SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS
|
|
- Gabriela Przybylska
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Domieszkowanie węglika krzemu metodą Jerzy Żuk Instytut Fizyki UMCS, Lublin implantacji jonowej M. Kulik, A. Droździel, K. Pyszniak, M. Turek Instytut Fizyki UMCS, Lublin Mariusz Sochacki, Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informatycznych, Politechnika Warszawska Domieszkowanie węglika krzemu metodą implantacji jonowej Zadania badawcze 1. Określenie profilu domieszki 2. Wygrzewanie poimplantacyjne 3. Badanie defektów 4. Pomiar charakterystyk elektrycznych wytworzonych złączy 5. Badanie stopnia aktywacji domieszki (pomiary Halla) Implantacja wielokrotna SiC jonami glinu i azotu Łącznie ok. 3 implantacji jonami glinu i azotu Całkowita dawka 1.6x 15 cm -2 E=25 kev, D=9.3x 14 cm -2 E=17 kev, D=3.8x 14 cm -2 E=12 kev, D =2.2x 14 cm -2 E= kev, D =5.4x 13 cm -2 E= 8 kev, D =1.3x 13 cm -2 N al ~ 5x 19 cm -3 (plateau) Temperatura implantacji 5 O C Całkowita dawka 7x 14 cm -2 E=25 kev, D=3.7x 14 cm -2 E=16 kev, D=1.7x 14 cm -2 E= kev, D =1.x 14 cm -2 E=55 kev, D =6.5x 13 cm -2 N al ~ 2x 19 cm -3 (plateau) Całkowita dawka 1.43x 16 cm -2 E=25 kev, D=8.3x 15 cm -2 E=17 kev, D=3.4x 15 cm -2 E=12 kev, D =2.x 15 cm -2 E= kev, D =4.9x 14 cm -2 E= 8 kev, D =1.2x 14 cm -2 N al ~ 5x 2 cm -3 (plateau) SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS 79 Określenie profilu domieszki Metoda emisji optycznej in situ 1.1
2 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE BOMBARDOWANIU POWIERZCHNI CIAŁA STAŁEGO JONAMI Schemat aparatury do pomiaru emisji optycznej in situ Particle Induced Photon Emission PIPE Implantator UNIMAS 79 Jony pierwotne Elektrony Promieniowanie elektromagnetyczne wtórne fotony, X,γ Rozpylanie jonowe (jony +/-, neutrały) Obszar Zdefektowany Oś opt. Reakcje jądrowe produkty (p,n,α) Cząstki rozproszone Jony pierwotne Wiązka jonowa Próbka Wysoka próżnia Układ soczewek Monochromator Fotopowielacz Zasilacz fotopow. Silnik krokowy A Miernik dawki Tarcza Zderzenia sprężyste Zderzenia niesprężyste Komputer WIDMA OPTYCZNE Ar+(8keV) => Al Ar+(8keV) => Mn Metoda określania profilu domieszki przy zastosowaniu emisji optycznej in situ Przeprowadzono pomiary profili głębokościowych glinu w SiC metodą emisji optycznej in situ. Dla tych eksperymentów wykorzystano spektrometr optyczny sprzężony z dobudowaną do implantatora jonów komorą kolektora. Do podkładki SiC zaimplantowano jony glinu o energii 15 kev i dawce 2.5x16cm-2. Następnie rozpoczęto proces rozpylania tej próbki jonami gazu szlachetnego (argonu lub ksenonu) o energii 8 kev, rejestrując w jego trakcie natężenie linii emisyjnej AlI (39 nm) aż do jej zaniku i mierząc całkowity ładunek zdeponowany przez padające jony na tarczy SiC. Po wyjęciu próbki SiC z komory kolektora, przy pomocy profilometru Talysurf zmierzono głębokość krateru powstałego po jej rozpyleniu. W opisany powyżej sposób uzyskano profile głębokościowe zaimplantowanych atomów glinu w SiC. Omawiany układ służyć też moźe do pomiarów jonoluminecencji. 2,5E+21 2,E+21 1,5E+21 1,E+21 5,E+2 SRIM simulations 3 PIPE Wygrzewanie poimplantacyjne 25 I [ a. u.] 3,E+21 atomic concentration [ at / cm3 ] Profil głębokościowy glinu (15 kev, D=2.5x16cm-2 ) w SiC uzyskany metodą PIPE Procesy wygrzewania przy formowaniu diod p-i-n prowadzono w reaktorze do epitaksji SiC w dobrze kontrolowanych warunkach przy przepływie argonu i w obecności silanu zapobiegającego sublimacji krzemu z powierzchni SiC, przy ciśnieniu hpa, temperaturze 16 C i w czasie 2 minut. 5,E depth [ A ] 3 2. Wygrzewanie poimplantacyjne w piecu Degussa (P.Ł.) przeprowadzone zostało dla próbek pochodzących z każdego z czterech procesów implantacji w atmosferze argonu o ciśnieniu Pa dla temperatur 13, 15 i 16oC, w czasie minut. 3. Stan powierzchni próbek po wygrzaniu wysokotemperaturowym był monitorowany przy pomocy AFM. Wiązka rozpylająca: 8 kev Xe 1.2
