Skaningowy mikroskop elektronowy jako narzędzie badań w teclinoiogii materiałów pomocniczych i elementów półprzewodnikowych

Podobne dokumenty
MIKROSKOPIA ELEKTRONOWA. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego

Badania nad technologią, strulcturą i nielctórymi własnościami drutów z brązu srebrowego

Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

NADPRZEWODNIKI WYSOKOTEMPERATUROWE (NWT) W roku 1986 Alex Muller i Georg Bednorz odkryli. miedziowo-lantanowym, w którym niektóre atomy lantanu były

Przykłady wykorzystania mikroskopii elektronowej w poszukiwaniach ropy naftowej i gazu ziemnego. mgr inż. Katarzyna Kasprzyk

BADANIA WTRĄCEŃ TLENKOWYCH W BRĄZIE KRZEMOWYM CUSI3ZN3MNFE METODĄ MIKROANALIZY RENTGENOWSKIEJ

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

43 edycja SIM Paulina Koszla

promotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej

RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd r.

SYLABUS. Elektronowa mikroskopia w nauce o materiałach Nazwa jednostki prowadzącej Wydział matematyczno - Przyrodniczy

Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych

TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,

LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

Dorota Kunkel. WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej

PRZYGOTOWANIE PRÓBEK DO MIKROSKOPI SKANINGOWEJ

TEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne

LABORATORIUM ANALITYCZNEJ MIKROSKOPII ELEKTRONOWEJ (L - 2)

METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW

WyŜsza Szkoła InŜynierii Dentystycznej im. prof. Meissnera

Skaningowy Mikroskop Elektronowy. Rembisz Grażyna Drab Bartosz

ĆWICZENIE Nr 1/N. Laboratorium Materiały Metaliczne II. Opracowali: dr Hanna de Sas Stupnicka, dr inż. Sławomir Szewczyk

IV. TRANZYSTOR POLOWY

W książce tej przedstawiono:

3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA

Politechnika Politechnika Koszalińska

Ćwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego

Elementy przełącznikowe

Złącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa

Ćwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET

Czyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

Monochromatyzacja promieniowania molibdenowej lampy rentgenowskiej

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1

BADANIA WARSTW FE NANOSZONYCH Z ELEKTROLITU NA BAZIE ACETONU

Instytut Spawalnictwa SPIS TREŚCI

LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

MIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie

3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

Politechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska

Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski

WPŁYW DODATKÓW STOPOWYCH NA WŁASNOŚCI STOPU ALUMINIUM KRZEM O NADEUTEKTYCZNYM SKŁADZIE

Repeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny

Ćw.6. Badanie własności soczewek elektronowych

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAsi xpx/gaas i z monoki^ształów InP

Metody i techniki badań II. Instytut Inżynierii Materiałowej Wydział Inżynierii Mechanicznej i Mechatroniki ZUT

ĆWICZENIE Nr 5. Laboratorium Inżynierii Materiałowej. Akceptował: Kierownik Katedry prof. dr hab. B. Surowska. Opracował: dr inż.

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska

ELEMENTY ELEKTRONICZNE

Dyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura

Zamiast przewodnika z miedzi o bardzo dużych rozmiarach możemy zastosowad niewielki nadprzewodnik niobowo-tytanowy

Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA

Czym jest prąd elektryczny

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Badanie tranzystorów unipolarnych typu JFET i MOSFET

Złącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

Półprzewodniki. złącza p n oraz m s

Rys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)

Przyrządy półprzewodnikowe część 4

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

1 Badania strukturalne materiału przeciąganego

Leon Murawski, Katedra Fizyki Ciała Stałego Wydział Fizyki Technicznej i Matematyki Stosowanej

POLITECHNIKA WARSZAWSKA WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI TEORETYCZNEJ I SYSTEMÓW INFORMACYJNO-POMIAROWYCH

MODYFIKACJA STOPU AK64

Oferta badań materiałowych

Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak

(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11)

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Charakter struktury połączenia porcelany na podbudowie cyrkonowej w zaleŝności od rodzaju materiału licującego.

Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki

Repeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik

Materiały używane w elektronice

Frialit -Degussit Ceramika tlenkowa Komora próżniowa

Technologie mikro- nano-

Budowa stopów. (układy równowagi fazowej)

Część 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych

Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET

Różne dziwne przewodniki

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ

ZASTOSOWANIE NAŚWIETLANIA LASEROWEGO DO BLOKADY PROPAGACJI PĘKNIĘĆ ZMĘCZENIOWYCH

MATERIAŁ ELWOM 25. Mikrostruktura kompozytu W-Cu25: ciemne obszary miedzi na tle jasnego szkieletu wolframowego; pow. 250x.

