Stabi listory typu '.

Podobne dokumenty
I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

BN UL 1403L I UL 1405L

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Kondensatory elektrolityczne

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

BRANŻOWA. Mikroukłady scalone cyfrowe. Wymagania i badania

Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

N O R M A B R A N Ż O W.A. . Elementy optoelektroniczne /01

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.

Dioda krzemowa BAY55 epitaksjalno-planama, w obudowie szklanej DO-7, jest przeznaczona do stosowania w bardzo szybkich układach przełączających.

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

N O R M A, BRANŻOWA. Elementy optoelektroniczne /01. , Fototranzystory, Wymagania i badania. i tab!. 2. i tab!. 3. i tab!. 4. s z czegółowego.

I n f o r m a c j e n a t e m a t p o d m i o t u k t ó r e m u z a m a w i a j» c y p o w i e r z y łk p o w i e r z y l i p r o w a d z e p o s t p

Gdyńskim Ośrodkiem Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9


3. 4 n a k r ę t k i M k o r p u s m i s a n a w o d ę m i s a n a w ę g i e l 6. 4 n o g i

U kłady scalone typu UCY 7407N

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów Rozdział 3. Przedmiot zamówienia

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.

Opis i zakres czynności sprzątania obiektów Gdyńskiego Centrum Sportu

n ó g, S t r o n a 2 z 1 9

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyńskie Centrum Sportu jednostka budżetowa w Gdyni Rozdział 2. Informacja o trybie i stosowaniu przepisów

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.

I 3 + d l a : B E, C H, C Y, C Z, ES, F R, G B, G R, I E, I T, L T, L U V, P T, S K, S I


Zawód: stolarz meblowy I. Etap teoretyczny (część pisemna i ustna) egzaminu obejmuje: Z ak res wi ad omoś c i i u mi ej ę tn oś c i wł aś c i wyc h d

Spędź czas w Dortmundzie korzystając z autobusu i kolei

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe


NORMA BRANŻOWA. Zbiorniki i aparaty odporne na korozję. stopowej, 3. WymIary. b) dla ciśnienia nominalnego P = O,S MPa - wg rysunku

7. M i s a K o ł o

Chorągiew Dolnośląska ZHP 1. Zarządzenia i informacje 1.1. Zarządzenia

ŁĄ

Uchwyty przelotowe. z łódkami

S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:

Naczynia cylindryczne stalowe. niskociśnieniowe. z dnem stożkowym bez wyoblenia

Rozdział 1. Nazwa i adres Zamawiającego Gdyński Ośrodek Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa Rozdział 2.

1 3. N i e u W y w a ć w o d y d o d o g a s z a n i a g r i l l a! R e k o m e n d o w a n y j e s t p i a s e k Z a w s z e u p e w n i ć s i

Zakres akredytacji laboratorium AB 045

S.A RAPORT ROCZNY Za 2013 rok

NORMA BRANŻOWA. oraz 2E. - według dziesiętnych krotności ciągu E6 oraz. - według dziesiętnych krotno ś ci ciągu E12 - tylko dla. Tablica l.

Freddy's świetnie się w nim orientują, przyjmują obcojęzyczne określenia,

'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

Gdyńskim Ośrodkiem Sportu i Rekreacji jednostką budżetową Zamawiającym Wykonawcą


BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

BRANŻOWA. Diody typu BYP 150. atoda lz. J Anoda. Symbol wymiaru. 0b 0.8 0,82 0D 3,4 3,5. G - 7,2 I 26,0 - l,') - 2,5. 1,2) Ib.O

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

SPECYFIKACJA ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA

ś ś ż ó ś ń ż Ś ść ś ś ć Ś ć ż ó ż ś ż ś ć ż ż ó ż ś ż ż ż ś ó

Zawód: z d u n I. Etap teoretyczny (część pisemna i ustna) egzaminu obejmuje: Z a k r e s w i a d o m o ś c i i u m i e j ę t n o ś c i w ł a ś c i w

Echa Przeszłości 11,

T00o historyczne: Rozwój uk00adu okresowego pierwiastków 1 Storytelling Teaching Model: wiki.science-stories.org , Research Group


eakres stosowania przedmiotu normy. Kondensatory

I. STADHOUDERZY NIDERLANDÓW

Uchwała nr 54/IX/2016 Komendy Chorągwi Dolnośląskiej ZHP z dnia r.

