3. Koncepcja i metodyka pracy

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 3. Koncepcja i metodyka pracy Na podstawie przeprowadzonej analizy literaturowej i do wiadcze w asnych, nabytych podczas praktycznej realizacji bada s u cych prognozowaniu rozwoju in ynierii powierzchni materia ów, opracowano koncepcj niniejszej rozprawy habilitacyjnej. W szczególno ci sformu owano tez i cel poznawczy pracy oraz wytyczono ogólny i szczegó owy zakres prac naukowo-badawczych. Autorska metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów, b d ca zasadniczym przedmiotem prowadzonych prac, jest hybryd, na któr sk ada si zarówno opisana w niniejszym rozdziale metodyka interdyscyplinarnych bada, obejmuj ca zbiór omówionych w literaturze przedmiotu oryginalnie dobranych metod i narz dzi analitycznych stosowanych w in ynierii materia owej, organizacji i zarz dzaniu oraz informatyce, jak i umo liwiaj ca wykonanie dalszej cz ci bada, zaprezentowana w 4. rozdziale rozprawy, oryginalna koncepcja metodologiczna, której opracowanie, weryfikacja do wiadczalna i udost pnienie stanowi o warto ci naukowej niniejszej pracy. Wyniki wykonanych prac w asnych s prezentowane pocz wszy od 4. rozdzia u niniejszej pracy. 3.1. Teza i cel pracy Tez pracy sformu owano nast puj co: W celu ograniczenia ryzyka prognozowania przysz o ciowych kierunków rozwoju technologii kszta towania struktury i w asno ci warstw powierzchniowych materia ów in ynierskich, uzasadnione jest zastosowanie komputerowo zintegrowanej metodologii bada materia oznawczych i heurystycznych strategicznego zarz dzania wiedz. Celem poznawczym rozprawy jest opracowanie oryginalnej metodologii komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów, z wykorzystaniem bada strukturalnych oraz w asno ci mechanicznych i innych w asno ci fizykochemicznych materia ów obrobionych z u yciem ró nych technologii kszta towania struktury i w asno ci warstw wierzchnich i pow ok ró nych materia ów in ynierskich oraz bada heurystycznych strategicznego zarz dzania wiedz, w tym macierzy kontekstowych, mapowania drogowego technologii, wieloetapowego badania opinii ekspertów i oceny wzajemnych oddzia ywa wspomaganych technologi informacyjn obejmuj c organizacj wirtualn, platform internetow oraz sztuczne sieci neuronowe w powi zaniu z modelowaniem metod Monte Carlo. 32 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów 3.2. Zakres pracy Z o ony aparat metodologiczny, s u cy do diagnozowania kluczowych problemów naukowych, technologicznych, gospodarczych i ekologicznych w obszarze in ynierii powierzchni materia ów in ynierskich oraz okre lenia kierunków jej rozwoju strategicznego i podejmowania decyzji, zasadniczo dotyczy trzech wzajemnie przenikaj cych si dziedzin wiedzy: in ynierii powierzchni materia ów, wchodz cej w sk ad in ynierii materia owej, foresightu technologicznego, nale cego do szerzej rozumianej dziedziny organizacji i zarz dzania oraz technologii informacyjnej, wywodz cej si z informatyki (rys. 2). Rysunek 2. Interdyscyplinarna metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów na tle dziedzin wiedzy i metodyki bada 3. Koncepcja i metodyka pracy 33

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 Rysunek 3. SzczegóŽowy zakres rozprawy uwzglcdniaj>cy zawartow5 poszczególnych rozdziažów i podrozdziažów pracy 34 A.D. DobrzaMska-Danikiewicz

20 Badania 65,0 55,0 45,0 35,0 25,0 15,0 5,0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 E j[kj/m 2 ] 1 2 3 Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów Niektóre etapy bada wymaga y jednak znacznie szerszego spojrzenia na rozpatrywane zagadnienia, co poci gn o za sob konieczno zastosowania metod, podej i narz dzi analitycznych czerpi cych z innych obszarów wiedzy szczegó owej, obejmuj cych: statystyk ; ekonometri ; badania operacyjne; budow i eksploatacj maszyn; automatyzacj i robotyzacj procesów przemys owych; zarz dzanie strategiczne, taktyczne i operacyjne; zarz dzanie jako ci i rodowiskiem oraz rachunkowo i finanse. Szczegó owy zakres bada, wykonanych w ramach niniejszej pracy, z uwzgl dnieniem rozdzia ów i podrozdzia ów pracy, w których omówiono poszczególne zagadnienia, przedstawiono na rysunku 3. Pierwotne dane ród owe, stanowi ce podstaw prac wykonanych na pó niejszych etapach bada, zawieraj wyniki klasycznych eksperymentów materia oznawczych, których ogólny zakres przedstawiono na rysunku 4, oraz wyniki przeprowadzonych na szerok skal bada eksperckich. W szczególno ci, wyniki serii materia oznawczo-heurystycznych bada w asnych, wykonanych w odniesieniu do o miu grup technologii szczegó owych (S1 do S8) [90-98, 161, 169-174, 301] (rys. 5), pos u y y do weryfikacji poprawno ci nowo opracowanej metodologii komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów. Po uzyskaniu zadowalaj cych wyników weryfikacji poprawno ci oryginalnej koncepcji metodologicznej zastosowano j, opieraj c si na wynikach bada eksperckich, do okre lania pozycji strategicznej 140 grup technologii krytycznych in ynierii powierzchni materia ów, rozumianych jako priorytetowe technologie o najlepszych perspektywach rozwojowych i/lub kluczowym znaczeniu w przemy le w za o onym horyzoncie czasowym 20 lat. Wyniki bada eksperckich stanowi y tak e dane pierwotne, s u ce do opracowania alternatywnych scenariuszy przysz ych wydarze, zale nych od rozwoju poszczególnych obszarów tematycznych oraz wp ywu kluczowych mezoczynników natury ogólnej, do czego zastosowano sztuczne sieci neuronowe wykorzystane we w asnym programie komputerowym. Badania uzupe niaj ce wspomagane komputerowo S p, S d, SEP [mj/m 2 ] Badania w asno ci u ytkowych Badania innych w asno ci fizycznych Badania w asno ci mechanicznych strukturalne Rysunek 4. Ogólny zakres bada materia oznawczych 3. Koncepcja i metodyka pracy 35