MODYFIKACJA BRĄZU SPIŻOWEGO CuSn4Zn7Pb6

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Repeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

SPAWANIE ELEKTRONOWE I SPAWANIE TIG BLACH Z TYTANU TECHNICZNEGO

Grafen perspektywy zastosowań

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 342

Transkrypt:

LITERATURA 1. Wesołowski K.: Metaloznawstwo t. III, WNT, Warszawa 1966. 2. Ciszewski B. i współpracownicy: Sprawozdanie WAT. Badania drutów z brązu berylowego /praca nie publikowana/. Warszawa 1970 3. Wolski K.: Opracowanie technologii produkcji drutów ze stopu CuBe2Co 0,2. Sprawozdanie ONPMPH-1970, II i 111-1972 /praca nie publikowana/ 4. Wolski K.: Badania nad technologią, strukturą i niektórymi własnościami brązu tytanowego. Materiały Elektroniczne 6, 1974 5. Beger A., Friedrich E.: Neue Htłtte 16, 8, 1971 6. Ciszewski B. i współpracownicy: Sprawozdanie WAT. Badanie struktury i własności fizycznych cylindrycznych cienkich warstw mognetycznych oraz ich podłoża. Etap I, 1972 /praca nie publikowana/ 7.Barreau G., Brunei G., Cizeron G., Lacombe P.: Etude de la diffusion dans le système Cu -Ag: Hétérodiffusion et diffusion chimique. Influence de faibles teneurs en Cr, Te, Ti et Zr, ajoutées au cuivre. Referat zgłoszony na Dni Francuskiego Stowarzyszenia Metalurgicznego. Paryż, październik 1970 8. Patej T. i współpracownicy: Sprawozdanie WAT. Badanie struktury i własności fizycznych cylindrycznych warstw magnetycznych oraz ich podłoża. Etap II, 1973 /praca nie publikowana/ 9. Scharfenberger W., Schutrumpf A. i Borchers H.: Diskontinuierliche Gefugereaktionen bei der Losegluhung von Kupfer - Silber -Legierungen. Metall, 23, 11. Monachium 1969 10.Ciszewski B.: Fizyka kryształów. Defekty struktury krystalicznej 5, 11. WAT, Warszawa 1973 Marła PAWŁOWSKA ONPMP Skaningowy mikroskop elektronowy jako narzędzie badań w teclinoiogii materiałów pomocniczych i elementów półprzewodnikowych Rozwiązywanie wielu problemów nauki i techniki związane jest z koniecznok:ią badania i kontroli małych fragmentów lub całych systemów, składających się z małych zespołów. Skaningowy mikroskop elektronowy est cennym narzędziem badań, ponieważ z dużą głębią ostrości pozwala na wykonywanie takich obserwacji w szerokim zakresie powiększeń. W literaturze naukowej i technicznej istnieje wiele prac, zarówno przeglądowych [l,2] - ogólnie omawiających zasadę pracy, budowę i wykorzystanie skaningowych mikroskopów elektronowych, jak i specjalistycznych [3,4,5,6,7] poświęconych wybranym zagadnieniom, w rozwiązaniu któr/ch mikroskop skaningowy odegrał ważną rolę. Na łamach Biuletynu Informacyjnego - Półprzev/odniki[s] opublikowany był artykuł E.Sadłowskiej o roli skaningowego mikroskopu elektronowego w dziedzinie bodań niezawodności elementów półprzewodnikowych. Podaje on przegląd literaturowy prac związanych z tym problemem, omawia również szczegółowo zasadę pracy mikroskopu skaningowego i sposoby detekcji obrazów. 35