3 Określenie profilu domieszki i koncentracji -3 Koncentracja Al [cm ] Badanie defektów (spektroskopia Ramana, RBS-C) 2 Dla próbek 6H-SiC zaimplantowanych jonami glinu oraz azotu wykonano badania porównawcze przy użyciu dwóch metod: spektroskopii 19 Ramana oraz spektrometrii rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C). Obie techniki pozwalają na detekcję uszkodzeń radiacyjnych w warstwie przypowierzchniowej, 18 SRIM symulacja Wyniki SIMS Al impl. Al impl. i wygrzewane 17 2 w tym przypadku o grubości rzędu pół mikrometra oraz wpływ wygrzewania na odbudowę porządku sieci krystalicznej. Podkładki 6H-SiC w trakcie procesów implantacji utrzymywane były 3 4 Głębokość [nm] w temperaturze pokojowej (RT), lub w t=5 C. Parametry obu procesów były identyczne (łączna dawka jonów 3.4 x 15 cm-2 ). Zaimplantowane próbki wygrzewano w temperaturze: 13, 15 lub 16 C przez min. w atmosferze argonu o ciśnieniu Pa. Profile głębokościowe atomów glinu zaimplantowanych w t=5oc do warstwy epi 4H-SiC przed i po wygrzaniu w t=16oc (SIMS, ITE) wraz z profilem otrzymanym z symulacji SRIM. Widma Ramana (w skali logarytmicznej) dla 6H-SiC przed (linia przerywana) i po implantacji jonami Al+ w t = 5oC. (Łączna dawka 1.2x15cm-2) Widma Ramana dla 6H-SiC przed i po implantacji Al w RT oraz w t=5oc, a następnie wygrzanego w 16 oc. Spektrometria rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C) Widma RBS/C (Rossendorf) dla nieimplantowanego 6H-SiC oraz dla próbek Widma Ramana dla 6H-SiC zaimplantowanego Al 6H-SiC implantowanych jonami Al oraz wygrzanych w t=15 oc. (t=5oc) i wygrzanego w 13, 15 i 16oC. 1.3
4 Spektrometria rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C) Badanie defektów (spektroskopia Ramana, RBS-C) Porównując informacje otrzymane przy użyciu spektroskopii mikroramanowskiej oraz techniki RBS-C w badaniach przeprowadzonych na tych samych próbkach 6H-SiC implantowanego jonami Al można stwierdzić, że obie metody są czułe na poziom zdefektowania oraz na stopień odbudowy porządku krystalicznego. Jednak w niektórych przypadkach, np. aby stwierdzić różnicę między odbudową porządku sieci dla SiC zaimplantowanego w RT i w 5C (potem wygrzanego) technika mikro- ramanowska nie daje takich samych możliwości jak RBS-C. Generalnie, technika RBS-C jest bardziej przydatna do ilościowego okreslania stopnia amorfizacji, natomiast spektroskopia Ramana daje cenne informacje strukturalne, o typach wiązań itp.. Widma RBS/C dla nieimplantowanego 6H-SiC oraz dla 6H-SiC implant. jonami Al oraz wygrzanych w t=13 o C. Dioda p-i-n Dioda p-i-n ze strukturą MESA i obszarem typu p+ wytwarzanym w procesie implantacji jonowej. Dawka całkowita 7 x 14 cm -2, energia kev (seria 3) Procesy wygrzewania prowadzono w reaktorze do epitaksji SiC w dobrze kontrolowanych warunkach przy przepływie argonu i w obecności silanu zapobiegającego sublimacji krzemu z powierzchni SiC, przy p= hpa, t=16 C i w czasie 2 minut. Do zdefiniowania izolującego obszaru MESA w zaimplantowanej warstwie powierzchniowej SiC wykorzystano proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE). Przed wytrawieniem obszaru MESA wykonano maski SiO2/Cr o grubości 2 nm/ 2 nm i przekroju kołowym. W trakcie trawienia jonowego w czasie 45 s usunięto materiał do głębokości 52 nm. Proces RIE prowadzono przy następujących parametrach: przepływ SF 6 15 ml/min, przepływ O 2 3 ml/min, p=4 Pa, moc 95 W. Po usunięciu maski SiO 2 /Cr wytworzono kontakty omowe do obszarów p+ o średnicy 2 µm, 4 µm i 8 µm. Wykorzystano w tym celu metalizację Ti/Al/Ti ( nm/6 nm/3 nm) osadzaną metodą rozpylania magnetronowego. Kontakty omowe do podłoża zostały wykonane w wyniku osadzania warstwy Ni o grubości 2 nm metodą rozpylania magnetronowego. Warstwy metalizacji zostały wygrzane w temperaturze 5 C w czasie 3 minut w reaktorze RTP w atmosferze argonu w celu przebudowy obszaru przejściowego metal/półprzewodnik i uzyskania kontaktów o liniowej charakterystyce prądowo-napięciowej., I [A],9,8,7,6,5,4,3,2,1 C 1 2C C,,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku przewodzenia. Pomiar charakterystyk elektrycznych wytworzonych złączy do 5 o C Na podstawie analizy charakterystyki prądowo-napieciowej dla kierunku przewodzenia wykreślonej w skali półlogarytmicznej wyznaczono współczynniki nachylenia charakterystyki η wynikające z następującego wzoru: I = I s exp(qv/ηkt), gdzie I s prąd nasycenia, q ładunek elektronu, k stała Boltzmana, T temperatura bezwzględna. Uzyskano następujące wartości współczynnika η: 3,2 (seria 1); 3,18 (seria 2); 2,11 (seria 3). Niższe dawki implantowanego glinu nie zapewniają pełnej kompensacji domieszki w warstwie epitaksjalnej i wpływają na wyższą rezystywność kontaktu omowego do obszaru typu p+, co skutkuje wysoką wartością współczynnika η. W związku z powyższym dokładnej analizie poddano przede wszystkim najlepsze pod tym względem diody serii 3, które posiadają nachylenie charakterystyki typowe dla diody bipolarnej. 1.4
5 J[A/cm 2 ] 2, 18, 16, 14, 12,, 8, 6, 4, 2, C 1 2C C,,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku przewodzenia. Charakterystyki prądowo-napięciowe zmierzono dla kierunku przewodzenia w zakresie temperatur 5 C - 5 C. Napięcie włączenia diody maleje wraz ze wzrostem temperatury. Charakterystyki temperaturowe są do siebie równoległe. Wykorzystując pełną rodzinę charakterystyk określono zmianę napięcia włączenia (V F ) diody p-i-n w funkcji temperatury, która przyjmuje wartość na poziomie -2,22 mv/ C. Napięcie włączenia diody zmienia się od wartości V F = 2,7 V w temperaturze 5 C do wartości V F = 1,7 V w temperaturze 5 C. Charakterystyki zaporowe zmierzono w zakresie napięcia do 1 V. Wzrost prądu zaporowego jest bezpośrednio związany z obniżeniem napięcia wbudowanego złącza p-n, przy czym dioda zachowuje w pełni właściwości prostujące dla pełnego zakresu temperatur 5 C - 5 C. Nachylenie charakterystyki zmierzonej dla kierunku zaporowego wynika z generacji nośników w obszarze ładunku przestrzennego, co potwierdza charakterystyczna zależność prądu od napięcia (I R V R.5 ), szczególnie w przypadku pracy w podwyższonej temperaturze. 3. Badanie stopnia aktywacji domieszki (pomiary Halla) ,E-11 1,E- 1,E-9 1,E-8 1,E-7 1,E-6 1,E-5 I [A] 1,E-4 1,E-3 1,E-2 1,E-1 1,E+ Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku zaporowego. C 2C 5C Próbki półizolacyjnego SiC poddano procesowi implantacji zgodnie z danymi na rysunku. Po wykonaniu implantacji próbkę poddano wygrzewaniu w 16 C, w czasie 3 min. Ciśnienie: hpa. Przepływ argonu: 3 l/min Przepływ silanu: 3 ml/min Szybkość nagrzewania i chłodzenia ograniczone możliwościami reaktora.do prowadzenia procesów epitaksji warstw SiC EPIGRESS VP58. Następnie wykonano w narożach kwadratowej próbki kontakty omowe z warstw (Ti/Al/Ti = //7 nm). Termiczne formowanie kontaktów omowych wykonano w piecu RTP w t = 11 C i czasie 3 min w atmosferze argonu. Przygotowaną w ten sposób próbkę poddano pomiarom elektrycznym metodą Halla. Uzyskano wartość koncentracji aktywnych akceptorów