l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

Podobne dokumenty
N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

BN UL 1403L I UL 1405L

Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

U kłady scalone typu UCY 7407N

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

Kondensatory elektrolityczne

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

Stabi listory typu '.

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

BRANŻOWA. Mikroukłady scalone cyfrowe. Wymagania i badania

Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.

N O R M A, BRANŻOWA. Elementy optoelektroniczne /01. , Fototranzystory, Wymagania i badania. i tab!. 2. i tab!. 3. i tab!. 4. s z czegółowego.

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

N O R M A B R A N Ż O W.A. . Elementy optoelektroniczne /01

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

ZŁĄCZOWY TRANZYSTOR POLOWY

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

Vgs. Vds Vds Vds. Vgs

Politechnika Białostocka

S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:

10. Tranzystory polowe (unipolarne FET)

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A

1 Tranzystor MOS. 1.1 Stanowisko laboratoryjne. 1 TRANZYSTOR MOS

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

NORMA BRANŻOWA. Zbiorniki i aparaty odporne na korozję. stopowej, 3. WymIary. b) dla ciśnienia nominalnego P = O,S MPa - wg rysunku

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ś ć Ć ć ć Ź ć ć ć Ź ć ć Ś ć Ź ć Ź ć ć ć ź ć ć ć ć Ź Ć ćś ć ć Ć ć

Układy i Systemy Elektromedyczne

Uchwyty przelotowe. z łódkami

WZMACNIACZ OPERACYJNY

Tranzystory typu Be 237, Be 23B, Be 239

'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

Politechnika Białostocka

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

Politechnika Białostocka

TRANZYSTORY MOCY. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi tranzystorami i ich charakterystykami.

8. N i e u W y w a ć u r z ą d z e n i a, g d y j e s t w i l g o t n e l ug b d y j e s t n a r a W o n e n a b e z p o 6 r e d n i e d z i a ł a n i

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

SAMOCHODOWY MULTIMETR DIAGNOSTYCZNY AT-9945 DANE TECHNICZNE

Ż Ś Ń Ą Ą ć

ź Ę Ę ć

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

LDPS-12ME LISTWOWY DWUPRZEWODOWY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, marzec 2003 r.

ć ć Ść

ć ź ź ź ź ć ć

ż ż Ń Ś ż Ł Ł Ł ż ź

ć ć ć ź ć ć ć ć

Ę ś

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

wymiaru A 4,3-5,3 - a - 2,54' ) - - 0b) - - 0,53 - 0D 5,3-5,8-0D, 4;5-4,9 - F - - 1,0 - j 0,92 1,04' ) 1,16 - k 0,51-1,21 - I 12,

Badanie tranzystorów MOSFET

Ł ś ś ń ń ś

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

Budowa. Metoda wytwarzania

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Tranzystory w pracy impulsowej

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

NORMA BRANŻOWA. Segmenty kolon spawanych. okrętowe. y R3S, o wymiarach rury d, = 88,9 mm, g rub ości S = S mm,

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2

Badanie tranzystorów bipolarnych.

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

Ń Ś Ó Ó Ć Ś ŃŃ Ó Ą

PowerFlex 700AFE. Funkcja. Numery katalogowe. Produkty Napędy i aparatura rozruchowa Przemienniki czestotliwości PowerFlex PowerFlex serii 7

BN-7I. warstw nawęglonych. rdzenia Grupa katalogowa 0304 NORMA BRANŻOWA. OBRÓBKA Obróbka cieplno-chemiczna stali Wzorce struktur

TRANZYSTOR UNIPOLARNY MOS

Zespół Szkół Łączności w Krakowie. Badanie parametrów wzmacniacza mocy. Nr w dzienniku. Imię i nazwisko

Transkrypt:

UKD 6213823 N O R M A BRANŻOWA BNB7 337531/11 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE Tranzystory typu BF 245 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące krzemowych epitaksjalno planarnych tranzystorów polowych małej mocy wielkiej częstotliwości, typu BF 245 z kanałem typu n, w obudowie plastykowej, do zastosowań powszechnego użytku oraz w urządzeniach wymagających zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory przeznaczone są do pracy we wzmacniaczach małej i wielkiej częstotliwości o niskim poziomie szumów i ' dużej impedancji wejściowej Kategoria klimatyczna dla tranzystorów: standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04, wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125/21, bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 40/125/56 2 Przykład oznaczenia a) tranzystora standardowej jakości: TRANZYSTOR BF 245 BN87/33753ł/ł ł b) tranzystora wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 245/3 BN87/337531/ł c) tranzystor bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 245/4 BN87/33753ł/l) 3 Cechowanie tranzystorow powinno zawierać następujące dane: a) oznaczenie typu (podtypu), kodem (np 245A), b) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrą 3, a tranzystory bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu 4 Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tab! Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 35 l i ~ '~i l i, [ _o,,, c:: BNeV337531!1t1 AA b Zgłoszona przez Zakłady Przemysłu Elektronicznego KAZEL Ustanowiona przez Dyrektora NaukowoProdukcyjnego Centrum Półprzewodników dnia 21 listopada 1987 r jako norma obowiązująca od dnia 1 lipca 1988 r (Dz Norm i Miar nr 4/1988, poz 10) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE ALFA 1988 Druk Wyd Norm WW8 Ark wyd 075 Nakl 2400 40 Zam 630/88 Cena zl 4800

2 BN87/33753 1/ Symbol wymiaru Wymiary mm 111 n nom l11ax Tablica l Symbol wy miaru A 45 52 M b (U5 055 E bl 0,4 k 0 [) 45 5,2 a d 14 177 ni) 125 145 Wymiary mm mi l1 110m max 3,6 4,2 34 36 12 1,5 26 3, K ąt, 110m l' ięciu helki) oraz bocznej powierzc hni l1a wymiarze n po wycięc iu 1wstków, 20 5 Badania w grupie A, B, C i D 337531/00 p 5 1 wg BN801 Dopuszcza się ś l ad (ubytek two rzywa ) po wypyc haczu na po wierzc hni korpusu obudowy D(' puszcz:1 się ubytki na krawędziac h wyprowa d ze ń h 005 ) Ocena lutowności nic obejmuje czół wy prowadze ń (po wy 6 Wymagania szczegółowe dla badań grupy A, B, CiD a) bada ni a podgrupy A sprawdzenie wymiarów: A, 0 D, l wg rys i tabl, b) bada nia podgrupy A2, C2, A3, A4 wg tabl 2,, c) badania podgrupy B, C i D wg tabl 3, d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie ) po badaniach grupy B, C i D wg tabl 4 Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2, A3, C2 oraz podgrupy A4 P()d!! rtł Kont rolowany Metoda pomia ru wg pa ha pa ra met r PN74/T0 1505 dań Warunki pomiaru Jednostka ml3 ry War t ości graniczne mm max A2 (/,BR<iSS, a rk, 10 U DS = O V 30 C2 h = ~A l es' ark 04 U DS = O n A 5 UGS = 20 V U GS ) ark Ol UDs = 15 V 0,4 7,5 D = 200!lA V A 0,4 2,2 B 1,6 3,8 C 3,2 7,5 D') ark 03 U DS = 15 V 2 25 U GS = O ma A 2 65 B 6 15,0 C 12 25 A J Y21' ark 15 U DS = 15 ms 3 6,5 U GS = O f= khz UUS(()FF) ark, Ol U DS = 15 V V 0,5 8 D = 10 na A4 l us\' ark 04 UGS = 20 V U DS = O na 5000 14mb = 125 C ') Sckkcja na g rupy A B C tylko na za mówienie odbio rcy Tablica 3 Wymagania s zc zegółowe do badań grupy B, C D Lp Podgrupa b a d ań Rodzaj badania, Wymagania szczegółowe : B, C Sprawdzenie wy trzy mał ośc i mechanicznej wy próba Ub metoda 2,2,5 N; cykl i próba Ual, 5 N p rowa dze ń Sprawdzenie s zcze ln ośc i ~ pró ba Q, 10% wodny roztwór alfe nolu 2 B3 Spra wdzenie w y trzy mał ości na spadki swobodne p% ż e n ie tranzystora w czasie spada ni a wyprowadzenia mi do góry 3 84 C4 Sprawdzeni e wy t rzym ał oś ci na udary wi elokrotne mocowanie za ob u dowę 8 5, C5 Sprawdzenie wy tr zy małoś c i na n agł e zmiany tem TA = 55 C, T B =, 125 C (poziom jakośc i peratury 111 i V) 5 86, C6 Sprawdzenie od po rn ości na n a raże n ia elektryczne ukł ad wg PN78/T0 1515 ta b\ 5 p łl) 6 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 0,2 g

