fields, Vol. 25, No. 1, 212, pp K. Górecki, Measurements of thermal resistance of power LEDs. Microelectronics International, Vol. 31, No. 3, 214, pp K. Górecki, J. Zarębski: Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, No. 3, 26, pp K. Górecki, P. Ptak: Modelling mutual thermal coupling in LED modules. Proceedings of 38 th International Conference IMAPS-CPMT Poland 214, Rzeszów-Czarna, 214, paper
7 Modelling of LED modules with thermal phenomena taken into account Key words: power LEDs, thermal phenomena, modelling ABSTRACT In the paper the manner of the modelling of LED modules with the use of the program SPICE is presented. The electrothermal model of such module taking into account both electric phenomena in each LED, self-heating and mutual thermal coupling between diodes contained in this module is proposed. The correctness of the model is verified experimentally both in the steady state and in dynamic conditions of LED module. The good agreement between results of calculations and measurements is obtained. Fig.1. Location of power LEDs in the module Fig.2. The network representation of the electrothermal model of the module. Fig.3. Calculated and measured waveforms of internal temperature excess of heater and sensor in the module CLA 25 at different cooling conditions Fig.4. Calculated and measured waveforms of internal temperature excess of a diode situated in the module CLA 25 at different cooling conditions Fig.5. Calculated and measured waveforms of illuminance emitted by the module CLA 25 at different cooling conditions Fig.6. Calculated and measured dependences of illuminance emitted by the module CLA 25 on forward current at different cooling conditions Fig.7. Calculated and measured dependences of temperature of the module CLA 25 on forward current at different cooling conditions XIV Krajowa Konferencja Elektroniki 7
MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH
Przemysław Ptak Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE CHARAKTERYSTYK WYBRANYCH DIOD LED MOCY Z UWZGLĘDNIENIEM ZJAWISK CIEPLNYCH W pracy rozważany jest problem modelowania diod LED mocy przy wykorzystaniu
Bardziej szczegółowoWPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ
ELEKTRYKA 2014 Zeszyt 1 (229) Rok LX Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni WPŁYW MOCOWANIA ELEMENTU PÓŁPRZEWODNIKOWEGO NA JEGO PRZEJŚCIOWĄ IMPEDANCJĘ TERMICZNĄ Streszczenie. W pracy
Bardziej szczegółowoWYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET
Kamil Bargieł, Damian Bisewski, Janusz Zarębski, Ewelina Szarmach Akademia Morska w Gdyni WYNIKI POMIARÓW PARAMETRÓW TERMICZNYCH TRANZYSTORA SiC JFET W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji
Bardziej szczegółowoOCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 84 Electrical Engineering 2015 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* OCENA DOKŁADNOŚCI FIRMOWYCH MODELI DIOD SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU W pracy przedstawiono
Bardziej szczegółowoPARAMETRY CIEPLNE WYBRANYCH PANELI FOTOWOLTAICZNYCH
Ewa Krac, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni PARAMETRY CIEPLNE WYBRANYCH PANELI FOTOWOLTAICZNYCH W artykule przedstawiono metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
ELEKTRYKA 21 Zeszyt 3 (215) Rok LVI Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW CHŁODZENIA NA CHARAKTERYSTYKI LINIOWEGO STABILIZATORA NAPIĘCIA
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE. Układy polaryzacji i stabilizacji punktu pracy tranzystora
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018 Układy polaryzacji i stabilizacji punktu
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Parametry statyczne diod LED
Ćwiczenie. Parametry statyczne diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi właściwościami i charakterystykami diod LED. Poznanie ograniczeń i sposobu zasilania tego typu
Bardziej szczegółowoBADANIA WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNYCH TRANZYSTORA MOS MOCY CHŁODZONEGO CIECZĄ
