Przyrządy półprzewodnikowe część 2

Podobne dokumenty
Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

Prawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +

Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane

Wykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

i elementy z półprzewodników homogenicznych część II

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Wykład V Złącze P-N 1

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Równanie Shockley a. Potencjał wbudowany

Elementy i Układy Sterowania Mocą

Repeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Złącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Repeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj

IA. Fotodioda. Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody.

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Czym jest prąd elektryczny

WYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

I. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

1 Źródła i detektory. V. Fotodioda i diody LED Cel ćwiczenia: Pomiar charakterystyk prądowo - napięciowych fotodiody i diod LED.

Lasery półprzewodnikowe. przewodnikowe. Bernard Ziętek

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

W1. Właściwości elektryczne ciał stałych

Część 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

Prowadzący: Prof. PŁ, dr hab. Zbigniew Lisik. Program: wykład - 15h laboratorium - 15h wizyta w laboratorium technologicznym - 4h

Diody półprzewodnikowe

Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej

5. Tranzystor bipolarny

V. Fotodioda i diody LED

Diody półprzewodnikowe

Przejścia promieniste

ELEKTRONIKA ELM001551W

W książce tej przedstawiono:

Fotodetektory. Fotodetektor to przyrząd, który mierzy strumień fotonów bądź moc optyczną przetwarzając energię fotonów na inny użyteczny sygnał

Struktura pasmowa ciał stałych

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Elementy i Układy Sterowania Mocą

Natężenie prądu elektrycznego

Zjawisko termoelektryczne

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE

Skończona studnia potencjału

Badanie charakterystyki diody

Diody półprzewodnikowe

Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Model elektronów swobodnych w metalu

Złożone struktury diod Schottky ego mocy

Elektryczne własności ciał stałych

Elementy elektroniczne Wykłady 3: Półprzewodniki. Teoria złącza PN

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA

Optyka. Wykład V Krzysztof Golec-Biernat. Fale elektromagnetyczne. Uniwersytet Rzeszowski, 8 listopada 2017

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato

Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC

Ćwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.

Elektryczność i Magnetyzm

Zasada działania tranzystora bipolarnego

Q t lub precyzyjniej w postaci różniczkowej. dq dt Jednostką natężenia prądu jest amper oznaczany przez A.

Pole przepływowe prądu stałego

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Elektryczne własności ciał stałych

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Przewodnictwo elektryczne ciał stałych

Wykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe

Przerwa energetyczna w germanie

EFEKT FOTOWOLTAICZNY OGNIWO SŁONECZNE

PRĄD STAŁY. Prąd elektryczny to uporządkowany ruch ładunków wewnątrz przewodnika pod wpływem przyłożonego pola elektrycznego.

ĆWICZENIE 4 CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY

Dielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych

wymiana energii ciepła

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ FIZYKI TECHNICZNEJ I MATEMATYKI STOSOWANEJ EKSCYTONY. Seminarium z Molekularnego Ciała a Stałego Jędrzejowski Jaromir

Wykład 3 Zjawiska transportu Dyfuzja w gazie, przewodnictwo cieplne, lepkość gazu, przewodnictwo elektryczne

Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)

Pracownia Fizyczna i Elektroniczna Struktura układu doświadczalnego. Wojciech DOMINIK. Zjawisko przyrodnicze

Wykład FIZYKA II. 2. Prąd elektryczny. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Półprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Transkrypt:

Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T

Procesy rekombinacyjne n 0 g T r T W C Stan równowagi: g T szybkość termicznej generacji par elektron-dziura p 0 W V r T szybkość termicznej anihilacji par elektron-dziura g T = r T Stan ustalony stała koncentracja nośników

Procesy rekombinacyjne n 0 + Δn h g T r g r p 0 + Δn W C W V Stan nierównowagi: g T szybkość termicznej generacji par elektron-dziura g r szybkość promienistej generacji par elektron-dziura r szybkość termicznej anihilacji par elektron-dziura Stan równowagi g r + g T = r stała koncentracja nośników