BN87/33753l/l l 3 cd tabl J Lp p(ld ~ rupa ha dań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 7 ('4 Spra wdzenie wytrzymałości na przyspieszenie stak kierunek probierczy wzdłuż osi wyprowadzeń mocowame za obudowę Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej mocowanie za obudowę częs totliw ośc i (dla poziomu jakości ) Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o zmiennej częstotliwości (dla poziomu jakości V) 8 e5 Spra wdzenie ' wytrzymałośc i na ciepło lutowania temperatura kąpieli 3500C AQL: 4% 9 C7 Sprawdzenie wytrzymałości na Zimno stg min ' 55 (' (poziom jakośd V)' 10 C8 Sprawd ze nie wytrzymałości (poziom ja kości l1 l V) na suche gorąco 'slg max = 125 C CO Sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl 1 12 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmos temperatura narażenia 25 C (poziom jakości feryczne l1 V) 13 D2 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki alkohol izopropylowy lub aceton; A o D wg rysunk u i tab l 14 OJ Sprawdzenie palności zewnętrznej 15 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniach (poziom ł V) 16 D5 Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie tranzystota~owolne (poziom i V) ) Warunki pomiaru dla badań podgrupy B6 C6: U os = 25 V; o ~ 25 ma; P,o, ~ 360 mw Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i 'po badadiach Krupy 8, C Oznaczenie lite Wartości graniczne rowt' Metoda pomia ru Warunki pomiaru Podgrupa badań Jednostka _ w czasie po badamiary badania niu, D mm max min max lass PN74/T01505 Uos = O Bl C B3, B4, O ark 04 Uos = 20 V B5, C8, C7, Dl C2 A3, B3, 84, na :5 85, C4, C5, C8 C22) 5000 5 C6, B6 50 50 Uos PN74/T01505 UDs = 15 V C2; C, CS, C6, A 0,4 2,2 ) W czasie badania odporności na Zmno ark O l lo = 200 )la B4, B5, C7, Dl 2) W czasie badania odporności na suche gorąco 8 1,6 3,8 C 3,2 7,5 C2 1 ) A 2,6 0,4 2,2 V B 4,5 1,6 3,8 C 9 3,2 7,5 C6, B6 A 0,32 2,6 0,32 2,6 B 1,3 4,5 13 4,5 C 2,6 9 2,6 9 7 Pozostałe postanowienia wg BN80/317j31/00 nformacje dodatkowe KONEC

