Technologie niekonwencjonalne.

Podobne dokumenty
PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)

Łukowe platerowanie jonowe

Fizyka Cienkich Warstw

3. Technologie kształtowania struktury i własności powierzchni materiałów inżynierskich przez nanoszenie powłok z fazy gazowej

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Inżynieria Wytwarzania

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

Politechnika Koszalińska

Próżnia w badaniach materiałów

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Politechnika Politechnika Koszalińska

PL B1. Mechanizm regulacyjny położenia anody odporny na temperaturę i oddziaływanie próżni

Technika próżni / Andrzej Hałas. Wrocław, Spis treści. Od autora 9. Wprowadzenie 11. Wykaz ważniejszych oznaczeń 13

5. Podsumowanie i wnioski

PL B1. Sposób otrzymywania bioaktywnej powłoki na implantach i wszczepach medycznych oraz bioaktywna powłoka otrzymana tym sposobem

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Ćwiczenie 1: Wyznaczanie warunków odporności, korozji i pasywności metali

Co to jest cienka warstwa?

WIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE

Metody łączenia metali. rozłączne nierozłączne:

Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny Instytut Inżynierii Materiałowej Zakład Metaloznawstwa i Odlewnictwa

Materiały katodowe dla ogniw Li-ion wybrane zagadnienia

MATERIAŁY STOSOWANE NA POWŁOKI PRZECIWZUŻYCIOWE

Osadzanie z fazy gazowej

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe

Technologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe

Skaningowy Mikroskop Elektronowy. Rembisz Grażyna Drab Bartosz

TECHNIKI KIERUNKOWE OTRZYMYWANIA POWŁOK PRZECIWZUŻYCIOWYCH

ZNACZENIE POWŁOKI W INŻYNIERII POWIERZCHNI

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Powłoki cienkowarstwowe

PL B1. POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Kompozyty Ceramiczne. Materiały Kompozytowe. kompozyty. ziarniste. strukturalne. z włóknami

MATERIAŁY SUPERTWARDE

Materiały budowlane - systematyka i uwarunkowania właściwości użytkowych

Politechnika Łódzka Wydział Mechaniczny Instytut Inżynierii Materiałowej

Wpływ temperatury podłoża na właściwości powłok DLC osadzanych metodą rozpylania katod grafitowych łukiem impulsowym

Opracowała: mgr inż. Ewelina Nowak

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE PLASTYCZNOŚĆ. Zmiany makroskopowe. Zmiany makroskopowe

Samopropagująca synteza spaleniowa

Technologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG

WZORU UŻYTKOWEGO (19,PL <11) 62049

Ć W I C Z E N I E 7 WPŁYW GĘSTOŚCI PRĄDU NA POSTAĆ OSADÓW KATODOWYCH MIEDZI

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:

Wykład 8. Przemiany zachodzące w stopach żelaza z węglem. Przemiany zachodzące podczas nagrzewania

(12) TŁUMACZENIE PATENTU EUROPEJSKIEGO (19) PL (11) PL/EP (96) Data i numer zgłoszenia patentu europejskiego:

INSTYTUT INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ PŁ LABORATORIUM TECHNOLOGII POWŁOK OCHRONNYCH ĆWICZENIE 1 POWŁOKI KONWERSYJNE-TECHNOLOGIE NANOSZENIA

( 5 4 ) Urządzenie do nanoszenia cienkich warstw metalicznych i/lub ceramicznych

Innowacyjne warstwy azotowane nowej generacji o podwyższonej odporności korozyjnej wytwarzane na elementach maszyn

Technologie PVD w zastosowaniu do obróbki narzędzi

Atomy wieloelektronowe

Politechnika Koszalińska

1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej?

MIKROSKOPIA METALOGRAFICZNA

Laboratorium Ochrony przed Korozją. Ćw. 9: ANODOWE OKSYDOWANIEALUMINIUM

PL B1. Sposób łączenia stopów aluminium z materiałami kompozytowymi na osnowie grafitu metodą lutowania miękkiego

Nadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.

Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninach amoniaku i argonu

Oddziaływanie cząstek z materią

Ćwiczenie IX KATALITYCZNY ROZKŁAD WODY UTLENIONEJ

Technologia ogniw paliwowych w IEn

Aparatura do osadzania warstw metodami:

Różne dziwne przewodniki

Własności magnetyczne materii

LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

Fizyka Cienkich Warstw

Warunki izochoryczno-izotermiczne

PL B1. Politechnika Świętokrzyska,Kielce,PL BUP 10/08. Wojciech Depczyński,Jasło,PL Norbert Radek,Górno,PL

MATERIAŁ ELWOM 25. Mikrostruktura kompozytu W-Cu25: ciemne obszary miedzi na tle jasnego szkieletu wolframowego; pow. 250x.

Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?

Elementy teorii powierzchni metali

E dec. Obwód zastępczy. Napięcie rozkładowe

Szkło kuloodporne: składa się z wielu warstw różnych materiałów, połączonych ze sobą w wysokiej temperaturze. Wzmacnianie szkła

Technologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk

CIENKOŚCIENNE KONSTRUKCJE METALOWE

MATERIAŁY SPIEKANE (SPIEKI)

Elektryczne właściwości materii. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Nawęglanie Niskociśnieniowe ( Nawęglanie Próżniowe) Dlaczego stosowane?

Sonochemia. Schemat 1. Strefy reakcji. Rodzaje efektów sonochemicznych. Oscylujący pęcherzyk gazu. Woda w stanie nadkrytycznym?

LASEROWA OBRÓBKA MATERIAŁÓW

Tabela 2 Przykład procedur mycia narzędzi operacja czynnik myjący czas (min) temperatura( o C) odtłuszczanie 10g NaOH/dcm 3 H 2 O

Stal - definicja Stal

Laboratorium Ochrony przed Korozją. GALWANOTECHNIKA II Ćw. 6: ANODOWE OKSYDOWANIE ALUMINIUM

ZASADY KONSTRUKCJI APARATURY ELEKTRONICZNEJ

STRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

PL B1. POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA, Kielce, PL BUP 17/16. MAGDALENA PIASECKA, Kielce, PL WUP 04/17

Monochromatyzacja promieniowania molibdenowej lampy rentgenowskiej

Stan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU

CHEMIA I GIMNAZJUM WYMAGANIA PODSTAWOWE

Lekcja 43. Pojemność elektryczna

KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

Transkrypt:

Ćwiczenie nr 4 Technologie niekonwencjonalne. Badania cienkich warstw i powłok metalicznych Sala NT26 (NT220) Prowadzący: JJ Metody PVD Metoda PVD (Physical Vapour Deposition fizyczne osadzanie z fazy gazowej) opiera się na wykorzystywaniu różnych zjawisk fizycznych zachodzących przy obniżonym ciśnieniu (10 10-5 Pa), takie jak: uzyskanie par nanoszonego materiału poprzez erozję źródła lub rozpylenie, transport par metalu (naturalnych lub zjonizowanych) na materiał podłoża, kondensacji par nanoszonego materiału na podłożu i wzrost powłoki. Wymienione zjawiska procesu osadzania fizycznego w zależności od metody mogą być wspomagane innymi procesami fizycznymi jak: jonizacja par metalu oraz krystalizacja z otrzymanej plazmy metalu lub fazy w stanie gazowym. Nanoszenie powłok przeprowadzane jest na podłożu zimnym lub podgrzanym, co umożliwia pokrywanie podłoży zahartowany i odpuszczonych, bez obawy o spadek ich twardości, lecz jednocześnie prowadzi do wytworzenia powłok bardzo cienkich i słabo związanych z podłożem. Połączenie powłoka podłoże ma charakter adhezyjny i jest tym silniejsza, im bardziej czysta jest powierzchnia. W celu uzyskania odpowiedniej czystości i aktywacji powierzchni podłoża prowadzi się operację przygotowania powierzchni: czyszczenie chemiczne, w celu usunięcia wszelkiego rodzaju tłuszczów, smarów konserwujących oraz innych zanieczyszczeń mechanicznych, jak również cienkich warstw powierzchniowych (tlenków, siarczków, produktów korozji). Najczęstszym sposobem jest naniesienie na powierzchnie acetonu i późniejsze usuwanie acetonu przy pomocy strugi powietrza, jonowe przygotowanie powierzchni, ma na celu dokładne oczyszczenie powierzchni, aktywowanie powierzchni oraz podgrzanie elementu do żądanej temperatury. Jest to operacja bezpośrednio poprzedzająca proces nanoszenia powłok, realizuje ją się poprzez trawienie jonowe. Niemal we wszystkich metodach PVD powłoka powstaje z zjonizowanej pary metalu, dlatego niekiedy metody osadzania powłok noszą nazwę osadzania z wykorzystaniem plazmy PAPVD (Plasma Assisted PVD) lub z wykorzystaniem jonów IAPVD (Ion Assited PVD). Metody PVD stosowane obecnie różnię się miedzy sobą[8]: umiejscowieniem strefy otrzymywania par metalu, o odparowanie termiczne o sublimację metalu lub związków, 1

