BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61

Podobne dokumenty
P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

BN UL 1403L I UL 1405L

Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

Stabi listory typu '.

Kondensatory elektrolityczne

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

Dioda krzemowa BAY55 epitaksjalno-planama, w obudowie szklanej DO-7, jest przeznaczona do stosowania w bardzo szybkich układach przełączających.

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9

N O R M A B R A N Ż O W.A. . Elementy optoelektroniczne /01

U kłady scalone typu UCY 7407N

NORMA BRANŻOWA. Zbiorniki i aparaty odporne na korozję. stopowej, 3. WymIary. b) dla ciśnienia nominalnego P = O,S MPa - wg rysunku

BADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

BN-83 N O A M A OCHRONA. DRÓG ODDECHOWYCH Wkłady filtrapochłaniające. Oznaczanie oporu Grupa katalogowa WSTĘP

S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

BRANŻOWA. Mikroukłady scalone cyfrowe. Wymagania i badania

Miniaturowy powielacz napięcia w układzie Cockcroft'a Walton'a. Specyfikacja techniczna v.1

. Zamiast BN-63/

BN-77 Prasy hydrauliczne

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295

spożyw~zego SPIS TREŚCI Tablica 1 PN-75 PN-68 PN-74 PN-67 H H H H AO lub Al PA2N MIR l M2R l M3G M63 1--

Diody półprzewodnikowe

Wentylacja wymiar określający głębokość zamurowania podpory, blasz~nego. stokątnym. 150 mm : 3.1. Główne ~iar;t:

Diody półprzewodnikowe

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe

Diody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.

Agregaty pompowe

WNĘTRZOWY OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ TYPU PROXAR IIW AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ KARTA KATALOGOWA

SITOP modular Modułowe zasilacze sieciowe

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ ŚREDNIEGO NAPIĘCIA TYPU PROXAR-IN AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ KARTA KATALOGOWA

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295

Dane techniczne. Dane ogólne. Rodzaj wyjżcia. Nominalny zasięg działania s n 15 mm

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

Dane techniczne. Dane ogólne. Rodzaj wyjżcia. Nominalny zasięg działania s n 3 mm

Łączniki krzywkowe ŁK

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 124

Elementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Zastosowanie elektrycznego układu napędowego do elektryfikacji samochodów dostawczych

Manometr z rurką Bourdona z jednym lub dwoma ustalonymi kontaktami, obudowa ze stali nierdzewnej Model PGS21

typu DY86 i EY86 oznaczenia LAMPA ELEKTRONOWA EY86 BN-75 / (SWW ) 5. Wymagania - wg tablicy na str. 2 i 3 kol. 2.

Dane techniczne. Dane ogólne. Rodzaj wyjżcia. Nominalny zasięg działania s n 3 mm

PODSTAWOWE ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODA PROSTOWNICZA. W diodach dla prądu elektrycznego istnieje kierunek przewodzenia i kierunek zaporowy.

Uchwyty przelotowe. z łódkami

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

N O R M A, BRANŻOWA. Elementy optoelektroniczne /01. , Fototranzystory, Wymagania i badania. i tab!. 2. i tab!. 3. i tab!. 4. s z czegółowego.

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Wymagania Przykład oznaczenia zawiesia opaskowego rodzaju S oraz zawiesia lańcuchowego do rur o średnicy. wnętrznej 219,1 mm:

Ultradźwiękowy detektor zajętości miejsca parkingowego SON-1 z zewnętrznym sygnalizatorem świetlnym LED o wysokiej jasności

ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2

BN owalny 385 x. Właz. Elementy armatury zbiorników N O R M A BRANŻOWA. MASZYNY l

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

Diody półprzewodnikowe

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 207

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 045

BRANŻOWA. Diody typu BYP 150. atoda lz. J Anoda. Symbol wymiaru. 0b 0.8 0,82 0D 3,4 3,5. G - 7,2 I 26,0 - l,') - 2,5. 1,2) Ib.O

MA16, MB16, MA17, MA19, MA12 TABLICOWE MIERNIKI MAGNETOELEKTRYCZNE Amperomierze i woltomierze PKWiU

Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych

KARTA KATALOGOWA ELEKTRYCZNE PODGRZEWACZE WODY POJEMNOŚCIOWE

'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.

