SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS"

Transkrypt

1 Domieszkowanie węglika krzemu metodą Jerzy Żuk Instytut Fizyki UMCS, Lublin implantacji jonowej M. Kulik, A. Droździel, K. Pyszniak, M. Turek Instytut Fizyki UMCS, Lublin Mariusz Sochacki, Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informatycznych, Politechnika Warszawska Domieszkowanie węglika krzemu metodą implantacji jonowej Zadania badawcze 1. Określenie profilu domieszki 2. Wygrzewanie poimplantacyjne 3. Badanie defektów 4. Pomiar charakterystyk elektrycznych wytworzonych złączy 5. Badanie stopnia aktywacji domieszki (pomiary Halla) Implantacja wielokrotna SiC jonami glinu i azotu Łącznie ok. 3 implantacji jonami glinu i azotu Całkowita dawka 1.6x 15 cm -2 E=25 kev, D=9.3x 14 cm -2 E=17 kev, D=3.8x 14 cm -2 E=12 kev, D =2.2x 14 cm -2 E= kev, D =5.4x 13 cm -2 E= 8 kev, D =1.3x 13 cm -2 N al ~ 5x 19 cm -3 (plateau) Temperatura implantacji 5 O C Całkowita dawka 7x 14 cm -2 E=25 kev, D=3.7x 14 cm -2 E=16 kev, D=1.7x 14 cm -2 E= kev, D =1.x 14 cm -2 E=55 kev, D =6.5x 13 cm -2 N al ~ 2x 19 cm -3 (plateau) Całkowita dawka 1.43x 16 cm -2 E=25 kev, D=8.3x 15 cm -2 E=17 kev, D=3.4x 15 cm -2 E=12 kev, D =2.x 15 cm -2 E= kev, D =4.9x 14 cm -2 E= 8 kev, D =1.2x 14 cm -2 N al ~ 5x 2 cm -3 (plateau) SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS 79 Określenie profilu domieszki Metoda emisji optycznej in situ 1.1

2 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE BOMBARDOWANIU POWIERZCHNI CIAŁA STAŁEGO JONAMI Schemat aparatury do pomiaru emisji optycznej in situ Particle Induced Photon Emission PIPE Implantator UNIMAS 79 Jony pierwotne Elektrony Promieniowanie elektromagnetyczne wtórne fotony, X,γ Rozpylanie jonowe (jony +/-, neutrały) Obszar Zdefektowany Oś opt. Reakcje jądrowe produkty (p,n,α) Cząstki rozproszone Jony pierwotne Wiązka jonowa Próbka Wysoka próżnia Układ soczewek Monochromator Fotopowielacz Zasilacz fotopow. Silnik krokowy A Miernik dawki Tarcza Zderzenia sprężyste Zderzenia niesprężyste Komputer WIDMA OPTYCZNE Ar+(8keV) => Al Ar+(8keV) => Mn Metoda określania profilu domieszki przy zastosowaniu emisji optycznej in situ Przeprowadzono pomiary profili głębokościowych glinu w SiC metodą emisji optycznej in situ. Dla tych eksperymentów wykorzystano spektrometr optyczny sprzężony z dobudowaną do implantatora jonów komorą kolektora. Do podkładki SiC zaimplantowano jony glinu o energii 15 kev i dawce 2.5x16cm-2. Następnie rozpoczęto proces rozpylania tej próbki jonami gazu szlachetnego (argonu lub ksenonu) o energii 8 kev, rejestrując w jego trakcie natężenie linii emisyjnej AlI (39 nm) aż do jej zaniku i mierząc całkowity ładunek zdeponowany przez padające jony na tarczy SiC. Po wyjęciu próbki SiC z komory kolektora, przy pomocy profilometru Talysurf zmierzono głębokość krateru powstałego po jej rozpyleniu. W opisany powyżej sposób uzyskano profile głębokościowe zaimplantowanych atomów glinu w SiC. Omawiany układ służyć też moźe do pomiarów jonoluminecencji. 2,5E+21 2,E+21 1,5E+21 1,E+21 5,E+2 SRIM simulations 3 PIPE Wygrzewanie poimplantacyjne 25 I [ a. u.] 3,E+21 atomic concentration [ at / cm3 ] Profil głębokościowy glinu (15 kev, D=2.5x16cm-2 ) w SiC uzyskany metodą PIPE Procesy wygrzewania przy formowaniu diod p-i-n prowadzono w reaktorze do epitaksji SiC w dobrze kontrolowanych warunkach przy przepływie argonu i w obecności silanu zapobiegającego sublimacji krzemu z powierzchni SiC, przy ciśnieniu hpa, temperaturze 16 C i w czasie 2 minut. 5,E depth [ A ] 3 2. Wygrzewanie poimplantacyjne w piecu Degussa (P.Ł.) przeprowadzone zostało dla próbek pochodzących z każdego z czterech procesów implantacji w atmosferze argonu o ciśnieniu Pa dla temperatur 13, 15 i 16oC, w czasie minut. 3. Stan powierzchni próbek po wygrzaniu wysokotemperaturowym był monitorowany przy pomocy AFM. Wiązka rozpylająca: 8 kev Xe 1.2