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 GRUPY TECHNOLOGII SZCZEGÓ OWYCH S1 S2 Obróbka laserowa odlewniczych stopów magnezu S3 S4 Wybrane technologie obróbki cieplno-chemicznej stali S5 Nak adanie pow ok PVD/CVD na spiekane materia y narz dziowe S6 S7 S8 Obróbka laserowa stopowych stali narz dziowych do pracy na gor co Fizyczne osadzanie z fazy gazowej pow ok na stop miedzi z cynkiem Teksturowanie krzemu polikrystalicznego do celów fotowoltaiki Wytwarzanie spiekanych materia ów gradientowych klasyczn metod metalurgii proszków Wybrane technologie modyfikacji polimerowych warstw wierzchnich WERYFIKACJA POPRAWNO CI METODOLOGII Rysunek 5. Technologie szczegó owe poddane analizie w celu weryfikacji poprawno ci metodologii komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów Foresight jest ogó em dzia a zmierzaj cych do wybrania najkorzystniejszej wizji przysz o ci oraz wskazania dróg jej realizacji, z wykorzystaniem odpowiednich metod wywodz cych si z nauki o organizacji i zarz dzaniu. Realizacja foresightu technologicznego (rys. 6) in ynierii powierzchni materia ów, polegaj cego na systematycznym d ugofalowym prognozowaniu przysz o ci nauki, techniki, ekonomii i spo ecze stw, z uwzgl dnieniem alternatywnych wersji przysz ych wydarze, powi zanego z umiej tno ci dobierania strategicznych technologii maj cych przynie wielkie ekonomiczne i spo eczne korzy ci, oraz pozyskiwania od ekspertów wiedzy ukrytej i jej rozpowszechnienia, wymaga oryginalnego wyboru ograniczonego zbioru metod o ró norodnym mo liwym zastosowaniu. Schemat tych metod wraz z ich wzajemnymi powi zaniami oraz sferami monitorowania i ród ami danych przedstawiono na rysunku 7. Oryginalnie dobrane metody organizacji, pracy i zarz dzania pos u y y do wygenerowania zbioru technologii krytycznych, które nast pnie poddano badaniom eksperckim, wykonanym w my l koncepcji e-foresightu 36 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów Wysoki statystyczny poziom implementowanych technologii Pozyskanie wiedzy ukrytej od szerokiej grupy ekspertów i upowszechnienie jej w ramach debaty publicznej Gospodarka oparta na wiedzy i innowacji EKSTERNALIZACJA WIEDZA Zrównowa ony rozwój Rysunek 6. Trójk t foresightu technologicznego [302] [180-183] z u yciem metody e-delphix [161, 175, 301] zapo yczaj cej ogólny zamys kilkuetapowego ankietowania ekspertów z klasycznej metody delfickiej [162-168], lecz znacznie odbiegaj cej od niej zarówno metodologicznie, jak i ze wzgl du na towarzysz c jej rozbudowan technologi informacyjn, co opisano w podrozdziale 4.2 niniejszej pracy. Elektroniczna ankietyzacja obejmowa a grup blisko 400 ekspertów wywodz cych si ze rodowisk akademickich, przemys owych i administracji publicznej, którzy wype nili ogó em kilkaset z o onych wielopytaniowych kwestionariuszy ankietowych [159], w trzech kolejnych iteracjach bada. Utworzenie kwestionariuszy ka dorazowo w kilkunastu wersjach dotycz cych odr bnie ka dego z analizowanych obszarów tematycznych wraz z systemem ich elektronicznej edycji on-line nale y równie do zakresu wykonanych prac. Nowoczesnym badaniom eksperckim, prowadzonym drog elektroniczn, towarzyszy y tradycyjne dyskusje tematyczne podczas paneli eksperckich i mi dzynarodowej konferencji. 3. Koncepcja i metodyka pracy 37

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 SFERY MONITOROWANIA SFERA NAUKOWO BADAWCZA Strategia rozwoju Analiza potencja u Osi gni cia naukowe Priorytety edukacyjne SFERA GOSPODARKI Innowacyjno Produkcja Zatrudnienie Nak ady finansowe Przedsi biorczo akademicka SFERA ADMINISTRACJI PUBLICZNEJ Identyfikacja kluczowych problemów Wyniki w asnych bada materia o znawczych GUS Publikowane i niepublikowane materia y w asne RÓD A DANYCH PIERWOTNYCH WTÓRNYCH UP METODY POZYSKIWANIA DANYCH Ankiety Placówki B+R OPI Wywiady telefoniczne MSP Opinie ekspertów Wywiady bezpo rednie Ogólnodost pne zestawienia i publikacje Internet Tradycyjne publi kacje papierowe PODSTWOWE METODY ORGANIZACJI, PRACY I ZARZ DZANIA Przegl d Analiza danych pi miennictwa ród owych Skanowanie Mapowanie Mapowanie rodowiska technologii beneficjentów ANALIZA STANU ZAGADNIENIA 1. KROK Ocena stanu zagadnienia 2. KROK Przegl d technologiczny Ekstrapolacja trendów 3. KROK Analiza STEEP Analiza SWOT Analiza strategiczna metodami zintegrowanymi METODY POMOCNICZE Panele eksperckie Burze mózgów Benchmarking Analiza wielokryterialna Symulacje imodelowanie komputerowe Analiza ekonometryczna Metody