Zarys historii elektroniki

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Zarys historii elektroniki"

Transkrypt

1 Zarys historii elektroniki Wrocław 2010 Elektronika to dziedzina techniki, nauki zajmująca się praktycznym zastosowaniem zjawisk związanych z dającym się sterować ruchem elektronów w próżni, gazach i półprzewodnikach. 1

2 Odkrycie elektronu Najmniejsza porcja elektryczności = ELEKTRON Odkrycie elektronu (1897) Joseph J.Thomson ( ) Lampy elektronowe Termin elektronika pojawił się na początku XX wieku dla opisania zastosowań lamp elektronowych. Lampa katodowa (protoplasta kineskopu) --- Karl F. Braun (1897r.) Dioda próżniowa --- Ambrose Fleming (1904r.) Trioda próżniowa --- Lee de Forest (1906r.) 2

3 Rozwój radiotechniki Pojawienie się lamp zapoczątkował rozwój radiotechniki i TV lampy wieloelektrodowe i elektronopromieniowe: tetroda (1919), pentoda(1927), lampy obrazowe (tv) i lampy analizujące (kamera). elektroniczny system telewizyjny (1927) Termin elektronika ugruntował swoje znaczenie stając się nazwą miesięcznika wydawanego przez znane wydawnictwo McGraw-Hill. Tranzystor bipolarny (1947) JOHN BARDEEN, WALTER BRATTAIN, WILLIAM SHOCKLEY 3

4 Lata Elektronika już w latach 40 uznana zostaje za strategiczną dziedzinę. W połowie stulecia decyduje o burzliwym rozwoju - radiotechniki, - teletechniki, - telewizji, - metrologii elektronicznej, - automatyki, - maszyn matematycznych (komputerów). Tranzystor zwiększa tempo wprowadzania elektroniki w różne dziedziny życia. Urządzenia stają się bardziej niezawodne, miniaturowe, tańsze. Tyrystor, układ scalony, laser 1956r. tyrystor - sterowanie urządzeń dużych mocy 1958r. pierwszy układ scalony (Jack Kilby) [1961r. komercyjna produkcja] 1960r. tranzystor polowy MOS 1962r. laser półprzewodnikowy systemy łączności z kanałami o b. dużych pojemnościach. Rozwój techniki laserowej otwiera nową epokę w mikromechanice, biologii, medycynie. Równoległy rozwój techniki lampowej kolorowa TV (1956r.) 4

5 Mikroelektronika Pierwszy sterowany elektronicznie robot przemysłowy(1962) Pierwszy działający satelita telekomunikacyjny Telstar(1962) Pierwszy popularny mikrokomputer PDP-8(1963) Pierwsza transmisja radiowa z Księżyca(1969) Mikroprocesor (1971) 2300 tranzystorów w monolitycznym kawałku krzemu Mikroprocesor (1997) 7,5mln tranzystorów Mikroprocesor ( ) minimalna długość kanału tranzystora nm nm nm nm... Podstawowe elementy bierne w elektronice Wrocław

6 Rezystor (opornik) Podział Najprostszy element bierny obwodu elektrycznego (elem. liniowy). I U U = RI Podział rezystorów: Rezystory stałe - elementy o wartości rezystancji ustalonej w procesie wytwarzania i nie podlegającej zmianie w czasie pracy Rezystory zmienne - elementy charakteryzujące się zmiennością rezystancji. nastawne, o konstrukcji umożliwiającej płynną, dokonywaną w sposób mechaniczny, zmianę wartości rezystancji w obwodzie (potencjometry), półprzewodnikowe (wytwarzane z półprzewodników) o rezystancji zmieniającej się w znacznym przedziale wartości pod wpływem rozmaitych czynników zewnętrznych, są to np. termistory, magnetorezystory, fotorezystory. Rezystor (opornik) Podział Ważne znaczenie ma klasyfikacja objęta międzynarodowym systemem normalizacyjnym (IEC), w której rezystory dzieli się na: typu1, tj. wysokostabilne i precyzyjne, typu2, tj. powszechnego stosowania. Niekiedy wyróżnia się rezystory mające szczególnie kształtowane wartości niektórych parametrów, przykładem mogą być rezystory: wysokonapięciowe (> 1 kv), wysokoomowe (> 10 MΩ), dużej mocy (> 2 W), wysokotemperaturowe (> 175 C), precyzyjne (< 1%), itp., 6