3 Określenie profilu domieszki i koncentracji -3 Koncentracja Al [cm ] Badanie defektów (spektroskopia Ramana, RBS-C) 2 Dla próbek 6H-SiC zaimplantowanych jonami glinu oraz azotu wykonano badania porównawcze przy użyciu dwóch metod: spektroskopii 19 Ramana oraz spektrometrii rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C). Obie techniki pozwalają na detekcję uszkodzeń radiacyjnych w warstwie przypowierzchniowej, 18 SRIM symulacja Wyniki SIMS Al impl. Al impl. i wygrzewane 17 2 w tym przypadku o grubości rzędu pół mikrometra oraz wpływ wygrzewania na odbudowę porządku sieci krystalicznej. Podkładki 6H-SiC w trakcie procesów implantacji utrzymywane były 3 4 Głębokość [nm] w temperaturze pokojowej (RT), lub w t=5 C. Parametry obu procesów były identyczne (łączna dawka jonów 3.4 x 15 cm-2 ). Zaimplantowane próbki wygrzewano w temperaturze: 13, 15 lub 16 C przez min. w atmosferze argonu o ciśnieniu Pa. Profile głębokościowe atomów glinu zaimplantowanych w t=5oc do warstwy epi 4H-SiC przed i po wygrzaniu w t=16oc (SIMS, ITE) wraz z profilem otrzymanym z symulacji SRIM. Widma Ramana (w skali logarytmicznej) dla 6H-SiC przed (linia przerywana) i po implantacji jonami Al+ w t = 5oC. (Łączna dawka 1.2x15cm-2) Widma Ramana dla 6H-SiC przed i po implantacji Al w RT oraz w t=5oc, a następnie wygrzanego w 16 oc. Spektrometria rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C) Widma RBS/C (Rossendorf) dla nieimplantowanego 6H-SiC oraz dla próbek Widma Ramana dla 6H-SiC zaimplantowanego Al 6H-SiC implantowanych jonami Al oraz wygrzanych w t=15 oc. (t=5oc) i wygrzanego w 13, 15 i 16oC. 1.3