Procesy rekombinacyjne n 0 + Δn g T r W C Stan nierównowagi: g T szybkość termicznej generacji par elektron-dziura p 0 + Δn W V r szybkość termicznej anihilacji par elektron-dziura Stan przejściowy zmienna koncentracja nośników g T < r R = r - g T R szybkość rekombinacji

Procesy rekombinacyjne n = n 0 + n - czas życia n = n 0 exp (-t/ ) n 0 n n(3 ) = 0.05 n 0 t

Procesy rekombinacyjne Rekombinacja fononowa cała energia Wg jest przejmowana przez termiczne drgania sieci, nazywane fononami (R ph, ph ) Rekombinacja Augera (zderzeniowa) cała energia Wg jest przejmowana przez trzeci nośnik, elektron lub dziurę, nazywany gorącym nośnikiem (R A, A ) Rekombinacja promienista cała energia Wg jest przejmowana przez wytworzony foton, który może opuścić kryształ np. jako widzialne promieniowanie (R r, r ) R = R ph + R A + R r

Rekombinacja fononowa model SRH W c A 1 B 1 W t A 2 B 2 W v

Rekombinacja fononowa model SRH niski poziom wstrzykiwania - n << max (n 0, p 0 ) typ n typ p n 0 >> max( p 0,n i ) zwykle n 1 = p 1 = n i p 0 >> max( n 0,n i )

Rekombinacja fononowa model SRH Wysoki poziom wstrzykiwania - n >> max (n 0, p 0, n i ) typ n 0.1 1 10

Rekombinacja Augera (zderzeniowa) proces elektron-elektron-dziura hot electron r eeh = C An n 2 p W C C An stała rekombinacji Augera dla procesu for e-e-h r eeh W g W V proces elektron-dziura-dziura W C r ehh = C Ap np 2 r ehh W g C Ap stała rekombinacji Augera dla procesu e-h-h hot hole W V

Rekombinacja Augera (zderzeniowa) proces elektron-elektron-dziura w stanie ustalonym : R An = r eeh0 g eeh0 = 0 Zderzeniowa generacja i anihilacja par elektron-dziura w procesach e-e-h W C r eeh0 g eeh0 g eeh0 = r eeh0 = C An n 02 p 0 proces elektron-dziura-dziura w stanie ustalonym: R Ap = r ehh0 g ehh0 = 0 W V Zderzeniowa generacja i anihilacja par elektron-dziura w procesach e-h-h W C g ehh0 = r ehh0 = C Ap n 0 p 0 2 r ehh0 g ehh0 W V

Rekombinacja Augera (zderzeniowa) Szybkość rekombinacji w procesie elektron-elektron-dziura: hot electron R An = r eeh g eeh0 = r eeh W g W C g eeh0 = C An n 2 p C An n 02 p 0 W V Szybkość rekombinacji w procesie elektron-dziura-dziura: W C R Ap = r ehh g ehh0 = = C Ap np 2 C Ap n 0 p 2 0 r ehh W g g ehh0 W V hot hole

Rekombinacja Augera (zderzeniowa) Wzór ogólny: niski poziom wstrzykiwania typ n n 0 =N D >>max(p 0, n) typ p p 0 =N A >>max(n 0, n)

Rekombinacja Augera (zderzeniowa) Wzór ogólny: wysoki poziom wstrzykiwania n>>max(n 0,p 0 )

Rekombinacja promienista hν foton kwant energii promieniowania ν częstotliwość emitowanych fal elektromagnetycznych określająca kolor emitowanego światła Relative emission efficiency InSb n 0 + Δn p 0 + Δn hν = W g W C W V Rekombinacja promienista daje promieniowanie prawie monochromatyczne w kolorze zależnym od W g

Rekombinacja powierzchniowa Przy powierzchni ilość centrów rekombinacyjnych odpowiedzialnych za rekombinację promienistą jest większa niż w całej objętości z powodu większej liczby defektów oraz wpływu zewnętrznych czynników. W wyniku tego, szybkość rekombinacji w brzegowej warstwie półprzewodnika R(x) wzrasta (R 2 =var.) w porównaniu do jej wartości wewnątrz struktury, gdzie zwykle jest ona stała (R 1 =const.), R(x) n 0 R 1 =const. R 2 =var