7 Rezystor (opornik) Parametry Rezystancja (0.1Ω 10MΩ szeregi E12(10%)? i E24(5%)? Moc (1/8 5W) Maksymalne napięcie (100V 1000V) Stabilność termiczna (10ppm/deg 500ppm/deg) termistory? Stabilność czasowa (np.. 1%/1000h) Indukcyjność pasożytnicza (indukcyjność doprowadzeń 6-8nH) Pojemność (0.1pF 5pF) Nieliniowość (R=R(U) rzędu 0.01%/V) Rezystor (opornik) Model C~0,5pF R L~5-10nH C~0.5pF C~0.5pF 7

8 Rezystor (opornik) Przykładowe rezystory Kondensator (pojemność) Zbudowany jest z dwóch okładek (przewodników) rozdzielonych dielektrykiem u(t) Podłączenie napięcia do okładek kondensatora powoduje zgromadzenie się na nich ładunku elektrycznego. Po zaniku napięcia, ładunki utrzymują się na okładkach siłami przyciągania elektrostatycznego. Kondensator charakteryzuj pojemność określająca zdolność kondensatora do gromadzenia ładunku: Q C = U i(t) du i( t) = C ; dt t 1 u( t) = i( t) dt + u( o) C 0 8

9 Kondensator Parametry Pojemność (0.1pF 5F; szeregi E6 E12) Napięcie przebicia (5V 10kV) Polaryzacja (dla kondensatorów elektrolitycznych!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!) Rezystancja upływu (0-10µA) Stratność (rodzaj dielektryka i upływność) Rezystancja szeregowa Stabilność termiczna (rodzaj dielektryka np. NP0.) Prąd maksymalny (szczególnie impulsowy) Indukcyjność doprowadzeń Kondensator Model RU C RS L C~0.5pF C~0.5pF 9

10 Kondensator Przykładowe kondensatory Kondensator Rodzaje Typ kondensatora Zakres pojemności Napięcie przebicia [V] Dokładno adność Upływ yw- ność Stałość tempera- turowa Uwagi Mikowy 1 pf-0,01uf mała doskonały; dobry w układach w.cz. Ceramiczny 10pF-luF 50-30k kiepska Zależy y od rodzaju ceramiki średnia mały, niedrogi, bardzo popularny Poliestrowy 0,001uF- 50jiF kiepska mała tani, dobry, bardzo po pularny pularny Polistyrenowy (styrofleksowy styrofleksowy) 10pF-2,7uF b. b.mała wysokiej jakości, o dużych wymiarach, dobry do filtracji sygnałów Poliwęglanowy 100pF-30uF b. znakomita mała wysokiej jakości, o ma łych wymiarach Polipropylenowy 100pF-50uF b. b.mała wysokiej jakości, mała absorpcja dielektryczna Teflonowy 1 nf-2uf b. najlepsza b.b.mała wysokiej jakości, najmniejsza absorpcja dielektryczna 10