4 Spektrometria rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C) Badanie defektów (spektroskopia Ramana, RBS-C) Porównując informacje otrzymane przy użyciu spektroskopii mikroramanowskiej oraz techniki RBS-C w badaniach przeprowadzonych na tych samych próbkach 6H-SiC implantowanego jonami Al można stwierdzić, że obie metody są czułe na poziom zdefektowania oraz na stopień odbudowy porządku krystalicznego. Jednak w niektórych przypadkach, np. aby stwierdzić różnicę między odbudową porządku sieci dla SiC zaimplantowanego w RT i w 5C (potem wygrzanego) technika mikro- ramanowska nie daje takich samych możliwości jak RBS-C. Generalnie, technika RBS-C jest bardziej przydatna do ilościowego okreslania stopnia amorfizacji, natomiast spektroskopia Ramana daje cenne informacje strukturalne, o typach wiązań itp.. Widma RBS/C dla nieimplantowanego 6H-SiC oraz dla 6H-SiC implant. jonami Al oraz wygrzanych w t=13 o C. Dioda p-i-n Dioda p-i-n ze strukturą MESA i obszarem typu p+ wytwarzanym w procesie implantacji jonowej. Dawka całkowita 7 x 14 cm -2, energia kev (seria 3) Procesy wygrzewania prowadzono w reaktorze do epitaksji SiC w dobrze kontrolowanych warunkach przy przepływie argonu i w obecności silanu zapobiegającego sublimacji krzemu z powierzchni SiC, przy p= hpa, t=16 C i w czasie 2 minut. Do zdefiniowania izolującego obszaru MESA w zaimplantowanej warstwie powierzchniowej SiC wykorzystano proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE). Przed wytrawieniem obszaru MESA wykonano maski SiO2/Cr o grubości 2 nm/ 2 nm i przekroju kołowym. W trakcie trawienia jonowego w czasie 45 s usunięto materiał do głębokości 52 nm. Proces RIE prowadzono przy następujących parametrach: przepływ SF 6 15 ml/min, przepływ O 2 3 ml/min, p=4 Pa, moc 95 W. Po usunięciu maski SiO 2 /Cr wytworzono kontakty omowe do obszarów p+ o średnicy 2 µm, 4 µm i 8 µm. Wykorzystano w tym celu metalizację Ti/Al/Ti ( nm/6 nm/3 nm) osadzaną metodą rozpylania magnetronowego. Kontakty omowe do podłoża zostały wykonane w wyniku osadzania warstwy Ni o grubości 2 nm metodą rozpylania magnetronowego. Warstwy metalizacji zostały wygrzane w temperaturze 5 C w czasie 3 minut w reaktorze RTP w atmosferze argonu w celu przebudowy obszaru przejściowego metal/półprzewodnik i uzyskania kontaktów o liniowej charakterystyce prądowo-napięciowej., I [A],9,8,7,6,5,4,3,2,1 C 1 2C C,,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku przewodzenia. Pomiar charakterystyk elektrycznych wytworzonych złączy do 5 o C Na podstawie analizy charakterystyki prądowo-napieciowej dla kierunku przewodzenia wykreślonej w skali półlogarytmicznej wyznaczono współczynniki nachylenia charakterystyki η wynikające z następującego wzoru: I = I s exp(qv/ηkt), gdzie I s prąd nasycenia, q ładunek elektronu, k stała Boltzmana, T temperatura bezwzględna. Uzyskano następujące wartości współczynnika η: 3,2 (seria 1); 3,18 (seria 2); 2,11 (seria 3). Niższe dawki implantowanego glinu nie zapewniają pełnej kompensacji domieszki w warstwie epitaksjalnej i wpływają na wyższą rezystywność kontaktu omowego do obszaru typu p+, co skutkuje wysoką wartością współczynnika η. W związku z powyższym dokładnej analizie poddano przede wszystkim najlepsze pod tym względem diody serii 3, które posiadają nachylenie charakterystyki typowe dla diody bipolarnej. 1.4

