BRANŻOWA. Diody typu BYP 150. atoda lz. J Anoda. Symbol wymiaru. 0b 0.8 0,82 0D 3,4 3,5. G - 7,2 I 26,0 - l,') - 2,5. 1,2) Ib.O

HTML
DOWNLOAD

Wielkość: px

Rozpocząć pokaz od strony:

Download "BRANŻOWA. Diody typu BYP 150. atoda lz. J Anoda. Symbol wymiaru. 0b 0.8 0,82 0D 3,4 3,5. G - 7,2 I 26,0 - l,') - 2,5. 1,2) Ib.O"

Emilia Mróz
9 lat temu
Przeglądów:

1 UKD N O R M A BRANŻOWA BN /03 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Diody ypu BYP 150 Grupa kaalogowa 1923 l Przedmio normy Przedmioem normy są krzemowe szybkie diody prosownicze małej mocy ypu BYP 150 wykonane echnologią dyfuzyjną hermeyzowane w obudowie plasykowej; cylindrycznej z osiowymi wpwwadzeniami druowymi do zasosowań powszechnego użyku oraz w urządzeniach w kórych wymaga się zasosowania elemenów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości Diody są przeznaczone głównie do pracy w szybkich układach prosowniczych Kaegoria klimayczna wg PN73/E04550/00 dla diod: sandardowej jakości (poziom jakości ) 40/ 085/04 wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/ bardzo wysokiej jakości (poziom jak(lści V) Przykład oznaczenia diod a) sandardowej jakości OOD\ BY P 150 WO b) wysokiej jakości DODA BY P 150WO/) c) bardzo wysokiej jakości DODA BY P SOO0/4 BN<J/337533/03 BNx3/337533/0J BNXV3375J3/03 3 Cechowanie diod powinno zawierać nasępujące dane: a) oznaczenie ypu (podypu) wg kodu kolorowego na obwodzie obudowy od srony kaody powinien być kolorowy pasek: BYP rzy paski białe BYP rzy paski czerwone BYP 150)00 rzy paski zielone BYP rzy paski żółe BYP 15()J()() rzy paski szare BYP rzy paski niebieskie b) oznakowanie dodakowe dla diod wysokiej i bardzo wysokiej jakości Diody wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą J a diody bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu ypu na eykiecie opakowania jednoskowego 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń diod wg rysunku i abl Oznaczenie obudowy sosowane przez producena CE 31 L 6 l L p aoda lz J Anoda Symbol wymiaru oc) SHW337S33/D31 TabUca l Wymiary obucjowy CE 31 mm Wymiary mm max 0b D G l') 25 12) bo ') Wymiar 0 b nie j<:s konrolowany w slrclie '" ') D/ugość przy krej końcówki moą być zginane pod kąem prosym S Badania grup)' A B C i D wg BN /00 p Wymagania szczegółowe do grupy ABC i D a) badania podgrupy A sprawdzenie wymiarów: 0b 0D G L wg rysunku i abl b) badania podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg abl 2 c) badania podgrupy B ' C i D wg abl 3 d) paramery elekryczne sprawdzane w czaic i po badaniach grupy B C i D wg abl 4 7 Pozosałe posanowienia "'g BN 1/ Zgłoszona przez Naukowo Produkcyjne Cenrum Półprzewodników Usanowiona przez Dyrekora Ośrodka BadawczoRozwojowego Podsaw Technologii i Konsrukcji Maszyn dnia 29 grudnia 1983 r jako norma obowiązująca od dnia 1 sycznia 1986 r (Dz Norm i Miar nr 10/1985 poz 20) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE ALFA" 1985 Druk Wyd Norm Ww Arl< wyd 080 Nakl Zam 3263/85 Cena zi 1800

$(poziom jakości ) 40/ 085/04 wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/085121 bardzo wysokiej jakości (poziom jak(lści V) 401 085156 2 Przykład oznaczenia diod a) sandardowej jakości OOD\ BY P 150 WO b)$