4 nformacje dodatkowe do BN87/337531/ll NFORMACJE DODATKOWE l nstytucja opracowująca normę NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodników, Zakłady Przemysłu Elektronicznego KAZEL w Koszalinie 2 Normy związane PN74/T01 505/0 Tranzystory polowe Pomiar napięca odcięcia bramkaźródło UGSOFF) PN74/T01505/03 Tranzystory polowe Pomiar prądu drenu DSS PN74/T01505/04 Tranzystory polowe Pomiar prądu upływu bramki luss PN74/T 01505/10 Tranzystory polowe Pomiar napięcia przebicia bramkaźródło U1BR)GSS PN74/T01505/15 Tranzystory polowe Metoda pomiaru transkonduktancji g2l PN78/T01515 Elementy półprzewodnikowe Ogólne wymagania i badania BN80/337531/00 Elementy półprzewodnikowe Tranzystory małej mocy, wielkiej częstotliwości Wymagania i badania 3 Symbol wg KTM BF 245 1156213321001 BF 245A 1156213321014 BF 245B 1156213j21027 BP 245C 1156213321030 4 Autorzy projektu nol'ljly mgr inż Jerzy Bednarczyk, Teresa Chłopecka 5 Wartości dopuszczalne wg rysunku i tabl 6 Dane charakterystyczne wg tabl 12 ~ 400 mw 300 r 200 100 40 25 o 25 Bf 2' ' ~, 50 75 100 125 150 oc r!5 t amd 1111flZ33753!fłrl Zależność dopuszczalnej wartości całkowitej mocy wejściowej (całkowitej lub średniej) od temperatury TabHca l Wartości dopuszczalne Lp Oznaczenie Oznaczenie Jedno Wartość Nazwa stka dopuszmiary czalna U GDO Napięcie stałe bramka V 30 dren UDS Napięcie stałe dren V' ±30 źródło lu Prąd bramki ma 10 P lor Całkowita moc wejścio mw 360 wa na wszystkich elektrodach przy lamb~25 C j Temperatura złącza oc 150 t slg Temperatura przecho oc 55 155 wywania lamb Temperatura otoczenia oc 40+125 w czasie pracy Nazwa TabHca 12 Dane charakterystyczne Warunki pomiaru Jednostka Wartość gramczna miary min typ max 2 3 4 5 6 7 8 U1BR)USS Napięcie przebicia bramkaźró lu = la V 30 45 dlo 2 luss Prąd upływu bramki UGs = 20 V na 0,1 5 3 l DSS') Prąd drenu UDS = 15 V 2 25 U GS = O ma A 2 6,5 B 6 15 C 12 25 4 UGs Napięcie stałe bramkaźródło U DS = 15 V 0,4 7,5 n = 200 la V A 0,4 2,2 B 1,6 3,8 C 3,2 7,5

nformacje dodatkowe do BN87/337531/11 5 cd tabl 12 Lp Oznaczenie Nazwa W)lfunki pomiaru Jednostka Wartość graniczna miary min typ max 2 3 4 5 6 7 8 5 UGSt,OFFl Napięcie odcięcia bramkaźródło UDS=15V V 0,5 3,5 0,8 D = 10 na 6 Y2l' Moduł zwarciowej admitancji UDS = 15 V ms 3 5,5 6,5 przenoszenia w przód J= khz 7 e,u, Pojemność zwrotna w układzie UDs=20V pf 1,1 wsp6lnego źródła (wejście zwarte dla przebiegów zmi!!nnych) UGS = V J= MHz 8 Clss Pojemność wej ściowa w ukła UDS = 20 V pf 4 dzie wsp6lnego źródła przy UGS = V zwartym wyjściu J= MHz, pf 1,6 9 C22fS Pojemność wyjściowa w ukła ' UDS = 20 V dzie wspólnego źródła przy UGS = 1 V, zwartym wejściu J= MHz 10 rgs Rezystancja bramkaźródło UGs = 20 V GO 4 200 F Współczynnik szumów UDS = 20 V db 1,5 J= MHz RG = ko 12 F Współczynnik szumów UDS = 20 V db 4 J = 200 MHz Z wej strojone na minimum szumów ') Pomiar impulsowy rp,,;; 300 ~, 6,,;; 2%