Moduł wejść/wyjść VersaPoint

Wymiary. Dane techniczne

OGRANICZNIK PRZEPIĘĆ PRĄDU PRZEMIENNEGO TYPU PROXAR-IVN AC W OSŁONIE SILIKONOWEJ DO OCHRONY INSTALACJI ELEKTROENERGETYCZNYCH

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

7. Tyrystory. Tyrystor SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Parametry techniczne. Parametry cewki

Prostowniki. Prostownik jednopołówkowy

Manometr z rurką Bourdona z jednym lub dwoma ustalonymi kontaktami, obudowa ze stali nierdzewnej Model PGS21

Rys. 1 Schemat funkcjonalny karty MMN-3

4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.

Amperomierz analogowy AC/DC [ BAP_ doc ]

INSTRUKCJA INSTALACJI

WARUNKI TECHNICZNE ODBIORU

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Zakres akredytacji laboratorium AB 045

Naczynia cylindryczne stalowe. niskociśnieniowe. z dnem stożkowym bez wyoblenia

Siłowniki obrotowe do zaworów kulowych

NORMA BRANŻOWA. Gwoździe budowlane z d r utu gołego ze stali niskowęglowej w gat. Stl i ocynkowanego. Zn:

Transkrypt:

UKD 6213822 N O R M A BRANŻOWA BN-83 ELEMENTY 33-290 PÓŁPRZEWODNKOWE Diody typu BAP 61 Grupa katalogowa 1923 l Przedmiot normy Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące miniaturowych, krzemowych diod przełączajacych małej mocy typu BA YP '61, wykonanych techniką epiplanarną, w obudowie całoszklanej, przeznaczonych do zastosowań w sprzęcie profesjonalnym oraz w urządzeniach wymagających zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości Diody przeznaczone są do pracy w układach przełączających i urządzeniach telekomunikacyjnych Kategoria klimatyczna - wg PN-3E-040 dla diod: - podwyższonej jakości 1210, - wysokiej jakości 1221, - bardzo wysokiej jakości 126-2 Przykład oznaczenia diod typu BA YP 61: a) podwyższonej jakości DODA BAYP 61 BN-83 33-290 b) wysokiej jakości DODA BAYP 613 BN-83 33-290 c) bardzo wysokiej jakości DODA BAYP 614 BN-8333-290 3 Cechowanie diod powinno zawierać następujące dane: a) oznaczenie typu - wykonane drukiem (wg rys 1) na podkładzie koloru: niebieskiego - dla diod o podwyższonej jakości, pomarańczowego - dla diod wysokiej jakości, białego - dla diod bardzo wysokiej jakości lub alternatywnie (tylko dla diod o podwyższonej jakoś c i) kodem kolorowym w postaci pasków, żółtego i brązowego, naniesionych na obwodzie obudowy; 6 BAY P61 Rys 1 b) oznaczenie wyprowadzenia katody - określone za pomocą paska naniesionego na obwodzie obudowy od strony katody (przy zastosowaniu kodu kolorowego - katodę wskazuje żółty pasek kodu) Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-Rozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA - dnia 1 marca 1983 r jako norma obowiązująca od dnia 1 października 1983 r (Dz Norm i Miar nr 91983 poz 18) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" 1983 Druk Wyd Norm W-wa Ark wyd 0,0 Nakł 2400 + Zam 190483 Cena zł 1200