statystyczne METODA DEFINIOWANIA TECHNOLOGII KRYTYCZNYCH Zbiór technologii krytycznych in ynierii powierzchni materia ów PODSTAWA opracowania pyta ankietowych adresowanych do ekspertów w ramach bada prowadzonych metod e-delphix METODA e-delphix 1. KROK 1. iteracja bada 2. KROK 2. iteracja bada 3. KROK 3. iteracja bada Rysunek 7. Metody organizacji, pracy i zarz dzania zastosowane w toku wykonanych prac 38 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów Rysunek.8. Charakterystyka czynników analizowanych w rozprawie Skala i stopie skomplikowania bada, prowadzonych równolegle w odniesieniu do 14 obszarów tematycznych na ró nych poziomach szczegó owo ci, zdeterminowa y konieczno zastosowania nowoczesnej technologii informacyjnej, bez u ycia której nie by oby mo liwe ani zebranie tak du ej liczby danych, ani tym bardziej opracowanie ich wyników w takiej formie i czasie, jak to wykonano. Przeprowadzone prace w asne dotycz analizy zbioru ró norodnych czynników, które zakwalifikowano jako: makroczynniki krytyczne o naturze ogólnej, wyst puj ce jednostkowo i silnie oddzia- uj ce na inne czynniki, mezoczynniki, wyst puj ce w ograniczonej liczbie i umiarkowanie wp ywaj ce na inne czynniki, mikroczynniki szczegó owe wyst puj ce licznie, charakteryzuj ce si wra liwo ci na oddzia ywanie innych czynników. Charakterystyk analizowanych czynników, uwzgl dniaj c przyj ty podzia, przedstawiono z u yciem trójk ta liczno ci i trójk ta oddzia ywania (rys. 8). Zgodnie z zaprezentowanym na rysunku 9 trójk tem liczno ci, dotycz cym wykonanych bada in ynierii powierzchni materia ów, liczba rozpatrywanych czynników ro nie wraz ze wzrastaj cym poziomem szczegó owo ci. Na poziomie makro rozpatrywane s 3 alternatywne scenariusze przysz ych wydarze : optymistyczny, neutralny i pesymistyczny, które utworzono na podstawie wyników bada ankietowych przeprowadzonych drog elektroniczn w ród kilkuset ekspertów. Wyniki bada eksperckich zaimplementowano jako dane wej ciowe do sieci neuronowych w postaci zbioru ucz cego, walidacyjnego i testowego. Utworzonych dziewi modeli sieci neuronowych, 3. Koncepcja i metodyka pracy 39

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 3 scenariusze przysz ych wydarze 14 obszarów tematycznych in ynierii powierzchni materia ów 140 grup technologii krytycznych in ynierii powierzchni materia ów ok. 500 technologii szczegó owych in ynierii powierzchni materia ów SKALA ZJAWISK M A K R O M E Z O M I K R O Rysunek. 9. Trójk t liczno ci charakteryzuj cy wykonane badania dotycz ce in ynierii powierzchni materia ów z których do wygenerowania ostatecznych wyników wybrano siedem, implementuj c je jako funkcje do oryginalnego systemu komputerowego, umo liwia losowe poszukiwanie rozwi za, zgodnie z ide metody Monte Carlo, i generowanie wyniku ko cowego w postaci graficznej. Wynikiem tym s warto ci prawdopodobie stwa wyst pienia poszczególnych wariantów wydarze zale nych od wyst pienia okre lonych warunków lub czynników szczegó owych. Poziom mezo obejmuje 16 kluczowych czynników natury ogólnej wp ywaj cych, zdaniem ankietowanych ekspertów, w najistotniejszy sposób na prognozowany rozwój in ynierii powierzchni materia ów, które przedstawiono na rysunku 10, oraz 14 obszarów tematycznych poddanych analizie, które zgrupowano w dwóch polach badawczych (rys. 11). Pole badawcze M (ang.: Manufacturing) odzwierciedla punkt widzenia producenta i obejmuje procesy wytwarzania zdeterminowane stanem wiedzy i mo liwo ciami produkcyjnymi parku maszynowego, natomiast pole badawcze P (ang.: Product) jest okre lone przez oczekiwane w asno ci funkcjonalno-u ytkowe, wynikaj ce z potrzeb klienta, i koncentruje si na produkcie oraz materiale, z którego go wykonano. 40 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów MEZOCZYNNIKI ODDZIA UJ CE NA ROWÓJ IN YNIERII POWIERZCHNI MATERIA ÓW C1 Skuteczno dzia a pa stwa s u cych umo liwieniu szerokiego dost pu do informacji dotycz cych kluczowych technologii i wyników foresightów technologicznych C2 Przejrzysto i przyjazno przepisów prawnych C3 Strategiczne priorytety zjednoczonej Europy okre lone poziomem wspó pracy mi dzynarodowej i kwot przekazywanych funduszy C4 Poziom wp ywu potrzeb klienta na funkcje u ytkowe i estetyczne produktów oraz produkcj na zlecenie C5 Poziom wspó pracy pomi dzy rodowiskami naukowymi i przemys owymi C6 Poziom spo ecze stwa informacyjnego kszta towany poprzez polityk edukacyjn pa stwa C7 Liczba specjalistycznych laboratoriów i placówek badawczo-rozwojowych C8 D enie do integracji z wykorzystaniem wiedzy z wielu dziedzin nauki i technologii C9 D enie do ci g ego doskonalenia poprzez zapewnienie wy szej jako ci technologii i liczne wdro enia, zw aszcza w ma ych i rednich przedsi biorstwach C10 Redukcja kosztów wytwarzania i poprawa w asno ci u ytkowych produktów C11 Znaczenie technologii proekologicznych dla poprawy funkcjonalno ci, wyd u enia ywotno ci i mo liwo ci recyklingu C12 Znaczenie technologii alternatywnych, w tym hybrydowych wykorzystuj cych efekt synergii C13 Znaczenie technologii podwy szaj cych w asno ci mechaniczne, trybologiczne i antykorozyjne warstw wierzchnich C14 Znaczenie technologii wytwarzania funkcjonalnych pow ok nowej generacji o specjalnych w asno ciach C15 Znaczenie technologii wytwarzania nanomateria ów stanowi cych pod o e i/ lub pokrycie o szczególnie rozdrobnionej strukturze C16 Znaczenie technologii wytwarzania funkcjonalnych i narz dziowych materia ów gradientowych stanowi cych pod o e lub pokrycie PRWDOPODOBIE STWO WYST PIENIA KA DEGO Z ALTERNATYWNYCH MAKROSCENARIUSZY Rysunek 10. Mezoczynniki najintensywniej oddzia uj ce na rozwój in ynierii powierzchni materia ów 3. Koncepcja i metodyka pracy 41

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 M1 Technologie laserowe w in ynierii powierzchni In ynieria powierzchni biomateria ów P1 M2 Technologie PVD PODEJ CIE PROCESOWE (M) In ynieria powierzchni materia ów konstrukcyjnych metalowych P2 M3 Technologie CVD In ynieria powierzchni materia ów konstrukcyjnych niemetalowych P3 M4 Technologie cieplno-chemiczne In ynieria powierzchni materia ów narz dziowych P4 M5 Technologie polimerowych warstw wierzchnich In ynieria powierzchni stali dla przemys u motoryzacyjnego P5 M6 Technologie nanostrukturalnych warstw wierzchnich In ynieria powierzchni szk a, elementów mikro- i optoelektronicznych oraz fotowoltaicznych P6 PODEJ CIE KONSUMENCKIE (P) M7 Inne technologie in ynierii powierzchni In ynieria powierzchni materia ów polimerowych P7 Rysunek 11. Obszary tematyczne poddane badaniom z uwzgl dnieniem podzia u na dwa pola badawcze: M i P Poziom mikro jest natomiast reprezentowany przez 140 grup technologii krytycznych, obejmuj cych po 10 grup technologii, wy onionych w ramach ka dego z czternastu obszarów tematycznych. Grupy technologii krytycznych wyselekcjonowano spo ród rozpatrywanych w pocz tkowej fazie bada ok. 500 grup technologii szczegó owych, na podstawie wyników bada obejmuj cych ocen stanu zagadnienia, przegl d technologiczny i analiz strategiczn metodami zintegrowanymi (STEEP, SWOT). W ramach poszczególnych 140 grup technologii krytycznych mo na jeszcze wyodr bni technologie szczegó owe, cz sto ró ni ce si od siebie jedynie detalami, które to detale mog jednak istotnie determinowa perspektywy rozwojowe danej technologii i jej aplikacyjno w praktyce przemys owej. Niektóre z tych technologii 42 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów WARTO WYRÓ NIKI KLAS POZIOM LICZBOWA doskona o 10 0,95 WYBITNIE WYSOKI 9 0,85 BARDZO WYSOKI 8 0,75 WYSOKI normalno 7 0,65 DO WYSOKI 6 0,55 UMIARKOWANY 5 0,45 REDNI 4 0,35 DO NISKI przeci tno 3 0,25 NISKI 2 0,15 BARDZO NISKI 1 0,05 MINIMALNY Rysunek 12. Uniwersalna skala stanów wzgl dnych [93, 99, 161, 184] wybrane arbitralnie poddano szczegó owym badaniom materia oznawczo-heurystycznym s u cym weryfikacji poprawno ci opracowanej metodologii, a ca o ciowe wyniki przedstawiono we w asnym opracowaniu ksi kowym [161]. W celu okre lenia pozycji strategicznej poszczególnych grup technologii krytycznych i szczegó owych opracowano zbiór macierzy kontekstowych, obejmuj cych dendrologiczne macierze warto ci technologii, meteorologiczne macierze oddzia ywania otoczenia i macierze strategii dla technologii. Macierze te stanowi narz dzia graficznej analizy porównawczej poszczególnych technologii lub ich grup, pozwalaj c na ich zobiektywizowan ocen oraz okre lenie rekomendowanych strategii post powania w odniesieniu do poszczególnych technologii lub ich grup, a tak e wytyczenie cie ek rozwoju strategicznego. Ko cowym efektem wykonanych bada jest tak e Ksi ga Technologii Krytycznych, na któr sk ada si zbiór kilkuset map drogowych i kart informacyjnych technologii, stanowi cych wygodne narz dzie ich analizy porównawczej pod wzgl dem wybranego kryterium materia oznawczego, technologicznego lub ekonomicznego. W niniejszej pracy do oceny czynników i zjawisk, w ramach prowadzonych bada ankietowych, zastosowano dziesi ciostopniow jednobiegunow skal przedzia ow dodatni bez zera, zwan uniwersaln skal stanów wzgl dnych (rys. 12), gdzie 1 oznacza minimaln ocen lub poziom zgodno ci z dan cech / zjawiskiem/ czynnikiem/ stwierdzeniem, natomiast 10 jest wybitnie wysok ocen lub poziomem zgodno ci z cech / zjawiskiem/ czynnikiem/ stwierdzeniem. W toku bada eksperci oceniali tak e fazy cyklu ycia analizowanych technologii lub ich grup, co dla zachowania spójno ci rozwa a wymaga o utworzenia 3. Koncepcja i metodyka pracy 43

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 Rysunek 13. Fazy cyklu ycia technologii dziesi ciostopniowej skali, kompatybilnej z uniwersaln skal stanów wzgl dnych, s u cej zobiektywizowanej ocenie fazy ycia danej technologii lub grupy technologii, gdzie 1 oznacza technologi schy kow, a 10 technologi embrionaln. Procesowi opracowywania nowej technologii towarzysz nak ady na materia y, konstruowanie nowych urz dze i wynagrodzenia personelu realizuj cego prace naukowo-badawcze, które stopniowo wzrastaj, osi gaj c maksimum na etapie konstruowania i testowania instalacji prototypowych. W przypadku gdy nowo opracowane rozwi zania spe niaj oczekiwania producenta, a nale y mie wiadomo, e wiele z technologii nie wychodzi poza faz testowania prototypów, nast puje faza stopniowego