na poziomie 4,48 x 17 cm -3 (rezystywność materiału na poziomie.81 Ωcm), co stanowi wartość typową dla tak prowadzonego procesu implantacji jonów glinu i wygrzewania. Uzyskany poziom aktywacji elektrycznej jonów glinu (1,5%) nie odbiega od poziomu aktywacji prezentowanego w literaturze (typowo 2%) dla podanego poziomu koncentracji jonów. Uzyskanie materiału o rezystywności poniżej,1 Ωcm jest trudne i może prowadzić do pojawienia się wytrąceń po wygrzewaniu poimplantacyjnym na skutek ograniczonej rozpuszczalności glinu w SiC. Podsumowanie Metodą wielokrotnej implantacji jonami Al przy temperaturze tarczy 5C i w temperaturze pokojowej (RT) wytworzono w SiC obszary o zbliżonym do prostokątnego profilu domieszki i zadanej głębokości. Zaimplantowane warstwy zbadano przy użyciu: spektroskopii Ramana, SIMS, AFM oraz RBS-C. Stwierdzono istnienie zdefektowanych obszarów przypowierzchniowych w SiC zaimplantowanego w 5C i całowitą amorfizację dla próbek zaimplantowanych w t.pokojowej.. Przeprowadzono wygrzewanie poimplantacyjne w temperaturach: 13, 15 i 16 o C i dokładnie przebadano poziom zdefektowania pozostały w SiC. W materiale zaimplantowanym Al wytworzono diody pin po wygrzaniu w 16 C i zmierzono na nich charakterystyki prądowo-napięciowe w zakresie temperatur 5 C - 5 C. Określono zmianę napięcia włączenia (V F ) diody p-i-n w funkcji temperatury, która przyjmuje wartość na poziomie -2,22 mv/ C. Wyznaczono współczynniki nachylenia charakterystyki η = Wykonano pomiar koncentracji nośników w obszarze implantowanym przy użyciu metody Halla wskazują, że prawidłową aktywację domieszki (na poziomie 1.5%) uzyskano dla warstw 4H-SiC zaimplantowanych glinem (koncentracja Al : 3x 19 cm -3 ) wygrzewanych przez 3 min. w przepływie Ar i silanu w t=16 o C. Wykazano możliwość uzyskania profilu głębokościowego zaimplantowanych domieszek na drodze optycznej emisji in situ. Wykaz publikacji będących wynikiem realizacji projektu: 1. Ionization efficiency calculations for cavity thermoionization ion source, M.Turek, K.Pyszniak, A.Droździel, J.Sielanko, Vacuum 82 (28) Hybrid MPI/Open MP Approach to the Parallelisation of Ion Source Plasma Simulations, M. Turek, M. Brzuszek, J. Sielanko, Polish Journal of Environ. Stud. 17 (28) Arc discharge ion source for europium and other refractory metals implantation, M. Turek, S. Prucnal, A. Droździel, K. Pyszniak, Rev. Sci. Instrum. 8 (29) Influence of Electron Impact Ionization on the efficiency of thermoemission ion source, M.Turek, K.Pyszniak, A.Droździel, Vacuum 83 (29) S26-S Parallel Monte Carlo Code for Modelling of High Temperature Ion Sources, Polish Journal of Environ. Stud. 18 (29) Ion Implanted Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Structures, B. Boratyński, W. Macherzyński, A. Droździel, K. Pyszniak, J. Electrical Engineering 6(29) Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperyment, M. Turek, A. Droździel, K. Pyszniak, S. Prucnal, J. Żuk, Przegląd Elektrotechniczny 2, przyjęte do druku. 8. Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze, M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt, Elektronika 7/8 (28) Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al, M. Turek, K. Pyszniak, S. Prucnal, A. Droździel, J. Żuk, Elektronika 9 (29) Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksjalnych 4H-SiC jonami glinu, N. Kwietniewski, K. Pazio, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Droździel, M. Kulik, S. Prucnal, K. Pyszniak, M. Rawski, M. Turek, J. Żuk, Elektronika 6 (29)
Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoŹródło typu Thonnemena dostarcza jony: H, D, He, N, O, Ar, Xe, oraz J i Hg.