Niniejszy artykuł ma na celu przedstawić przykłady otrzymywanych wyników badań za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego niektórych materiałów stosowanych w przemyile elektronicznym oraz tranzystorów epiplanarnych. Badania wykonywane były za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego JSM-2 firmy JEOU Skaningowy mikroskop elektronowy est, dzięki dużej głębi ostrosci obrazów, często wykorzystywany do badania ukształtowania przełomów i innych nie gładkich powierzchni. Obserwacje te możliwe są przy powiększeniach własciwych mikroskopii elektronowej przy pominięciu skomplikowanej techniki replik. Do badania ukształtowania powierzchni najczęściej bywa wykorzystywany obraz utworzony przez elektrony wtórne. Rozkład energetyczny elektronów wtórnych daje wprawdzie pewne odzwierciedlenie składu chemicznego, najbardziej czuły jest jednak na topografię powierzchni. Przy opracowaniach technologicznych badania udostępniane dzięki możliwoiciom mikroskopu skaningowego wykonywane były więc poprzez obserwację obrazów elektronów wtórnych. Poniżej pnedstawiono przykłady uzyskiwanych obrazów podczas badań materiałów ceramicznych, stopów metali i past przewodzących. Przykłady uzyskiwanych obrazów przy badaniu ceramiki alundowej przedstawiają rys. 1,2 i 3. Obserwacje znacznie powiększonego obrazu pozwalają oceniać wielkości ziaren, ich kształt i ułożenie; przy mniejszych powiększeniach - pozwalają na ocenę ich rozkładu w większych obszarach. Rys. 1 a i b przedstawia obrazy przy różnych powiększeniach powierzchni kształtki alundowej, rys. 2 a i b obrazy przełomu spiekanej kształtki ceramicznej, rys. 3 a i b - przełom spiekanej kształtki sprasowanego tlenku glinu pochodzącego ze szlamu. Rys. 4 przedstawia przykład obrazu ceramiki z dodatkiem itru. Kolejne rysunki to przykłady obrazów otrzymanych przy badaniu stopów WNiCu /rys. 5 i 6/. Próbki te różniły się warunkami obróbki termicznej /stopy te służą jako podkładki dylatacyjne w elementach mocy/. Następne rysunki to przykłady stopów CuPb o różnych zawartościach ołowiu. Rys. 7 a i b przedstawia np. obraz ze stopu CuPb20, rys. 8 a i b - ze stopu CuPbl. Inny przykład, ważny z punktu widzenia badań technologicznych, to rozkład ziaren w stopie służącym na kontakty AuGel2. Po wytrawieniu ziaren germanu można było w dowolnie wybranym obszarze na przekroju wlewka wyraźnie obserwować jego mikrostrukturę. Kolejne rysunki 9 i 10 - to przykłady obserwacji różnego rozmieszczenia ziaren w próbkach różniących się warunkami termicznymi przygotowania wlewków. Rys. 9 jest przykładem nierównomiernego rozkładu ziaren - w irodku wlewka ziarna były znacznie większe; na rys. 10 obserwowano rozkład bardziej równomierny, lecz kształt ziaren był bardziej nieforemny. Wprawdzie rozkład ziaren był równomierny na przekroju wlewka, lecz ziarna różniły się znacznie między sobą wielkością. Przy opracowaniach technologicznych past przewodzących mikroskop skaningowy odgrywa również pomocniczą rolę, dostarczając informacji o stanie rozdrobnienia i kształcie ziaren po różnych etapach procesów technologicznych. Przykładami są rysunki z próbek technologicznych oznaczonych ST-2 /rys. 11 a i b/, SC-8/rys. 12 a i b/ i srebro molekularne /rys. 13 a i b/. Również w zagadnieniach analizy uszkodzeń i prawidłowości przebiegu pracy elementów półprzewodnikowych i obwodów scalonych dużo informacji niedostępnych do uzyskania innymi metodami daje skaningowy mikroskop elektronowy. Umożliwia obserwację elementów w warunkach ich pracy -obserwacje kontrastu napięcia oraz obserwacje obrazu prądu indukowanego wiązką elek*'onów. Obserwacje te pozwalają śledzić obrazy tłącz elektrycznych, pomimo, że złącza te 36

Rys. la i b. Obrazy powierzchni kształtki alundowej: a - powiększenie 6000x; b - powiększenie 1800x. Rys. 2a i b. Obrazy przełomu spiekanej kształtki cer3miczne : a -powiększenie 1800x; b - powiększenie 600x.

Rys. 3a i b. Obrazy przełomu spiekanej kształtki tlenku glinu, pochodzącego ze szlamu: a - powiększenie 5000x; b - powiększenie 3000x. Rys. 4. Obraz ceramiki z dodatkiem itru: powiększenie 10(X)x. Rys. 5a i b. Obrazy przełomu stopu WNiCu -A: a -powiększenie 8000x; b -powiększenie 3000x.

R>ys. 6a i b. Obrazy przełomu stopu WNiCu -B: a - powiększenie 80(X)x; b - powiększenie 3000x. Ry/s. 7a i b. Obrazy przełomu stepu CuPb20: a -powiększenie 3000x; b -powiększenie 10000x.