wdra ania ich do produkcji, co pozwala nowej technologii generowa pierwsze zyski, cz ciowo rekompensuj ce poniesione koszty a do momentu osi gni cia progu rentowno ci, czyli punktu, w którym zyski równowa poniesione nak ady. Nowo opracowana technologia przechodzi nast pnie w faz wzrostow, nabieraj c coraz wi kszego znaczenia w ród ogó u procesów realizowanych w przedsi biorstwie, zaczyna generowa pierwsze powa ne zyski, lecz koszty ponoszone na jej udoskonalanie, post puj c modernizacj parku maszynowego zwykle zwi zan z jego automatyzacj i robotyzacj, dopasowywanie produktu do klienta i promocj nadal poch aniaj du e kwoty. Z biegiem 44 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów czasu proporcje te ulegaj zmianie, poniewa technologia wchodz c w faz dojrza o ci generuje coraz wi ksze zyski, a nak ady malej, co stanowi d ugo wyczekiwany przez producenta moment, zwany zgodnie z terminologi stosowan w naukach o zarz dzaniu dojeniem krowy lub zbieraniem niw [303-307]. Po czasie prosperity zyski z realizacji produkcji z u yciem technologii zaczynaj male, co zwykle mobilizuje naczelne kierownictwo przedsi biorstwa do podj cia dzia a naprawczych, modernizacyjnych, usprawniaj cych, czemu towarzyszy kampania promocyjna w mediach. Dzia ania te najcz ciej odnosz ograniczony w czasie skutek i po chwilowej poprawie nast puje stopniowa degradacja technologii znajduj cej si ju w fazie bazowej, która nast pnie staje si technologi przestarza, by jako schy kowa ostatecznie zej z rynku. W odniesieniu do zaprezentowanego typowego i najbardziej klasycznego cyklu ycia technologii, przedstawionego na rysunku 13, w praktyce mog pojawi si odchylenia najcz ciej dotycz ce trwania poszczególnych faz, nietypowego b yskawicznego wyparcia technologii przez inne nowocze niejsze rozwi zania lub przeciwnie odnalezienie jej zupe nie nowych zastosowa i cz ciowego powielenia poszczególnych faz cyklu ycia. 3.3. Metodyka bada materia oznawczych Immanentn cz ci opracowanej metodologii s szczegó owe badania materia oznawcze struktury warstw powierzchniowych, wytworzonych z wykorzystaniem ró nych metod obróbki powierzchniowej, jak równie badania w asno ci mechanicznych obrobionych materia ów oraz ich innych w asno ci fizykochemicznych i u ytkowych w warunkach eksploatacji lub do nich zbli onych. Wyniki bada materia oznawczych, w po czeniu z wynikami bada heurystycznych strategicznego zarz dzania wiedz, daj pe ny obraz zagadnienia, pozwalaj c na scharakteryzowanie analizowanych grup technologii pod wzgl dem ujednoliconych kryteriów materia oznawczych, technologicznych i ekonomicznych, stanowi cych podstaw analizy porównawczej tych technologii. Jedno miejsca i czasu nie jest konieczna w odniesieniu do realizacji bada materia oznawczo-heurystycznych i nie wp ywa na poprawno przeprowadzonego wnioskowania. Weryfikacja poprawno ci opracowanej metodologii, na podstawie kryteriów materia oznawczych, przeprowadzona w odniesieniu do wybranych technologii szczegó owych in ynierii powierzchni materia ów, jest konieczna dla potwierdzenia prawid owo ci przyj tego toku rozumowania i uniwersalno ci zaproponowanego podej cia. 3. Koncepcja i metodyka pracy 45

Open Access Library Volume 1 (7) 2012 Synergiczne oddzia ywanie metod bada materia oznawczych i heurystycznych, wspartych nowoczesn technologi informacyjn, jest zatem gwarantem trafno ci i adekwatno ci ocen dokonywanych wed ug metodologii komputerowo wspomaganego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów. Poprawno nowo opracowanej metodologii zweryfikowano, z udzia em licznych wspó pracowników, na przyk adach dotycz cych o miu grup technologii [90-98, 161, 169-174], które oznaczono symbolami alfanumerycznymi od S1 do S8. Materia y do bada poddano ró nym rodzajom obróbki powierzchniowej (S1-S6, S8) lub wytworzono z nich próbki, których warstw powierzchniow charakteryzuj odmienne w asno ci ni w asno ci pozosta ych warstw (S7). Podj cie bada materia oznawczo-heurystycznych wymaga przyj cia w ramach ka dej grupy technologii ze zbioru S1-S8 indywidualnego kryterium podzia u, pozwalaj cego na wyodr bnienie homogenicznych technologii lub ich grup, stanowi cych podstaw analizy porównawczej. Wyodr bnione, w ramach ka dej grupy technologii ze zbioru S1-S8, technologie szczegó owe lub ich grupy oznaczono symbolami alfanumerycznymi, u ywaj c kolejnych wielkich liter alfabetu z dolnym indeksem, wskazuj cym na reprezentowan grup technologii. W tablicy 2 przedstawiono materia do bada oraz kryterium podzia u grup technologii szczegó owych S1-S8 wraz z wyró nionymi w ich ramach technologami/ grupami technologii poddanych badaniom eksperymentalno-porównawczym. Materia y obrobione powierzchniowo, z u yciem ró nych technologii (S1-S6, S8) lub wytworzone klasyczn metod metalurgii proszków (S7), poddano w ró nym zakresie badaniom strukturalnym, badaniom w asno ci mechanicznych i innych w asno ci fizycznych 1), w asno ci u ytkowych oraz badaniom uzupe niaj cym wspomaganym komputerowo. W tablicy 3 zestawiono rodzaje wykonanych bada i u yt do tego celu aparatur naukowo-badawcz, oznaczaj c symbolami S1-S8 grupy technologii, w odniesieniu do których wykonano poszczególne badania. W rozdziale 5 niniejszej pracy przedstawiono szczegó owy przyk ad implementacji metodologii komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów, dotycz cy obróbki laserowej stopowych stali narz dziowych do pracy na gor co (S1), poprzedzony krótk analiz wskazuj c kryteria wyboru tego w a nie przyk adu oraz syntetyczne wyniki bada, odnosz ce si do pozosta ych siedmiu grup technologii (S2-S8). 1) W asno ci mechaniczne, wyró nione ze wzgl du na wiod ce znaczenie dla prowadzonych bada, równie s w asno ciami fizycznymi. 46 A.D. Dobrza ska-danikiewicz

