Zarys historii elektroniki
|
|
- Danuta Łuczak
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Zarys historii elektroniki Wrocław 2010 Elektronika to dziedzina techniki, nauki zajmująca się praktycznym zastosowaniem zjawisk związanych z dającym się sterować ruchem elektronów w próżni, gazach i półprzewodnikach. 1
2 Odkrycie elektronu Najmniejsza porcja elektryczności = ELEKTRON Odkrycie elektronu (1897) Joseph J.Thomson ( ) Lampy elektronowe Termin elektronika pojawił się na początku XX wieku dla opisania zastosowań lamp elektronowych. Lampa katodowa (protoplasta kineskopu) --- Karl F. Braun (1897r.) Dioda próżniowa --- Ambrose Fleming (1904r.) Trioda próżniowa --- Lee de Forest (1906r.) 2
3 Rozwój radiotechniki Pojawienie się lamp zapoczątkował rozwój radiotechniki i TV lampy wieloelektrodowe i elektronopromieniowe: tetroda (1919), pentoda(1927), lampy obrazowe (tv) i lampy analizujące (kamera). elektroniczny system telewizyjny (1927) Termin elektronika ugruntował swoje znaczenie stając się nazwą miesięcznika wydawanego przez znane wydawnictwo McGraw-Hill. Tranzystor bipolarny (1947) JOHN BARDEEN, WALTER BRATTAIN, WILLIAM SHOCKLEY 3
4 Lata Elektronika już w latach 40 uznana zostaje za strategiczną dziedzinę. W połowie stulecia decyduje o burzliwym rozwoju - radiotechniki, - teletechniki, - telewizji, - metrologii elektronicznej, - automatyki, - maszyn matematycznych (komputerów). Tranzystor zwiększa tempo wprowadzania elektroniki w różne dziedziny życia. Urządzenia stają się bardziej niezawodne, miniaturowe, tańsze. Tyrystor, układ scalony, laser 1956r. tyrystor - sterowanie urządzeń dużych mocy 1958r. pierwszy układ scalony (Jack Kilby) [1961r. komercyjna produkcja] 1960r. tranzystor polowy MOS 1962r. laser półprzewodnikowy systemy łączności z kanałami o b. dużych pojemnościach. Rozwój techniki laserowej otwiera nową epokę w mikromechanice, biologii, medycynie. Równoległy rozwój techniki lampowej kolorowa TV (1956r.) 4
5 Mikroelektronika Pierwszy sterowany elektronicznie robot przemysłowy(1962) Pierwszy działający satelita telekomunikacyjny Telstar(1962) Pierwszy popularny mikrokomputer PDP-8(1963) Pierwsza transmisja radiowa z Księżyca(1969) Mikroprocesor (1971) 2300 tranzystorów w monolitycznym kawałku krzemu Mikroprocesor (1997) 7,5mln tranzystorów Mikroprocesor ( ) minimalna długość kanału tranzystora nm nm nm nm... Podstawowe elementy bierne w elektronice Wrocław
6 Rezystor (opornik) Podział Najprostszy element bierny obwodu elektrycznego (elem. liniowy). I U U = RI Podział rezystorów: Rezystory stałe - elementy o wartości rezystancji ustalonej w procesie wytwarzania i nie podlegającej zmianie w czasie pracy Rezystory zmienne - elementy charakteryzujące się zmiennością rezystancji. nastawne, o konstrukcji umożliwiającej płynną, dokonywaną w sposób mechaniczny, zmianę wartości rezystancji w obwodzie (potencjometry), półprzewodnikowe (wytwarzane z półprzewodników) o rezystancji zmieniającej się w znacznym przedziale wartości pod wpływem rozmaitych czynników zewnętrznych, są to np. termistory, magnetorezystory, fotorezystory. Rezystor (opornik) Podział Ważne znaczenie ma klasyfikacja objęta międzynarodowym systemem normalizacyjnym (IEC), w której rezystory dzieli się na: typu1, tj. wysokostabilne i precyzyjne, typu2, tj. powszechnego stosowania. Niekiedy wyróżnia się rezystory mające szczególnie kształtowane wartości niektórych parametrów, przykładem mogą być rezystory: wysokonapięciowe (> 1 kv), wysokoomowe (> 10 MΩ), dużej mocy (> 2 W), wysokotemperaturowe (> 175 C), precyzyjne (< 1%), itp., 6
7 Rezystor (opornik) Parametry Rezystancja (0.1Ω 10MΩ szeregi E12(10%)? i E24(5%)? Moc (1/8 5W) Maksymalne napięcie (100V 1000V) Stabilność termiczna (10ppm/deg 500ppm/deg) termistory? Stabilność czasowa (np.. 1%/1000h) Indukcyjność pasożytnicza (indukcyjność doprowadzeń 6-8nH) Pojemność (0.1pF 5pF) Nieliniowość (R=R(U) rzędu 0.01%/V) Rezystor (opornik) Model C~0,5pF R L~5-10nH C~0.5pF C~0.5pF 7
8 Rezystor (opornik) Przykładowe rezystory Kondensator (pojemność) Zbudowany jest z dwóch okładek (przewodników) rozdzielonych dielektrykiem u(t) Podłączenie napięcia do okładek kondensatora powoduje zgromadzenie się na nich ładunku elektrycznego. Po zaniku napięcia, ładunki utrzymują się na okładkach siłami przyciągania elektrostatycznego. Kondensator charakteryzuj pojemność określająca zdolność kondensatora do gromadzenia ładunku: Q C = U i(t) du i( t) = C ; dt t 1 u( t) = i( t) dt + u( o) C 0 8
9 Kondensator Parametry Pojemność (0.1pF 5F; szeregi E6 E12) Napięcie przebicia (5V 10kV) Polaryzacja (dla kondensatorów elektrolitycznych!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!) Rezystancja upływu (0-10µA) Stratność (rodzaj dielektryka i upływność) Rezystancja szeregowa Stabilność termiczna (rodzaj dielektryka np. NP0.) Prąd maksymalny (szczególnie impulsowy) Indukcyjność doprowadzeń Kondensator Model RU C RS L C~0.5pF C~0.5pF 9
10 Kondensator Przykładowe kondensatory Kondensator Rodzaje Typ kondensatora Zakres pojemności Napięcie przebicia [V] Dokładno adność Upływ yw- ność Stałość tempera- turowa Uwagi Mikowy 1 pf-0,01uf mała doskonały; dobry w układach w.cz. Ceramiczny 10pF-luF 50-30k kiepska Zależy y od rodzaju ceramiki średnia mały, niedrogi, bardzo popularny Poliestrowy 0,001uF- 50jiF kiepska mała tani, dobry, bardzo po pularny pularny Polistyrenowy (styrofleksowy styrofleksowy) 10pF-2,7uF b. b.mała wysokiej jakości, o dużych wymiarach, dobry do filtracji sygnałów Poliwęglanowy 100pF-30uF b. znakomita mała wysokiej jakości, o ma łych wymiarach Polipropylenowy 100pF-50uF b. b.mała wysokiej jakości, mała absorpcja dielektryczna Teflonowy 1 nf-2uf b. najlepsza b.b.mała wysokiej jakości, najmniejsza absorpcja dielektryczna 10
11 Kondensator Rodzaje Typ kondensatora Zakres pojemności Napięcie przebicia [V] Upływ yw- ność Dokła- dność Stałość temperatur o-wa Uwagi Szklany 10pF-l000pF b.mała duża a stałość długoczasowa pojemności Porcelanowy 100 pf-0,1uf mała dobry, duża a stałość długoczasowa pojemności Tantalowy 0,1 uf-500uf kiepska kiepska duże e pojemności, polaryzowany, małe wymiary; mała a indukcyjność własna; Elektrolityczny aluminiowy 0,1uF-1F 1F zła okropna b.duża filtry w zasilaczach; polaryzowany, krótki czas życia Buck-up up 0,1 F-10F F 1,5-6 kiepska kiepska mała do podtrzymywania za warto wartości pamięci; du ża rezystancja szerego wa Olejowy 0,1 uf-20uf k mała filtry wysokonapięcio cio we; duże e wymiary; długi d czas życia Próżniowy 1 pf-5nf 2k-36k b.mała Układy w.cz. Cewka (indukcyjność) Jest elementem zdolnym do gromadzenia energii w wytwarzanym polu magnetycznym. u(t) t 1 di i( t) = u t dt + i u t = L L ( ) (0); ( ) dt i(t) 0 Indukcyjność (szereg E12 tylko dla dławików małej dobroci) A L [nh/zw 2 ] - stała rdzenia (L = A L z 2 ) Rezystancja szeregowa - dobroć Naskórkowość Nieliniowość i histereza rdzenia, straty w rdzeniu Maksymalny prąd (nasycenie materiału rdzenia Bmax=0,2-1.6T) Maksymalne napięcie pracy (przebicie międzyuzwojeniowe) 11
12 Cewka Model C RS L C~0.5pF C~0.5pF Cewka Przykładowe cewki i transformatory 12
Zarys historii elektroniki
Zarys historii elektroniki Wrocław 2014 - początek pierwszy kalkulator (ok.1500)?? 1 - początek Radio 1900?? Nicola Tesla 1856-1943 Radio - metoda przekazu informacji na odległość za pomocą fal radiowych.