o rozpylanie jonowe lub magnetronowe. sposobem nanoszenia par metalu na podłoże: o rozpylanie (Sputering S) - nanoszenie par zjonizowanego materiału przez rozpylanie metalowej elektrody(tarczy) jonami gazu obojętnego uzyskanymi w wyniku wyładowania jarzeniowego, o naparowywanie (evaporation E) nanoszenie niezjonizowanych lub częściowo zjonizowanych par metalu, uzyskiwanych termicznie, o napylanie ( ion plating IP) nanoszenie par metalu, uzyskanych przez sublimację lub odparowanie, przy czym następuję większe zjonizowanie par niż w przypadku naparowywania. intensyfikacją procesu osadzania warstw przez: o stosowanie gazów reaktywnych np. N 2, NH 3, umożliwiających w wyniku reakcji chemicznych zachodzących z parami metalu, otrzymania odpowiedniego twardego związku metody reaktywne R, o aktywowanie procesów jonizacji gazów i par metalu za pomocą dodatkowych procesów fizycznych: wyładowanie jarzeniowe, stałe lub zmienne pole elektryczne lub magnetyczne, dodatkowe emitery elektronów, podgrzewanie podłoża w celu zaistnienia zjawiska dyfuzji metody aktywne A, o stosowanie różnych kombinacji metod reaktywnych z metodami aktywnymi. Zaproponowany podział umożliwia nazywanie metod zgodnie z ich cechami np. ARE, SIP z ewentualnym sposobem aktywowania: dodatkowa elektroda B, katoda lub anoda wnękowa HC HA, pole magnetyczne M; niekiedy do nazwy dodaje się sposób otrzymania par, np. topienie wiązką elektronów EB. Za względu na zbieżność procesów nanoszenia powłok, ostatnio dzieli się je na dwie grupy: techniki klasycznego nanoszenie, gdzie nanoszenie par metalu następuje w próżni (lub w atmosferze gazu niezjonizowanego) na czystym, zimnym podłożu; jest to typowe naparowywanie próżniowe. Proces osadzania jest zwykle powolny, a pary docierające do podłoża mają niską energię, w wyniku, czego tworzone powłoki mają małą gęstość, słaba adhezję i dużą ilość zanieczyszczeń. technik jonowego nanoszenia próżniowego(najczęściej reaktywnego), obejmuje wiele technik, które można nazwać platerowaniem jonowym, charakteryzującym się powłokami o dobrej gęstości, szczelności i przyczepności oraz korzystnym rozkładem naprężeń własnych w pobliżu faz podłoże powłoka, na wskutek bombardowania jonami następuje usuwanie zanieczyszczeń, a także może wystąpić płytka implantacja podłoża. Duża różnorodność metod PVD powoduję, że przez różnych autorów te same metody są różnie nazywane. Do najważniejszych metod zaliczamy metody: ARE, BARE, ICB, TAE, CAD, RIP, HHCD, PPM, RMS. Jednak powszechnie stosowaną metodą w przemyśle do wytwarzania twardych powłok( azotków, węglików lub tlenków) na powierzchni materiałów inżynierskich jest metoda reaktywnego rozpylania magnetronowego MS. Metoda ta umożliwia uzyskanie dużej wydajności 2