Rekombinacja powierzchniowa Kiedy w półprzewodniku występują koncentracje nadmiarowe, n i p, ich rekombinacja w warstwie przypowierzchniowej jest szybsza niż w pozostałej części struktury, zakłócając równomierny rozkład nośników nadmiarowych. W rezultacie pojawia się przepływ dyfuzyjny par elektron-dziura z wnętrza ku warstwie przypowierzchniowej. Ponieważ para elektron-dziura jest elektrycznie neutralna, jej przemieszczanie nie tworzy prądu elektrycznego, zmniejszając jedynie wewnętrzną koncentrację nośników nadmiarowych. R(x) n(x) n 0 R 1 =const. R 2 =var n = p

Rekombinacja powierzchniowa Warstwa przypowierzchniowa istotnie wpływa na proces rekombinacji w całej strukturze przyspieszając go, ponieważ pary dziura-elektron przemieszczają się do niej i tam rekombinują. Jeżeli rekombinacja ma być opisana poprawnie, to strumień par elektron-dziura ku powierzchni musi być uwzględniony. R(x) n(x) R 1 =const. R 2 =var Może to być zrobione poprzez wprowadzenie R 2 = var lub poprzez wprowadzenie pojęcia rekombinacji powierzchniowej n 0 n = p R s

Rekombinacja powierzchniowa Idea rekombinacji powierzchniowej polega na przyjęciu założenia, że nie ma żadnych zmian szybkości rekombinacji w warstwie przypowierzchniowej, a strumień par elektron-dziura ku powierzchni jest wywołany poprzez anihilację nadmiarowych par elektron-dziura na powierzchni. Szybkość rekombinacji powierzchniowej, R s, reprezentuje gęstość strumienia nadmiarowych par elektron-dziura płynących ku powierzchni i przejmowanych przez nią. R(x) n(x) R 1 =const. R 2 =var R s Jest ona traktowana jako nowy parametr opisujący własności powierzchni półprzewodnika n 0 n = p Δn s

Rekombinacja powierzchniowa Szybkość rekombinacji powierzchniowej jest zdefiniowana wzorem: R s = s n s n s koncentracja nadmiarowych nośników na powierzchni [cm -3 ] s współczynnik rekombinacji powierzchniowej [cm/s] współczynnik s może zmieniać się w szerokim zakresie w zależności od stanu powierzchni, np. w Ge: od 10 2 cm/s dla powierzchni trawionej do 10 4 cm/s dla powierzchni po piaskowaniu R(x) = const. n(x) n 0 n = p R s Δn s

Ruch elektronów i dziur w krysztale Cieplny ruch elektronów: chaotyczny, Od zderzenia do zderzenia, Średnia prędkość = 0 Występują zderzenia z innymi elektronami oraz defektami kryształu (np. cieplnymi drganiami atomów w węzłach sieci) E = 0 v th = f(t) v th chwilowa wartość prędkości wzrastająca z temperaturą (w Si w temperaturze pokojowej jest rzędu 10 7 cm/s) r czas relaksacji średni czas pomiędzy dwoma zderzeniami (w Si w temperaturze pokojowej jest rzędu 10-9 s)

Ruch elektronów i dziur w krysztale Ruch cieplny w obecności pola elektrycznego: - Pole elektryczne przyspiesza elektrony F = qe a = F/m v E = at v E v = v th + v E - Pole elektryczne wywołuje unoszenie elektronów ze prędkością: v E składnik prędkości w kierunku pola elektrycznego E v u = E gdzie: - ruchliwość v u v u prędkość unoszenia średnia prędkość w kierunku pola elektrycznego E t

Prąd unoszenia elektronów: Zjawiska w półprzewodnikach Ruch elektronów i dziur w krysztale v ue = n E J un = qnv ue = qn n E µ n ruchliwość elektronów Prąd unoszenia dziur: v uh = p E J up = qpv uh = qp p E µ p ruchliwość dziur