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 87 Electrical Engineering 2016 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* BADANIA WŁAŚCIWOŚCI CIEPLNYCH TRANZYSTORA MOS MOCY CHŁODZONEGO CIECZĄ W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 173831 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 304562 Urząd Patentowy (22) Data zgłoszenia: 03.08.1994 Rzeczypospolitej Polskiej (51) IntCl6: G01R 31/26 (54)
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoMODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE
Damian Bisewski, Janusz Zarębski Akademia Morska w Gdyni MODELOWANIE ELEKTROTERMICZNYCH CHARAKTERYSTYK TRANZYSTORA MESFET W PROGRAMIE PSPICE Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorów MESFET z
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIODY SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU Z WYKORZYSTANIEM MODELU ELEKTROTERMICZNEGO
Janusz Zarębski, Jacek Dąbrowski Akademia Morska w Gdyni WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DIODY SCHOTTKY EGO Z WĘGLIKA KRZEMU Z WYKORZYSTANIEM MODELU ELEKTROTERMICZNEGO W artykule przedstawiono sformułowany
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 WSPÓŁPRACA JEDNAKOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W RÓŻNYCH KONFIGURACJACH POŁĄCZEŃ. Opis stanowiska pomiarowego. Przebieg ćwiczenia
Ćwiczenie WSPÓŁPRACA JEDNAKOWYCH OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH W RÓŻNYCH KONFIGURACJACH POŁĄCZEŃ Opis stanowiska pomiarowego Stanowisko do analizy współpracy jednakowych ogniw fotowoltaicznych w różnych konfiguracjach
Bardziej szczegółowoBADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
Bardziej szczegółowoLI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne
LI OLIMPIADA FIZYCZNA ETAP II Zadanie doświadczalne ZADANIE D1 Cztery identyczne diody oraz trzy oporniki o oporach nie różniących się od siebie o więcej niż % połączono szeregowo w zamknięty obwód elektryczny.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 76 Electrical Engineering 2013 Damian BISEWSKI* Janusz ZARĘBSKI* LABORATORIUM POMIARÓW ELEMENTÓW I UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH W pracy zaprezentowano
Bardziej szczegółowoOświetlenie HID oraz LED
Tematyka badawcza: Oświetlenie HID oraz LED W tej tematyce Instytut Elektrotechniki proponuje następującą współpracę: L.p. Nazwa Laboratorium, Zakładu, Pracowni Nr strony 1. Zakład Przekształtników Mocy
Bardziej szczegółowoMetodę poprawnie mierzonego prądu powinno się stosować do pomiaru dużych rezystancji, tzn. wielokrotnie większych od rezystancji amperomierza: (4)
OBWODY JEDNOFAZOWE POMIAR PRĄDÓW, NAPIĘĆ. Obwody prądu stałego.. Pomiary w obwodach nierozgałęzionych wyznaczanie rezystancji metodą techniczną. Metoda techniczna pomiaru rezystancji polega na określeniu
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoSprzęt i architektura komputerów
Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Obwody nieliniowe. (E 3) Opracował: dr inż. Leszek Remiorz Sprawdził: dr
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób zabezpieczania termiczno-prądowego lampy LED oraz lampa LED z zabezpieczeniem termiczno-prądowym
PL 213343 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 213343 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 391516 (51) Int.Cl. F21V 29/00 (2006.01) F21S 8/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowospis urządzeń użytych dnia moduł O-01
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie wybranych reprezentatywnych elementów optoelektronicznych nadajników światła (fotoemiterów), odbiorników światła (fotodetektorów) i transoptorów oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoOBSZARY BADAŃ NAUKOWYCH
OBSZARY BADAŃ NAUKOWYCH WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY KATEDRA AUTOMATYKI OKRĘTOWEJ SYSTEMY MODUŁOWYCH PRZEKSZTAŁTNIKÓW DUŻEJ MOCY INTEGROWANYCH MAGNETYCZNIE Opracowanie i weryfikacja nowej koncepcji przekształtników
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.