Bardziej szczegółowoElementy bierne. Model rezystora (opornika) Rezystory - oznaczenia
Elementy bierne Model rezystora (opornika) Istotne parametry: Rezystancja (0.1Ω 10MΩ szeregi E12(10%)? i E24(5%)?) Moc (0,125 5) W Maksymalne napięcie (100V 1000V) Stabilność termiczna (10ppm/deg 500ppm/deg)
Bardziej szczegółowoKondensatory. Konstrukcja i właściwości
Kondensatory Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Podstawowe techniczne parametry
Bardziej szczegółowoII. Elementy systemów energoelektronicznych
II. Elementy systemów energoelektronicznych II.1. Wstęp. Główne grupy elementów w układach impulsowego przetwarzania mocy: elementy bierne bezstratne (kondensatory, cewki, transformatory) elementy przełącznikowe
Bardziej szczegółowoLekcja 43. Pojemność elektryczna
Lekcja 43. Pojemność elektryczna Pojemność elektryczna przewodnika zależy od: Rozmiarów przewodnika, Obecności innych przewodników, Ośrodka w którym się dany przewodnik znajduje. Lekcja 44. Kondensator
Bardziej szczegółowo2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia
2.3. Bierne elementy regulacyjne 2.3.1. rezystory, Rezystory spełniają w laboratorium funkcje regulacyjne oraz dysypacyjne (rozpraszają energię obciążenia) Parametry rezystorów. Rezystancja znamionowa
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTONIKI Część II Podstawowe elementy elektroniczne dwójniki bierne LC Formalizm zespolony opisu napięć i prądów harmonicznie zmiennych w czasie impedancja Źródła napięcia i prądu Przekazywanie
Bardziej szczegółowoOPORNIKI POŁĄCZONE SZEREGOWO: W połączeniu szeregowym rezystancja zastępcza jest sumą poszczególnych wartości:
REZYSTOR Opornik (rezystor) najprostszy, rezystancyjny element bierny obwodu elektrycznego. Jest elementem liniowym: spadek napięcia jest wprost proporcjonalny do prądu płynącego przez opornik. Przy przepływie
Bardziej szczegółowoKondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych
Kondensatory Kondensator Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych dielektrykiem, na których zgromadzone są ładunki elektryczne jednakowej wartości ale o przeciwnych znakach. Budowa Najprostsze
Bardziej szczegółowoGrupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego:
Sprawozdanie z laboratorium elektroniki w Zakładzie Systemów i Sieci Komputerowych Temat ćwiczenia: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Sprawozdanie Rok: Grupa: Zespół:
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK. Laboratorium Inżynierii Materiałowej
Ćwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK Laboratorium Inżynierii Materiałowej 1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zbadanie stabilności cieplnej indukcyjnych oraz doświadczalne
Bardziej szczegółowoELEMENTY BIERNE STOSOWANE W ELEKTROTECHNICE
ELEMENTY BIERNE STOSOWANE W ELEKTROTECHNICE Rezystory, potencjometry. Suwakowe Rezystory Stałe Zmienne (potencjometry) Drutowe Warstwowe (węglowe) Objętościowe (5-60 W) Drutowe (1-150 W) Jednoobrotowe
Bardziej szczegółowoElementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści
Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe
Bardziej szczegółowoOczko (pętla) w obwodzie elektrycznym.
Oczko (pętla) w obwodzie elektrycznym. Startując z danego węzła w obwodzie tworzymy oczko przechodząc poprzez poszczególne elementy (można włączyć gałąź rozwartą), a następnie wracając do węzła startowego.
Bardziej szczegółowoTemat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej
Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE nr 5. Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji
Politechnika Łódzka Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych WWW.DSOD.PL LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRONICZNEJ ĆWICZENIE nr 5 Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji
Bardziej szczegółowoPodstawy elektrotechniki i elektroniki. Jarosław Borc
Podstawy elektrotechniki i elektroniki Jarosław Borc 1. Wiadomości organizacyjne Dr Jarosław Borc Katedra Fizyki Stosowanej Wydział Mechaniczny PL P. 101B budynek Zarzadzania i Podstaw Techniki j.borc@pollub.pl
Bardziej szczegółowoPrzyrządy pomiarowe w elektronice multimetr
Przyrządy pomiarowe w elektronice multimetr Miernik uniwersalny służy do pomiaru istotnych parametrów elementów elektronicznych: rezystancji pojemności napięć, prądów stałych i zmiennych (50Hz) na elementach
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoElementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości
Elementy indukcyjne Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Elementy indukcyjne Induktor
Bardziej szczegółowoHistoria elektroniki. Ryszard J. Barczyński, 2007
Historia elektroniki Ryszard J. Barczyński, 2007 Prehistoria od elektryczności do elektroniki... Detektor kryształkowy Ferdinand Braun, 1874 Ferdinand Braun stwierdził, że złącza metali i niektórych kryształów
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone
Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)
Bardziej szczegółowoInstrukcja nr 1. Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P.
Instrukcja nr 1 Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM Lab 1.1 UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: dr inż. Andrzej Hołowatyj (C3/511) holowatyj@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoTemat i plan wykładu. Elektryczność-prąd stały
Temat i plan wykładu Elektryczność-prąd stały 1. Podstawowe prawa powtórzenie 2. Kondensatory 3. Cewki indukcyjne 4. Podstawowe parametry elementów biernych Prądowe prawo Kirchhoffa Algebraiczna suma prądów
Bardziej szczegółowoWYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III
WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III I. Ochrona środowiska naturalnego Uczeń: Uczeń posiada wiadomości i Uczeń posiada wiadomości i Uczeń posiada wiadomości
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz
UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Projekt: dr inż. Jacek Ostrowski mgr inż. Piotr Dorosz Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 409 i 423 (godziny konsultacji zostaną podane
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422
UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami),
Bardziej szczegółowoPrzedmowa do wydania pierwszego... 10 Przedmowa do wydania drugiego...11 O autorze... 12 1. Lampy elektronowe... 13
3 Przedmowa do wydania pierwszego... 10 Przedmowa do wydania drugiego...11 O autorze... 12 1. Lampy elektronowe... 13 1.1. Wiadomości ogólne...15 1.2. Katody lamp elektronowych...16 1.2.1. Katody wolframowe...
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowo1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:
1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu
Bardziej szczegółowoKatedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami
Wykład: prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: dr inż. Jacek Ostrowski (ostrowsk@agh.edu.pl, C2-423) mgr inż. Piotr Dorosz (pdorosz@agh.edu.pl, C2-409) Katedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji
Bardziej szczegółowoĆ wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI
37 Ć wiczenie POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI 1. Wiadomości ogólne 1.1. Rezystancja Zasadniczą rolę w obwodach elektrycznych odgrywają przewodniki metalowe, z których wykonuje się przesyłowe
Bardziej szczegółowoPodstawowe elementy elektroniczne strona 1
Podstawowe elementy elektroniczne strona Materiały, z których wykonane są elementy elektroniczne, dzielą się na trzy grupy: przewodniki, półprzewodniki izolatory (dielektryki). Przewodniki Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoData oddania sprawozdania 19.12.2001
Robert Gabor Śl. TZN Klasa IV B Numer 9 Grupa 2 Rok szkolny 2001/2002 Data wykonania 3.12.2001 Pracownia elektryczna Sprawozdanie numer 1 (9) Temat: Multiwibratory Data oddania sprawozdania 19.12.2001
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński
Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoDiagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne
Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu
Bardziej szczegółowoTranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory
Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowoLekcja 3 Temat: Budowa obwodu prądu stałego i jego elementy
Lekcja 3 Temat: Budowa obwodu prądu stałego i jego elementy Obwód elektryczny tworzą elementy połączone ze sobą w taki sposób, że istnieje co najmniej jedna droga zamknięta dla przepływu prądu. Odwzorowaniem
Bardziej szczegółowoBudowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego
Konkurs Od Einsteina do Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Aleksander Grzymek Opiekun: mgr Marzena Wajda Parzyk Gimnazjum nr 1 im. gen. broni Stanisława Maczka w Jaworzu Początki
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 2 Pojęcia podstawowe obwodów prądu zmiennego
Pracownia Wstępna - - WYKŁAD 2 Pojęcia podstawowe obwodów prądu zmiennego Układy złożone z elementów biernych Bierne elementy elektroniczne to : opór R: u ( = Ri( indukcyjność L: di( u( = L i pojemność
Bardziej szczegółowoPrąd przemienny - wprowadzenie
Prąd przemienny - wprowadzenie Prądem zmiennym nazywa się wszelkie prądy elektryczne, dla których zależność natężenia prądu od czasu nie jest funkcją stałą. Zmienność ta może związana również ze zmianą
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI
INSTYTUT NAWIGACJI MOSKIEJ ZAKŁD ŁĄCZNOŚCI I CYBENETYKI MOSKIEJ AUTOMATYKI I ELEKTONIKA OKĘTOWA LABOATOIUM ELEKTONIKI Studia dzienne I rok studiów Specjalności: TM, IM, PHiON, AT, PM, MSI ĆWICZENIE N 2
Bardziej szczegółowoPOLE ELEKTRYCZNE PRAWO COULOMBA
POLE ELEKTRYCZNE PRAWO COULOMBA gdzie: Q, q ładunki elektryczne wyrażone w kulombach [C] r - odległość między ładunkami Q i q wyrażona w [m] ε - przenikalność elektryczna bezwzględna środowiska, w jakim
Bardziej szczegółowoAUDIO MODULATION OF TESLA COIL HIGH VOLTAGE GENERATOR MODULACJA ŹRÓDŁA WYSOKIEGO NAPIĘCIA TYPU CEWKA TESLI SYGNAŁEM DŹWIĘKOWYM
Łukasz Bajda V rok Koło Naukowe Techniki Cyfrowej dr inż. Wojciech Mysiński opiekun naukowy AUDIO MODULATION OF TESLA COIL HIGH VOLTAGE GENERATOR MODULACJA ŹRÓDŁA WYSOKIEGO NAPIĘCIA TYPU CEWKA TESLI SYGNAŁEM
Bardziej szczegółowoWykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną
Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami), E-mail: ostrowsk@agh.edu.pl
Bardziej szczegółowoELEMENTY RLC. Wykonanie: Marcin Mądrzyk
ELEMENTY RLC Wykonanie: Marcin Mądrzyk Plan prezentacji Rezystory Krótki wstęp teoretyczny Budowa Podstawowe zależności Model rezystora Parametry Szeregi nominalnych wartości Oznaczanie rezystorów Rodzaje
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1) Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDLNEGO
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoKondensatory. a)w połączeniu z elementami indukcyjnymi mogą tworzyć obwody rezonansowe
Kondensatory Kondensator o zmiennej pojemności, stosowany w starych odbiornikach radiowych 1.Kondensator - jest to element elektryczny (elektroniczny), zbudowany z dwóch przewodników (okładek) rozdzielonych
Bardziej szczegółowoPodstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude
Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Opracował: Mgr inż. Marek Staude Część 2 Analiza obwodów w stanie ustalonym przy wymuszeniu sinusoidalnym Przypomnienie ostatniego wykładu Prąd i napięcie Podstawowe
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowoTechnik mechatronik modułowy
M1. Wprowadzenie do mechatroniki Technik mechatronik modułowy Klasa 1 5 godz./tyg. 5 x 30 tyg. = 150 godz. Rozkład zajęć lekcyjnych M1. J1 Przestrzeganie przepisów bezpieczeństwa i higieny pracy w mechatronice
Bardziej szczegółowoI we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia
22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13
PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoDielektryki i Magnetyki
Dielektryki i Magnetyki Zbiór zdań rachunkowych dr inż. Tomasz Piasecki tomasz.piasecki@pwr.edu.pl Wydanie 2 - poprawione ponownie 1 marca 2018 Spis treści 1 Zadania 3 1 Elektrotechnika....................................
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowoPL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.
PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej
Bardziej szczegółowo29 PRĄD PRZEMIENNY. CZĘŚĆ 2
Włodzimierz Wolczyński 29 PRĄD PRZEMIENNY. CZĘŚĆ 2 Opory bierne Indukcyjny L - indukcyjność = Szeregowy obwód RLC Pojemnościowy C pojemność = = ( + ) = = = = Z X L Impedancja (zawada) = + ( ) φ R X C =
Bardziej szczegółowoZastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym.
ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym. RYS HISTORICZNY ROZWOJU ELEKTRONIKI Elektronika
Bardziej szczegółowoWykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała
Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoX L = jωl. Impedancja Z cewki przy danej częstotliwości jest wartością zespoloną
Cewki Wstęp. Urządzenie elektryczne charakteryzujące się indukcyjnością własną i służące do uzyskiwania silnych pól magnetycznych. Szybkość zmian prądu płynącego przez cewkę indukcyjną zależy od panującego
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoWPROWADZENIE. TWR = dr / (R * dt)
WPROWADZENIE Temperaturowy współczynnik rezystancji TCR (TWR) określa zmiany rezystancji pod wpływem temperatury. Im mniejsza wartość TCR tym bardziej stabilny rezystor. Temperaturowy współczynnik rezystancji
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA. SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (
ELEKTRONIKA SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h ( ) Wykład (IIIsem): Elementy i układy elektroniczne dr inż. Jan Deskur, pok. 626,
Bardziej szczegółowoPL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.
PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoFormalizm liczb zespolonych
Część III Elementy bierne: rezystor, kondesator, cewka Wymuszenie, odpowiedź układu Systemy liniowe i stacjonarne Prądy sinusoidalne, impedancja Dwójniki bierne: rezystancja, pojemność, indukcyjność Rezonans
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoZSME E. Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011
ZSME E T K Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011 Slajd 1: Historia kondensatorów Odkrycie kondensatora przypisuje się Pieterowi van Musschenbroekowi w styczniu 1746 roku w Lejdzie (Holandia). Nastąpiło ono
Bardziej szczegółowoSkrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych
POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział Elektryczny Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Podstaw Elektroniki bud. A-5 s.211 (a,b) Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoDielektryki Opis w domenie częstotliwości
Dielektryki Opis w domenie częstotliwości Ryszard J. Barczyński, 2013 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Opis w domenie częstotliwości
Bardziej szczegółowoPrzykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik
1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoTABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH
TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH elementy aktywne/czynne: półprzewodnikowe (tranzystory, tyrystory, układy scalone itp.), lampy próżniowe (diody, triody, pentody itd.), silniczki elementy bierne:
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 4. Indukcja elektromagnetyczna. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Wykład FIZYKA II 4. Indukcja elektromagnetyczna Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/ PRAWO INDUKCJI FARADAYA SYMETRIA W FIZYCE
Bardziej szczegółowoINDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103
INDEKS.AC... 45.DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS... 68.FOUR... 94.IC... 72.INC... 67.LIB... 92.MC... 41.MODEL... 21,42,111.NODESET... 27.NOISE... 65.OP... 19.OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT...
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Bardziej szczegółowoWiadomości podstawowe
Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów
Bardziej szczegółowoCzęść 7. Zaburzenia przewodzone. c. Filtry wejściowe
Część 7 Zaburzenia przewodzone c. Filtry wejściowe 1 Topologie filtrów Dla częstotliwości zaburzeń filtr EMI powinien być maksymalnie stratny Zasadniczo filtry EMI są dolnoprzepustowe Skuteczność zależy
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoBadanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:
Bardziej szczegółowoJednostka tematyczna. Temat lekcji/bloku zajęć praktycznych
Rozkład materiału z przedmiotu teoretycznego Elektrotechnika i elektronika. dla Technikum Zawód- Technik elektronik Klasa 1TZ Rok szkolny 2016/17 Nr programu w SZP 311408/29-08-2012. Przygotował: Zespół
Bardziej szczegółowoMiernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak
Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak ~ 1 ~ I. Właściwości elementów biernych A. Charakterystyki elementów biernych 1. Rezystor idealny (brak przesunięcia fazowego między napięciem a prądem) brak części
Bardziej szczegółowoBadanie zasilacza niestabilizowanego
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie zasilacza niestabilizowanego Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoTemat: MontaŜ mechaniczny przekaźników, radiatorów i transformatorów
Zajęcia nr 7 Temat: przekaźników, radiatorów i transformatorów I. Przekaźniki Przekaźniki to urządzenia, które pod wpływem elektrycznych sygnałów sterujących małej mocy załącza lub wyłącza kilka obwodów
Bardziej szczegółowoPrzekaźniki wysokonapięciowe K-551H, K-552H, K-553H K-554H, K-555H
K-55H, K-55H, K-55H K-55H, K-555H PIT-RADWAR S.A. 50-5 Wrocław, ul. Krakowska 6 tel. (+8) 7/-65-5, fax (+8) 7/-58-59. ZESTYKU K-55H K-55H K-55H K-55H K-555H Moc łączona max W, VA 50 0 min kv DC 7 0 7 8
Bardziej szczegółowoLaboratorium Inżynierii Materiałowej. Dwiczenie 6. Badanie stabilności temperaturowej kondensatorów i cewek
Laboratorium Inżynierii Materiałowej Dwiczenie 6. Badanie stabilności temperaturowej kondensatorów i cewek Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdaosk 2011 1.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA 1. Lutowanie lutowania ołowiowe i bezołowiowe, przebieg lutowania automatycznego (strefy grzania i przebiegi temperatur), narzędzia
Bardziej szczegółowoPrzekaźniki wysokonapięciowe K-551H, K-552H, K-553H K-554H, K-555H, K-556H
50-5 Wrocław, ul. Krakowska 6 tel. (+8) 7/-65-5, fax (+8) 7/-58-59 K-55H, K-55H, K-55H K-55H, K-555H, K-556H K-55H K-55H K-55H K-55H K-555H K-556H. ZESTYKU 0 min kv DC 7 0 7 8 9 0 Prąd łączony max A 50
Bardziej szczegółowoWYMAGANIA EDUKACYJNE Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH KL. III W ROKU SZKOLNYM 2016/2017 ZAJĘCIA ELEKTRYCZNO - ELEKTRONICZNE WYMAGANIA EDUKACYJNE
L. godz. Lp... 3. TEMATY LEKCJI Zapoznanie uczniów z programem, sposobem oceniania. BHP na lekcji i podczas użytkowania urządzeń elektrycznych. Bezpieczne użytkowanie urządzeń elektrycznych. Historia rozwoju
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoPlan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne
Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne Ścieżki edukacyjne: K edukacja ekologiczna Z edukacja zdrowotna M edukacja czytelnicza i medialna
Bardziej szczegółowoObwodem elektrycznym nazywamy zespół połączonych ze sobą elementów, umożliwiający zamknięty obieg prądu.
Opracował: mgr inż. Marcin Wieczorek www.marwie.net.pl Obwód elektryczny i jego schemat. Obwodem elektrycznym nazywamy zespół połączonych ze sobą elementów, umożliwiający zamknięty obieg prądu. Schemat
Bardziej szczegółowo