Ruch elektronów i dziur w krysztale Prawo Ohma dla półprzewodników: J u = J un + J up = = q(n n + p p ) E = = E = E/ρ gdzie: σ przewodność elektryczna ρ rezystywność elektryczna

Prąd dyfuzyjny elektronów: Zjawiska w półprzewodnikach Ruch elektronów i dziur w krysztale Strumień elektronów S n jest proporcjonalny do spadku koncentracji elektronów: n Strumień elektronów S n tworzy prąd elektryczny: J dn x 3D J dn = qd n grad n

Prąd dyfuzyjny dziur: Zjawiska w półprzewodnikach Ruch elektronów i dziur w krysztale Strumień dziur S p jest proporcjonalny do spadku koncentracji dziur: p n Strumień dziur S p tworzy prąd elektryczny: J dp x 3D J dp = -qd p grad p

Równania transportu: Zjawiska w półprzewodnikach Ruch elektronów i dziur w krysztale 3D J n = q(n n E + D n grad n) J p = q(p p E - D p grad p)

Ruch elektronów i dziur w krysztale Równania ciągłości: Rozważmy zmiany koncentracji nośników, n i p, w czasie t wewnątrz obszaru x w obecności rekombinacji R, generacji g oraz przepływu nośników. J n1 J p1 n, p g, R x J n2 J p2 Zmiany koncentracji nośników w czasie:

Ruch elektronów i dziur w krysztale Równania ciągłości: Rozważmy zmiany koncentracji nośników, n i p, w czasie t wewnątrz obszaru x w obecności rekombinacji R, generacji g oraz przepływu nośników. J n1 J p1 n, p g, R x J n2 J p2 Po podzieleniu obu stron przez t:

Równania ciągłości: Zjawiska w półprzewodnikach Ruch elektronów i dziur w krysztale Przy założeniu x i t : 3D

Podstwowy układ równań struktury półprzewodnikowej Równania transportu: J n = q(n n E + D n grad n) J p = q(p p E - D p grad p) Równania ciągłości: Równanie Poissona: Równanie Kirchhoffa: J = J n + J p

Wstrzykiwanie nośników Rozważmy przepływ nośników nadmiarowych, n, poprzez warstwę w przy warunkach pokazanych na rysunku. n 0 R = n/ g = 0 E = 0 n(x) =? w n(w)=0 x Dla tych warunków podstawowy układ równań struktury półprzewodnikowej może być zredukowany do postaci: gdzie: L = (D ) 0.5 - droga dyfuzji

Wstrzykiwanie nośników Dla tego problemu można znaleźć rozwiązanie analityczne dające poniższe rozkłady nośników nadmiarowych. β = j(w)/j(0) współczynnik transportu n 0 R = n/ g = 0 E = 0 n(x) =? w n(w)=0 x β 1 1 < β < 1 β = 0 n 0 j(0) j(w) n 0 j(0) > j(w) n 0 j(w) = 0 w L> w L w L< w w w

Wstrzykiwanie nośników Sytuacja, kiedy nośniki mniejszościowe wpływają do warstwy w wyniku wytworzenia brzegowej koncentracji nośników nadmiarowych, jest określana jako wstrzykiwanie nośników mniejszościowych. Taką sytuację mamy w rozważanej warstwie. Wstrzyknięte nośniki mniejszościowe dyfundują w głąb warstwy, a ich koncentracja maleje w wyniku procesów rekombinacyjnych. Warstwa może być dla dyfundujących nośników przezroczysta lub nie w zależności od jej grubości. W każdym punkcie warstwy występuje neutralność ładunku, co oznacza, że w każdym punkcie n = p. Całka wyznaczona dla koncentracji nośników nadmiarowych określa pewien ładunek, który zmienia się zgodnie z aktualną wartością koncentracji brzegowej n 0. Nachylenie rozkładu tej koncentracji określa wartość prądu dyfuzyjnego, a jakiekolwiek zmiany tego rozkładu wymagają odpowiedniej zmiany ładunku zmagazynowanego w warstwie. To zjawisko określamy jako pojemność dyfuzyjną.

Złącze p-n Zjawiska w półprzewodnikach Złącze p-n powstaje kiedy w monokrysztale półprzewodnikowym następuje zmiana typu półprzewodnika z n na p: A p n K N d N d N a N a złącze liniowe złącze skokowe

Złącze p-n Skokowa zmiana koncentracji nośników na granicy prowadzi do prądów dyfuzyjnych, J dn and J dp, poprzez powierzchnię złącza: A p J dn n J dp K p p >> p n n p << n n A anoda K - katoda

Złącze p-n Nośniki opuszczają obszar przyzłączowy pozostawiając w nim nieskompensowane jony domieszek, które tworzą obszar ładunku przestrzennego SCR obejmujący płaszczyznę złącza. W efekcie powstaje w obszarze SCR pole elektryczne E, które wywołuje prąd unoszenia kompensujący prąd dyfuzyjny: QN SCR QN A p E n K J up J dp J dn J un

Złącze p-n stan równowagi Na granicach QN/SCR : - koncentracja nośników jest płaska brak prądu dyfuzyjnego - Brak pola elektrycznego brak prądu unoszenia U AK = 0 I D = 0 A p p0 n p0 p QN E SCR QN n n n0 K p n0 b j a

Złącze p-n stan równowagi W obszarze SCR : - po n-stronie N d >> n n Q n = q(n d + p n n n ) qn d - po p-stronie N a >> p p Q p = q(- N a - n p + p p ) - qn a po n-stronie: dla x>a A p p0 n p0 p QN E SCR QN n n n0 K p n0 E rośnie liniowo b a

Złącze p-n stan równowagi W obszarze SCR : - po n-stronie N d >> n n Q n = q(n d + p n n n ) qn d - po p-stronie N a >> p p Q p = q(- N a - n p + p p ) - qn a po p-stronie: for x<b A p p0 n p0 p QN E SCR QN n n n0 K p n0 E maleje liniowo b a

Złącze p-n stan równowagi W obszarze SCR : - po n-stronie N d >> n n Q n = q(n d + p n n n ) qn d - po p-stronie N a >> p p Q p = q(- N a - n p + p p ) - qn a napięcie pomiędzy dwoma punktami: A p p0 n p0 p QN E SCR QN n n n0 K p n0 V D - potencjał dyfuzyjny b a

Złącze p-n stan równowagi Rozkład domieszkowania Model pasmowy Rozkład nośników mniejszościowych

Złącze p-n polaryzacja wsteczna Na granicach QN/SCR : - koncentracja nośników mniejszościowych na granicy maleje do zera ze wzrostem blokowanego napięcia QN SCR QN U AK - n p (b) 0 A p p0 n p0 p E n n n0 p n0 K p n (a) 0 b j a

Złącze p-n polaryzacja wsteczna W obszarze SCR : - prąd dyfuzyjny << prąd unoszenia - amplituda prądu unoszenia, J un i J up, ograniczona przez ilość nośników QN SCR QN J un (b) = J dn (b) = = qd n dn p (b)/dx J up (a) = J dp (a) = = - qd n dn p (b)/dx A p p0 n p0 E p n -J dn -J un J up J dph n n0 p n0 K b j a

Złącze p-n kierunek przewodzenia Na granicach QN/SCR : - koncentracja nośników mniejszościowych na granicach wzrasta ze wzrostem przyłożonego napięcia prowadząc do wstrzykiwania nośników mniejszościowych. QN SCR QN U AK > 0V n n0 A p p0 n p0 p n K n p (b) > n p0 p n0 p n (a) > p n0 b j a

W obszarach QN : Zjawiska w półprzewodnikach Złącze p-n kierunek przewodzenia - wstrzyknięte nośniki mniejszościowe tworzą prądy dyfuzyjne w obszarze przyległym do SCR, które zanikają w wyniku rekombinacji QN SCR QN U AK V D n n0 J dn (b) A p p0 n p0 p n p n0 K J dp (a) -J dn J dp b j a

Złącze p-n równanie diody idealnej Charakterystyka I-V diody idealnej : I D I s0 U D I s0 prąd nasycenia