ĆWICZENIE 5 Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera. I. Cel ćwiczenia Badanie właściwości dynamicznych wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 2 DIODY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoFotoelementy. Symbole graficzne półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych: a) fotoogniwo b) fotorezystor
Fotoelementy Wstęp W wielu dziedzinach techniki zachodzi potrzeba rejestracji, wykrywania i pomiaru natężenia promieniowania elektromagnetycznego o różnych długościach fal, w tym i promieniowania widzialnego,
Bardziej szczegółowoBadanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
doi:.599/.7.7.9 Paweł GÓRECKI, Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Bardziej szczegółowoSTABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych
STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Wstęp Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z problemami związanymi z projektowaniem, realizacją i pomiarami
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.
I. Cel ćwiczenia ĆWICZENIE 6 Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora. Badanie właściwości wzmacniaczy tranzystorowych pracujących w układzie wspólnego kolektora. II.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Obwody ze sprzężeniami magnetycznymi"
Ćwiczenie: "Obwody ze sprzężeniami magnetycznymi" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki. Zakres ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoZastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Zastosowania nieliniowe wzmacniaczy operacyjnych Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest
Bardziej szczegółowoSchemat układu zasilania diod LED pokazano na Rys.1. Na jednej płytce połączone są różne diody LED, które przełącza się przestawiając zworkę.
Ćwiczenie 3. Parametry spektralne detektorów. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami detektorów i ich podstawowych parametrów. Poznanie zależności związanych z oddziaływaniem
Bardziej szczegółowoElementy i obwody nieliniowe
POLTCHNKA ŚLĄSKA WYDZAŁ NŻYNR ŚRODOWSKA NRGTYK NSTYTT MASZYN RZĄDZŃ NRGTYCZNYCH LABORATORM LKTRYCZN lementy i obwody nieliniowe ( 3) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLWCZ 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoPRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO
ĆWICZENIE 53 PRAWO OHMA DLA PRĄDU PRZEMIENNEGO Cel ćwiczenia: wyznaczenie wartości indukcyjności cewek i pojemności kondensatorów przy wykorzystaniu prawa Ohma dla prądu przemiennego; sprawdzenie prawa
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoMgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa
MECHANIK 7/2014 Mgr inż. Marta DROSIŃSKA Politechnika Gdańska, Wydział Oceanotechniki i Okrętownictwa WYZNACZENIE CHARAKTERYSTYK EKSPLOATACYJNYCH SIŁOWNI TURBINOWEJ Z REAKTOREM WYSOKOTEMPERATUROWYM W ZMIENNYCH
Bardziej szczegółowoPRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW
L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW REV. 1.1 1. CEL ĆWICZENIA - obserwacja pracy diod i tranzystorów podczas przełączania, - pomiary charakterystycznych czasów
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016. Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2015/2016 Zadania z elektrotechniki na zawody I stopnia Instrukcja dla zdającego 1. Czas trwania zawodów: 120 minut.
Bardziej szczegółowotransformatora jednofazowego.
Badanie transformatora jednofazowego. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową, zasadami działania oraz podstawowymi właściwościami transformatora jednofazowego pracującego w stanie jałowym, zwarcia
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1. Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym
Ćwiczenie 1 Sprawdzanie podstawowych praw w obwodach elektrycznych przy wymuszeniu stałym Wprowadzenie Celem ćwiczenia jest sprawdzenie podstawowych praw elektrotechniki w obwodach prądu stałego. Badaniu
Bardziej szczegółowoProstowniki. 1. Cel ćwiczenia. 2. Budowa układu.
Prostowniki. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem transformatora
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
UNIERSYTET TECHNOLOGICZNO-PRZYRODNICZY BYDGOSZCZY YDZIAŁ INŻYNIERII MECHANICZNEJ INSTYTUT EKSPLOATACJI MASZYN I TRANSPORTU ZAKŁAD STEROANIA ELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA ĆICZENIE: E3 BADANIE ŁAŚCIOŚCI
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.