ZFP dysponuje obecnie unowocześnioną aparaturą, której skompletowanie, uruchomienie i utrzymanie w sprawności wymagało wysiłku zarówno merytorycznego jak i organizacyjnego oraz finansowego. Unowocześnienia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)
LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik
Bardziej szczegółowoKrytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt
Bardziej szczegółowoZachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa Przedmiot: Inżynieria Powierzchni / Powłoki Ochronne / Powłoki Metaliczne i Kompozytowe
Bardziej szczegółowopromotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Bardziej szczegółowoDiody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoBADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoWpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym
Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska
Bardziej szczegółowoBadanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi
Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej Kierownik projektu: prof. dr hab. inż. Jan Szmidt Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoWłasności optyczne półprzewodników
Własności optyczne półprzewodników Andrzej Wysmołek Wykład przygotowany w oparciu o wykłady prowadzone na Wydziale Fizyki UW przez prof. Mariana Grynberga oraz prof. Romana Stępniewskiego Klasyfikacja
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoPrzewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman
Porównanie Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Spektroskopia FT-Raman Spektroskopia FT-Raman jest dostępna od 1987 roku. Systemy
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoMarek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoTechnologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu
Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika
Bardziej szczegółowoZałącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych
Załącznik nr 1 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoŁukowe platerowanie jonowe
Łukowe platerowanie jonowe Typy wyładowania łukowego w zależności od rodzaju emisji elektronów z grzaną katodą z termoemisyjną katodą z katodą wnękową łuk rozłożony łuk z wędrującą plamką katodową dr K.Marszałek
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 : Badanie licznika proporcjonalnego fotonów X
Ćwiczenie nr 2 : Badanie licznika proporcjonalnego fotonów X Oskar Gawlik, Jacek Grela 16 lutego 2009 1 Podstawy teoretyczne 1.1 Liczniki proporcjonalne Wydajność detekcji promieniowania elektromagnetycznego
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoBADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU
BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU W. OLSZEWSKI 1, K. SZYMAŃSKI 1, D. SATUŁA 1, M. BIERNACKA 1, E. K. TALIK 2 1 Wydział Fizyki, Uniwersytet w Białymstoku, Lipowa 41, 15-424 Białystok,
Bardziej szczegółowoSymulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) dr inż. TOMASZ BIENIEK 1, mgr inż. JĘDRZEJ STĘSZEWSKI 2, dr inż. MARIUSZ SOCHACKi
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoSpektrometr ICP-AES 2000
Spektrometr ICP-AES 2000 ICP-2000 to spektrometr optyczny (ICP-OES) ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie (ICP). Wykorztystuje zjawisko emisji atomowej (ICP-AES). Umożliwia wykrywanie ok. 70
Bardziej szczegółowoUNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja
UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej
Bardziej szczegółowoEkspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowoWPOMAGANIE PROCESU IDENTYFIKACJI RADIACYJNYCH CENTRÓW DEFEKTOWYCH W MONOKRYSZTAŁACH KRZEMU BADANYCH METODĄ HRPITS
WPOMAGANIE PROCESU IDENTYFIKACJI RADIACYJNYCH CENTRÓW DEFEKTOWYCH W MONOKRYSZTAŁACH KRZEMU BADANYCH METODĄ HRPITS Marek SUPRONIUK 1, Paweł KAMIŃSKI 2, Roman KOZŁOWSKI 2, Jarosław ŻELAZKO 2, Michał KWESTRARZ
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoEfekt Halla. Cel ćwiczenia. Wstęp. Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Siła Loretza
Efekt Halla Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zbadanie efektu Halla. Wstęp Siła Loretza Na ładunek elektryczny poruszający się w polu magnetycznym w kierunku prostopadłym do linii pola magnetycznego działa
Bardziej szczegółowoSPEKTROMETRIA CIEKŁOSCYNTYLACYJNA