2 BN-8333-290 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń diody - wg rys 2 i tabj 1 Obudowa - element kompletny A24 wg PN-3 T-010306 Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta CE 02 Maksymalna dopuszczalna długość niepocynowanego odcinka wyprowadzenia przy obudowie wynosi 3 mm 6 D Rys 2 1$H-Wn-9 ON! Symbol wymiaru o b2 D G Tablica l Wymiary diody Wymiary, mm min nom max 0,4-0,6 1,0-2,20 3,0 4,00,40 2,40 - - Badania w grupie A, B, C i D - wg BN-81 33-2900 p 1 6 Wymagania szczegółowe do grupy A, B, CD a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów D, G, - wg rys 2 i tabj l, b) badania podgrupy A2, A3, A4 i C2 - wg tab! 2, c) badania podgrup B, C i D - wg tab! 3, d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B, C i D - " wg tabj 4 Pozostałe postanowienia - wg BN-8133-2900 Tablica 2 Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2, AJ, A4 i C2 A2 A3 A4 Wartości graniczne Metoda badania wg Warunki pomiaru Jednostka PN-4T -0104 mm max UF ark lf= 10 ma - 1,0 Sprawdzenie podstawowych pa- R ark 6 UR = 20 na "- 2 R ark 6 UR = A,0, - Q, ark 61 F = 10 ma pc - 60 Kontrolowany parametr Sprawdzenie drugorzędnych pa- C, Ot akr 8 UR = O f= MHz pf - 4,0 Sprawdzenie pa w tmb = 12 oc (po- lr ark 6 UR = 20 A - 0 ziom i ) C2 Sprawdzenie drugorzędnych pa- lf= 10 ma t" ark 9 RL= n UR=6 ns - 4,0 i" = ma Tablica 3 Wyniagania szczegółowe do grupy B, C D Lp 2 3 B, C prowadzeń Sprawdzenie wytrzymałości Wymagania s zczegółowe 4' mechanicznej wypróba al, N 2 B3 C9 3 B4 4 B C B6, C6 Sprawdzenie szczelności detergent Q Sprawdzenie wytrzymałości na spadki swo- położenie diody w czasie spadania - wyprowadzenia rówbodne noległe do kierunku spadku Sprawdzenie wytrzymałości na udary wiei 0- mocowanie za obudowę w sposób sztywny, nie niszczący krotne (dla poziomu ) obudowy diody Sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany TA = - oc temperatury TB = 12 oc badanie może być wykonane alternatywnie wg jednej z metod: a) praca w układzie prostownika jednopoł6wkowego z obcią- Sprawdzenie odporności na narażenia elek- żeniem rzeczywistym - wg PN-8T-011 tab!, metryczne toda f UR = lo = ma b) praca przy maksymalnej polaryzacji wstecznej - wg PN-8T-011 tab!, metoda g UR = tamb = 12 oc

BN-8333-290 3 cd tab! 3 Lp Wymagania szc zególowe 2 3 4 6 C2 Sprawdzenie odpornoś c i na suche gorąco lamb = 12 oc Sprawdzenie odporności na zimno lamb == - oc C3 Sprawdzenie masy wyrobu 0,142 lo-l kg Sprawdzenie wytrzymaości na przyspieszenie mocowanie w tulejkach, kierunek badania prostopadły do stałe osi diody S C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary poje dyn- mocowanie za obudowę, w sposób sztywny, me mszczący AQL = 2, cże i wielokrotne obudowy diody Sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej i zmiennej częstotliwości mocowanie za wyprowadzenia 9 C Sprawdzenie wytrzymałości na ciepło lutowania temperatura kąpieli 260 ± oc 10 C Sprawdzenie wytrzymałości ziomu ) na zimno (dla pot" = -6 oc CS Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco t slg = 200 oc 12 CO Sprawdzenie wymiarów wg rys 2 i tab! J3 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne (poziom i ) temperatura narażenia 2 oc 14 04 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń (poziom brak porostu pleśni po badaniu i ) 1 D Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie diody dowolne Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B, C D (poziom, ) Oznaczenie literowe Metoda pomiaru wg PN-4T'{)104 Warunki pomaru Jednostka graniczne parametrów Wartości mm max B, B3, B4, B, C, - UR = C2, C4, C8, C9, Dl la 10mb = 2 oc lr ark 6 B6, C6-10 UR = 10mb = 12 oc C2 la - UF ark B, B3, B4, B, C, - 1,0 h= 10 ma C2, C4, C, C, C9 10mb = 2 oc B6, C6 1,1 lf = 10 ma tomb = - oc C2-1,1 - KONEC NFORMACJE DODATKOWE 1 nstytucja opracowujlca normę - Naukowo-Produkcyjne Centrum P6łprzewodnik6w - Warszawa PN-T'{)104 Diody Pomiar napęca przewodzenia UF PN-T'{)1048 Diody Pomiar pojemności C, PN-T'{)1049 Diody Pomiar czasu ustalania się prądu wstecz- nego t" i prądu wstecznego i" po przełączeniu impulsowym PN-T'{)10461 Diody Pomiar ładunku przełączania Q, PN-8T'{)11 Elementy p6łprzewodnikowe Og61ne wymagama i badania BN-S33-2900 Elementy p6łprzewodnikowe Diody przełączające Wymagania i badania 3 Symbol wg KTM - 11613206004 l Normy zwilzane PN-3E'{)40 Wyroby elektrotechniczne Pr6by środowiskowe PN-3T'{)10306 Elementy p6łprzewodnikowe Zarysy i wymiary Element kompletny A24 PN-4T'{) 10400 Elementy p6łprzewodnikowe Metody pomiaru parametr6w tranzystor6w i diod Postanowienia og61ne PN-T'{)1046 Diody Pomiar prądu wstecznego lr