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.

Z awó d: p o s a d z k a r z I. Etap teoretyczny ( część pisemna i ustna) egzamin obejmuje: Zakres wiadomości i umiejętności właściwych dla kwalifikac

Wrocław, dnia 31 marca 2017 r. Poz UCHWAŁA NR XXXVII/843/17 RADY MIEJSKIEJ WROCŁAWIA. z dnia 23 marca 2017 r.

Gdyńskim Ośrodkiem Sportu i Rekreacji jednostka budżetowa

STABILIZATORY NAPIĘCIA I PRĄDU STAŁEGO O DZIAŁANIU CIĄGŁYM Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

888 A 888 V 1. ZASTOSOWANIE 2. BUDOWA GENERATOR NAPIĘCIA 3-FAZOWEGO L2 L3 N PE

0 ( 1 ) Q = Q T W + Q W + Q P C + Q P R + Q K T + Q G K + Q D M =


, 4 m 2 ), S t r o n a 1 z 1 1

Ż S KŻ Ń C Z Y C Y PWP X I Ł I X I VPW.P W I T T E L S BŻ C H O W I EPPPPPPPPPPPPPPP IP L U K S E M B U R G O W I EPPPPPPPPPPPPPP P X I V MX VP w.a 8

Ekrany Przykład oznaczenia. o-żelazowego magnetycznie miękkiego w gatunku P50: ślady potrawienne i ślady po spawaniu lub.

Dokument pochodzi z cyfrowego archiwum PTN, Odział we Wrocławiu. Wszelkie prawa zastrzeżone - wykorzystanie bez zgody Właściciela zabronione.


Zawód: monter instalacji i urządzeń sanitarnych I. Etap teoretyczny (część pisemna i ustna) egzaminu obejmuje: Z ak res w iadomoś ci i umieję tnoś ci

IN ST Y T U T TECHNOLOGII E LEK T R O N O W E

Wrocław, dnia 27 marca 2015 r. Poz UCHWAŁA NR VIII/113/15 RADY MIEJSKIEJ WROCŁAWIA. z dnia 19 marca 2015 r.

Wentylacja wymiar określający głębokość zamurowania podpory, blasz~nego. stokątnym. 150 mm : 3.1. Główne ~iar;t:

u P o d n o s z e n i e e f e k t y w n o śc i e k o n o m i c z n e j f u n k c j o n o w a n i a a d m i n i s t ra c j i pu - b li c z n e j w y m

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295

INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-100RM

Elementy przełącznikowe

Transkrypt:

UKD 61.387.3. ELEMENTY PÓŁPRZEWO DN KOWE N O R M A BRANŻOW A Stabi listory typu BZP 630 ' '. BN81 33736.01 Grupa katalogowa 193 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szcze' gółowe wymagania dotyczące krzemowych stabilistorów małej mocy typu BZP 630 wykonanych technolo. gią planarną w obudowie metalowej przeznaczonych. do zastosowań w sprzęcie powszechnego użytku oraz w urządzeniach wymagających zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości. StabiliSlory przeznaczone są głównie do pracy w układach ograniczającyc;h i stabilizujących napięcie. Kategoria klimatyczna wg PN73/E040 dla stabilistorów: standardowych /08/10 wysokiej jakości 40/10011 bardzo wysokiej jakości 401 0016.. Przykład oznaczenia stabilistora typu BZP 630 o tolerancji napięcia % i włrtości napięcia stabilizacji 7 V a) standardowego: STABLSTOR BZP 630C7V BN81 / 33736.01 / 08/10 b) wysokiej jakości: STABLSTOR BZP 630C7V/3 BN81 /33736.01 40/ 10011 c) bardzo wysokiej jakości: STABLSTOR BZP 630C7V/ 4 BN81 /33736.01 40/ 100/ 6 W uzasadnionych padkach dopuszcza się pominięcie kategorii.klimatycznej. 3. Cechowanie stabilistorów powinno zawierać następujące dane: ' a) oznaczenie podtypu (np. stabilistor BZP 630C8V będzie miał nadruk: C8V) b) oznakowanie dodatkowe dla diod wysokiej i bardzo wysokiej jakości stabilistory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a stabilistoty bardzo wysokiej jakości 4 umieszczoną po oznaczeniu podtypu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń stabilistorów wg rys. i labl.. Elementy obudowy wg PN7/T O 103 arkuz 7 podstawa BO arkusz obudowa C7. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 1. Jedna z elektrod diody połączona jest z obudową.. Badania w grupie A B C i D wg BN801 33736.00 p..1. 6. Wymagania szczegółowe dotyczące badań grupy A B C i D a) badania podgrupy A sprawdzenie wymiarów A 0D wg rys. i tabl. Rys. Tablica l j ' A J F l. ' Kąt Symbol Wymiary mm stopnie wymaru mm 110m max 110m A 3 a 4 o b J 0 3 0D 3 8 0D 4. 49 F 10 j 09 10 116 k 01 10 11 l 17 a 4 b) badania podgrupy A sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl. c) badania podgrupy A3 sprawdzenie drugorzędnych parametrów elektrycznych V F max 1 V l r100 ma d) badania P9dgruPy A4 sprawdzenie temperaturowego współczynnika!łapięcia regulacji CXuz (poziom i V) wg tab. 3 e) badania podgrupy B i C l: sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń: próba V al sprawdzenie szczelności: detergent QL. 1') badania podgrupy B3 sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne położenie diody w czasie spadania "osłonką w dół" g) badania podgrupy B4 i C4 sprawdzenie wy na udary. wielokrotne:.mocowanie sztywno trzymałości za obudowę Zgłoszona przez NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez ' Naczelnego Dyrektora Zjednoczenia Przemysłu Podzespołów i Materiałów 'Elektronicznych Unitra.Elektron dnia 14 stycznia 1981 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1981 r. (Dz. Norm. i Miar nr / 1981 poz. 6)

BN81133736.01 h) badania podgrupy B i C sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany temperatury TA= 40 C Tu +1 C i) badania podgrupy 86 i C6 sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne: metoda badania d wg PN78/TO1 tabl. "m"= + C j) badania podgrupy C: sprawdzenie parametrów elektrycznych tabl. i 3 sprawdzenie odporności na lum"= +8 C dla poziomu jakości dla poziomu i V wg suche gorąco i t um"= + 100 C sprawdzenie odporności na zimno t(l//>= C dla poziomu i '([11/"= 40 C dla poziomu i V k) badania podgrupy C3 masa wyrobu 0.3 1. O J kg ) badania podgrupy C4 wskaźnik AQL 1%: sprawdzenie wytrzymałości na prz yś pieszenie stak: mocowanie w tulejkach kierunek prostopadły do osi diody sprawdzenie wytrzymiłości na udary wielokrotne: mocowanie sztywno za obudowę spra wdzenic wytrzymalośc i na wibracje o stałej mocowanie sztywno za obudowę czt;stotliwości: m) badania podgrupy C: sprawdzenie wytrzy małoś ci na nagłe zmiany temperatury: T A = 40 ('; Tu +1 C sprawdzenie wytrzymałości na ciepło lutowania: temperatura kąpieli 30 C n) badanie podgrupy C7 sprawdzenie wytrzymałośc i na zimno: tslkmil/= 40 C dla poziomu V o) badanie podgrupy C8 _. sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco t slg mux= + 1 C dla poziomu i V p) badanie podgrupy CO sprawdzenie wymiarów wg rys. i tabl.. ri badanie podgrupy D (poziom i V) sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatura narażania + C s) badanie podgrupy D4 _. sprawdzenie wytrzymałości na pleśń. po badaniu brak porostu pleśni. t) badanie podgrupy D ' sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną: położenie diody dowolne u) parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy B C i D wg tabl. 4. 7. Pozostałe postanowienia wg BN80/33736.00. Tablica. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A C (poziom V) Olwczenie literowe Ul rz N pramctrów Metoda pomiaru wg PN74/TOt S04 arkusz 6 arkusz 66 arkusz 6 Lp. r:. ma r:. ma UR V = Warunki pomiaru f;= KHz Typ diody Wartość graniczna llln max jednostka max jednostka max jednostka BlP 6.10 CńVX 6.4 7 S 1 BZP h.10 C7V 7.0 79 10 S.1 BlP lijo CXV 7.7 87 10 3 4 BZP 6.10 C9V K. 96 1 3 BZP r.30 CO 9.4 106 1 4 ( BZP 6.10 C li. OA 11 6 0 4 BZP 6.10 C 4 1.7 30. 6 S BZP h.10 C 1.1 14 141 30 6 9 BZP 1.1 () C UX 16 3 10 lo BlP (.lo C 6 1..1 171 40 BZP f>.1 0 ('X 16.8 19 V H. )J.A 1 1 BZP 6.10 e0 l iul 1 14 J BZP 6.10 (' 0H 33 8 1 14 BLP (.lo C4 8 6 80. J 16 l" BLP 1.10 ('7.1 89 80 18 16 BZP 6.10 e.10 8 3 90 0 17 BLP (.lo ej.1.1 1 3.90.. X BZP 6.'0 D6VX 6.0 7. 1 1 19 BLP 1>.10 DRV 73 9 10 30 0 BLP 6.10 DO 88 10 1 4S 1 BLP 6.10 D 10.7 13.4 30 6 BLP 6.10 DS 130 16 40.:... l.'"1 BZP 1>.10 OX 16.0 00 1 4 BZP 6JO D 19.6 4.4 80 1 S BZP 6.10 D7 4 1. 300 80 18 6 BZP 6.10 D33 97 363 90