11 Kondensator Rodzaje Typ kondensatora Zakres pojemności Napięcie przebicia [V] Upływ yw- ność Dokła- dność Stałość temperatur o-wa Uwagi Szklany 10pF-l000pF b.mała duża a stałość długoczasowa pojemności Porcelanowy 100 pf-0,1uf mała dobry, duża a stałość długoczasowa pojemności Tantalowy 0,1 uf-500uf kiepska kiepska duże e pojemności, polaryzowany, małe wymiary; mała a indukcyjność własna; Elektrolityczny aluminiowy 0,1uF-1F 1F zła okropna b.duża filtry w zasilaczach; polaryzowany, krótki czas życia Buck-up up 0,1 F-10F F 1,5-6 kiepska kiepska mała do podtrzymywania za warto wartości pamięci; du ża rezystancja szerego wa Olejowy 0,1 uf-20uf k mała filtry wysokonapięcio cio we; duże e wymiary; długi d czas życia Próżniowy 1 pf-5nf 2k-36k b.mała Układy w.cz. Cewka (indukcyjność) Jest elementem zdolnym do gromadzenia energii w wytwarzanym polu magnetycznym. u(t) t 1 di i( t) = u t dt + i u t = L L ( ) (0); ( ) dt i(t) 0 Indukcyjność (szereg E12 tylko dla dławików małej dobroci) A L [nh/zw 2 ] - stała rdzenia (L = A L z 2 ) Rezystancja szeregowa - dobroć Naskórkowość Nieliniowość i histereza rdzenia, straty w rdzeniu Maksymalny prąd (nasycenie materiału rdzenia Bmax=0,2-1.6T) Maksymalne napięcie pracy (przebicie międzyuzwojeniowe) 11

12 Cewka Model C RS L C~0.5pF C~0.5pF Cewka Przykładowe cewki i transformatory 12

Zarys historii elektroniki

Zarys historii elektroniki Zarys historii elektroniki Wrocław 2014 - początek pierwszy kalkulator (ok.1500)?? 1 - początek Radio 1900?? Nicola Tesla 1856-1943 Radio - metoda przekazu informacji na odległość za pomocą fal radiowych.

Bardziej szczegółowo

Elementy bierne. Model rezystora (opornika) Rezystory - oznaczenia

Elementy bierne. Model rezystora (opornika) Rezystory - oznaczenia Elementy bierne Model rezystora (opornika) Istotne parametry: Rezystancja (0.1Ω 10MΩ szeregi E12(10%)? i E24(5%)?) Moc (0,125 5) W Maksymalne napięcie (100V 1000V) Stabilność termiczna (10ppm/deg 500ppm/deg)

Bardziej szczegółowo

Kondensatory. Konstrukcja i właściwości

Kondensatory. Konstrukcja i właściwości Kondensatory Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Podstawowe techniczne parametry

Bardziej szczegółowo

II. Elementy systemów energoelektronicznych

II. Elementy systemów energoelektronicznych II. Elementy systemów energoelektronicznych II.1. Wstęp. Główne grupy elementów w układach impulsowego przetwarzania mocy: elementy bierne bezstratne (kondensatory, cewki, transformatory) elementy przełącznikowe

Bardziej szczegółowo

Lekcja 43. Pojemność elektryczna

Lekcja 43. Pojemność elektryczna Lekcja 43. Pojemność elektryczna Pojemność elektryczna przewodnika zależy od: Rozmiarów przewodnika, Obecności innych przewodników, Ośrodka w którym się dany przewodnik znajduje. Lekcja 44. Kondensator

Bardziej szczegółowo

2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia

2.3. Bierne elementy regulacyjne rezystory, Rezystancja znamionowa Moc znamionowa, Napięcie graniczne Zależność rezystancji od napięcia 2.3. Bierne elementy regulacyjne 2.3.1. rezystory, Rezystory spełniają w laboratorium funkcje regulacyjne oraz dysypacyjne (rozpraszają energię obciążenia) Parametry rezystorów. Rezystancja znamionowa

Bardziej szczegółowo

WSTĘP DO ELEKTRONIKI

WSTĘP DO ELEKTRONIKI WSTĘP DO ELEKTONIKI Część II Podstawowe elementy elektroniczne dwójniki bierne LC Formalizm zespolony opisu napięć i prądów harmonicznie zmiennych w czasie impedancja Źródła napięcia i prądu Przekazywanie

Bardziej szczegółowo

OPORNIKI POŁĄCZONE SZEREGOWO: W połączeniu szeregowym rezystancja zastępcza jest sumą poszczególnych wartości:

OPORNIKI POŁĄCZONE SZEREGOWO: W połączeniu szeregowym rezystancja zastępcza jest sumą poszczególnych wartości: REZYSTOR Opornik (rezystor) najprostszy, rezystancyjny element bierny obwodu elektrycznego. Jest elementem liniowym: spadek napięcia jest wprost proporcjonalny do prądu płynącego przez opornik. Przy przepływie

Bardziej szczegółowo

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych

Kondensator. Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych Kondensatory Kondensator Kondensator jest to układ dwóch przewodników przedzielonych dielektrykiem, na których zgromadzone są ładunki elektryczne jednakowej wartości ale o przeciwnych znakach. Budowa Najprostsze

Bardziej szczegółowo

Grupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego:

Grupa: Zespół: wykonał: 1 Mariusz Kozakowski Data: 3/11/2013 111B. Podpis prowadzącego: Sprawozdanie z laboratorium elektroniki w Zakładzie Systemów i Sieci Komputerowych Temat ćwiczenia: Pomiary podstawowych wielkości elektrycznych: prawa Ohma i Kirchhoffa Sprawozdanie Rok: Grupa: Zespół:

Bardziej szczegółowo

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr

Tranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK. Laboratorium Inżynierii Materiałowej

Ćwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK. Laboratorium Inżynierii Materiałowej Ćwiczenie 6 BADANIE STABILNOŚCI TEMPERATUROWEJ KONDENSATORÓW I CEWEK Laboratorium Inżynierii Materiałowej 1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest zbadanie stabilności cieplnej indukcyjnych oraz doświadczalne

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY BIERNE STOSOWANE W ELEKTROTECHNICE

ELEMENTY BIERNE STOSOWANE W ELEKTROTECHNICE ELEMENTY BIERNE STOSOWANE W ELEKTROTECHNICE Rezystory, potencjometry. Suwakowe Rezystory Stałe Zmienne (potencjometry) Drutowe Warstwowe (węglowe) Objętościowe (5-60 W) Drutowe (1-150 W) Jednoobrotowe

Bardziej szczegółowo

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści

Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, Spis treści Elementy elektrotechniki i elektroniki dla wydziałów chemicznych / Zdzisław Gientkowski. Bydgoszcz, 2015 Spis treści Przedmowa 7 Wstęp 9 1. PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI 11 1.1. Prąd stały 11 1.1.1. Podstawowe

Bardziej szczegółowo

Oczko (pętla) w obwodzie elektrycznym.

Oczko (pętla) w obwodzie elektrycznym. Oczko (pętla) w obwodzie elektrycznym. Startując z danego węzła w obwodzie tworzymy oczko przechodząc poprzez poszczególne elementy (można włączyć gałąź rozwartą), a następnie wracając do węzła startowego.

Bardziej szczegółowo

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej

Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej Temat: Elementy elektroniczne stosowane w urządzeniach techniki komputerowej W układach elektronicznych występują: Rezystory Rezystor potocznie nazywany opornikiem jest jednym z najczęściej spotykanych

Bardziej szczegółowo

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Elektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci

Bardziej szczegółowo

ĆWICZENIE nr 5. Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji

ĆWICZENIE nr 5. Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji Politechnika Łódzka Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych WWW.DSOD.PL LABORATORIUM METROLOGII ELEKTRONICZNEJ ĆWICZENIE nr 5 Pomiary rezystancji, pojemności, indukcyjności, impedancji

Bardziej szczegółowo

Podstawy elektrotechniki i elektroniki. Jarosław Borc

Podstawy elektrotechniki i elektroniki. Jarosław Borc Podstawy elektrotechniki i elektroniki Jarosław Borc 1. Wiadomości organizacyjne Dr Jarosław Borc Katedra Fizyki Stosowanej Wydział Mechaniczny PL P. 101B budynek Zarzadzania i Podstaw Techniki j.borc@pollub.pl

Bardziej szczegółowo

Przyrządy pomiarowe w elektronice multimetr

Przyrządy pomiarowe w elektronice multimetr Przyrządy pomiarowe w elektronice multimetr Miernik uniwersalny służy do pomiaru istotnych parametrów elementów elektronicznych: rezystancji pojemności napięć, prądów stałych i zmiennych (50Hz) na elementach

Bardziej szczegółowo

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.

Bardziej szczegółowo

Elementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości

Elementy indukcyjne. Konstrukcja i właściwości Elementy indukcyjne Konstrukcja i właściwości Zbigniew Usarek, 2018 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Elementy indukcyjne Induktor

Bardziej szczegółowo

Historia elektroniki. Ryszard J. Barczyński, 2007

Historia elektroniki. Ryszard J. Barczyński, 2007 Historia elektroniki Ryszard J. Barczyński, 2007 Prehistoria od elektryczności do elektroniki... Detektor kryształkowy Ferdinand Braun, 1874 Ferdinand Braun stwierdził, że złącza metali i niektórych kryształów

Bardziej szczegółowo

Liniowe układy scalone

Liniowe układy scalone Liniowe układy scalone Wykład 3 Układy pracy wzmacniaczy operacyjnych - całkujące i różniczkujące Cechy układu całkującego Zamienia napięcie prostokątne na trójkątne lub piłokształtne (stała czasowa układu)

Bardziej szczegółowo

Instrukcja nr 1. Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P.

Instrukcja nr 1. Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM. AGH Zespół Mikroelektroniki Układy Elektroniczne J. Ostrowski, P. Instrukcja nr 1 Zajęcia wstępne. Zapoznanie z programem MULTISIM Lab 1.1 UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: dr inż. Andrzej Hołowatyj (C3/511) holowatyj@agh.edu.pl

Bardziej szczegółowo

Temat i plan wykładu. Elektryczność-prąd stały

Temat i plan wykładu. Elektryczność-prąd stały Temat i plan wykładu Elektryczność-prąd stały 1. Podstawowe prawa powtórzenie 2. Kondensatory 3. Cewki indukcyjne 4. Podstawowe parametry elementów biernych Prądowe prawo Kirchhoffa Algebraiczna suma prądów

Bardziej szczegółowo

WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III

WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III WYMAGANE OSIĄGNIĘCIA EDUKACYJNE NA POSZCZEGÓLNE OCENY Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH w klasach III I. Ochrona środowiska naturalnego Uczeń: Uczeń posiada wiadomości i Uczeń posiada wiadomości i Uczeń posiada wiadomości

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Projekt: dr inż. Jacek Ostrowski mgr inż. Piotr Dorosz Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 409 i 423 (godziny konsultacji zostaną podane

Bardziej szczegółowo

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422

UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 UKŁADY ELEKTRONICZNE Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami),

Bardziej szczegółowo

Przedmowa do wydania pierwszego... 10 Przedmowa do wydania drugiego...11 O autorze... 12 1. Lampy elektronowe... 13

Przedmowa do wydania pierwszego... 10 Przedmowa do wydania drugiego...11 O autorze... 12 1. Lampy elektronowe... 13 3 Przedmowa do wydania pierwszego... 10 Przedmowa do wydania drugiego...11 O autorze... 12 1. Lampy elektronowe... 13 1.1. Wiadomości ogólne...15 1.2. Katody lamp elektronowych...16 1.2.1. Katody wolframowe...

Bardziej szczegółowo

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C

POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.

Bardziej szczegółowo

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi:

1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: 1. W gałęzi obwodu elektrycznego jak na rysunku poniżej wartość napięcia Ux wynosi: A. 10 V B. 5,7 V C. -5,7 V D. 2,5 V 2. Zasilacz dołączony jest do akumulatora 12 V i pobiera z niego prąd o natężeniu

Bardziej szczegółowo

Katedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami

Katedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami Wykład: prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: dr inż. Jacek Ostrowski (ostrowsk@agh.edu.pl, C2-423) mgr inż. Piotr Dorosz (pdorosz@agh.edu.pl, C2-409) Katedra Elektroniki AGH, Godziny konsultacji