Rys. 8a i b. Obrazy przełomu stopu CuPbl: a -powiększenie 3000x; b - powiększenie 1000x. Rys. 9o i b. Obrazy wytrawionego szlifu stopu AuGel2 - A: a - powiększenie 5000x; b - powiększenie 1600x.

. A * Rys. loa i b. Obrazy wytrawionego szlifu stopu AuGel2 - B: a - powiększenie 10000x; b - powiększenie 5000x. Rys. Ila i b. Obrazy pasty przewodzącej ST-2: a -powiększenie 10000x; b - powiększenie 5000x.

Rys. 12a i b. Obrazy pasty przewodzącej SC-8: a - powiększenie 10000x; b - powiększenie 5000x. Rys. 13a i b. Obraz srebra molekularnego: a - powiększenie 10000x; b -powiększenie 5000x.

Rys. 14a i b. Obrazy tlenków w tranzystorach epiplarłarnych przy różnych energiach wiązki elektronów: a - napięcie przyspieszające U = 5 kv, pow. 108 x, b - napięcie przyspieszające U = 10 kv, pow. 114 x. Rys. 15a i b. Obrazy prądu indukowanego wiązką elektronów w złączach tranzystora BF 214 /napięcie przyspieszające U = 10 kv/: a -obraz prądu indukowanego w złączu EB - pow. 45Ó X, b - obraz prądu indukowanego w złączu CB - pow. 456 x

Rys. lća,b,c,d. Obrazy elektronów wtórnych i prądu indukowanego wiązką elektronów w złączach tranzystora wykazującego upływność: a - obraz elektronów wtórnych, U = 5 kv, powiększenie 135 x b - obraz prądu indukowanego w złączu E B, U = 10 kv, powiększenie 140x c - nałożone obrazy elektronów wtórnych i prądu indukowanego w złączu EB, U = 10 kv, powiększenie 140x d - nałożone obrazy elektronów wtórnych i prądu indukowanego w złączu CB, U = 12,5 kv,powiększenie 80 x

znajdują się pod warstwami tlenków. W miarę zwiększania energii wiązki elektronów możno uzyskiwać informacje z coraz większych głębokości elementów. Obserwacje obrazu elektronów wtórnych pozwala jq otrzymać informacje o nierównomiernej grubości warstwy tlenków. Wiązka elektronów bombardując tlenek wyzwala w nim pary elektron-dziuro, nośniki te są unoszone przez pole elektryczne istniejące między powierzchnią tlenku a powierzchnią graniczną tlenek-półprzewodnik. Na obszarach, gdzie wiązka przenika przez całą grubość tlenku, przepływ nośników w tlenku powoduje neutralizację tego pola elektrycznego tak, że powierzchnia tlenku przyjmuje potencjał półprzewodnika znajdującego się pod tlenkiem. Jeżeli grubość tlenku jest wi^kszn od głębokości wnikania wiązki, tlenek przyjmuje ładunek pod wpływem padających elektronów. Dzięki temu, przy stosowaniu wiązki elektronów o niskiej energii no obrazie elektronów wtórnych istnieją różnice w jasności ze względu na różnice w grubości tlenków. Rys. 14c i b przedstawia przykłcd tlenków przy różnych energiach wiązki elektronów. Przy napięciu wiązki 10 kv wiązka elektronów przenika całą grubość tlenku i nie zauważa się już żadnych różnic w ich grubości. Interesującym przykładem możliwości obserwacji złącz elektrycznych poprzez obrazy prądu indukowanego wiązką elektronów jest jeden z tranzystorów BF 214. Obrazy prądu indukowanego wiązką elektronów w poszczególnych złączach przedstawia rys. 15a i b /rys. 15a -prąd indukowany wiązką elektronów w złączu EB, rys. 15b - prąd indukowany wiązką elektronów w złączu CB/. W tranzystorze tym uwidacznia się tylko jeden obszar emitera. Oznacza to, że brak jest elektrycznego kontaktu z drugim obszarem emitera. Obserwacje za^pomocą mikroskopu optycznego i obserwacje topografii na obrazie elektronów wtórnych nie wykazały przerwy wstążki aluminiowej. Następny rysunek/rys. 16/ przedstawia przykład tranzystora wykazującego upływności przy pomiarach parametrów elektrycznych. Zauważa się nieprawidłowy kształt maski przy dyfuzji obszaru bazy/rys. lóa/ oraz przesunięcie metalizacji bazy. Nie powinno to mieć wpływu rw parametry elektryczne, ponieważ obserwowano podobne zjawisko na innych tranzystorach z prawidłowym przebiegiem charakterystyk. Istotną różnicę w porównoniu do innych dobrych tranzystorów tego typu stanowi wygląd złącza elektrycznego EB, obserwowany w obrazie prądu indukowanego wiązką elektronów w tym złączu/rys. 16b/. W dwóch obszarach zauważa się rozmycie złącza EB. Rys. 16c jest rwłożonym obrazem wyglądu tranzystora i dwóch fragmentów obrazu prądu indukowanego wiązką elektronów w złączu EB w celu ułatwienia lokalizacji obserwowanych rozmyć. Drugim zauważalnym efektem jest znaczne poszerzenie /w stosunku do innych tranzystorów o prawidłowych charakterystykach elektrycznycl/ obrazu złącza CB -/ys. lód/. Ostatni przedstawiony przykład stanowi najb>ardziej interesującą możliwość badań uszkodzeń elementów i nieprawidłowych parametrów ich pracy. Badania krzemowych tranzystorów epiplonarnycl^przy wykorzystaniu metodyki jaką umożliwia skaningowy mikroskop elektronowy,są kontynuowane. Zamieszczone wyniki stanowią fragment pracy wykononej w Z-1.wspólnie z Pracownią Badań Niezawodności DKJ-TEWA nad poprawą jakości krzemowych tranzystorów epiplanarnych [9j. Przedstawione przykłady wykonanych badań zwracają uwagę no poszerzenie i ułatwienie badań zarówno w zakresie technologii materiałów pomocniczych stosowanych w elektronice, jak i badań gotowych elementów półprzewodnikowych. 37

LITERATURA 1. Malta R.: Sol.State Technol., nr 1, s.34, 1969. 2. Jeol News, Vol. 6M nr 2, s.4, 1968. 3. Thornhill J., Mackintosh M.: Micr. and Reliab., Vol. 4 s. 97, 1965. 4. Davies J., Hughes K., Sulway D., Thornton P.: Sol. State Electr., Vol. 9, s. 275, 1966. 5. Thomas R., DixC., Koch P.: MIcroelectr. nr 3, s. 41, 1970. 6. Lukianoff G.: Sol. State Technol., nr 3, s. 39, 1971. 7. Thornton P., Hughes K.: Micr. and Reliab., Vol. 6, nr 1, s.9, 1967. 8. Sadłowska E.: Biuletyn Informacyjny - Półprzewodniki, nr 2, s. 3, 1970. 9. Pawłowska M., Kulig L., Sadłowska E.: Sprawozdanie wewnętrzne ONPMP "Opracowanie metodyki badań defektów w krzemowych elementach epiplanarnych przy pomocy elektronowego mikroskopu skaningowego' listopad 1973 r. Irena SKRZYNECKA Zakład Technologii Dyfuzji ITE Badania zależności składu i struictury chemicznie osadzanych warstw azotl(u krzemu od parametrów procesu technologicznego WSTĘP Stosowanie amorficznych warstw azotku krzemu/si3n4/ w mikroelektronice /np. do pasywacji półprzewodnikowych przyrządów i układów scalonych, maskowania procesów trawienia i utleniania krzemu w technologii izolacji tlenkowej oraz jako warstwy dielektrycznej w przyrządach polowych/staje się ostatnio coraz częstsze. Główną zaletą azotku krzemu, w porównaniu z termicznym dwutlenkiem krzemu, jest ich duża gęstość. Wiąże się z nią szczególnie wysoka odpornosć na zanieczyszczenia jonami i domieszkami oraz szereg innych korzystnych właściwości, jak np. duża wartość wytrzymałości dielektrycznej i przenikałności dielektrycznej [l]. Najczęściej stosowaną metodą otrzymywania tych warstw jest chemiczne osadzanie w wyniku reakcji bezwodnego amoniaku z silanem [2,3] lub czterochlorkiem krzemu [4] w zakresie temperatur rzędu 800-1000 C. Jednakże, w porównaniu z procesem utleniania termicznego, proces osadzania warstw Si3N4 jest bardziej złożony i trudniejszy do kontrolowania. Dokładny stosunek ilości atomów krzemu do ilości atomów azotu w warstwie silnie zależy od czystości reagentów i warunków procesu; dlatego kontrola tych warunków jest szczególnie ważno. 38