procesów nanoszenia powłok przy relatywnie niskich kosztach eksploatacyjnych w porównaniu z innymi metodami. Atutem tej metody jest możliwość nanoszenia wielowarstwowych powłok o grubości warstwy rzędu kilku nanometrów oraz prosta konstrukcja urządzeń i łatwość sterowania procesem. Podstawowymi parametrami procesu są: temperatura podłoża, ciśnienia gazu, energia jonów bombardujących; wpływają one na strukturę i właściwości powłoki. Energią jonów bombardujących podłoże możemy sterować poprzez zmianę wartości natężenia pola elektrycznego. Przy energiach jonów(rys. 1) zakresu energii rzędu wiązań atomowych na powierzchni powłoki i nieprzekraczającej energii progowej rozpylania; występuje desorpcja atomów zanieczyszczeń, usuwane są słabo związane atomy z pozycji między węzłowej, tworzą się defekty powierzchniowe, powstają centra zarodkowania (kondensacji) o wysokiej gęstości, występuje zwiększona ruchliwość powierzchniowa atomów i aktywność chemiczna powierzchni. Zjawiska te doprowadzają do otrzymania powłok o dobrych właściwościach fizycznych i dobrej przyczepności do podłoża. Przy większych energiach jonów dochodzi do zjawiska rozpylania powierzchni podłoża a jeszcze większych do implantowania w warstwę wierzchnią. Rys.1 Rodzaje oddziaływań jonów z ciałem stałym w zależności od ich energii [8]. Właściwości eksploatacyjne powłok zależą przede wszystkim od składu chemicznego i struktury oraz adhezji powłoki do podłoża. Skład chemiczny zależy oczywiście od rodzaju i wzajemnego stosunku substratów, podobnie jak struktura i adhezja. Struktura i adhezja powłoki zależy także od: szybkości rozpylania, odległości między tarczą a podłożem, temperatury podłoża, ciśnienia argonu i reaktywnego, gęstości odparowywanych lub rozpylanych atomów, stopnia jonizacji gazów i par metalu. Własności powłoki zleżą również od metody PVD, zwykle te same powłoki, naniesione różnymi metodami wykazują różne właściwości użytkowe. Należy także zaznaczyć, że nie wszystkie substraty można w postaci powłok osadzi na podłożu dowolną metodą. 3

Próby uogólnienia wpływu parametrów osadzania powłok metodami PVD na ich strukturę i właściwości, spowodowały opracowanie modelu tworzenia się powłoki, którego podstawowy parametrem jest stosunek temperatury topnienia substratu do temperatury podłoża - T/T t. Model ten zaproponowali W.A. Mowczan i A.W. Demcziszin, którzy w modelu wyróżnili trzy strefy(rys. 2 ): strefa I T<0,3T t, o strukturze kolumnowej z dużym udziałem porów, w której przeważają drobne krystality, strefa II - 0,3T t <T<0,5T t, o strukturze kolumnowej charakteryzującej się większymi ziarnami oraz występującymi mikronierównościami powierzchni, strefa II T>0,5T t, gęsta struktura, o dużych ziarnach równoosiowych rosnących wraz ze wzrostem temperatury podłoża. Rys. 2 Modele strukturalne powłok: a) według B.A. Mowczana i A. Demcziszina; b) według J.A. Thorthona; c) według A.P. Messiera[8]. Model tworzenia się warstw oprócz parametru T/T t, obejmuję także ciśnienie argonu (P) w strefie rozpylania, uwzględnia występowanie strefy T strefa przejściowa charakteryzująca się drobno zagęszczonymi krystalitami włóknistymi przechodzącymi wraz ze wzrostem temperatury w ziarna o typowej strukturze kolumnowej. Strefa T ma korzystne własności fizyczne i chemiczne wynikające z wysokiej wytrzymałości i twardości, występowania naprężeń ściskających oraz dużej gładkości powierzchni. Istotne znaczenie na własności powłok ma energia cząstek docierających do podłoża. Wzrost energii cząstek powoduję przesunięcie strefy przejściowej w niższe zakresy temperatury. 4

Powłoki nanoszone metodami fizycznego osadzania z fazy gzowej mogą charakteryzować się epitaksją. Zjawisko polegające na wzroście pojedynczego kryształu na szczycie kryształów wchodzących w skład podłoża czyli zjawisko tworzenia się tzw. wysp materiału na podłożu. Wyróżniamy dwa rodzaje epitaksji: homoepitaksja występująca wtedy, gdy powłoka i podłoże są z tego samego materiału, heteroepitaksja występująca w przypadku, gdy materiał powłoki oraz podłoża są różne. Powłoki otrzymane metodami PVD dzielimy na: proste, powłoki jednowarstwowe lub monowarstwowe, składające się z jednego materiału np. metalu Al, Ni, Cu lub fazy TiN, TiC, złożone, składające się więcej niż jednego materiału. Powłoki złożone dziali się na: wieloskładnikowe, w których podsieć jednego pierwiastka wypełniona jest częściowo innym pierwiastkiem, są to roztwory stałe węglików i azotków, wielowarstwowe, zwane także mutiwarstwami lub mikrolaminatami warstwowymi, składające się z nałożonych na siebie kolejno warstw różnych materiałów, tworząc miedzy sobą warstwy pośrednie, wielofazowe, stanowiące mieszaninę różnych faz, kompozytowe, stanowiące mieszaninę różnych faz i będąca szczególnym typem powłoki wielofazowej, w której jedna faza jest dyskretnie rozpuszczona w drugiej fazie w sposób ciągły, gradientowe, stanowiące odmianę powłok wielowarstwowych, w których zmiana składu chemicznego i właściwości warstwy pojedynczych nie wystękuje w sposób skokowy, lecz ciągły metastabilne, łączące właściwości materiałów metalicznych z kowalencyjnymi. Powłoki otrzymane w metodach PVD spełniają wymagania związane z: własnościami mechanicznymi( twardość, adhezja, itp.), własnościami fizycznymi (przewodność cieplna, współczynnik tarcia, itp.), własnościami trybologicznymi, ochroną antykorozyjną, dyfuzyjną i cieplną. Swoje korzystne własności powłoki zawdzięczają przedewszytskim silnie zdefektowanej, strukturze oraz mniejszej wielkości ziarna. Specyficzne własności powłok, spowodowały gwałtowny rozwój metod PVD na skalę przemysłowo nie tylko do pokrywania materiałów narzędziowych. Powłoki PVD znajdują zastosowanie w optyce i mikroelektronice, biomedycynie, energetyce, w budowie maszyn, ze względu na poprawę własności i funkcjonalność różnych materiałów użytkowych. Jednak w większości zastosowań powłoki otrzymywane metodami PVD nie spełniają w pełni wymagań związanych z adhezją do podłoża, dlatego też zaczęto stosować metody wysokotemperaturowe, gwarantujące połączenie dyfuzyjno-adhezyjne powłoki z podłożem.[8,9] Napylarka BALZERS SCD 050 Urządzenia do osadzania powłok metodami PVD nazywa się napylarkami, niezależnie od rodzaju metody napylarki składają się z następujących podstawowych elementów funkcjonalno konstrukcyjnych[8]: 5

komory próżniowej, o kształcie prostokątnym, cylindrycznym lub stanowiącym ich kombinację, służy do umieszczenia głowic napylających wraz z wyposażeniem oraz elementów mocowania i przemieszczania wsadu względem głowic, ponieważ występuje osadzanie cząstek nie tylko na powierzchni wsadu, ale i na wszystkich elementach wewnętrznych komory, często powierzchnię wewnętrzną komory zabezpiecza się folią aluminiowa, głowic napylających do wytwarzania i kierowania przy wykorzystaniu pól elektrycznych i magnetycznych jonów lub atomów do strefy jonizacji i krystalizacji, układów wytwarzania i podtrzymywania próżni, składających się z zespołów pomp próżniowych olejowych i dyfuzyjnych, układów doprowadzania gazów obojętnych i reaktywnych, układów elektrycznych, zasilających głowice, elektrody dodatkowe oraz polaryzację elektrod i wsadu, elementów dodatkowych, np. elementów do podgrzewania wsadu, chodzenia wodnego elementów chłodnicy, układów mocowania i przemieszczania wsadu względem głowicy, układów sterowania Urządzenie Balzers SCD 050 (rys. 3) realizuję metodę rozpylania wspomaganego polem magnetycznym (magnetronowe) materiału osadzanego. SCD 050 stosowane głownie jest do nanoszenie warstw przewodzących na próbki do badania w mikroskopie elektronowym. Umożliwia nanoszenie warstwy metalu takich jak: złoto, miedź, chrom, nikiel, platyna, pallad, srebro oraz przy zastosowaniu dodatkowego urządzenia do nanoszenia warstw węgla. Urządzenie umożliwia także czyszczenie próbek przed naniesieniem warstwy, wykorzystując do tego trawienie katodowe. Proces czyszczenie i nanoszenia warstwy odbywa się bez przerywania próżni. Odwrócenie polaryzacji powoduje, że wsad będzie trawiony, oczyszczany. Ponowne odwrócenie polaryzacji i usunięcie osłony, powoduję, że materiał może być napylany bez przerwania próżni. 6

Rys. 3.Zdjęcie napylarki Balzers SCD 050 Proces naparowywania warstw metalu odbywa się poprzez wprowadzenie argonu przez zawór dozujący do komory próżniowej, utworzonej przez pompę próżniową. W celu usunięcia niepożądanych gazów, a zwłaszcza pary wodnej, komorę próżniową podaję się płukaniu wykorzystując kilku krotne wprowadzanie argonu do komory zanim ciśnienie w komorze nie osiągnie wartości ciśnień procesu naparowywania 0,05-0,1 mbar. Wysokie napięcia między materiałem rozpylanym ( katoda) a materiałem powlekanym ( anoda), powoduje powstanie pola elektrycznego. Wolne elektrony w tym polu są zmuszone do ruchu spiralnego przez układ magnetyczny, powodując kolizję z atomami argonu. Kolizję powoduje, że wybijany jest elektron z powłoki argonu, co powoduje powstanie jonów dodatnich. Ten proces prowadzi do zderzenia jonów z materiałem rozpylanym w skutek czego dochodzi do wypijania atomów metalu z powierzchni materiału rozpylanego. Na rys. 4 przedstawiono schemat naparowywania. 7

Rys. 4 Schemat procesu naparowywania. 1/1. Magnes 1/2. Target 1/3. Komora próżniowa 1/4. Pompa próżniowa 1/5. Wakuometr 1/6. Zawór wlotowy gazu 1/7. Próbka 1/8. Stół 1/9. Zasilacz wysokiego napięcia Uwolnione atomy metalu ulegają wielu kolizjom z innymi atomami, cząsteczkami w komorze. Skutkiem takich kolizji jest powstawanie w komorze chmury atomów metalu. Taka chmura rozproszonych atomów metalu, sprawia, że atomy metalu mogą docierać i osiadać na całej powierzchni wsadu. Powierzchnia wsadu, nawet o bardzo skomplikowanej powierzchni, staje się jednolitą i cienką warstwą metalu. Struktura warstwy naparowywanej zależy od materiału rozpylanego, odległości wsadu od materiału rozpylanego, ciśnienia, prądu oraz czasu napylania. W praktyce wpływ na proces nanoszenie warstw mają parametry, wartość prądu polaryzacji, odległość wsadu od głowicy oraz czas naparowywania, te parametry głownie decydują o grubości warstwy metalu. Wybór parametrów dokonywany jest na podstawie wykresów przedstawionych na rys. 5 10. 8

Rys. 5 Wykres czasu naparowywania dla złota (19,3 g/cm 3 ) Rys. 6 Wykres czasu naparowywania dla palladu (16,7g/cm 3 ) 9

Rys. 7 Wykres czasu naparowywania dla chromu (7,2g/cm 3 ) Rys. 8 Wykres czasu naparowywania dla miedzi (8,9g/cm 3 ) 10

Rys.9 Wykres czasu naparowywania dla niklu (8,9g/cm 3 ) Rys. 10 Wykres czasu naparowywania dla platyny (21,5g/cm 3 ) Otrzymane warstwy charakteryzować się będą słabą adhezją do podłoża, małą gęstością oraz dużą ilością zanieczyszczeń. Związane jest to z tym, że neutralne atomy docierające do podłoża mają niską energię, nie mogą wybić atomów z podłoża, a tylko osiadają na nim kondensują sublimacyjnie na podłożu. Ruchliwość atomów jest mała, w efekcie, czego atomy osadzają się krystalizują w miejscu powstawania zarodka kryształu, powodując jego wzrost, tym samym powodując powstawanie na powierzchni wsadu tzw. wysp materiału osadzanego. 11