SPEKTROMETRIA CIEKŁOSCYNTYLACYJNA Metoda detekcji promieniowania jądrowego (α, β, γ) Konwersja energii promieniowania jądrowego na promieniowanie w zakresie widzialnym. Zalety metody: Geometria 4π Duża
Bardziej szczegółowoTechnologia cienkowarstwowa
Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w
Bardziej szczegółowoSkończona studnia potencjału
Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Bardziej szczegółowoMasowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninach amoniaku i argonu
ANNALES UNIVERSITATIS MARIAE CURIE-SKLODOWSKA LUBLIN POLONIA VOL. XLVI/XLVII, 48 SECTIO AAA 1991/1992 Instytut Fizyki UMCS L. WÓJCIK, K. BEDERSKI Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoCzyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z
to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,
Bardziej szczegółowoElementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński
Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego
Bardziej szczegółowoPytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa
Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa 1.Podział materiałów elektrotechnicznych 2. Potencjał elektryczny, różnica potencjałów 3. Związek pomiędzy potencjałem i natężeniem pola elektrycznego 4. Przewodzenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoPróżnia w badaniach materiałów
Próżnia w badaniach materiałów Pomiary ciśnień parcjalnych Konstanty Marszałek Kraków 2011 Analiza składu masowego gazów znajduje coraz większe zastosowanie ze względu na liczne zastosowania zarówno w
Bardziej szczegółowoIA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.
1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoGrafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?
Bardziej szczegółowoCharakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk
Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO
LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami
Bardziej szczegółowoWyznaczanie współczynnika rozpraszania zwrotnego. promieniowania β.
Wyznaczanie współczynnika rozpraszania otnego. Zagadnienia promieniowania β. 1. Promieniotwórczość β.. Oddziaływanie cząstek β z materią (w tym rozproszenie otne w wyniku zderzeń sprężystych). 3. Znajomość
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoEnergetyka konwencjonalna odnawialna i jądrowa
Energetyka konwencjonalna odnawialna i jądrowa Wykład 8-27.XI.2018 Zygmunt Szefliński Środowiskowe Laboratorium Ciężkich Jonów szef@fuw.edu.pl http://www.fuw.edu.pl/~szef/ Wykład 8 Energia atomowa i jądrowa
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Bardziej szczegółowodr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej
dr inż. Beata Brożek-Pluska La boratorium La serowej Spektroskopii Molekularnej PŁ Powierzchniowo wzmocniona sp ektroskopia Ramana (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoStanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych
Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych Na rys. 3.1 przedstawiono widok wykorzystywanego w ćwiczeniu stanowiska pomiarowego do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie LP2. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 25 października 2009
Ćwiczenie LP2 Jacek Grela, Łukasz Marciniak 25 października 2009 1 Wstęp teoretyczny 1.1 Energetyczna zdolność rozdzielcza Energetyczna zdolność rozdzielcza to wielkość opisująca dokładność detekcji energii
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoBadanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem
Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH
POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH ZAKŁAD WYSOKICH NAPIĘĆ I KOMPATYBILNOŚCI ELEKTROMAGNETYCZNEJ PRACOWNIA MATERIAŁOZNAWSTWA
Bardziej szczegółowostr. 1 d. elektron oraz dziura e.
1. Półprzewodniki samoistne a. Niska temperatura b. Wzrost temperatury c. d. elektron oraz dziura e. f. zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne g. Krzem i german 2. Półprzewodniki domieszkowe a. W półprzewodnikach
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowoWzajemne relacje pomiędzy promieniowaniem a materią wynikają ze zjawisk związanych z oddziaływaniem promieniowania z materią. Do podstawowych zjawisk
Wzajemne relacje pomiędzy promieniowaniem a materią wynikają ze zjawisk związanych z oddziaływaniem promieniowania z materią. Do podstawowych zjawisk fizycznych tego rodzaju należą zjawiska odbicia i załamania
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowo