SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS"

Transkrypt

1 Domieszkowanie węglika krzemu metodą Jerzy Żuk Instytut Fizyki UMCS, Lublin implantacji jonowej M. Kulik, A. Droździel, K. Pyszniak, M. Turek Instytut Fizyki UMCS, Lublin Mariusz Sochacki, Jan Szmidt Wydział Elektroniki i Technik Informatycznych, Politechnika Warszawska Domieszkowanie węglika krzemu metodą implantacji jonowej Zadania badawcze 1. Określenie profilu domieszki 2. Wygrzewanie poimplantacyjne 3. Badanie defektów 4. Pomiar charakterystyk elektrycznych wytworzonych złączy 5. Badanie stopnia aktywacji domieszki (pomiary Halla) Implantacja wielokrotna SiC jonami glinu i azotu Łącznie ok. 3 implantacji jonami glinu i azotu Całkowita dawka 1.6x 15 cm -2 E=25 kev, D=9.3x 14 cm -2 E=17 kev, D=3.8x 14 cm -2 E=12 kev, D =2.2x 14 cm -2 E= kev, D =5.4x 13 cm -2 E= 8 kev, D =1.3x 13 cm -2 N al ~ 5x 19 cm -3 (plateau) Temperatura implantacji 5 O C Całkowita dawka 7x 14 cm -2 E=25 kev, D=3.7x 14 cm -2 E=16 kev, D=1.7x 14 cm -2 E= kev, D =1.x 14 cm -2 E=55 kev, D =6.5x 13 cm -2 N al ~ 2x 19 cm -3 (plateau) Całkowita dawka 1.43x 16 cm -2 E=25 kev, D=8.3x 15 cm -2 E=17 kev, D=3.4x 15 cm -2 E=12 kev, D =2.x 15 cm -2 E= kev, D =4.9x 14 cm -2 E= 8 kev, D =1.2x 14 cm -2 N al ~ 5x 2 cm -3 (plateau) SCHEMAT IMPLANTATORA UNIMAS 79 Określenie profilu domieszki Metoda emisji optycznej in situ 1.1

2 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE BOMBARDOWANIU POWIERZCHNI CIAŁA STAŁEGO JONAMI Schemat aparatury do pomiaru emisji optycznej in situ Particle Induced Photon Emission PIPE Implantator UNIMAS 79 Jony pierwotne Elektrony Promieniowanie elektromagnetyczne wtórne fotony, X,γ Rozpylanie jonowe (jony +/-, neutrały) Obszar Zdefektowany Oś opt. Reakcje jądrowe produkty (p,n,α) Cząstki rozproszone Jony pierwotne Wiązka jonowa Próbka Wysoka próżnia Układ soczewek Monochromator Fotopowielacz Zasilacz fotopow. Silnik krokowy A Miernik dawki Tarcza Zderzenia sprężyste Zderzenia niesprężyste Komputer WIDMA OPTYCZNE Ar+(8keV) => Al Ar+(8keV) => Mn Metoda określania profilu domieszki przy zastosowaniu emisji optycznej in situ Przeprowadzono pomiary profili głębokościowych glinu w SiC metodą emisji optycznej in situ. Dla tych eksperymentów wykorzystano spektrometr optyczny sprzężony z dobudowaną do implantatora jonów komorą kolektora. Do podkładki SiC zaimplantowano jony glinu o energii 15 kev i dawce 2.5x16cm-2. Następnie rozpoczęto proces rozpylania tej próbki jonami gazu szlachetnego (argonu lub ksenonu) o energii 8 kev, rejestrując w jego trakcie natężenie linii emisyjnej AlI (39 nm) aż do jej zaniku i mierząc całkowity ładunek zdeponowany przez padające jony na tarczy SiC. Po wyjęciu próbki SiC z komory kolektora, przy pomocy profilometru Talysurf zmierzono głębokość krateru powstałego po jej rozpyleniu. W opisany powyżej sposób uzyskano profile głębokościowe zaimplantowanych atomów glinu w SiC. Omawiany układ służyć też moźe do pomiarów jonoluminecencji. 2,5E+21 2,E+21 1,5E+21 1,E+21 5,E+2 SRIM simulations 3 PIPE Wygrzewanie poimplantacyjne 25 I [ a. u.] 3,E+21 atomic concentration [ at / cm3 ] Profil głębokościowy glinu (15 kev, D=2.5x16cm-2 ) w SiC uzyskany metodą PIPE Procesy wygrzewania przy formowaniu diod p-i-n prowadzono w reaktorze do epitaksji SiC w dobrze kontrolowanych warunkach przy przepływie argonu i w obecności silanu zapobiegającego sublimacji krzemu z powierzchni SiC, przy ciśnieniu hpa, temperaturze 16 C i w czasie 2 minut. 5,E depth [ A ] 3 2. Wygrzewanie poimplantacyjne w piecu Degussa (P.Ł.) przeprowadzone zostało dla próbek pochodzących z każdego z czterech procesów implantacji w atmosferze argonu o ciśnieniu Pa dla temperatur 13, 15 i 16oC, w czasie minut. 3. Stan powierzchni próbek po wygrzaniu wysokotemperaturowym był monitorowany przy pomocy AFM. Wiązka rozpylająca: 8 kev Xe 1.2

3 Określenie profilu domieszki i koncentracji -3 Koncentracja Al [cm ] Badanie defektów (spektroskopia Ramana, RBS-C) 2 Dla próbek 6H-SiC zaimplantowanych jonami glinu oraz azotu wykonano badania porównawcze przy użyciu dwóch metod: spektroskopii 19 Ramana oraz spektrometrii rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C). Obie techniki pozwalają na detekcję uszkodzeń radiacyjnych w warstwie przypowierzchniowej, 18 SRIM symulacja Wyniki SIMS Al impl. Al impl. i wygrzewane 17 2 w tym przypadku o grubości rzędu pół mikrometra oraz wpływ wygrzewania na odbudowę porządku sieci krystalicznej. Podkładki 6H-SiC w trakcie procesów implantacji utrzymywane były 3 4 Głębokość [nm] w temperaturze pokojowej (RT), lub w t=5 C. Parametry obu procesów były identyczne (łączna dawka jonów 3.4 x 15 cm-2 ). Zaimplantowane próbki wygrzewano w temperaturze: 13, 15 lub 16 C przez min. w atmosferze argonu o ciśnieniu Pa. Profile głębokościowe atomów glinu zaimplantowanych w t=5oc do warstwy epi 4H-SiC przed i po wygrzaniu w t=16oc (SIMS, ITE) wraz z profilem otrzymanym z symulacji SRIM. Widma Ramana (w skali logarytmicznej) dla 6H-SiC przed (linia przerywana) i po implantacji jonami Al+ w t = 5oC. (Łączna dawka 1.2x15cm-2) Widma Ramana dla 6H-SiC przed i po implantacji Al w RT oraz w t=5oc, a następnie wygrzanego w 16 oc. Spektrometria rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C) Widma RBS/C (Rossendorf) dla nieimplantowanego 6H-SiC oraz dla próbek Widma Ramana dla 6H-SiC zaimplantowanego Al 6H-SiC implantowanych jonami Al oraz wygrzanych w t=15 oc. (t=5oc) i wygrzanego w 13, 15 i 16oC. 1.3

4 Spektrometria rozproszenia wstecznego Rutherforda w geometrii kanałowania (RBS-C) Badanie defektów (spektroskopia Ramana, RBS-C) Porównując informacje otrzymane przy użyciu spektroskopii mikroramanowskiej oraz techniki RBS-C w badaniach przeprowadzonych na tych samych próbkach 6H-SiC implantowanego jonami Al można stwierdzić, że obie metody są czułe na poziom zdefektowania oraz na stopień odbudowy porządku krystalicznego. Jednak w niektórych przypadkach, np. aby stwierdzić różnicę między odbudową porządku sieci dla SiC zaimplantowanego w RT i w 5C (potem wygrzanego) technika mikro- ramanowska nie daje takich samych możliwości jak RBS-C. Generalnie, technika RBS-C jest bardziej przydatna do ilościowego okreslania stopnia amorfizacji, natomiast spektroskopia Ramana daje cenne informacje strukturalne, o typach wiązań itp.. Widma RBS/C dla nieimplantowanego 6H-SiC oraz dla 6H-SiC implant. jonami Al oraz wygrzanych w t=13 o C. Dioda p-i-n Dioda p-i-n ze strukturą MESA i obszarem typu p+ wytwarzanym w procesie implantacji jonowej. Dawka całkowita 7 x 14 cm -2, energia kev (seria 3) Procesy wygrzewania prowadzono w reaktorze do epitaksji SiC w dobrze kontrolowanych warunkach przy przepływie argonu i w obecności silanu zapobiegającego sublimacji krzemu z powierzchni SiC, przy p= hpa, t=16 C i w czasie 2 minut. Do zdefiniowania izolującego obszaru MESA w zaimplantowanej warstwie powierzchniowej SiC wykorzystano proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE). Przed wytrawieniem obszaru MESA wykonano maski SiO2/Cr o grubości 2 nm/ 2 nm i przekroju kołowym. W trakcie trawienia jonowego w czasie 45 s usunięto materiał do głębokości 52 nm. Proces RIE prowadzono przy następujących parametrach: przepływ SF 6 15 ml/min, przepływ O 2 3 ml/min, p=4 Pa, moc 95 W. Po usunięciu maski SiO 2 /Cr wytworzono kontakty omowe do obszarów p+ o średnicy 2 µm, 4 µm i 8 µm. Wykorzystano w tym celu metalizację Ti/Al/Ti ( nm/6 nm/3 nm) osadzaną metodą rozpylania magnetronowego. Kontakty omowe do podłoża zostały wykonane w wyniku osadzania warstwy Ni o grubości 2 nm metodą rozpylania magnetronowego. Warstwy metalizacji zostały wygrzane w temperaturze 5 C w czasie 3 minut w reaktorze RTP w atmosferze argonu w celu przebudowy obszaru przejściowego metal/półprzewodnik i uzyskania kontaktów o liniowej charakterystyce prądowo-napięciowej., I [A],9,8,7,6,5,4,3,2,1 C 1 2C C,,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku przewodzenia. Pomiar charakterystyk elektrycznych wytworzonych złączy do 5 o C Na podstawie analizy charakterystyki prądowo-napieciowej dla kierunku przewodzenia wykreślonej w skali półlogarytmicznej wyznaczono współczynniki nachylenia charakterystyki η wynikające z następującego wzoru: I = I s exp(qv/ηkt), gdzie I s prąd nasycenia, q ładunek elektronu, k stała Boltzmana, T temperatura bezwzględna. Uzyskano następujące wartości współczynnika η: 3,2 (seria 1); 3,18 (seria 2); 2,11 (seria 3). Niższe dawki implantowanego glinu nie zapewniają pełnej kompensacji domieszki w warstwie epitaksjalnej i wpływają na wyższą rezystywność kontaktu omowego do obszaru typu p+, co skutkuje wysoką wartością współczynnika η. W związku z powyższym dokładnej analizie poddano przede wszystkim najlepsze pod tym względem diody serii 3, które posiadają nachylenie charakterystyki typowe dla diody bipolarnej. 1.4

5 J[A/cm 2 ] 2, 18, 16, 14, 12,, 8, 6, 4, 2, C 1 2C C,,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku przewodzenia. Charakterystyki prądowo-napięciowe zmierzono dla kierunku przewodzenia w zakresie temperatur 5 C - 5 C. Napięcie włączenia diody maleje wraz ze wzrostem temperatury. Charakterystyki temperaturowe są do siebie równoległe. Wykorzystując pełną rodzinę charakterystyk określono zmianę napięcia włączenia (V F ) diody p-i-n w funkcji temperatury, która przyjmuje wartość na poziomie -2,22 mv/ C. Napięcie włączenia diody zmienia się od wartości V F = 2,7 V w temperaturze 5 C do wartości V F = 1,7 V w temperaturze 5 C. Charakterystyki zaporowe zmierzono w zakresie napięcia do 1 V. Wzrost prądu zaporowego jest bezpośrednio związany z obniżeniem napięcia wbudowanego złącza p-n, przy czym dioda zachowuje w pełni właściwości prostujące dla pełnego zakresu temperatur 5 C - 5 C. Nachylenie charakterystyki zmierzonej dla kierunku zaporowego wynika z generacji nośników w obszarze ładunku przestrzennego, co potwierdza charakterystyczna zależność prądu od napięcia (I R V R.5 ), szczególnie w przypadku pracy w podwyższonej temperaturze. 3. Badanie stopnia aktywacji domieszki (pomiary Halla) ,E-11 1,E- 1,E-9 1,E-8 1,E-7 1,E-6 1,E-5 I [A] 1,E-4 1,E-3 1,E-2 1,E-1 1,E+ Rodzina charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) diody p-i-n (seria 3) zmierzonych w zakresie temperatur 5 C - 5 C dla kierunku zaporowego. C 2C 5C Próbki półizolacyjnego SiC poddano procesowi implantacji zgodnie z danymi na rysunku. Po wykonaniu implantacji próbkę poddano wygrzewaniu w 16 C, w czasie 3 min. Ciśnienie: hpa. Przepływ argonu: 3 l/min Przepływ silanu: 3 ml/min Szybkość nagrzewania i chłodzenia ograniczone możliwościami reaktora.do prowadzenia procesów epitaksji warstw SiC EPIGRESS VP58. Następnie wykonano w narożach kwadratowej próbki kontakty omowe z warstw (Ti/Al/Ti = //7 nm). Termiczne formowanie kontaktów omowych wykonano w piecu RTP w t = 11 C i czasie 3 min w atmosferze argonu. Przygotowaną w ten sposób próbkę poddano pomiarom elektrycznym metodą Halla. Uzyskano wartość koncentracji aktywnych akceptorów na poziomie 4,48 x 17 cm -3 (rezystywność materiału na poziomie.81 Ωcm), co stanowi wartość typową dla tak prowadzonego procesu implantacji jonów glinu i wygrzewania. Uzyskany poziom aktywacji elektrycznej jonów glinu (1,5%) nie odbiega od poziomu aktywacji prezentowanego w literaturze (typowo 2%) dla podanego poziomu koncentracji jonów. Uzyskanie materiału o rezystywności poniżej,1 Ωcm jest trudne i może prowadzić do pojawienia się wytrąceń po wygrzewaniu poimplantacyjnym na skutek ograniczonej rozpuszczalności glinu w SiC. Podsumowanie Metodą wielokrotnej implantacji jonami Al przy temperaturze tarczy 5C i w temperaturze pokojowej (RT) wytworzono w SiC obszary o zbliżonym do prostokątnego profilu domieszki i zadanej głębokości. Zaimplantowane warstwy zbadano przy użyciu: spektroskopii Ramana, SIMS, AFM oraz RBS-C. Stwierdzono istnienie zdefektowanych obszarów przypowierzchniowych w SiC zaimplantowanego w 5C i całowitą amorfizację dla próbek zaimplantowanych w t.pokojowej.. Przeprowadzono wygrzewanie poimplantacyjne w temperaturach: 13, 15 i 16 o C i dokładnie przebadano poziom zdefektowania pozostały w SiC. W materiale zaimplantowanym Al wytworzono diody pin po wygrzaniu w 16 C i zmierzono na nich charakterystyki prądowo-napięciowe w zakresie temperatur 5 C - 5 C. Określono zmianę napięcia włączenia (V F ) diody p-i-n w funkcji temperatury, która przyjmuje wartość na poziomie -2,22 mv/ C. Wyznaczono współczynniki nachylenia charakterystyki η = Wykonano pomiar koncentracji nośników w obszarze implantowanym przy użyciu metody Halla wskazują, że prawidłową aktywację domieszki (na poziomie 1.5%) uzyskano dla warstw 4H-SiC zaimplantowanych glinem (koncentracja Al : 3x 19 cm -3 ) wygrzewanych przez 3 min. w przepływie Ar i silanu w t=16 o C. Wykazano możliwość uzyskania profilu głębokościowego zaimplantowanych domieszek na drodze optycznej emisji in situ. Wykaz publikacji będących wynikiem realizacji projektu: 1. Ionization efficiency calculations for cavity thermoionization ion source, M.Turek, K.Pyszniak, A.Droździel, J.Sielanko, Vacuum 82 (28) Hybrid MPI/Open MP Approach to the Parallelisation of Ion Source Plasma Simulations, M. Turek, M. Brzuszek, J. Sielanko, Polish Journal of Environ. Stud. 17 (28) Arc discharge ion source for europium and other refractory metals implantation, M. Turek, S. Prucnal, A. Droździel, K. Pyszniak, Rev. Sci. Instrum. 8 (29) Influence of Electron Impact Ionization on the efficiency of thermoemission ion source, M.Turek, K.Pyszniak, A.Droździel, Vacuum 83 (29) S26-S Parallel Monte Carlo Code for Modelling of High Temperature Ion Sources, Polish Journal of Environ. Stud. 18 (29) Ion Implanted Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Structures, B. Boratyński, W. Macherzyński, A. Droździel, K. Pyszniak, J. Electrical Engineering 6(29) Źródło jonów z parownikiem ogrzewanym przez wyładowanie łukowe. Symulacje komputerowe i eksperyment, M. Turek, A. Droździel, K. Pyszniak, S. Prucnal, J. Żuk, Przegląd Elektrotechniczny 2, przyjęte do druku. 8. Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze, M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt, Elektronika 7/8 (28) Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al, M. Turek, K. Pyszniak, S. Prucnal, A. Droździel, J. Żuk, Elektronika 9 (29) Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksjalnych 4H-SiC jonami glinu, N. Kwietniewski, K. Pazio, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Droździel, M. Kulik, S. Prucnal, K. Pyszniak, M. Rawski, M. Turek, J. Żuk, Elektronika 6 (29)

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r. Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,

Bardziej szczegółowo

I Konferencja. InTechFun

I Konferencja. InTechFun I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08

Bardziej szczegółowo

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC Mariusz Sochacki 1, Norbert Kwietniewski 1, Andrzej Taube 1,2, Krystian Król 1, Jan Szmidt

Bardziej szczegółowo

Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa

Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa Przedmiot: Inżynieria Powierzchni / Powłoki Ochronne / Powłoki Metaliczne i Kompozytowe

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik

Bardziej szczegółowo

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH

BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi

Badanie przenikalności elektrycznej i tangensa kąta stratności metodami mikrofalowymi Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej Kierownik projektu: prof. dr hab. inż. Jan Szmidt Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie

Bardziej szczegółowo

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Dotacje na innowacje Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym Viktor Zavaleyev, Jan Walkowicz, Adam Pander Politechnika Koszalińska

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman

Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Porównanie Przewaga klasycznego spektrometru Ramana czyli siatkowego, dyspersyjnego nad przystawką ramanowską FT-Raman Spektroskopia FT-Raman Spektroskopia FT-Raman jest dostępna od 1987 roku. Systemy

Bardziej szczegółowo

Domieszkowanie półprzewodników

Domieszkowanie półprzewodników Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano

Bardziej szczegółowo

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych

Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych

Bardziej szczegółowo

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach

Bardziej szczegółowo

Urządzenia półprzewodnikowe

Urządzenia półprzewodnikowe Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu

Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Wprowadzenie Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu Ryszard Kisiel, Zbigniew Szczepański, Ryszard Biaduń, Norbert Kwietniewski Instytut Mikroelektronikii Optoelektroniki,Politechnika

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

ELEMENTY ELEKTRONICZNE AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,

Bardziej szczegółowo

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja

UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO. Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2. Elektroluminescencja UNIWERSYTET SZCZECIŃSKI INSTYTUT FIZYKI ZAKŁAD FIZYKI CIAŁA STAŁEGO Ćwiczenie laboratoryjne Nr.2 Elektroluminescencja SZCZECIN 2002 WSTĘP Mianem elektroluminescencji określamy zjawisko emisji spontanicznej

Bardziej szczegółowo

Spektrometr ICP-AES 2000

Spektrometr ICP-AES 2000 Spektrometr ICP-AES 2000 ICP-2000 to spektrometr optyczny (ICP-OES) ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie (ICP). Wykorztystuje zjawisko emisji atomowej (ICP-AES). Umożliwia wykrywanie ok. 70

Bardziej szczegółowo

Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) Symulacje elektryczne diod Schottky ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC) dr inż. TOMASZ BIENIEK 1, mgr inż. JĘDRZEJ STĘSZEWSKI 2, dr inż. MARIUSZ SOCHACKi

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Aparatura do osadzania warstw metodami: Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz

Bardziej szczegółowo

Skończona studnia potencjału

Skończona studnia potencjału Skończona studnia potencjału U = 450 ev, L = 100 pm Fala wnika w ściany skończonej studni długość fali jest większa (a energia mniejsza) Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach

Bardziej szczegółowo

Grafen materiał XXI wieku!?

Grafen materiał XXI wieku!? Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?

Bardziej szczegółowo

IV. TRANZYSTOR POLOWY

IV. TRANZYSTOR POLOWY 1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z

Bardziej szczegółowo

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa 1.Podział materiałów elektrotechnicznych 2. Potencjał elektryczny, różnica potencjałów 3. Związek pomiędzy potencjałem i natężeniem pola elektrycznego 4. Przewodzenie

Bardziej szczegółowo

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. 1 A. Fotodioda Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody. Zagadnienia: Efekt fotowoltaiczny, złącze p-n Wprowadzenie Fotodioda jest urządzeniem półprzewodnikowym w którym zachodzi

Bardziej szczegółowo

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.

Bardziej szczegółowo

Technologia cienkowarstwowa

Technologia cienkowarstwowa Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w

Bardziej szczegółowo

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej

Bardziej szczegółowo

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński

Elementy optoelektroniczne. Przygotował: Witold Skowroński Elementy optoelektroniczne Przygotował: Witold Skowroński Plan prezentacji Wstęp Diody świecące LED, Wyświetlacze LED Fotodiody Fotorezystory Fototranzystory Transoptory Dioda LED Dioda LED z elektrycznego

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji

Bardziej szczegółowo

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego

IV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego 1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury. WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie

Bardziej szczegółowo

Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.

Materiały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie

Bardziej szczegółowo

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Zasada działania tranzystora bipolarnego Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego

Bardziej szczegółowo

Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninach amoniaku i argonu

Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninach amoniaku i argonu ANNALES UNIVERSITATIS MARIAE CURIE-SKLODOWSKA LUBLIN POLONIA VOL. XLVI/XLVII, 48 SECTIO AAA 1991/1992 Instytut Fizyki UMCS L. WÓJCIK, K. BEDERSKI Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa

E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa 1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:

Bardziej szczegółowo

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka

Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII

Bardziej szczegółowo

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Paweł Węgierek. Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych technikami jonowymi

Paweł Węgierek. Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych technikami jonowymi Paweł Węgierek Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych technikami jonowymi Lublin 2013 Przewodnictwo elektryczne w silnie zdefektowanych półprzewodnikach modyfikowanych

Bardziej szczegółowo

Materiały używane w elektronice

Materiały używane w elektronice Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych

Bardziej szczegółowo

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem

Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem Ćwiczenie E7 Badanie rozkładu pola magnetycznego przewodników z prądem E7.1. Cel ćwiczenia Prąd elektryczny płynący przez przewodnik wytwarza wokół niego pole magnetyczne. Ćwiczenie polega na pomiarze

Bardziej szczegółowo

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY

Bardziej szczegółowo

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977. (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261. RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP 2526977 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego: 31.01.2012 12153261.8

Bardziej szczegółowo

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki

Osiągnięcia. Uzyskane wyniki Osiągnięcia Zebranie krzywych świecenia termicznie i optycznie stymulowanej luminescencji domieszkowanych i niedomieszkowanych kryształów ortokrzemianów lutetu itru i gadolinu. Stwierdzenie różnic we własnościach

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek Lasery półprzewodnikowe przewodnikowe Bernard Ziętek Plan 1. Rodzaje półprzewodników 2. Parametry półprzewodników 3. Złącze p-n 4. Rekombinacja dziura-elektron 5. Wzmocnienie 6. Rezonatory 7. Lasery niskowymiarowe

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA ENS1C300 022 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2013 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Technologia planarna

Technologia planarna Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych

Bardziej szczegółowo

Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, Spis treści

Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, Spis treści Elektronowa mikroskopia. T. 2, Mikroskopia skaningowa / Wiesław Dziadur, Janusz Mikuła. Kraków, 2016 Spis treści Wykaz ważniejszych skrótów i oznaczeń 11 Przedmowa 17 Wstęp 19 Literatura 26 Rozdział I.

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych

Ćwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO LAORATORIUM LKTRONIKI ĆWIZNI 4 HARAKTRYSTYKI STATYZN TRANZYSTORA IPOLARNGO K A T D R A S Y S T M Ó W M I K R O L K T R O N I Z N Y H 1. L ĆWIZNIA elem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi charakterystykami

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ

Bardziej szczegółowo

POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH

POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH ZAKŁAD WYSOKICH NAPIĘĆ I KOMPATYBILNOŚCI ELEKTROMAGNETYCZNEJ PRACOWNIA MATERIAŁOZNAWSTWA

Bardziej szczegółowo

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie

Bardziej szczegółowo

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b) Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone

Bardziej szczegółowo

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski

IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski IX. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Janusz Adamowski 1 1 Dioda na złączu p n Zgodnie z wynikami, otrzymanymi na poprzednim wykładzie, natężenie prądu I przepływającego przez złącze p n opisane jest wzorem Shockleya

Bardziej szczegółowo

Identyfikacja cząstek

Identyfikacja cząstek Określenie masy i ładunku cząstek Pomiar prędkości przy znanym pędzie e/ µ/ π/ K/ p czas przelotu (TOF) straty na jonizację de/dx Promieniowanie Czerenkowa (C) Promieniowanie przejścia (TR) Różnice w charakterze

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

Politechnika Politechnika Koszalińska

Politechnika Politechnika Koszalińska Politechnika Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych NOWE MATERIAŁY NOWE TECHNOLOGIE W PRZEMYŚLE OKRĘTOWYM I MASZYNOWYM IIM ZUT Szczecin, 28 31 maja 2012, Międzyzdroje

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK

Bardziej szczegółowo

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu

Bardziej szczegółowo

F = e(v B) (2) F = evb (3)

F = e(v B) (2) F = evb (3) Sprawozdanie z fizyki współczesnej 1 1 Część teoretyczna Umieśćmy płytkę o szerokości a, grubości d i długości l, przez którą płynie prąd o natężeniu I, w poprzecznym polu magnetycznym o indukcji B. Wówczas

Bardziej szczegółowo

Badanie schematu rozpadu jodu 128 J

Badanie schematu rozpadu jodu 128 J J8A Badanie schematu rozpadu jodu 128 J Celem doświadczenie jest wyznaczenie schematu rozpadu jodu 128 J Wiadomości ogólne 1. Oddziaływanie kwantów γ z materią (1,3) a/ efekt fotoelektryczny b/ efekt Comptona

Bardziej szczegółowo

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES

Bardziej szczegółowo

Złożone struktury diod Schottky ego mocy

Złożone struktury diod Schottky ego mocy Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura

Bardziej szczegółowo

przyziemnych warstwach atmosfery.

przyziemnych warstwach atmosfery. Źródła a promieniowania jądrowego j w przyziemnych warstwach atmosfery. Pomiar radioaktywności w powietrzu w Lublinie. Jan Wawryszczuk Radosław Zaleski Lokalizacja monitora skażeń promieniotwórczych rczych

Bardziej szczegółowo

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 13 Temat: Biostymulacja laserowa Istotą biostymulacji laserowej jest napromieniowanie punktów akupunkturowych ciągłym, monochromatycznym

Bardziej szczegółowo

Spektroskopia Fluorescencyjna promieniowania X

Spektroskopia Fluorescencyjna promieniowania X Spektroskopia Fluorescencyjna promieniowania X Technika X-ray Energy Spectroscopy (XES) a) XES dla określenia składu substancji (jakie pierwiastki) b) XES dla ustalenia struktury elektronicznej (informacja

Bardziej szczegółowo

Badanie schematu rozpadu jodu 128 I

Badanie schematu rozpadu jodu 128 I J8 Badanie schematu rozpadu jodu 128 I Celem doświadczenie jest wyznaczenie schematu rozpadu jodu 128 I Wiadomości ogólne 1. Oddziaływanie kwantów γ z materią [1,3] a) efekt fotoelektryczny b) efekt Comptona

Bardziej szczegółowo

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS Click to edit Master title style

Struktura CMOS Click to edit Master title style Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary

Bardziej szczegółowo

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ

WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA

Bardziej szczegółowo

Czym jest prąd elektryczny

Czym jest prąd elektryczny Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,

Bardziej szczegółowo

SPEKTROSKOPIA SPEKTROMETRIA

SPEKTROSKOPIA SPEKTROMETRIA SPEKTROSKOPIA Spektroskopia to dziedzina nauki, która obejmuje metody badania materii przy użyciu promieniowania elektromagnetycznego, które może być w danym układzie wytworzone (emisja) lub może z tym

Bardziej szczegółowo

Nowoczesne metody analizy pierwiastków

Nowoczesne metody analizy pierwiastków Nowoczesne metody analizy pierwiastków Techniki analityczne Chromatograficzne Spektroskopowe Chromatografia jonowa Emisyjne Absorpcyjne Fluoroscencyjne Spektroskopia mas FAES ICP-AES AAS EDAX ICP-MS Prezentowane

Bardziej szczegółowo

Układy cienkowarstwowe cz. II

Układy cienkowarstwowe cz. II Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić

Bardziej szczegółowo

Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o pozostałe metody nagrzewania elektrycznego Prof. dr hab. inż.

Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o pozostałe metody nagrzewania elektrycznego Prof. dr hab. inż. Studia Podyplomowe EFEKTYWNE UŻYTKOWANIE ENERGII ELEKTRYCZNEJ w ramach projektu Śląsko-Małopolskie Centrum Kompetencji Zarządzania Energią Przemysłowe urządzenia elektrotermiczne działające w oparciu o

Bardziej szczegółowo

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE ĆWICZENIE 104 EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyki prądowo napięciowej I(V) ogniwa słonecznego przed i po oświetleniu światłem widzialnym; prądu zwarcia, napięcia

Bardziej szczegółowo

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza

1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,

Bardziej szczegółowo

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych

Bardziej szczegółowo

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32

2. Metody, których podstawą są widma atomowe 32 Spis treści 5 Spis treści Przedmowa do wydania czwartego 11 Przedmowa do wydania trzeciego 13 1. Wiadomości ogólne z metod spektroskopowych 15 1.1. Podstawowe wielkości metod spektroskopowych 15 1.2. Rola

Bardziej szczegółowo

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie

Bardziej szczegółowo

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %. Informacje ogólne Wykład 28 h Ćwiczenia 14 Charakter seminaryjny zespołu dwuosobowe ~20 min. prezentacje Lista tematów na stronie Materiały do wykładu na stronie: http://urbaniak.fizyka.pw.edu.pl Zaliczenie:

Bardziej szczegółowo

1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej?

1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? Tematy opisowe 1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? 2. Omów pomiar potencjału na granicy faz elektroda/roztwór elektrolitu. Podaj przykład, omów skale potencjału i elektrody

Bardziej szczegółowo

Rozmaite dziwne i specjalne

Rozmaite dziwne i specjalne Rozmaite dziwne i specjalne dyskretne przyrządy półprzewodnikowe Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Bardziej szczegółowo