ĆWICZENIE 3 Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie małosygnałowych parametrów tranzystorów bipolarnych na podstawie ich charakterystyk
Bardziej szczegółowoPOMIARY PARAMETRÓW TERMICZNYCH DŁAWIKÓW
Zeszyty problemowe Maszyny Elektryczne Nr 0/013 cz. I 135 Krzysztof Górecki, Katarzyna Górecka Katedra Elektroniki Morskiej, Akademia Morska w Gdyni Kalina Detka Pomorska Wyższa Szkoła Nauk Stosowanych
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów
Spis treści Ćwiczenie - 3 Parametry i charakterystyki tranzystorów 1 Cel ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Tranzystor bipolarny................................. 2 2.1.1 Charakterystyki statyczne
Bardziej szczegółowoREZYSTANCJA TERMICZNA DIOD LED A WIARYGODNOŚĆ DANYCH KATALOGOWYCH
Marcin WESOŁOWSKI Przemysław SKRZYPCZAK Jacek HAUSER REZYSTANCJA TERMICZNA DIOD LED A WIARYGODNOŚĆ DANYCH KATALOGOWYCH STRESZCZENIE Współczesne diody LED charakteryzują się imponującymi parametrami eksploatacyjnymi,
Bardziej szczegółowoZworka amp. C 1 470uF. C2 100pF. Masa. R pom Rysunek 1. Schemat połączenia diod LED. Rysunek 2. Widok płytki drukowanej z diodami LED.
Ćwiczenie. Parametry dynamiczne detektorów i diod LED. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi parametrami dynamicznymi diod LED oraz detektorów. Poznanie możliwych do uzyskania
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 1.2 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoWPŁYW WARUNKÓW ZASILANIA TRANSFORMATORA NA ROZKŁAD TEMPERATURY NA JEGO POWIERZCHNI
Krzysztof Górski, Krzysztof Górecki Akademia Morska w Gdyni WPŁYW WARUNKÓW ZASILANIA TRANSFORMATORA NA ROZKŁAD TEMPERATURY NA JEGO POWIERZCHNI W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujące
Bardziej szczegółowoBADANIA MODELOWE OGNIW PALIWOWYCH TYPU PEM
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW PALIWOWYCH TYPU PEM W artykule przedstawiono badania przeprowadzone na modelu
Bardziej szczegółowoBadanie własności fotodiody
Badanie własności fotodiody Ryszard Kostecki 13 maja 22 Wstęp Celem tego doświadczenia było wykonanie charakterystyki prądowo-napięciowej fotodiody dla różnych wartości natężenia padającego światła, a
Bardziej szczegółowoĆwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa
INSTYTUT SYSTEMÓW INŻYNIERII ELEKTRYCZNEJ TEORIA OBWODÓW ELEKTRYCZNYCH LABORATORIUM Ćwiczenie Stany nieustalone w obwodach liniowych pierwszego rzędu symulacja komputerowa Grupa nr:. Zespół nr:. Skład
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia
Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia Poznanie podstawowych własności tranzystora. Wyznaczenie prądów tranzystorów typu n-p-n i p-n-p. Czytanie schematów
Bardziej szczegółowoLiniowe stabilizatory napięcia
. Cel ćwiczenia. Liniowe stabilizatory napięcia Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości stabilizatora napięcia zbudowanego na popularnym układzie scalonym. Zakres ćwiczenia obejmuje projektowanie
Bardziej szczegółowoPORÓWNAWCZE BADANIA TERMICZNE OPRAW OŚWIETLENIA DROGOWEGO Z SODOWYMI I LEDOWYMI ŹRÓDŁAMI ŚWIATŁA
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 69 Electrical Engineering 2012 Konrad DOMKE* PORÓWNAWCZE BADANIA TERMICZNE OPRAW OŚWIETLENIA DROGOWEGO Z SODOWYMI I LEDOWYMI ŹRÓDŁAMI ŚWIATŁA W pracy
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: UKŁADY ELEKTRONICZNE 2 (TS1C500 030) Tranzystor w układzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoUKŁADY PROSTOWNICZE 0.47 / 5W 0.47 / 5W D2 C / 5W
UKŁADY PROSTOWNICZE. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i właściwościami podstawowych układów prostowniczych: prostownika jednopołówkowego, dwupołówkowego z dzielonym uzwojeniem
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa
Badanie charakterystyki prądowo-napięciowej opornika, żarówki i diody półprzewodnikowej z wykorzystaniem zestawu SONDa Celem doświadczenia jest wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych oraz zależności