5 J[A/cm 2 ] 2, 18, 16, 14, 12,, 8, 6, 4, 2, C 1 2C C,,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku przewodzenia. Charakterystyki prądowo-napięciowe zmierzono dla kierunku przewodzenia w zakresie temperatur 5 C - 5 C. Napięcie włączenia diody maleje wraz ze wzrostem temperatury. Charakterystyki temperaturowe są do siebie równoległe. Wykorzystując pełną rodzinę charakterystyk określono zmianę napięcia włączenia (V F ) diody p-i-n w funkcji temperatury, która przyjmuje wartość na poziomie -2,22 mv/ C. Napięcie włączenia diody zmienia się od wartości V F = 2,7 V w temperaturze 5 C do wartości V F = 1,7 V w temperaturze 5 C. Charakterystyki zaporowe zmierzono w zakresie napięcia do 1 V. Wzrost prądu zaporowego jest bezpośrednio związany z obniżeniem napięcia wbudowanego złącza p-n, przy czym dioda zachowuje w pełni właściwości prostujące dla pełnego zakresu temperatur 5 C - 5 C. Nachylenie charakterystyki zmierzonej dla kierunku zaporowego wynika z generacji nośników w obszarze ładunku przestrzennego, co potwierdza charakterystyczna zależność prądu od napięcia (I R V R.5 ), szczególnie w przypadku pracy w podwyższonej temperaturze. 3. Badanie stopnia aktywacji domieszki (pomiary Halla) ,E-11 1,E- 1,E-9 1,E-8 1,E-7 1,E-6 1,E-5 I [A] 1,E-4 1,E-3 1,E-2 1,E-1 1,E+ Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku zaporowego. C 2C 5C Próbki półizolacyjnego SiC poddano procesowi implantacji zgodnie z danymi na rysunku. Po wykonaniu implantacji próbkę poddano wygrzewaniu w 16 C, w czasie 3 min. Ciśnienie: hpa. Przepływ argonu: 3 l/min Przepływ silanu: 3 ml/min Szybkość nagrzewania i chłodzenia ograniczone możliwościami reaktora.do prowadzenia procesów epitaksji warstw SiC EPIGRESS VP58. Następnie wykonano w narożach kwadratowej próbki kontakty omowe z warstw (Ti/Al/Ti = //7 nm). Termiczne formowanie kontaktów omowych wykonano w piecu RTP w t = 11 C i czasie 3 min w atmosferze argonu. Przygotowaną w ten sposób próbkę poddano pomiarom elektrycznym metodą Halla. Uzyskano wartość koncentracji aktywnych akceptorów na poziomie 4,48 x 17 cm -3 (rezystywność materiału na poziomie.81 Ωcm), co stanowi wartość typową dla tak prowadzonego procesu implantacji jonów glinu i wygrzewania. Uzyskany poziom aktywacji elektrycznej jonów glinu (1,5%) nie odbiega od poziomu aktywacji prezentowanego w literaturze (typowo 2%) dla podanego poziomu koncentracji jonów. Uzyskanie materiału o rezystywności poniżej,1 Ωcm jest trudne i może prowadzić do pojawienia się wytrąceń po wygrzewaniu poimplantacyjnym na skutek ograniczonej rozpuszczalności glinu w SiC. Podsumowanie Metodą wielokrotnej implantacji jonami Al przy temperaturze tarczy 5C i w temperaturze pokojowej (RT) wytworzono w SiC obszary o zbliżonym do prostokątnego profilu domieszki i zadanej głębokości. Zaimplantowane warstwy zbadano przy użyciu: spektroskopii Ramana, SIMS, AFM oraz RBS-C. Stwierdzono istnienie zdefektowanych obszarów przypowierzchniowych w SiC zaimplantowanego w 5C i całowitą amorfizację dla próbek zaimplantowanych w t.pokojowej.. Przeprowadzono wygrzewanie poimplantacyjne w temperaturach: 13, 15 i 16 o C i dokładnie przebadano poziom zdefektowania pozostały w SiC. W materiale zaimplantowanym Al wytworzono diody pin po wygrzaniu w 16 C i zmierzono na nich charakterystyki prądowo-napięciowe w zakresie temperatur 5 C - 5 C. Określono zmianę napięcia włączenia (V F ) diody p-i-n w funkcji temperatury, która przyjmuje wartość na poziomie -2,22 mv/ C. Wyznaczono współczynniki nachylenia charakterystyki η = Wykonano pomiar koncentracji nośników w obszarze implantowanym przy użyciu metody Halla wskazują, że prawidłową aktywację domieszki (na poziomie 1.5%) uzyskano dla warstw 4H-SiC zaimplantowanych glinem (koncentracja Al : 3x 19 cm -3 ) wygrzewanych przez 3 min. w przepływie Ar i silanu w t=16 o C. Wykazano możliwość uzyskania profilu głębokościowego zaimplantowanych domieszek na drodze optycznej emisji in situ. Wykaz publikacji będących wynikiem realizacji projektu: 1. Ionization efficiency calculations for cavity thermoionization ion source, M.Turek, K.Pyszniak, A.Droździel, J.Sielanko, Vacuum 82 (28) Hybrid MPI/Open MP Approach to the Parallelisation of Ion Source Plasma Simulations, M. Turek, M. Brzuszek, J. Sielanko, Polish Journal of Environ. Stud. 17 (28) Arc discharge ion source for europium and other refractory metals implantation, M. Turek, S. Prucnal, A. Droździel, K. Pyszniak, Rev. Sci. Instrum. 8 (29) Influence of Electron Impact Ionization on the efficiency of thermoemission ion source, M.Turek, K.Pyszniak, A.Droździel, Vacuum 83 (29) S26-S Parallel Monte Carlo Code for Modelling of High Temperature Ion Sources, Polish Journal of Environ. Stud. 18 (29) Ion Implanted Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Structures, B. Boratyński, W. Macherzyński, A. Droździel, K. Pyszniak, J. Electrical Engineering 6(29) Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperyment, M. Turek, A. Droździel, K. Pyszniak, S. Prucnal, J. Żuk, Przegląd Elektrotechniczny 2, przyjęte do druku. 8. Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze, M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt, Elektronika 7/8 (28) Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al, M. Turek, K. Pyszniak, S. Prucnal, A. Droździel, J. Żuk, Elektronika 9 (29) Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksjalnych 4H-SiC jonami glinu, N. Kwietniewski, K. Pazio, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Droździel, M. Kulik, S. Prucnal, K. Pyszniak, M. Rawski, M. Turek, J. Żuk, Elektronika 6 (29)

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej Kierownik projektu: prof. dr hab. inż. Jan Szmidt Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Porównanie Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Spektroskopia FT-Raman Spektroskopia FT-Raman jest dostępna od 1987 roku. Systemy

Bardziej szczegółowo

Domieszkowanie półprzewodników

Domieszkowanie półprzewodników Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika

Bardziej szczegółowo

Spektrometr ICP-AES 2000

Spektrometr ICP-AES 2000 Spektrometr ICP-AES 2000 ICP-2000 to spektrometr optyczny (ICP-OES) ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie (ICP). Wykorztystuje zjawisko emisji atomowej (ICP-AES). Umożliwia wykrywanie ok. 70

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Paweł Węgierek. Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych technikami jonowymi

Paweł Węgierek. Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych technikami jonowymi Paweł Węgierek Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych technikami jonowymi Lublin 2013 Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.8

Bardziej szczegółowo

Technologia planarna

Technologia planarna Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ

Bardziej szczegółowo

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki Osiągnięcia Zebranie krzywych świecenia termicznie i optycznie stymulowanej luminescencji domieszkowanych i niedomieszkowanych kryształów ortokrzemianów lutetu itru i gadolinu. Stwierdzenie różnic we własnościach

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne metody analizy pierwiastków

Nowoczesne metody analizy pierwiastków Nowoczesne metody analizy pierwiastków Techniki analityczne Chromatograficzne Spektroskopowe Chromatografia jonowa Emisyjne Absorpcyjne Fluoroscencyjne Spektroskopia mas FAES ICP-AES AAS EDAX ICP-MS Prezentowane

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e  = = 1 Å Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32 Spis treści 5 Spis treści Przedmowa do wydania czwartego 11 Przedmowa do wydania trzeciego 13 1. Wiadomości ogólne z metod spektroskopowych 15 1.1. Podstawowe wielkości metod spektroskopowych 15 1.2. Rola

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Recenzja rozprawy doktorskiej Pani mgr Neonily Levintant-Zayonts p.t. Wpływ implantacji jonowej na własności materiałów z pamięcią kształtu typu NiTi.

Recenzja rozprawy doktorskiej Pani mgr Neonily Levintant-Zayonts p.t. Wpływ implantacji jonowej na własności materiałów z pamięcią kształtu typu NiTi. Prof. dr hab. inż. Lech Dietrich Instytut Podstawowych Problemów Techniki PAN ul. A. Pawińskiego 5B 02-106 Warszawa Warszawa, 2010-10-26 Recenzja rozprawy doktorskiej Pani mgr Neonily Levintant-Zayonts

Bardziej szczegółowo

1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej?

1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? Tematy opisowe 1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? 2. Omów pomiar potencjału na granicy faz elektroda/roztwór elektrolitu. Podaj przykład, omów skale potencjału i elektrody

Bardziej szczegółowo

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Procesy technologiczne w elektronice

Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA

Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Ćwiczenie E17 BADANIE CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH MODUŁU OGNIW FOTOWOLTAICZNYCH I SPRAWNOŚCI KONWERSJI ENERGII PADAJĄCEGO PROMIENIOWANIA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie charakterystyk prądowo

Bardziej szczegółowo

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej Nanomateriałów Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej POLITECHNIKA GDAŃSKA Centrum Zawansowanych Technologii Pomorze ul. Al. Zwycięstwa 27 80-233

Bardziej szczegółowo

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,

Bardziej szczegółowo

Metody badań spektroskopowych

Metody badań spektroskopowych Metody badań spektroskopowych Program wykładu Wstęp A. Spektroskopia optyczna 1. Podstawy spektroskopii optycznej 1.1 Promieniowanie elektromagnetyczne 1.2 Kwantowanie energii 1.3 Emisja i absorpcja promieniowania

Bardziej szczegółowo

Eksperyment pomiary zgazowarki oraz komory spalania

Eksperyment pomiary zgazowarki oraz komory spalania Eksperyment pomiary zgazowarki oraz komory spalania Damian Romaszewski Michał Gatkowski Czym będziemy mierzyd? Pirometr- Pirometry tworzą grupę bezstykowych mierników temperatury, które wykorzystują zjawisko

Bardziej szczegółowo

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Jak i czym scharakteryzować kryształ półprzewodnika Struktura dyfrakcja rentgenowska

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

CEL 4. Natalia Golnik

CEL 4. Natalia Golnik Etap 15 Etap 16 Etap 17 Etap 18 CEL 4 OPRACOWANIE NOWYCH LUB UDOSKONALENIE PRZYRZĄDÓW DO POMIARÓW RADIOMETRYCZNYCH Natalia Golnik Narodowe Centrum Badań Jądrowych UWARUNKOWANIA WYBORU Rynek przyrządów

Bardziej szczegółowo

Skonstruowanie litowo-deuterowego konwertera neutronów termicznych na neutrony prędkie o energii 14 MeV w reaktorze MARIA (Etap 14, 5.1.

