Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html
Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie emulsji światłoczułej Przygotowanie maski Naświetlanie Trawienie podłoża Usunięcie pozostałości emulsji
Przygotowanie powierzchni http://www.egielda.com.pl/?str=art&id=5354-3
Nakładanie adanie emulsji światłoczułej (fotorezystu) http://www.frazpc.pl/artykuly/751/produkcja/procesorow/i/polprzewodnikow/od/piasku/do/procesora
Fotorezyst Pozytywny Jest dekomponowany przez promieniowanie ultrafioletowe, wskutek czego jest bardziej rozpuszczalny w wywoływaczu niż polimer nienaświetlony Negatywny Polimeryzuje wskutek naświetlania promieniowaniem UV, staje się trudniejszy do rozpuszczenia w wywoływaczu ywaczu niż polimer nienaświetlony
Fotorezyst Pozytywny Odwzorowanie jest identyczne jak na masce (pozytyw) Negatywny Wzór r otrzymany na płytce p jest negatywem wzoru na masce
Fotorezyst www.dsod.pl/materials/pp0204_a00.pdf
Maski Transmisyjne Odbiciowe http://www.frazpc.pl/artykuly/751/produkcja/procesorow/i/polprzewodnikow/od/piasku/do/procesora
Maski W technikach o niewysokiej rozdzielczości ci wykorzystujących promieniowanie widzialne używane ywane sąs maski szklane pokryte emulsją fotograficzną W technikach wysokorozdzielczych wykorzystujących UV używane u sąs maski kwarcowe napylane warstwą chromu i pokryte powłokami okami antyrefleksyjnymi
Naświetlanie http://www.purepc.pl/procesory/jak_powstaja_procesory?page=0%2c2
Naświetlanie Stykowe Zbliżeniowe Projekcyjne http://www.purepc.pl/procesory/jak_powstaja_procesory?page=0%2c2
Naświetlanie stykowe Skala 1:1 Rozdzielczość rzędu długod ugości fali świetlnej Szybkie zużywanie się maski
Naświetlanie zbliżeniowe Maska utrzymywana w niewielkim oddaleniu od podłoża Możliwo liwość rzutowania wzoru przez układ skupiający, co za tym idzie wysoka rozdzielczość
Naświetlanie projekcyjne Steppery Skanery
Stepper http://www.frazpc.pl/artykuly/751/produkcja/procesorow/i/polprzewodnikow/od/piasku/do/procesora
Skaner http://www.frazpc.pl/artykuly/751/produkcja/procesorow/i/polprzewodnikow/od/piasku/do/procesora
Wytrawianie http://www.frazpc.pl/artykuly/751/produkcja/procesorow/i/polprzewodnikow/od/piasku/do/procesora
Usuwanie pozostałości emulsji i dalsza obróbka bka http://www.frazpc.pl/artykuly/751/produkcja/procesorow/i/polprzewodnikow/od/piasku/do/procesora
Inne metody litografii Litografia promieniami X Elektronolitografia Nanolitografia
Litografia promieniami X http://www.faqs.org/photo-dict/photofiles/list/710/1123x-ray.jpg
Promieniowanie rentgenowskie http://www.spacetoday.org/images/deepspace/telescopes/greatobservatories/chandra/chandraspectrum.jpg Promieniowanie rentgenowskie (nazywane równier wnież promieniowaniem X) rodzaj promieniowania elektromagnetycznego,, którego długość fali mieści się w zakresie od 10 pm do 10 nm.. Zakres promieniowania rentgenowskiego znajduje się pomiędzy ultrafioletem i promieniowaniem gamma
Kiedy zachodzi dyfrakcja? Długość fali porównywalna z szerokością szczeliny Długość fali dużo mniejsza od szerokości szczeliny http://www.gcsescience.com
Szkodliwość dyfrakcji w litografii Przechodzące ce przez wąskw ską szczelinę promienie uginają się,, oświetlajo wietlając c powierzchnię pokrytą maską Jeśli zwiększymy rozmiar szczeliny stracimy rozdzielczość Trzeba więc c zmniejszyć długość fali promieniowania
Dyfrakcja cd... http://upload.wikimedia.org/wikipedia/en/8/86/xrl_currents3.gif
Litografia promieniami X Maska nie przepuszczająca promieni X typowo wykonana ze złota, ale też związki wolframu i tantalu Maska przepuszczająca promienie wykonana z SiC lub diamentowa Wzór maski wykonany metodą elektronolitografii
Ultra high resolution of litography http://en.wikipedia.org/wiki/file:diffraction1.png Efekt generacji elektronów przez promieniowanie X
Mechanizm UHRL Naświetlanie i przesuwanie maski, powtarzane kilkakrotnie Technologia zaprezentowana dla 25nm Możliwo liwość zejścia do 15nm
ULTRA HIGH RESOLUTION LITHOGRAPHY http://www.xraylithography.us/index_files/image006.jpg
Elektronolitografia Zamiast fotonów w wykorzystuje wiązk zkę elektronów Mają energię około o 20keV (od 10 do 50 kev) Nie jest potrzebna maska wiązka elektronów w jest sterowana polem magnetycznym (dokładno adność ok. 1nm), lub polem elektrycznym (szybciej, ale mniejsza dokładno adność)
Projekcja
Elektronolitografia λ= h/(2me)1/2 Wykorzystywane do tworzenia masek litograficznych Duża a dokładno adność do 5nm Łatwość obsługi brak masek, możliwo liwość wprowadzenia szybkich zmian w projekcie
Wady elektronolitografii Koszt urządze dzeń kilka milionów w $ Mała a wydajność
Nanolitografia za pomocą igły mikroskopu AFM www.mif.pg.gda.pl/homepages/maria/pdf/mf_06_9.pdf
Nanolitografia za pomocą igły mikroskopu AFM www.iel.waw.pl/strony/wydawnictwo/zal/216/03.pdf
Podsumowanie Fotolitografia Rentgenolitografia Elektronolitografia Nanolitografia http://dziennik.pl/nauka/article153701/komputery_beda_wszywane_w_ubrania.html