4 nformacje dodatkowe do BN-8333-290 4 Wartości dopuszczalne - wg tab! - rys -l Lp l Oznaczenie nost- ka Tablica -l Nazwa Jed- UR Napięcie wsteczne Wartości dopuszczalne w tmb = 2 oc Dane charakterystyczne - wg tab! 1-2 rys 1-2 1-4 2 URM Szczytowe napięcie wsteczne 3 lo Sredni prostowany prąd wyma 1 ) 4 b Prąd przewodzenia ma 1 ) Niepowtarzalny bsm szczytowy prąd przewodzenia (t p ::;;; s) ma 00 8ł YP 61 6 P,ot Moc całkowita wejściowa mw 00 1 ) P,«mYt' 600 400 300 200 8 9 w o tj Temperatura złącza oc tsrg Temperatura prze- chowywania oc Temperatura ototamb czema w czasie oc pracy ) Obowiązuje dla diod mocowanych za 4 ± mm od obudowy odległości "- ', 200-6 -;- 200-12 wyprowadzenia, " - 8lYP 61 w W g m _ m c O 20 fj "'""-20,M--11 too 10 1 0,1 0,01 O 0,2 1 J f'c 1;"" o fol f 1 l 0,4 0,6 0,8 UF SN -83!33-290+zl Rys - Charakterystyka mocy w funkcji temperatury otoczema P,o, = f (tmb) Rys 1-2 Charakterystyki przewodzenia b = f (UF) Tablica 1-2 Wartości parametrów Oznaczenie, W tmb = 2 oc Lp Nazwa Warunki pomiaru Jednostka min typ max UF Napięcie przewodzenia b= 10 ma - 0,8 1,0 lamb = 2 oc na 2 R Prąd UR = - 20 2 wsteczny 20 lamb = 12 oc 1A - 0 3 R Prąd wsteczny UR = 1A - 2 4 Ctot Pojemność całkowita UR = O f= MHz pf - 3 4 Czas ustalania charakterystyki b= 10 ma UR = 6 t" wstecznej R L = fi i rr = l ma ns - 3 4 6 Q, Lad unek przełączania F = 10 ma pc - 40 60

nformacje dodatkowe do BN-8333-290 ltot pf 03,0 2,' 2,0 1,0 8AYP 61 \ \ i' " '-1f1ffz t a mb-2'oc 0 10 8AYP 61 J f, 1 J U-20 0, 1 O 40 a 1,,0 10 t oc 18N-83!33-290-r- 41 o 2 6 10 14 ll v BN-&»1-29ó1-r-31 Rys [-4 Zależność prądu wstecznego w funkcji temperatury złącza R = f (tj) Rys hl Zmiany pojemności w funkcji napięcia wstecznego CUt = f (UR)