Skonstruowanie litowo-deuterowego konwertera neutronów termicznych na neutrony prędkie o energii 14 MeV w reaktorze MARIA (Etap 14, 5.1. Skonstruowanie litowo-deuterowego konwertera neutronów termicznych na neutrony prędkie o energii 14 MeV w reaktorze MARIA (Etap 14, 5.1.) Krzysztof Pytel, Rafał Prokopowicz Badanie wytrzymałości radiacyjnej

Bardziej szczegółowo

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej TIA ZIENNE LAORATORIM PRZYRZĄÓW PÓŁPRZEWONIKOWYCH Ćwiczenie nr 8 adanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOFET I. Zagadnienia

Bardziej szczegółowo

Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych

Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Badanie procesu wydajnego impulsowego rozpylania magnetronowego w atmosferze gazów reaktywnych Autor:

Bardziej szczegółowo

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis

SYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.

Bardziej szczegółowo

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa.

Rys.2. Schemat działania fotoogniwa. Ćwiczenie E16 BADANIE NATĘŻENIA PRĄDU FOTOELEKTRYCZNEGO W ZALEŻNOŚCI OD ODLEGŁOŚCI ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Cel: Celem ćwiczenia jest zbadanie zależności natężenia prądu generowanego światłem w fotoogniwie od odległości

Bardziej szczegółowo

Wzbudzony stan energetyczny atomu

Wzbudzony stan energetyczny atomu LASERY Wzbudzony stan energetyczny atomu Z III postulatu Bohra kj E k E h j Emisja spontaniczna Atom absorbuje tylko określone kwanty energii przechodząc ze stanu podstawowego do wzbudzonego. Zaabsorbowana

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

Badania własności optycznych grafenu

Badania własności optycznych grafenu Badania własności optycznych grafenu Mateusz Klepuszewski 1, Aleksander Płocharski 1, Teresa Kulka 2, Katarzyna Gołasa 3 1 III Liceum Ogólnokształcące im. Unii Europejskiej, Berlinga 5, 07-410 Ostrołęka

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera

Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera 23 kwietnia 2001 Ryszard Kostecki Badanie własności diód krzemowej, germanowej, oraz diody Zenera Streszczenie Celem tej pracy jest zapoznanie się z tematyką i zbadanie diód krzemowej, germanowej, oraz

Bardziej szczegółowo

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby

Bardziej szczegółowo

Q t lub precyzyjniej w postaci różniczkowej. dq dt Jednostką natężenia prądu jest amper oznaczany przez A.

Q t lub precyzyjniej w postaci różniczkowej. dq dt Jednostką natężenia prądu jest amper oznaczany przez A. Prąd elektryczny Dotychczas zajmowaliśmy się zjawiskami związanymi z ładunkami spoczywającymi. Obecnie zajmiemy się zjawiskami zachodzącymi podczas uporządkowanego ruchu ładunków, który często nazywamy

Bardziej szczegółowo

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów

E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów E104. Badanie charakterystyk diod i tranzystorów Cele: Wyznaczenie charakterystyk dla diod i tranzystorów. Dla diod określa się zależność I d =f(u d ) prądu od napięcia i napięcie progowe U p. Dla tranzystorów

Bardziej szczegółowo

L E D light emitting diode

L E D light emitting diode Elektrotechnika Studia niestacjonarne L E D light emitting diode Wg PN-90/E-01005. Technika świetlna. Terminologia. (845-04-40) Dioda elektroluminescencyjna; dioda świecąca; LED element półprzewodnikowy

Bardziej szczegółowo

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są

Czujniki. Czujniki służą do przetwarzania interesującej nas wielkości fizycznej na wielkość elektryczną łatwą do pomiaru. Najczęściej spotykane są Czujniki Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Czujniki Czujniki służą do przetwarzania interesującej

Bardziej szczegółowo

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej Robert P. Sarzała 1, Michał Wasiak 1, Maciej Kuc 1, Adam K. Sokół 1, Renata Kruszka 2, Krystyna Gołaszewska 2

Bardziej szczegółowo

Ogólne cechy ośrodków laserowych

Ogólne cechy ośrodków laserowych Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)

Bardziej szczegółowo

Samoorganizacja. Tydzień temu

Samoorganizacja. Tydzień temu Elektronika plastikowa i organiczna Samoorganizacja Tydzień temu Grafen jest dwuwymiarowym kryształem o strukturze plastra miodu Charakteryzuje się unikatowymi właściwościami elektro-optycznymi Jest półprzewodnikiem

Bardziej szczegółowo

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE

ANALIZA WPŁYWU WYBRANYCH ASPEKTÓW TECHNOLOGII WYKONANIA TRANZYSTORA MOSFET NA KRYTYCZNE PARAMETRY UŻYTKOWE Mgr inż. Krystian KRÓL 1,2 Mgr inż. Andrzej TAUBE 2 Dr inż. Mariusz SOCHACKI 2 Prof. dr hab. inż. Jan SZMIDT 2 1 Instytut Tele- i Radiotechniczny 2 Instytut Mikro- i Optoelektroniki Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. 4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest

Bardziej szczegółowo

Przyrządy Półprzewodnikowe

Przyrządy Półprzewodnikowe KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA

Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA II pracownia fizyczna dr Wiaczesław Szamow Ćwiczenie 2 BADANIE DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWEJ I TRANZYSTORA opr. tech. Mirosław Maś Krystyna Ługowska Siedlce 2004 1. Wstęp Zasadniczym celem ćwiczenia jest zbadanie

Bardziej szczegółowo

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy

Bardziej szczegółowo

Podstawy akceleratorowej spektrometrii mas. Techniki pomiarowe

Podstawy akceleratorowej spektrometrii mas. Techniki pomiarowe Podstawy akceleratorowej spektrometrii mas Techniki pomiarowe Podstawy spektrometrii mas Spektrometria mas jest narzędziem znajdującym szerokie zastosowanie w badaniach fizycznych i chemicznych. Umożliwia

Bardziej szczegółowo

Laboratorium z Krystalografii specjalizacja: Fizykochemia związków nieorganicznych

Laboratorium z Krystalografii specjalizacja: Fizykochemia związków nieorganicznych Uniwersytet Śląski - Instytut Chemii Zakład Krystalografii ul. Bankowa 14, pok. 133, 40-006 Katowice tel. 0323591197, e-mail: izajen@wp.pl opracowanie: dr Izabela Jendrzejewska Laboratorium z Krystalografii

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM METROLOGII

LABORATORIUM METROLOGII LABORATORIUM METROLOGII POMIARY TEMPERATURY NAGRZEWANEGO WSADU Cel ćwiczenia: zapoznanie z metodyką pomiarów temperatury nagrzewanego wsadu stalowego 1 POJĘCIE TEMPERATURY Z definicji, która jest oparta

Bardziej szczegółowo

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera ANALIZA POŁĄCZENIA WARSTW CERAMICZNYCH Z PODBUDOWĄ METALOWĄ Promotor: Prof. zw. dr hab. n. tech. MACIEJ HAJDUGA Tadeusz Zdziech CEL PRACY Celem

Bardziej szczegółowo

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne

Bardziej szczegółowo

Metody jonowe w formowaniu biozgodnych wielowarstwowych powłok dla potrzeb protez serca

Metody jonowe w formowaniu biozgodnych wielowarstwowych powłok dla potrzeb protez serca Metody jonowe w formowaniu biozgodnych wielowarstwowych powłok dla potrzeb protez serca Bogusław Rajchel, Jadwiga Kwiatkowska, Władysław Kowalski, Piotr Strączek Instytut Fizyki Jądrowej im. H. Niewodniczańskiego

Bardziej szczegółowo

Elektrofizjologia neuronu

Elektrofizjologia neuronu Spis treści Co to jest neuron? 2008-11-13 Spis treści Co to jest neuron? Wstęp Rola jonów w działaniu neronu Potencjał membranowy Stan równowagi Bramki jonowe Dynamika bramek jonowych Model Hodgkina-Huxley

Bardziej szczegółowo

BADANIE FOTOPOWIELACZA

BADANIE FOTOPOWIELACZA BDNIE FOTOPOWIELCZ I. Cel ćwiczenia: zapoznanie z budową, przeznaczeniem i zastosowaniem fotopowielacza oraz ze zjawiskiem fotoelektrycznym zewnętrznym. II. Przyrządy: zasilacz wysokiego napięcia ZWN-41

Bardziej szczegółowo

POTWIERDZANIE TOŻSAMOSCI PRZY ZASTOSOWANIU RÓŻNYCH TECHNIK ANALITYCZNYCH

POTWIERDZANIE TOŻSAMOSCI PRZY ZASTOSOWANIU RÓŻNYCH TECHNIK ANALITYCZNYCH POTWIERDZANIE TOŻSAMOSCI PRZY ZASTOSOWANIU RÓŻNYCH TECHNIK ANALITYCZNYCH WSTĘP Spełnianie wymagań jakościowych stawianych przed producentami leków jest kluczowe dla zapewnienia bezpieczeństwa pacjenta.

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Elementy optoelektroniczne. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy optoelektroniczne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne Są one elementami sterowanymi natężeniem

Bardziej szczegółowo

Badanie ogniwa fotowoltaicznego

Badanie ogniwa fotowoltaicznego Badanie ogniwa fotowoltaicznego Cel ćwiczenia Zapoznanie się z podstawowymi wiadomościami na temat ogniw fotowoltaicznych oraz wyznaczenie: zależności prądu fotoogniwa od natężenia oświetlenia, charakterystyk

Bardziej szczegółowo

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych.

Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Numer Projektu WND-POIG.01.03.01-00-159/08-00 Instytut Technologii

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:

Bardziej szczegółowo

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć.

Diody, tranzystory, tyrystory. Materiały pomocnicze do zajęć. Diody, tranzystory, tyrystory Materiały pomocnicze do zajęć. Złącze PN stanowi podstawę diod półprzewodnikowych. Rozpatrzmy właściwości złącza poddanego napięciu. Na poniŝszym rysunku pokazano złącze PN,

Bardziej szczegółowo

Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud.

Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud. Podstawy Technik Wytwarzania (MCM003102W) dr hab. inż. Regina Paszkiewicz, prof. PWr Regina.Paszkiewicz@pwr.wroc.pl W-12, Długa 63-65, bud. M-4, p.103 Czwartek 730-900 Wykład _2 Dyfuzja, trawienie, wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis

Nauka o Materiałach. Wykład XI. Właściwości cieplne. Jerzy Lis Nauka o Materiałach Wykład XI Właściwości cieplne Jerzy Lis Nauka o Materiałach Treść wykładu: 1. Stabilność termiczna materiałów 2. Pełzanie wysokotemperaturowe 3. Przewodnictwo cieplne 4. Rozszerzalność

Bardziej szczegółowo

Systemy i architektura komputerów

Systemy i architektura komputerów Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Systemy i architektura komputerów Laboratorium nr 4 Temat: Badanie tranzystorów Spis treści Cel ćwiczenia... 3 Wymagania... 3 Przebieg ćwiczenia...

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Wydział lektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politecniki Wrocławskiej STUDA DZNN W0 LAORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 3 Carakterystyki statyczne tranzystora bipolarnego. Zagadnienia do

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA ZMIAN STRUKTURALNYCH W WARSTWIE POŁĄCZENIA SPAJANYCH WYBUCHOWO BIMETALI

CHARAKTERYSTYKA ZMIAN STRUKTURALNYCH W WARSTWIE POŁĄCZENIA SPAJANYCH WYBUCHOWO BIMETALI Mariusz Prażmowski 1, Henryk Paul 1,2, Fabian Żok 1,3, Aleksander Gałka 3, Zygmunt Szulc 3 1 Politechnika Opolska, ul. Mikołajczyka 5, Opole. 2 Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN, ul. Reymonta

Bardziej szczegółowo

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4

METALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4 MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li 4.6 10 1.1 10 8 1.3 10 8 4.7 5.5 10 4 a.5 0.9 1.1 3.1 3.7 K 1.34 0.73 0.85.1.4 Rb 1.08 0.68 0.79

Bardziej szczegółowo

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego

Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego Katedra Fizyki Ciała Stałego Uniwersytetu Łódzkiego Ćwiczenie 7 Elektronowy mikroskop skaningowy-analogowy w badaniach morfologii powierzchni ciała stałego. Cel ćwiczenia: Celem ćwiczenia jest zapoznanie

Bardziej szczegółowo

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Tło historyczne Pod koniec XIX wieku stosowanie mikroskopów świetlnych w naukach

Bardziej szczegółowo

Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu

Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Opis procesu technologicznego wytwarzania pasywnych detektorów promieniowania jonizującego na bazie glinianu litu Wojciech Gieszczyk Raport sporządzony w ramach czwartego etapu Umowy o Dzieło Autorskie

Bardziej szczegółowo

SPECYFIKACJA TECHNICZNA ZESTAWU DO ANALIZY TERMOGRAWIMETRYCZNEJ TG-FITR-GCMS ZAŁĄCZNIK NR 1 DO ZAPYTANIA OFERTOWEGO

SPECYFIKACJA TECHNICZNA ZESTAWU DO ANALIZY TERMOGRAWIMETRYCZNEJ TG-FITR-GCMS ZAŁĄCZNIK NR 1 DO ZAPYTANIA OFERTOWEGO SPECYFIKACJA TECHNICZNA ZESTAWU DO ANALIZY TERMOGRAWIMETRYCZNEJ TG-FITR-GCMS ZAŁĄCZNIK NR 1 DO ZAPYTANIA OFERTOWEGO NR 113/TZ/IM/2013 Zestaw ma umożliwiać analizę termiczną próbki w symultanicznym układzie

Bardziej szczegółowo

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo