Grafen perspektywy zastosowań
|
|
- Patryk Osiński
- 8 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Grafen perspektywy zastosowań Paweł Szroeder 3 czerwca 2014 Spis treści 1 Wprowadzenie 1 2 Właściwości grafenu 2 3 Perspektywy zastosowań Procesory Analogoweelementy Czujniki Elektronikaelastyczna Podsumowanie 4 Spis rysunków 1 Heksagonalna struktura krystaliczna grafitu, grafenu oraz nanoruki węglowej Ruchliwość elektronowa oraz szerokość przerwy wzbronionej w grafenie iwybranychpółprzewodnikach Wprowadzenie Grafen jest pierwszym dostępnym do badań i zastosowań materiałem dwuwymiarowym. Za jego odkrycie Andre Geim oraz Konstatin Novoselov uhonorowani zostali w 2010 roku nagrodą Nobla w dziedzinie fizyki. W chwili obecnej jesteśmy świadkami wdrażania pierwszych rentownych przemysłowo technologii, które pojawiają się w dziedzinach związanych z energią odnawialną oraz w elektronice. Firmy azjatyckie wykorzystują grafen komercyjnie w tzw. elastycznej elektronice. Innym spektakularnym przykładem jest produkcja tranzystorów o częstotliwości setek GHz, o której donosi firma IBM[3]. Ponieważ grafen, jak również inne materiały dwuwymiarowe, może stać się kołem napędowym wielu gałęzi przemysłu, uruchamiane są liczne programy badawcze finansowane zarówno ze środków prywatnych, jak i publicznych. W dziedzinie rozwoju technologii grafenowych istnieje silna konkurencja pomiędzy ośrodkami badawczymi w USA, Azji i Europie. 1
2 Rysunek 1: Heksagonalna struktura krystaliczna grafitu, grafenu oraz nanoruki węglowej. 2 Właściwościgrafenu Idealny kryształ grafenu zbudowany jest z heksagonalnych pierścieni węglowych, które tworzą nieskończoną warstwę o grubości atomowej(rys. 1). Do czasu eksperymentów Geima i Novoselova[1], którzy zastosowali prostą metodę odrywania za pomocą taśmy przylepnej poszczególnych warstw grafitu aż do uzyskania pojedynczych warstw grafenu transferowanych na podłoże tlenku krzemu, istniało przekonanie, że grafen jest niestabilny termodynamicznie i nie może istnieć jako izolowana struktura. Jak wykazały liczne eksperymenty, grafen uzyskiwany metodą Geima posiada bardzo pożądane właściwości elektronowe, elektryczne, mechaniczne i chemiczne. Najważniejszaznichpoleganatym,żegrafenmożeprzewodzićprądnawetprzyzerowejkoncentracji ładunków elektrycznych. Jest to spowodowane oddziaływaniem elektronów z periodycznym potencjałem węglowej sieci heksagonalnej, w wyniku czego powstają nowe kwazicząsteczki o niemal zerowej masie efektywnej. W punkcie Γ pierwszej strefy Brillouina grafenu strukturę pasmową można przybliżyć przez równanie kwadratowe ǫ(k)=±3γ h2 k 2 0 2m, (1) gdziem =2 h 2 /a 2 γ 0 jestmasąefektywnąelektronu. Mała masa efektywna elektronów wyrażona formułą 1 powoduje, że poruszają się one w obrębie sieci grafenowej z prędkościami relatywistycznymi. Ruchliwość elektronów w wybranych materiałach zestawiono z grafenem na rys. 1. Dla grafenu jest najwyższa wśród wszystkich poznanych dotąd materiałów(rys. 2). 3 Perspektywyzastosowań 3.1 Procesory Inną ważną cechą grafenu jest wysoki prąd nasycenia, dzięki czemu daje się w grafenie uzyskiwać duże gęstości prądu. Oprócz bardzo dobrego przewodnictwa elektrycznego grafen charakteryzuje się również dobrym przewodnictwem cieplnym. Z tego powodu 2
3 Rysunek 2: Ruchliwość elektronowa oraz szerokość przerwy wzbronionej w grafenie i wybranych półprzewodnikach. grafen jest idealnym materiałem do zastosowań w elektronice, można bowiem uzyskiwać duże moce z jednostkowej objętości elementów. Ze względu na planarną geometrię jest on bardziej kompatybilny z konwencjonalnymi technologiami elektronicznymi niż np. nanorurki węglowe. Geometria grafenu ogranicza reaktancje pasożytnicze, które stanowią duży problem w urządzeniach wysokiej częstotliwości. 3.2 Analogoweelementy Z punktu widzenia zastosowań w elektronice ważna jest również cecha przewodnictwa ambipolarnego[2]. Polega ono na tym, że za pomocą napięcia bramki można sterować typem przewodnictwa tego materiału. Właściwość ta może zostać wykorzystana w konstrukcji wielu elementów analogowych, takich jak zwielokratniacze częstotliwości, mieszacze, sterowalne elementy prostujące, wzmacniacze niskoszumowe oraz inne elementy elektroniczne o częstotliwości pracy sięgającej THz. 3.3 Czujniki Molekuły zaadsorbowane na powierzchni grafenu bardzo silnie, w porównaniu ze zwykłymi kryształami objętościowymi, wpływają na właściwości elektronowe samego grafenu, co pozwala na wykrywanie nawet pojedynczych molekuł. Z tego powodu prowadzone są liczne prace nad zastosowaniem grafenu jako ultraczułego detektora gazów. 3.4 Elektronikaelastyczna Właściwości mechaniczne, w tym wytrzymałość na naprężenia około 200 razy większą od stali, otwierają kolejne pole zastosowań grafenu w elastycznej elektronice. Ważną 3
4 inicjatywą w tej dziedzinie jest europejski projekt Morph realizowany wspólnie przez koncern Nokia oraz Cambridge University. Koncepcja programu Morph polega na wykorzystaniu właściwości grafenu do wytwarzania rozciągliwych i elastycznych urządzeń, których kształt można zmieniać w zależności od potrzeb użytkownika. Grafen jest kluczowym materiałem do wytwarzania obwodów elektrycznych, które będą drukowane na foliach polimerowych. 4 Podsumowanie Jak wynika z raportu BCC Research publikowanego w lutym 2011, przewiduje się, że pierwsze komercyjnie dostępne produkty grafenowe zostaną opracowane przed 2015 rokiem, w którym rynek grafenowy jest szacowany na 67 mln $. Wówczas powinno obserwowaćsięstaływzrostażdopoziomu675mln$w2020roku. Głównym kołem napędowym rozwoju tego rynku będzie potrzeba zwiększenia wydajności i szybkości działania urządzeń elektronicznych oraz konieczność redukowania kosztów i zwiększania bezpieczeństwa w lotnictwie i zastosowaniach militarnych, jak również zwiększenie efektywności działania urządzeń służących do wytwarzania energii odnawialnej. Grafen jest intensywnie badanym materiałem w ośrodkach badawczych na całym świecie. Duży nakład pracy i kosztów przeznaczonych na te badania wiąże się z wysokimi, jak na materiał odkryty 10 lat temu, oczekiwaniami od terahercowych procesorów do wyświetlaczy, ogniw paliwowych, ogniw słonecznych, czujników i do magazynowania wodoru. 4
5 Skorowidz masa efektywna, 2 nanorurki węglowe, 3 przewodnictwo ambipolarne, 3 tranzystor, 1 5
6 Literatura [1]K.S.Novoselov,A.K.Geim,S.V.Morozov,D.Jiang,Y.Zhang,S.V.Dubonos, and I. V. Grigoriev. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science, 306: , [2]H.Wang,A.Hsu,J.Wu,andJ.Kong.Graphene-basedambipolarrfmixers.IEEE, 31: , [3]Y.Wu,Y.Lin,A.A.Bol,K.A.Jenkins,andFengnianXia.High-frequency,scaled graphene transistors on diamond-like carbon. Nature, 472:74 78,
GRAFEN. Prof. dr hab. A. Jeleński. Instytut Technologii MateriałówElektronicznych Ul.Wólczyńska 133 01-919 Warszawa www.itme.edu.
GRAFEN Prof. dr hab. A. Jeleński Instytut Technologii MateriałówElektronicznych Ul.Wólczyńska 133 01-919 Warszawa www.itme.edu.pl SPIS TREŚCI Czy potrzeba nowych materiałów? Co to jest grafen? Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoGrafen. Poprzednio. Poprzednio
Elektronika plastikowa i organiczna Grafen Poprzednio Poprzednio Metody syntezy związków organicznych pozwalają na tworzenie półprzewodników organicznych o zadanych własnościach mechanicznych i elektrooptycznych
Bardziej szczegółowoGrafen materiał XXI wieku!?
Grafen materiał XXI wieku!? Badania grafenu w aspekcie jego zastosowań w sensoryce i metrologii Tadeusz Pustelny Plan prezentacji: 1. Wybrane właściwości fizyczne grafenu 2. Grafen materiał 21-go wieku?
Bardziej szczegółowoZjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski
Plan referatu Zjawisko Halla Referujący: Tomasz Winiarski 1. Podstawowe definicje ffl wektory: E, B, ffl nośniki ładunku: elektrony i dziury, ffl podział ciał stałych ze względu na własności elektryczne:
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoEnergia emitowana przez Słońce
Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy
Bardziej szczegółowoWykorzystanie Grafenu do walki z nowotworami. Kacper Kołodziej, Jan Balcerak, Justyna Kończewska
Wykorzystanie Grafenu do walki z nowotworami Kacper Kołodziej, Jan Balcerak, Justyna Kończewska Spis treści: 1. Co to jest grafen? Budowa i właściwości. 2. Zastosowanie grafenu. 3. Dlaczego może być wykorzystany
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoGrafen i jego własności
Grafen i jego własności Jacek Baranowski Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Wydział Fizyki, Uniwersytet Warszawski W Polsce są duże pokłady węgla, niestety nie można ich przerobić na grafen,
Bardziej szczegółowoTEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH
TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH Skolektywizowane elektrony w metalu Weźmy pod uwagę pewną ilość atomów jakiegoś metalu, np. sodu. Pojedynczy atom sodu zawiera 11 elektronów o konfiguracji 1s 2 2s 2 2p 6 3s
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM ELEKTRONIKI ĆWICZENIE 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych złączowych Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 6. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Metal-półprzewodnik
Repeta z wykładu nr 6 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 - kontakt omowy
Bardziej szczegółowopółprzewodniki Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Struktura krystaliczna Dygresja Sebastian Maćkowski
Plan na dzisiaj Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowoSpalanie detonacyjne - czy to się opłaca?
Spalanie detonacyjne - czy to się opłaca? Mgr inż. Dariusz Ejmocki Spalanie Spalanie jest egzotermiczną reakcją chemiczną syntezy, zdolną do samoczynnego przemieszczania się w przestrzeni wypełnionej substratami.
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoWykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych
Wykład VI Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie
Bardziej szczegółowoNobel 2010 z fizyki grafen
FOTON 111, Zima 2010 13 Nobel 2010 z fizyki grafen Adam Rycerz Instytut Fizyki UJ Tegoroczna Nagroda Nobla z fizyki została przyznana za odkrycie zupełnie nieoczekiwane. Komitet Noblowski uhonorował Andre
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoJak elektronicy mogą zarobić na grafenie?
piątek, 24 czerwca 2011 10:27 Wywiad Naczelnego Redaktora Magazynu ``Elektronik`` dr inż. Roberta Magdziaka z dr inż. Włodzimierzem Strupińskim z Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych Jak elektronicy
Bardziej szczegółowoWykład III. Teoria pasmowa ciał stałych
Wykład III Teoria pasmowa ciał stałych Energia elektronu (ev) Powstawanie pasm w krysztale sodu pasmo walencyjne (zapełnione częściowo) Konfiguracja w izolowanym atomie Na: 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 Ne Położenie
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA WYTWARZANIA WYROBÓW MECHATRONICZNYCH. Opiekun specjalności: Prof. nzw. dr hab. inż. Leszek Kudła
INŻYNIERIA WYTWARZANIA WYROBÓW MECHATRONICZNYCH Opiekun specjalności: Prof. nzw. dr hab. inż. Leszek Kudła Dydaktyka Dużo czasu wolnego na prace własną Wiedza + doświadczenie - Techniki mikromontażu elementów
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoCienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n. Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
POLITECHNIKA ŁÓDZKA WYDZIAŁ CHEMII KATEDRA FIZYKI MOLEKULARNEJ Izabela Tszydel Cienkowarstwowe organiczne tranzystory polowe z kanałem typu n Thin Film Organic Field Effect Transistors with n-type channel
Bardziej szczegółowopromotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Bardziej szczegółowoBadania własności optycznych grafenu
Badania własności optycznych grafenu Mateusz Klepuszewski 1, Aleksander Płocharski 1, Teresa Kulka 2, Katarzyna Gołasa 3 1 III Liceum Ogólnokształcące im. Unii Europejskiej, Berlinga 5, 07-410 Ostrołęka
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis
Wykład II Monokryształy Jerzy Lis Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów - krystalografia 3. Budowa kryształów rzeczywistych defekty WPROWADZENIE Stan krystaliczny jest podstawową
Bardziej szczegółowoLaboratorium z Konwersji Energii. Ogniwo Paliwowe PEM
Laboratorium z Konwersji Energii Ogniwo Paliwowe PEM 1.0 WSTĘP Ogniwo paliwowe typu PEM (ang. PEM FC) Ogniwa paliwowe są urządzeniami elektro chemicznymi, stanowiącymi przełom w dziedzinie źródeł energii,
Bardziej szczegółowoFrialit -Degussit Ceramika tlenkowa Puszki oddzielające do pomp magnetycznych
Frialit -Degussit Ceramika tlenkowa Puszki oddzielające do pomp magnetycznych Zastosowanie: Pompy ze sprzęgłem magnetycznym w przemyśle chemicznym Materiał: Tlenek cyrkonu FRIALIT FZM Produkcja Friatec
Bardziej szczegółowoFotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski
Fotowoltaika i sensory w proekologicznym rozwoju Małopolski Photovoltaic and Sensors in Environmental Development of Malopolska Region ZWIĘKSZANIE WYDAJNOŚCI SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH Plan prezentacji
Bardziej szczegółowoRECENZJA pracy doktorskiej Pana mgr inż. Mateusza Ciszewskiego pt.: Badania procesu utleniania grafitu wybranymi pierwiastkami i ich związkami
Prof. dr hab. inż. Mieczysław Łapkowski Gliwice, 10.10.2014 Katedra Fizykochemii i Technologii Polimerów Wydział Chemiczny Politechnika Śląska w Gliwicach RECENZJA pracy doktorskiej Pana mgr inż. Mateusza
Bardziej szczegółowo2013 02 27 2 1. Jakie warstwy zostały wyhodowane w celu uzyskania 2DEG? (szkic?) 2. Gdzie było domieszkowanie? Dlaczego jako domieszek użyto w próbce atomy krzemu? 3. Jaki kształt miała próbka? 4. W jaki
Bardziej szczegółowoTechnika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2
Sławomir Kulesza Technika cyfrowa Inżynieria dyskretna cz. 2 Wykład dla studentów III roku Informatyki Wersja 5.0, 10/10/2015 Generacje układów scalonych Stopień scalenia Liczba elementów aktywnych Zastosowania
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoFizyka Ciała Stałego
Wykład III Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć krystaliczną. Amorficzne, brak uporządkowania,
Bardziej szczegółowoSpis treści. Wykaz ważniejszych oznaczeń i jednostek 13 Przedmowa 17 Wstęp Odnawialne źródła energii 72
Spis treści Wykaz ważniejszych oznaczeń i jednostek 13 Przedmowa 17 Wstęp 19 1_ Charakterystyka obecnego stanu środowiska 21.1. Wprowadzenie 21.2. Energetyka konwencjonalna 23.2.1. Paliwa naturalne, zasoby
Bardziej szczegółowoCzym jest aerogel? Izolacja aerogelem zapewnia maksimum ochrony termicznej przy minimalnej wadze i grubości.
Czym jest aerogel? Otrzymany w 1931 roku aerożel składa się w ponad 90% z powietrza, co czyni go bardzo skutecznym izolatorem o najniższym przewodnictwie termicznym. Aspen Aerogels uczynił z aerożelu bardzo
Bardziej szczegółowoZastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym.
ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym. RYS HISTORICZNY ROZWOJU ELEKTRONIKI Elektronika
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoElektronika z plastyku
Elektronika z plastyku Adam Proń 1,2 i Renata Rybakiewicz 2 1 Komisariat ds Energii Atomowej, Grenoble 2 Wydział Chemiczny Politechniki Warszawskiej Elektronika krzemowa Krzem Jan Czochralski 1885-1953
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowo5. Tranzystor bipolarny
5. Tranzystor bipolarny Tranzystor jest to trójkońcówkowy element półprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnałów prądu stałego i zmiennego. Każdy tranzystor jest zatem wzmacniaczem. Definicja wzmacniacza:
Bardziej szczegółowoKryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl
Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie. Dr inż. KAROL STRZAŁKOWSKI Instytut Fizyki UMK w Toruniu skaroll@fizyka.umk.pl Plan ogólny Kryształy, półprzewodniki, nanotechnologie, czyli czym będziemy się
Bardziej szczegółowoPolitechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Materiały magnetyczne Właściwości podstawowych materiałów magnetycznych
Bardziej szczegółowoFizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a
Fizyka 3.3 prof.dr hab. Ewa Popko www.if.pwr.wroc.pl/~popko ewa.popko@pwr.edu.pl p.231a Fizyka 3.3 Literatura 1.J.Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej WNT Warszawa 1995. 2.W.Marciniak Przyrządy
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoBADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH
POZNAN UNIVE RSITY OF TE CHNOLOGY ACADE MIC JOURNALS No 70 Electrical Engineering 2012 Bartosz CERAN* BADANIA MODELOWE OGNIW SŁONECZNYCH W artykule przedstawiono model matematyczny modułu fotowoltaicznego.
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoKrawędź absorpcji podstawowej
Obecność przerwy energetycznej między pasmami przewodnictwa i walencyjnym powoduje obserwację w eksperymencie absorpcyjnym krawędzi podstawowej. Dla padającego promieniowania oznacza to przejście z ośrodka
Bardziej szczegółowoW warunkach domowych. Ułatwiając życie człowiekowi. I pomagając przyrodzie
W warunkach domowych. Ułatwiając życie człowiekowi. I pomagając przyrodzie Liczne elementy o estetycznym wyglądzie rozmieszczone na możliwie najmniejszej powierzchni jest to wykonalne tylko dzięki zastosowaniu
Bardziej szczegółowoFizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak
Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Politechnika Łódzka
Bardziej szczegółowowww.nmc.eu NMC Polska Sp.Zo.o. UI.Pyskowicka 15 - PL - 41807 Zabrze Phone: +48 32 373 24 45 Fax +48 32 373 24 43 biuro@nmc.pl
IWITSNT10 - NMC sa, 2012 - Resp. Publisher: NMC sa - Gert-Noël-Str. - B-4731 B-Eynatten NMC Polska Sp.Zo.o. UI.Pyskowicka 15 - PL - 41807 Zabrze Phone: +48 32 373 24 45 Fax +48 32 373 24 43 biuro@nmc.pl
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 4
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2009 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe JFET, MOSFET
Tranzystory polowe JFET, MOSFET Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Tranzystor polowy złączowy JFET Zasada
Bardziej szczegółowoPrąd elektryczny - przepływ ładunku
Prąd elektryczny - przepływ ładunku I Q t Natężenie prądu jest to ilość ładunku Q przepływającego przez dowolny przekrój przewodnika w ciągu jednostki czasu t. Dla prądu stałego natężenie prądu I jest
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoIV. TRANZYSTOR POLOWY
1 IV. TRANZYSTOR POLOWY Cel ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora polowego złączowego. Zagadnienia: zasada działania tranzystora FET 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z
Bardziej szczegółowoMATERIA. = m i liczby całkowite. ciała stałe. - kryształy - ciała bezpostaciowe (amorficzne) - ciecze KRYSZTAŁY. Periodyczność
MATERIA ciała stałe - kryształy - ciała bezpostaciowe (amorficzne) - ciecze - gazy KRYSZTAŁY Periodyczność Kryształ (idealny) struktura zbudowana z powtarzających się w przestrzeni periodycznie identycznych
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Pasma energetyczne. Pasma energetyczne
Pasma energetyczne Niedostatki modelu gazu Fermiego elektronów swobodnych Pomimo wielu sukcesów model nie jest w stanie wyjaśnić następujących zagadnień: 1. różnica między metalami, półmetalami, półprzewodnikami
Bardziej szczegółowoNowoczesna fotowoltaika Immergas - efektywne wytwarzanie prądu i ciepła
Nowoczesna fotowoltaika Immergas - efektywne wytwarzanie prądu i ciepła Fotowoltaika, technologia umożliwiająca przemianę światła słonecznego bezpośrednio na energię elektryczną, jest jednym z najszybciej
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 8
Podstawy fizyki wykład 8 Dr Piotr Sitarek Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska Ładunek elektryczny Grecy ok. 600 r p.n.e. odkryli, że bursztyn potarty o wełnę przyciąga inne (drobne) przedmioty. słowo
Bardziej szczegółowoWYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ
WYDZIAŁ FIZYKI, MATEMATYKI I INFORMATYKI POLITECHNIKI KRAKOWSKIEJ Instytut Fizyki LABORATORIUM PODSTAW ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I MIERNICTWA ĆWICZENIE 2 Charakterystyki tranzystora polowego POJĘCIA
Bardziej szczegółowoZaburzenia periodyczności sieci krystalicznej
Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej Defekty liniowe dyslokacja krawędziowa dyslokacja śrubowa dyslokacja mieszana Defekty punktowe obcy atom w węźle luka w sieci (defekt Schottky ego) obcy atom
Bardziej szczegółowoModel wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2
Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2 + Współrzędne elektronu i protonów Orbitale wiążący i antywiążący otrzymane jako kombinacje orbitali atomowych Orbital wiążący duża gęstość ładunku między jądrami
Bardziej szczegółowoE12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa
1/5 E12. Wyznaczanie parametrów użytkowych fotoogniwa Celem ćwiczenia jest poznanie podstaw zjawiska konwersji energii świetlnej na elektryczną, zasad działania fotoogniwa oraz wyznaczenie jego podstawowych
Bardziej szczegółowoHSMG. Prawdziwy grafen jest tylko jeden. www.advancedgrapheneproducts.com
HSMG TM Prawdziwy grafen jest tylko jeden. www.advancedgrapheneproducts.com 03. 05. 13. 20. 02 Grafen O firmie AGP O grafenie HSMG Współpraca i kontakt Czym jest grafen Grafen to płaska struktura złożona
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach dr hab. inż. Mirosław Bućko, prof. AGH B-8, p. 1.13, tel
Nauka o Materiałach dr hab. inż. Mirosław Bućko, prof. AGH B-8, p. 1.13, tel. 12 617 3572 www.kcimo.pl, bucko@agh.edu.pl Plan wykładów Monokryształy, Materiały amorficzne i szkła, Polikryształy budowa,
Bardziej szczegółowoOpracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoNadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.
Nadprzewodniki Pewna klasa materiałów wykazuje prawie zerową oporność (R=0) poniżej pewnej temperatury zwanej temperaturą krytyczną T c Większość przewodników wykazuje nadprzewodnictwo dopiero w temperaturze
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 4. Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
Ćwiczenie 4 Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET Cel ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych tranzystorów polowych złączowych oraz z izolowaną
Bardziej szczegółowo6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE
6. TRANZYSTORY UNIPOLARNE 6.1. WSTĘP Tranzystory unipolarne, inaczej polowe, są przyrządami półprzewodnikowymi, których działanie polega na sterowaniu za pomocą pola elektrycznego wielkością prądu przez
Bardziej szczegółowoRuch ładunków w polu magnetycznym
Ruch ładunków w polu magnetycznym Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Ruch ładunków w polu magnetycznym
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoMemrystor. mgr inż. Piotr Kyzioł Zakład Teorii Obwodów i Sygnałów, Instytut Elektroniki Politechnika Śląska
Memrystor mgr inż. Piotr Kyzioł e-mail: Piotr.Kyziol@polsl.pl Zakład Teorii Obwodów i Sygnałów, Instytut Elektroniki Politechnika Śląska 1 Plan prezentacji Wstęp teoretyczny Memrystor Analogia hydrauliczna
Bardziej szczegółowoGAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO.
GAZ ELEKTRONÓW SWOBODNYCH POWYŻEJ ZERA BEZWZGLĘDNEGO. Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca T=0K T>0K 1 f ( E ) = 0 dla dla E E F E > EF f ( E, T ) 1 = E E F kt e + 1 1 T>0K Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca
Bardziej szczegółowo1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych.
Tematy opisowe 1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych. 2. Dlaczego do kadłubów statków, doków, falochronów i filarów mostów przymocowuje się płyty z
Bardziej szczegółowo7 czerwca
www.puds.pl 7 czerwca 2008 LDX 2101 i 2304 Wysoko opłacalne stale Duplex, jako alternatywa dla austenitycznych gatunków w stali nierdzewnych www.outokumpu.com Zagadnienia Omawiane gatunki stali Korozja
Bardziej szczegółowoMateriały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej
Materiały pomocnicze 10 do zajęć wyrównawczych z Fizyki dla Inżynierii i Gospodarki Wodnej 1. Siła Coulomba. F q q = k r 1 = 1 4πεε 0 q q r 1. Pole elektrostatyczne. To przestrzeń, w której na ładunek
Bardziej szczegółowo