3. Koncepcja i metodyka pracy 47 Tablica 2. Materia do bada oraz kryterium podzia u grup technologii szczegó owych S1-S8 wraz z wyró nionymi w ich ramach technologami/ grupami technologii poddanych badaniom eksperymentalno-porównawczym Grupa technologii S1 S2 Materia do bada Stopowe stale narz dziowe do pracy na gor co X40CrMoV5-1 i 32CrMoV12-28 obrobione cieplnie i mechanicznie; proszki w glików niobu, tantalu, tytanu, wanadu i wolframu Odlewnicze stopy magnezu MCMgAl12Zn1, MCMgAl9Zn, MCMgAl6Zn1, MCMgAl3Zn obrobione cieplnie i mechanicznie; proszki w glików tytanu, wolframu, wanadu i krzemu oraz tlenku aluminium Kryterium podzia u Rodzaj proszku naniesionego na pod o e lub jego brak Rodzaj proszku naniesionego na pod o e S3 Stop miedzi z cynkiem CuZn40Pb2 Liczba warstw tworz cych pow ok S4 S5 Wybrane gatunki stali: wytopione metod konwencjonaln : 18CrMnTi4-4 maszynowa do naw glania, 38CrAlMo6-10 maszynowa do azotowania, 37CrMoB10-4 niskostopowa narz dziowa do pracy na gor co, X37CrMoV5-1 do pracy na gor co oraz stale szybkotn ce HS12-0-2+C i HS6-5-2; stale przetopione pró niowo: X37CrMoV5-1(vac) i X40CrMoV5-1(vac) narz dziowe do pracy na gor co oraz wielosk adnikowa 40CrWMoVB17-11-16; przetopiona elektro u lowo stal X40CrMoV5-1(es) narz dziowa do pracy na gor co Spiekane materia y narz dziowe na bazie w glików spiekanych, cermetali, ceramiki tlenkowej i azotkowej oraz sialonu Rodzaj klasycznej obróbki cieplnochemicznej Typ naniesionych pow ok Wyodr bnione technologie/ grupy technologii poddane badaniom eksperymentalno-porównawczym Symbol Opis A S1 Przetapianie laserowe stopowych stali narz dziowych do pracy na gor co X40CrMoV5-1 i 32CrMoV12-28 bez u ycia proszków w glików z u yciem lasera diodowego du ej mocy HPDL ROFIN DL 020 B S1 Przetapianie NbC stopowych stali narz dziowych do C S1 i stopowanie TaC pracy na gor co X40CrMoV5-1 D S1 laserowe proszkiem TiC i 32CrMoV12-28 z u yciem lasera E S1 VC diodowego du ej mocy HPDL F S1 WC ROFIN DL 020 A S2 Laserowe TiC w powierzchni odlewniczych B S2 przetapianie WC stopów magnezu z u yciem lasera C S2 i wtapianie cz stek VC diodowego du ej mocy HPDL D S2 SiC ROFIN DL 020 E S2 Al 2 O 3 A S3 Fizyczne jednowarstwowych, n=1 pow ok metod reaktywnego B S3 osadzanie rozpylania magnetronowego kilkunastowarstwowych, n=15 z fazy (ang.: Reactive Magnetron C S3 gazowej multiwarstwowych, n=150 Sputtering RMS) Azotowanie i jego odmiany A S4 B S4 C S4 Naw glanie i w gloazotowanie wysokotemperaturowe Borowanie dyfuzyjne A S5 Nanoszenie jednowarstwowych prostych B S5 na jednowarstwowych klasycznych C S5 spiekane z o onych nanokrystalicznych D S5 materia y wielowarstwowych, n<10 F S5 narz dziowe gradientowych wielostopniowych wielowarstwowych, n 10 G S5 gradientowych ci g ych H S5 pow ok PVD metod katodowego odparowania ukowego (CAD) Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów

48 A.D. Dobrza ska-danikiewicz Grupa technologii Materia do bada Kryterium podzia u Wyodr bnione technologie/ grupy technologii poddane badaniom eksperymentalno-porównawczym Symbol Opis S5 E S5 wielowarstwowych, n<10 pow ok CVD metod klasycznego wysokotemperaturowego chemicznego osadzania z fazy gazowej (HFCVD) S6 S7 S8 P ytki krzemu polikrystalicznego domieszkowanego borem Proszki stali szybkotn cej HS6-5-2, kobaltu i w glika wolframu Poliaktyd PLA, Cargill Down LLC; poliw glan PC, Lexan 143 R, GE Plastics; poli(tereftalan etylenu) PET, Elpet-A, Boryszew SA; polistyren PS, Owispol 945 E, Dwory SA; kompozyt polimerowy o osnowie poliamidu 6 zawieraj cy dwa prekursory metalizowania: acetyloacetonian miedzi (II) Cu(acac) 2 oraz tlenek miedzi (II) CuO; kompozyty typu A (LDPE-HDPE-PP) i typu B (LDPE-HDPE-PP-PS- PET) o ró nych udzia ach masowych (1, 2 lub 3%) kompatybilizatora TMPTA, gdzie: LDPE polietylen ma ej g sto ci Malen-E FABS 23-D0022, Basell Orlen Polyolefins P ock; HDPE polietylen du ej g sto ci Hostalen ACP 5831 D, Basell Orlen Polyolefins P ock; PP polipropylen izotaktyczny Malen P F 401, Basell Orlen Polyolefins P ock; PS polistyren Owispol 945 E, Dwory SA; PET poli(tereftalan etylenu) amorficzny Elpet-A, Boryszew SA; TMPTA kompatybilizator: triakrylan trimetylolopropanu, Sigma Aldrich. LEGENDA: n liczba warstw Typ teksturowania Materia osnowy i % udzia obj to- ciowy sk adników w warstwach proszków Procesy fizyczne powoduj ce modyfikacj warstwy powierzchnio wej materia u polimerowego A S6 B S6 C S6 A S7 B S7 C S7 A S8 B S8 C S8 D S8 E S8 Teksturowanie Wytwarzanie konwencjonaln metod metalurgii proszków spiekanych narz dziowych materia ów gradientowych Modyfikacja warstwy wierzchniej wybranych materia ów polimerowych alkaliczne laserowe laserowe z chemicznym trawieniem krzemu polikrystalicznego MG-90HSS- /10WC MG-75HSS- /25WC MG-3Co /97WC na osnowie stali szybkotn cej HS6-5-2 zawieraj cych o osnowie Co zawieraj cych 10% 25% 97% udzia u obj to ciowego fazy WC w warstwie powierzchniowej modyfikacja warstwy wierzchniej PLA metod wy adowa koronowych z u yciem aktywatora folii AF2, Metalchem plazm niskotemperaturow generowan w powietrzu przez generator znajduj cy si poza stref modyfikowania materia u plazm niskotemperaturow w warunkach obni onego ci nienia (0,05-5 hpa) napromieniowane ró n liczb impulsów lasera ekscymerowego ArF powierzchni PC, PET, PS i kompozytu polimerowego o osnowie poliamidu 6 zawieraj cego acetyloacetonian miedzi (II) Cu(acac) 2 oraz tlenek miedzi (II) CuO napromieniowanie wysokoenergetycznym promieniowaniem elektronowym z u yciem akceleratora UELW- 101-10 firmy NPO TORYJ kompozytów typu A i B Open Access Library Volume 1 (7) 2012

3. Koncepcja i metodyka pracy 49 Tablica 3. Uogólniona metodyka bada materia oznawczych Rodzaj badania Aparatura naukowo-badawcza Symbole grup technologii Badania strukturalne Badania materia ograficzne (zg adów nietrawionych i trawionych, powierzchni materia ów przed obróbk i/lub po obróbce Jena; Axiovert 405M, Opton Mikroskopy wietlne: Leica MEF4A; MeF, Reichert; Neophot 2, Carl Zeiss S1-S4, S5, S7 powierzchniowej, proszków do bada, powierzchni uszkodzonej/ SEM: DSM-940, Opton; SUPRA 35, ZEISS; XL-30, Philips; JXA-50A, JEOL S1-S8 zarysowanej) Mikroskop konfokalny: CLSM 5 Exciter, ZEISS S5 Badania fraktograficzne (prze omy próbek) SEM: XL-30, Philips, SUPRA 35, ZEISS S3, S5, S7, S8 Pomiary w mikroskali: g boko ci strefy przetopienia i wp ywu ciep a, szeroko ci lica ciegu, g boko ci p kni, grubo ci Komputerowy analizator obrazu na wyposa eniu mikroskopu: Leica-Qwin/ Leica MEF4A, Superprobe 733, JEOL, Image-Pro Plus/ Axiovert 405M, Opton S1, S2, S3, S4, S5, S7, S8 i stopnia perforacji pow ok, wielko ci ziarn austenitu pierwotnego metod Snyder-Graffa, udzia u obj to ciowego w glików, grubo ci zmodyfikowanej warstwy wierzchniej polimerów Rentgenowska i spektralna (mikro)analiza jako ciowa i/lub ilo ciowa sk adu chemicznego i/lub fazowego SEM lub mikroanalizator rentgenowski wyposa ony w spektrometr energii (EDS): DSM-940, Opton/ EDS LINK ISIS, Oxford; SUPRA 35, ZEISS/ EDS S1-S3, S5, S7-S8 Analiza rozk adu powierzchniowego pierwiastków stopowych TRIDEX XM4, EDAX; JEOL JCXA 733/ EDS LINK ISIS, Oxford; XL-30, S1-S4, S7 (po obróbce powierzchniowej, po badaniu odporno ci erozyjnej) Philips/ EDS EDAX, Philips Analiza sk adu fazowego i/lub struktury krystalograficznej Dyfraktometr rentgenowski: X Pert PRO firmy Panalytical, Dron 2.0, FPM S2-S5, S7 Badania metod figur biegunowych odwrotnych Seifert, Siemens-Halske Kristalloflex-4 S3 tekstury metod refleksyjn S4 Badania dyfrakcyjne i/lub obserwacje struktury cienkich folii TEM: JEM 3010UHR firmy JEOL, Tesla BS 540, JEOL 200CX S1, S4-S5, S7 Badania zmiany st enia pierwiastków w warstwie Spektrometr optyczny wy adowania jarzeniowego GDOS-75 QDP, Leco S3, S4, S5 powierzchniowej, materiale pod o a i/lub w strefie przej ciowej Instruments Badania grubo ci pow ok metod kalotestu Stanowisko do utworzenia krateru w badanym materiale S3, S5 Badania dylatometryczne w celu wyznaczenia wspó czynnika Dylatometr ró nicowy firmy Adamel; dylatometry bezwzgl dne: DI-4 i Linceis S4 rozszerzalno ci liniowej i temperatury przemian fazowych Badania stopnia utlenienia warstwy powierzchniowej Spektrometr elektronowy Escalab 210, VG Scientific S8 Badania w asno ci mechanicznych Badania twardo ci metod Rockwella w skali A C F Twardo ciomierz firmy Zwick ZHR 4150TK S7 S1, S4, S7 S2 Badania statyczn, HV metod Vickersa Ultramikrotwardo ciomierz DUH 202, Shimadzu, mikrotwardo ciomierz Future S1, S2, S7 mikrotwardo ci dynamiczn, DHV Tech S3, S5 Badania sztywno ci/ napr e wewn trznych / modu u Younga Program Hardness 4.2 sprz ony z urz dzeniem DUH 202, Shimadzu S3 Badania przyczepno ci pow ok do pod o a metod zarysowania Sterowane komputerowo urz dzenie Sebastian 5A, Quad Group; urz dzenie S3, S5 (ang.: scratch test) dla wyznaczenia obci enia krytycznego L C2 REVETEST, CSEM Badania pracy amania (udarno ci) M ot udarno ciowy Charpy ego S4 Badania wytrzyma o ci na rozci ganie i zginanie Maszyna wytrzyma o ciowa Instron 1195 z przystawk wysokotemperaturow S4 Badania wytrzyma o ci zm czeniowej Maszyna wytrzyma o ciowa PWY firmy Schenck S4 Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów

50 A.D. Dobrza ska-danikiewicz Rodzaj badania Aparatura naukowo-badawcza Symbole grup technologii Badania wytrzyma o ci zm czeniowej stopy z bów Z gj Stanowisko badawcze: dwie przek adnie (obiekt bada -przek adnia zamykaj ca) S4 Badania odporno ci na kruche p kanie K Ic metod Palmqvista Twardo ciomierz firmy Zwick ZHR 4150TK S7 Badania innych w asno ci fizycznych Badania redniego arytmetycznego odchylenia profilu od linii Profilometr Sutronic 3+ firmy Taylor Hobson S1, S2, S3, S5 redniej R a (chropowato ci) Badania grawimetryczne w celu okre lenia zmian masy próbek Waga analityczna WA-31 S4 podczas cyklicznych zmian temperatury Badanie wspó czynnika odbicia promieniowania Spektrometr Perkin-Elmer Lambda wyposa ony w sfer ca kuj c S6 elektromagnetycznego (w asno ci optyczne) Badanie w asno ci elektrycznych wytworzonych ogniw Stanowisko SOLAR-LAB do pomiaru charakterystyk I-V ogniw solarnych S6 solarnych Pomiar w a ciwej (rzeczywistej) Piknometr gazowy AccuPyc 1330, Micromeritics S7 g sto ci metod densymetryczn Stanowisko pomiarowe: pozorna strata masy próbki przy zanurzeniu w wodzie S7 Badania stereologiczne w celu pomiaru porowato ci Komputerowa analiza obrazu Image-Pro Plus/ mikroskop: Axiovert 405M, Opton S7 Badanie k ta zwil ania w celu obliczenia swobodnej energii Goniometr, Akchem; tensometr, Sigma-Aldrich S8 powierzchniowej (SEP) metod Owensa-Wendta Badania w asno ci u ytkowych Badania odporno ci erozyjnej Urz dzenie strumieniowo powietrzne Falex Air Jet Eroder, Falex Corporation; S3 Badania odporno ci korozyjnej PGP 201 Potentiostat/ Galvanostat S3 Badania odporno ci na zu ycie cierne metod metal-proszek ceramiczny (wzgl dny % ubytku masy próbki) metod pin-on-disc Stanowisko pomiarowe do prowadzenia testu cieralno ci zgodnego z ameryka sk norm ASTM G65 Tribometr CSEM HTT (High Temperature Tribometer) S1 S3-S5, S7 Badania odporno ci na zm czenie cieplne dla okre lenia redniej Urz dzenia nagrzewaj ce: indukcyjnie, stykowo przez kontakt z rozgrzan S1, S4 g boko ci i/lub g sto ci p kni wk adk Cu (900 C) lub przez promieniowanie i konwekcj w piecu elektrycznym Badania dla wyznaczenia szeroko ci pasma zu ycia VB max Stanowisko do wiercenia otworów w normalizowanej stali o okre lonej twardo ci S4 w asno ci dla wyznaczenia parametru trwa o ci ostrza Tokarka do próby ci g ego toczenia bez u ycia cieczy chodz co-smaruj cych S5 skrawnych i wzrostu trwa o ci ostrza Wspomagane komputerowo badania uzupe niaj ce Weryfikacja poprawno ci bada twardo ci z u yciem Program komputerowy Statistica S2 Ocena wp ywu w asno ci pow ok na ich sztucznych sieci S5 trwa o eksploatacyjn neuronowych Obliczenie udzia u obj to ciowego austenitu szcz tkowego Program komputerowy opracowany w Instytucie Materia ów In ynierskich S7 w stalach metod Averbacha-Cohena i Biomedycznych Politechniki l skiej Rozwi zanie dyfraktogramów z TEM Program komputerowy Eldyf S7 Symulacja komputerowa napr e zgodnie z MES Program komputerowy Inventor 11; program ANSYS 12.0 S7 Open Access Library Volume 1 (7) 2012

Metodologia komputerowo zintegrowanego prognozowania rozwoju in ynierii powierzchni materia ów 3.4. Metodyka bada heurystycznych Realizacja za o onych celów pracy wymaga a oryginalnego wyboru spo ród ró norodnych mo liwych znanych i rekomendowanych [162-168] metod heurystycznych ograniczonego ich zbioru, w celu wygenerowania technologii krytycznych in ynierii powierzchni materia ów, poddanych dalszym badaniom z udzia em szerokiego grona krajowych i zagranicznych ekspertów. Krótk charakterystyk podstawowych i pomocniczych metod zastosowanych w toku bada zamieszczono w tablicy 4. Grupa kilkudziesi ciu ekspertów kluczowych, wy onionych w drodze konkursu, na podstawie pierwotnych i wtórnych róde danych dotycz cych sfery naukowo-badawczej, sfery gospodarki i sfery administracji publicznej, przeprowadzi a analiz istniej cej sytuacji [76, 161, 188, 301], w zakresie rozwoju ok. 500 technologii in ynierii powierzchni materia ów, zgrupowanych w 14 obszarach tematycznych oraz towarzysz cych im uwarunkowa spo eczno-gospodarczych. Badania te szczegó owo przedstawione we w asnym opracowaniu ksi kowym [76], obejmuj ce ocen stanu zagadnienia, przegl d technologiczny i analiz strategiczn metodami zintegrowanymi, mia y na celu wygenerowanie zbioru technologii krytycznych, b d cych przedmiotem dalszych zainteresowa podczas trzech iteracji metody e-delphix, a zgromadzona wiedza stanowi a ponadto podstaw opracowania kwestionariuszy ankietowych adresowanych do ekspertów podczas pierwszej iteracji bada. Diagnoza stanu zagadnienia zawiera a: ogóln charakterystyk badanego obszaru tematycznego z uwzgl dnieniem podstawowych definicji, rysu historycznego i obszarów szczegó- owych; dane statystyczne dotycz ce kraju, Europy i wiata oraz g ówne trendy i d ugoterminowe kierunki rozwojowe obejmuj ce dalekosi ne, kontrowersyjne, nietypowe i nie do ko ca potwierdzone lub zbadane teorie wraz z zestawieniem róde literaturowych, w tym klasycznych, najnowszych i angloj zycznych. Przegl d technologiczny, wykonany w odniesieniu do ka dego z obszarów tematycznych obejmowa sporz dzenie pe nej listy znanych i stosowanych w danym obszarze technologii i ocen ich aktualnej fazy cyklu ycia, dokonan w celu wyeliminowania rozwi za przestarza ych, nieefektywnych, nieekologicznych i o s abych perspektywach rozwojowych. Po dokonaniu wst pnej selekcji do dalszych analiz zakwalifikowano dobrze rokuj ce technologie dojrza e oraz technologie wzrostowe, prototypowe, eksperymentalne i embrionalne. W celu wyznaczenia zbioru potencjalnych technologii krytycznych przeprowadzono 3. Koncepcja i metodyka pracy 51