Bardziej szczegółowoStanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych
Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoZależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Damian BISEWSKI, Krzysztof GÓRECKI, Janusz ZARĘBSKI Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej doi:.599/8.5.. Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1) Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDLNEGO
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoParametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2
dr inż. ALEKSANDER LISOWIEC dr hab. inż. ANDRZEJ NOWAKOWSKI Instytut Tele- i Radiotechniczny Parametry częstotliwościowe przetworników prądowych wykonanych w technologii PCB 1 HDI 2 W artykule przedstawiono
Bardziej szczegółowoLaboratorium Metrologii
Laboratorium Metrologii Ćwiczenie nr 3 Oddziaływanie przyrządów na badany obiekt I Zagadnienia do przygotowania na kartkówkę: 1 Zdefiniować pojęcie: prąd elektryczny Podać odpowiednią zależność fizyczną
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2b. Pomiar napięcia i prądu z izolacją galwaniczną Symulacje układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7 Temat: Badanie właściwości elektrycznych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych.. Cel ćwiczenia: Poznanie budowy, zasady działania, charakterystyk
Bardziej szczegółowoBADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA PÓŁSTEROWANEGO
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 78 Electrical Engineering 2014 Mikołaj KSIĄŻKIEWICZ* BADANIA SYMULACYJNE PROSTOWNIKA W pracy przedstawiono wyniki badań symulacyjnych prostownika
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK ELEKTRYCZNYCH ŹRÓDEŁ ŚWIATŁA
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT ELEKTROENERGETYKI Instrukcja do ćwiczenia O9 Temat ćwiczenia WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK ELEKTRYCZNYCH ŹRÓDEŁ ŚWIATŁA Ćwiczenie O9 WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK ELEKTRYCZNYCH ŹRÓDEŁ
Bardziej szczegółowoLekcja 6. Metody pracy: pogadanka, wykład, pokaz z instruktarzem, ćwiczenia praktyczne
Lekcja 6 Temat: Równoległe łączenie diod Cele operacyjne uczeń: umie dobrać rezystancję rezystorów do diod połączonych równolegle, umie wyjaśnić, dlaczego do źródła zasilania nie można podłączyć równolegle
Bardziej szczegółowoPL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13
PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 13 Temat: Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 2 OBWODY NIELINIOWE PRĄDU
Bardziej szczegółowoScalony stabilizator napięcia typu 723
LABORATORIM Scalony stabilizator napięcia typu 723 Część II Zabezpieczenia przeciążeniowe stabilizatorów napięcia Opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania, znajomość zagadnień: 1. dzaje zabezpieczeń
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 6a Temat: Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych. Cel ćwiczenia: Zapoznać z budową, zasadą działania, charakterystykami
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 2 PRWO OHM. BDNIE DWÓJNIKÓW LINIOWYCH I NIELINIOWYCH . Cel ćwiczenia. - Zapoznanie się z właściwościami
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoSTEROWANIE W INSTALACJACH OŚWIETLENIA DROGOWEGO A KOSZTY ENERGII ELEKTRYCZNEJ
STEROWANIE W INSTALACJACH OŚWIETLENIA DROGOWEGO A KOSZTY ENERGII ELEKTRYCZNEJ Autorzy: Marek Kurkowski, Tomasz Popławski, Katarzyna Kurkowska ("Rynek Energii" - czerwiec 2016) Słowa kluczowe: oprawy LED,
Bardziej szczegółowoWPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM
2/1 Archives of Foundry, Year 200, Volume, 1 Archiwum Odlewnictwa, Rok 200, Rocznik, Nr 1 PAN Katowice PL ISSN 1642-308 WPŁYW SZYBKOŚCI STYGNIĘCIA NA WŁASNOŚCI TERMOFIZYCZNE STALIWA W STANIE STAŁYM D.
Bardziej szczegółowo