BN81/33736.01 3 Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A4 (poziom V) C (poziom V) Lp. Typ diody Oznaczenie literowe parametru auzssr BZP 630 C6V8 + 4 BZP 630 C7V + 0 3 BZP 630 C8V +. Jednostka 4 BZP 630 C9V + 6.0 BZP 630 CO + 6 6 BZP 630 Cli + 70 7 BZP 630 C + 70 8 BZP 630 Cl3 + 7 9 BZP 630 C + 7 10 BZP 630 C6 + 80 BZP 630 C8 + 80 1 BZP 630 C0 + 80 13 BZP 630 C + 8 10" / C 14 BZP 630 C4 + 8 1 BZP 630 C7 + 8 16 BZP 630 C30 + 90 17 BZP 630 C33 + 90. 18 BZP 630 D6V8 + 4 19 BZP 630 D8V + 0 BZP 630 010 + 6 1 BZP 630 01 + 70 BZP 630 DS + 7 3 BZP 630 018. + 80 4 BZP 630 0 + 8 BZP 630 07 + 8 6 BZP 630...:. 033 + 90. Metoda pomiaru wg PN74/T0104.64. Warunki pomiaru: lr= ma tl= C temperatura / powinna być tak dobrana aby nie przekroczyć maksimum mocy P/Ol (minimalny rost temperatury / = 0 C). Dopuszczalny rozrzut od wartości średniej auz ±%. Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy B C D (poziom V) Oznaczenie parametru Metoda pomiaru wg PN74/T0104 Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka mln Wariości gramczne lnax 3 4 6 7 lr arkusz 6 UR wg tabl. B6 C6 B B B3 B4 B C )J.A J C C3 C4 C Dl 0 r arkusz 66 lr= ma B B6 C C C4 C6 n 0 e tab!. Jp= KHz C8 Ul arkusz 6 lr= ma B B3 B6 C C3 C6 C7 V wg lab!. UF arkusz 7 lr= 100 ma B3 B4 C V 1 auz arkusz 64 wg tabl. 3 C 1O'4/oC wg tab!. 3 KONEC 1. nstytucja opracowująca normę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników. Warszawa.. Normy związane PN73/E040 Wyroby elektrotechniczne. Próby środowiskowe PN78/T0100.00 Elementy półprzewodnikowe. Nazwy i określenia. Pojęcia ogólne PN76/T0101.01 Elementy półprzewodnikowe. Oznaczenia liter NFORMACJE DODATKOWE PN7/T0103.7 Elementy półprzewodnikowe. Zarysy wymiary. Podsta wa B 10 PN7/T0103. Elementy półprzewodnikowe. Zarysy wymiary. Obudowa C7 'PN74/T0104.00 Elementy półprzewodnikowe. Metody pomiaru parametrów tranzystorów i diod. Postanpwienia ogólne