2 2 BN83/337533/03 Pod grupa Tallka l Paraeuy elekryc: w 'bo«podanpy Al Al A4 i CJ Jednoska Konro Meoda lowany pomiaru Warunki para wg PN75/ pomiaru mer TS04 Warości graniczne BYP BYP BYP byp 8YP BYP S max max ma" max ma" mu S A2 Sprawdzenie UF ark 57 C2 podsawowych paramerów = 300 JS T=20ms if=a _ = 2SoC U = 600 V 10 V S S S S S S U = 400 V 10 ark 56 U = 300 V A 10 U = 22S V 10 U = 100 V 10 U = SO V 10 A3 Sprawdzenie if = 10 ma C2 drugorzędnych nforma l = 10 ma ns SOO SOO SOO SOO SOO SOO paramerów elek '" cje doda i ma rycznych kowe p 6 A4 Sprawdzenie la ark S6 U = 600 V 300 paramerów e1ek U = 400 V 300 rycznych w '_h = SoC U = 300 V 300 (poziom H i V) A U = 22S V 300 U = 100 V 300 U '" SOV 300 Taca 3 W ucpłowc 110 NW J" B C D Lp Podlrupa Wymagania szczegółowe C Sprawdzenie wyrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ual: lon próba Ub: meoda : S N Sprawdzenie szczelności próba Ql kondycjonowanie cieczą 2 83 Sprawdzenie wyrzymałości na spadki swobodne położcnie diody w czasie spadania: pod kąem prosym do kierunku spadana 3 84 C4 Sprawdzenie wyrzymałości na udary wielokrone mocowani: za obudowę 4 OS CS Sprawdzenie wyrzymałości na naałe zmiany em TA = 40"C: T = 8SoC pcraury S 86 C6 Sprawdzenie odporności na naraunia elekryczne w PN78/T O S 5 p S322 ab S: meoda badania h UW/ RL = V2 ' 6 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 09 'O dag lo = 04 A: '"Mb = 2SoC 7 C4 Sprawdzenie wyrzymałości na przyspieszenie sałe kierunek probierczy: dwa wzajemne prosopadłe kierunki probiercze: mocowanie za obudowę Sprawdzeni( wyrzymałości na udary pojedyncze (dla poziomu jakości ) Sprawdzenie wyrzymałości na odary wielokrone (dla poziomu jakości i V) mocowame za obudowę Sprawdzenie wyrzymałości na wibracje o sałej częsoliwości (dla pożiomu ) Sprawdzenie wyrzymałości na wibracje o zmiennej częsoliwości (dla poziomu i V)

10 ark 56 U = 300 V A 10 U = 22S V 10 U = 100 V 10 U = SO V 10 A3 Sprawdzenie if = 10 ma C2 drugorzędnych nforma l = 10 ma ns SOO SOO SOO SOO SOO SOO paramerów elek '" cje doda i ma rycznych kowe p 6

3 BNl3/337S33/03 3 cd abl 3 Lp Podgrupa Wymagania szczegółowe CS Sprilwdzenie wyrzymałości na ciepło luowania emperaura klpieli 3SO"C 9 C7 Sprawdzenie wyrzymałości na zimno u i = 40"C 10 Cli Sprawdzenie wyrzymałości na suche gorąco lo" = 8S C cro Sprawdzenie wymiarów wg rysunku i abl emperaura 12 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie amosfe ryczne narażenia Sprawdzenie wyrzymałości na rozpuszczalniki alkohol eylowy lub aceon sprawdzane wymiary 0D i G masa diody prled i po badaniu Sprawdzenie palności wg PN711/TOSS załącznik 2 p Sprawdzenie wyrzymałości na pldń brak porosu pleśni po badaniu 16 D5 Sprawdzenie wyrzymałości na mglę solną położenie diody dowolne 2S C Lp Warości graniczne Ozna Meoda czenie pomiaru Podgrupa Jed BYP BYP BYP BYP BYP BYP Warunki pomiaru para PN751 noska S0 meru TO 504 max max llax max max max S J ark 56 "" = 25 C Uli = 600 V 10 B B4 Uli == 400 V BS C 10 Uli = JOOV C2 C4 10 Uli = 225 V CS C7 10 Uli = 100 V C8 10 U = SOV Dl OS 10 2 ark 56 ooło = 115 C Uli = 600 V 300 C21) U = 400 V 300 U = 300 V 300 U 225 V 3()() Uli = 100 V 3()() Uli = 50 V l ark 56 ooło = 25 C U = 600 V 50 Uli = 400 V 50 U = 300 V 50 B6 C6 "A U/ł = 225 V 50 Uli = 100 V 50 U = 50V 50 4 U" ark 71 m = 25 C B B4 if=a BS B6 p = 300 JS C C2 V JS JS 15 T=20ms C4 C5 C6 C7 Dl DS = 40"C C2 l ) V S h = A 1; / = 25 C 86 C6 V ( h=a

wyrzymałości na rozpuszczalniki alkohol eylowy lub aceon sprawdzane wymiary 0D i G masa diody prled i po badaniu 14 03 Sprawdzenie palności wg PN711/TOSS załącznik 2 p 43 15 04 Sprawdzenie

4 BN83/337533/03 cd <lbl 4 Lp Warości grallll:zne Oll1a MelOda ':ZCl( pomiaru Podgrupa Jed BYP BYP BYP SYP BYP BYP Warunki pomiaru pard PN7S/ noska S()6(K S()4(K 15()3(K SO225 15() lik meru TOl 504 max max max max max max S 6 7 K ) lu 12 5 " nfurmacje J= lu ma 86 C6 ns SK 500 S()f) 51K 5K 5()() dodakowe R = 10 ma p 6 ir = ma W aaie badania ' odporności na suche gor'ojco J W czasie badania odporności na zimno KONEC NFORMACJE DODATKOWE ł_yluc:ja opracowujlłcll 8O"1Dł NaukowoProdukcyjne Cenrum Półprzewodników Warszawa ul Komarowa 5 2 N_y zwilzaae PN73/E045S0/()() Wyroby elekroechniczne Próby środowiskowe Posanowienia ogólnc PN75/T01504/56 Elemeny półprzewodnikowe Diody Pomiar prądu wsecznego R PN7ST {) 1504/71 Elemeny półprzewodnikowe Diody Pomiar napięcia przewodzcnia U l ' meodą impulsową PN781T {) 5 5 Elemeny półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania RN81/337533/00 Elemeny półprzewodnikowe Diody prosownicze o prądzie do 10 A Ogólne wymagania i badania 3 SyMbol KTM BYP BYP RYP RYP RYP RYP Warokl dopas:culm wg abl i rys 5 0_ claneryrycze przy '0"' = 25 C wg abl 12 rys 12 Lp Oznaczenie param:ru Nazwa panlmeru URWAł Szczyowe wseczne napllcle pracy 2 UMSM Niepowarzalne zczyowe napięcie wseczne 3 lu Sredni prąd wyprosowany 4 h w Niepowarzalny szczyowy prąd przewodze Ola Sygnał sinusoidalny jednopołówkowy 5 hm\ Powarzalny szczyowy prąd przewodzenia f = 5J Hz; 'i" = ms 6 'j Temperaura złącza 7 ' \l Temperaura przechowywania l R'Ji Rezysencja ermkzna z/ączcobudowa Jed Warości dopuszczalne noska BYP RYP BYP RYP BYP BYP V V ma 400 A 15 A 2 oc 150 oc oc/w 60

badania odporności na zimno KONEC NFORMACJE DODATKOWE ł_yluc:ja opracowujlłcll 8O"1Dł NaukowoProdukcyjne Cenrum Półprzewodników Warszawa ul Komarowa 5 2 N_y zwilzaae PN73/E045S0/()() Wyroby

5 11lorma<:je dodakowe d o BNxJ/JJ75JJ/OJ 5 \ Lp Oznacze ll' paramelru Li 2 H J n Tablica 12 Wa ro śl'i ed charakepa ram\:1 ru 1l0S Nazwa ryslyczne ka yp mu x NapiciL' p r'/'w()d l'n i ił V U 15 prly h = \ l " = :100 ps T = 20 ms Pr<jd wseczny prly pa 5 lo U R = U HW dla danego ypu Czas rr ze ł ':)c'/un ia ns Pomiar czasu usalania się prądu wsecznego " po przełączeniu impulsowym wg rys J: /""''' = 25 (' Dzielnik C D Dzielnik z o BN Rys J D dioda hadan;l L źródlo prqdu prlewodzl' nia h Ci genera impuls(l\" napieia wsl'c/nco (ampliud UH nalóy ak regulo " i' "" K m \\ać ahy OS;jn'jć ż;jdan" warość H C pojell1ność separująca O os<:yloskop Q2 01 f' i' "" i 1' ' li ) 100 '" o amb C 150 BJ±:D' Oporność wyjściowa gclh:ra lora Ci i opo rno ść \VCjŚl'(lW1 oscyloskopu powinny hyć r(lwne i \\'yn i ć po 50 n S/l'rokość impubu / gl'lll'ralnra: l" > 3 r 1/1<1 i Clas narasania impulsu 1' nl'raora i os:y loskopu powlllcn b yć (Hłpowi\"'dnio lluł y w SOSlllku do 11/_ Slala o asu R C p<lwinlla b yć mllil'jsla od (11 1" "" przy czym: R C/ść rzec/yw ia ca łk <lwilcj Oporlloś i widziallej pr/l'd diod" C calkowia p<lje 111 lośc' układu "jcwie diod4 Pojemność separuj4<:a C powinna być duża w sosunku do l' j" /lx/r Oporność Z generaora prądu przewodzenia powinna być duża \' sosunku do R L Szczegó ł owe wa runki pomiaru / wg rys '' : " óo05 cf=o 1 r\ c r 18N e3/337s33/03h 3 '\ \ 1\ Rys 14 2 am b=25 l 1 10 ' s 1 r ';; BN 83/ /03+21 T J= T Rys 12

$/""''' = 25 (' Dzielnik C D Dzielnik z o BN833375 3303+31 04 Rys J D dioda hadan;l L źródlo prqdu prlewodzl' nia h Ci genera impuls(l\" napieia wsl'c/nco (ampliud UH nalóy ak regulo " i' "" K m \\ać$

Podobne dokumenty

BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61

BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61 UKD 6213822 N O R M A BRANŻOWA BN-83 ELEMENTY 33-290 PÓŁPRZEWODNKOWE Diody typu BAP 61 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące miniaturowych, krzemowych