4 nformacje dodatkowe do BN81 / 33736.0 PN7/ T0104. 6 Diody. Pomiar prądu wstecznego l R BZP630 C6 ' 116141401096 PN7/ T0104.7 Diody. Pomiar napięcia przewodzenia UF BZP630 C8 11614140 1103 PN7/ T0104.64 Stabi!istory. Pomiar w s półczynnika temperaturowego BZP630 C0 116141401116 napięcia stabilizacji auz BZP630 C 11614140119 PN7/ T0104.6 Stabilistory. Pomiar napięci a stabilizacji Ul BZP630 C4 116141401131 PN7/ T0104.66 Stabilistory. Pomiar rezy stancji dynamicznej rz BZP630 C7 116141401144 PN78/T011 Elementy pólprzcwddnikowc. Ogólne wymagania BZP630 C30 11614140117 i badania BZP630 e33 116141401160 BNłW/ 337 36. ()O Elcmt:nty półprzewodnikowe. Stabilistory. Wymagania BZP630 06V8 1161414000 i b:ldania BZP630 08V 1161414001 3. Symbol KTM BZP630 010 1161414008 BZP630 C6V8 16141401001 BZP630 01 11614140030 BZP630 C7V 116141401014 BZP630 ' 01 11614140043 BZP630 CHV 11614140107 BZP630 D8 1161414006 BZP630 C9V 116141401030 BZP630 D 11614140069 BZP630 CO 11614140104 BZP630 07 11614140071. BZP630 C li BZP630 C BZP630 C3 1161414010 116141401068 116141401070 BZP630 033 11614140097 BZP630 ' C 1 116141401083 4. Wartości dopuszczalne wg rys. tab!. l. P tot BlP 630 [mw] 40 10 180... ChŁodrenie... nllturlllne... 10 10 " ".............. 90 bo...... 30 O 40 zo o +0 + 40 + 60 + 80 BN 81/37 36.01 1 Rys.. Charakterystyka mocy całkowitej wejściowej w funkcji temperatury otoczenia P= j{lunrh) Tablica ll Lp. Oznaczenie parametru Nazwa parametru Jednostka Wartości dopuszczalne 3 4 1 P lut Moc całkowita wejściowa tl/lllh= C mw 0 lz Prąd wsteczny w zakresie napęcia regulacji ma P'o/Uz 3 h Prąd przewodzenia ma 00 4 Temperatura zląc za oc + 10 r.t Temperatura przechowywania oc 40 + 1

nformacje dodatkowe do BNll / J3736.0 S. Dane charakterystyczne wg rys. 1 ';'18 i tabl. 1. uz +4 + BZP G30D BZP 630C /' V / r O 4 8 1t 16 za 4 la U z CV) Z 4 6 8 ' " '0 BNS1/337 36.0111 ' Rys. 1. W spó łc zy nnik temperaturowy napięcia regulacji O'Z w funkcji napięcia regul acji a uz=j(u L ) 8 4 Zo 16 1 8 ł3 3 l' f ; 4 o Z7 4 ZZ za J 10 18 16 1 J 13 11 za 91 7 30 40 BlP &30 [maj Rys 13. Napięcie regulacji w funkcji prądu wstecznego w zakresie n apięcia regulacji U z=f(l z)

6 nformacje dodatkowe do BN8l/33736.01 Sl D D 0 o 10 t łc" :1'C 1l 'S"o4 s : aż" BO BlP 630 A!] / V 08 / 0.6 l 04 OZ /.. o 'o 10 ld SD 100V Uz 18"r.1/331S6 _ 01" '4 fz 10 f.....i../ V :::? V / / / / Z4V 11 v 1/ / iy V / V V / /.t3y V ił' / / / V t V V /' g V V / V... V V l'./ /'"./.. V f G8V V... f.. f... S 7 S ia.. r'c] lz' mą j 1 ill81/337s 36_D Rys. 14. Rezys tancja różniczkowa w zakresie napięcia 'regulacji w funkcji napięcia regulacji r =j{ Uz) Rys. 1. Przyrosty napięcia regulacji w funkcji temperatury. Ur=j{Qmb) r [ma] ZP 6 ZO tq!nb 'C Z40 zoo '60 łzo 40 0 l V... /' '. az 04 06 08 UF [V] 1 &"81/337 %_0116 Rys. 16. Prąd przewodzenia w fu nkcji napięcia przewodzenia h = j{uf)

nfo rmacje dodatkowe du BNS/3373 ó.o. 7 Q 100 0 to 10 s '. t. '. ''. l. 1. " " 9 1 8ZP.630 S? D o 0' 0 1.. '...... 1 BlP 630 =+=.. l' [ 33 Z1 'zz ' '....i ' "' _ '.. ' ' " S i t... :S C f 'kh t"'b. ' rp 1KHz 10 01 OZ 0 G8 "" S 10 0 0 l00mą lz l 01 OZ 0 J s 10 za 0 100 ma ll i 8N'81/';'7S 36.01171. Rys. 17 i lx. Rc zystam:ja różni c7. k ow a w z akr s i e napir;ci" regulacji prądu regulacji r f(lj Lp. Typ diody ' Tablica 1 Pa ra 111'1 ry cha rak lerystyczne Zakrs napla rcl.ysla lh.:ja prąd napięce rcgulm:ji różnic o/kowa wsteczny przl'wodzenia UL. V 1"1.. n H.!lA UF. V tl mrt.'rtllrow y "s p 6łc z v nnik W Pl"" rcg.ulu cji a l.i X 10" / (' mln nom 111 a x. prly 1'1'1 0' max ma:'. ma x. ma z m A UR. V h. ma ś r c d ni t> P 1'1) f... nla 1 3 4 6 7 X 9 lo 11 1 1.1 14 BZP 630 C6VS 6.4 6.8 7. 1 'i 1 1. 1. +4. BZP 630 C7V 7.0 7. 7.9 lo 1 1 1. +. () J BZP 630 CXV 7.7 8. lu lo 1 3.0 1. +. 4 BZP 630 C9V lu {). 9.6 1 3 1. +6 BZP 630 elo 9.4 10 O.C> 1 1 4 1. +(. 6 BZP 630 Cli 10.4 11 11.6 0 1 4. 1. +7 7 BZP 630 C 11.4 1 1.7 10 6. 1. +7 l! BZP 630 CD 1.4 13 14.1 30 1 6. 1. 100 +7. 9 BZP 630 C S D.l! 1 1.6 1 lo 1. +7 0 10 1. 13 BZP 630 C 6 1J BZP 630 C l! 16.8 BZP 630 00 tu BZP 630 e 0.H 16 17. 1 lo 1 11 1. X 19.1 1 1 1. 0 1. 1 14 1. 3.3 SX 1 1 1. ts +X +8 +lu 14 BZP 630 C4.8 4.6 XO 1 16 1. Hi.S 1 BZP 630 e7.1 7 H.9 HO 1 18 1. +8.

8 nformacje doda tkowe do BN81/33736.0 cd. tabl. 1 Parametry cha rakterystyczne temperaturowy. Zakres n a p i ę c ia rezysta ncja prą d n apięcie współczy nn i k nawsteczny przewodzenia regulacji róż n icżk owa p i ę cia regulacji Lp. T yp diody U. V rz. fi b. /.LA UF. V a Ul X 10'jOe mm no m ma x max max max p rzy' śred ni o h. ma h. ma UR. V F. ma h. m A 3 4 6 7 8 9 lo 1 13 14 16 BZ P 630 e30 8 30 3 90 l 0 1. +9 17 BZP 630 e33 3 1 33 3 90 1 +9 18 BZP 630 0 6Vll 60 6.8 7 1 1 1. +4 19 BZP 630 08V 73 8 9 10 3 1 + 0 BZ P 630 0 10 88 10 1 4 1. +6 1 BZP 630 01 10.7 1 134. 30 6 1 100 +7 100 BZP 630 01 13 1 16 40 1 +7 3 BZP 630 D 8 16 18 0 1 1 +8 4 BZP 630 0 19 6 4 4 80 1 1 +8. BZ P 630 D7 4.1 7 30 80 1 S 1 +8. 6 BZP 630 033 9.7 33 36.3 90 1 +9 Un Ul' aul = 'T = e T powi nna być tak dobrana aby mc p rzek r aczać maksyma ln ej mocy PlOt podanej na rys.. Uli (T T)