Bardziej szczegółowo

Ć wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI

Ć wiczenie 2 POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI 37 Ć wiczenie POMIARY REZYSTANCJI, INDUKCYJNOŚCI I POJEMNOŚCI 1. Wiadomości ogólne 1.1. Rezystancja Zasadniczą rolę w obwodach elektrycznych odgrywają przewodniki metalowe, z których wykonuje się przesyłowe

Bardziej szczegółowo

Podstawowe elementy elektroniczne strona 1

Podstawowe elementy elektroniczne strona 1 Podstawowe elementy elektroniczne strona Materiały, z których wykonane są elementy elektroniczne, dzielą się na trzy grupy: przewodniki, półprzewodniki izolatory (dielektryki). Przewodniki Półprzewodniki

Bardziej szczegółowo

Data oddania sprawozdania 19.12.2001

Data oddania sprawozdania 19.12.2001 Robert Gabor Śl. TZN Klasa IV B Numer 9 Grupa 2 Rok szkolny 2001/2002 Data wykonania 3.12.2001 Pracownia elektryczna Sprawozdanie numer 1 (9) Temat: Multiwibratory Data oddania sprawozdania 19.12.2001

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński

Laboratorium Podstaw Elektroniki. Badanie przekształtnika obniżającego napięcie. Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Laboratorium Podstaw Elektroniki Badanie przekształtnika obniżającego napięcie Opracował: dr inż. Rafał Korupczyński Zakład Gospodarki Energetycznej, Katedra Podstaw Inżynierii.Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia

Bardziej szczegółowo

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne

Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych. 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne Diagnostyka układów elektrycznych i elektronicznych pojazdów samochodowych 1. Prąd stały 1.1. Obwód elektryczny prądu stałego 1.1.1. Podstawowe wielkości i jednostki elektryczne 1.1.2. Natężenie prądu

Bardziej szczegółowo

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory

Tranzystory. bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory bipolarne (NPN i PNP), polowe (MOSFET), fototranzystory Tranzystory -rodzaje Tranzystor to element, który posiada zdolność wzmacniania mocy sygnału elektrycznego. Z uwagi na tą właściwość,

Bardziej szczegółowo

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225

12.7 Sprawdzenie wiadomości 225 Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4

Bardziej szczegółowo

Lekcja 3 Temat: Budowa obwodu prądu stałego i jego elementy

Lekcja 3 Temat: Budowa obwodu prądu stałego i jego elementy Lekcja 3 Temat: Budowa obwodu prądu stałego i jego elementy Obwód elektryczny tworzą elementy połączone ze sobą w taki sposób, że istnieje co najmniej jedna droga zamknięta dla przepływu prądu. Odwzorowaniem

Bardziej szczegółowo

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego

Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Konkurs Od Einsteina do Budowa i zasada działania gitarowego wzmacniacza lampowego Aleksander Grzymek Opiekun: mgr Marzena Wajda Parzyk Gimnazjum nr 1 im. gen. broni Stanisława Maczka w Jaworzu Początki

Bardziej szczegółowo

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych

Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.

Bardziej szczegółowo

WYKŁAD 2 Pojęcia podstawowe obwodów prądu zmiennego

WYKŁAD 2 Pojęcia podstawowe obwodów prądu zmiennego Pracownia Wstępna - - WYKŁAD 2 Pojęcia podstawowe obwodów prądu zmiennego Układy złożone z elementów biernych Bierne elementy elektroniczne to : opór R: u ( = Ri( indukcyjność L: di( u( = L i pojemność

Bardziej szczegółowo

Prąd przemienny - wprowadzenie

Prąd przemienny - wprowadzenie Prąd przemienny - wprowadzenie Prądem zmiennym nazywa się wszelkie prądy elektryczne, dla których zależność natężenia prądu od czasu nie jest funkcją stałą. Zmienność ta może związana również ze zmianą

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTYTUT NAWIGACJI MOSKIEJ ZAKŁD ŁĄCZNOŚCI I CYBENETYKI MOSKIEJ AUTOMATYKI I ELEKTONIKA OKĘTOWA LABOATOIUM ELEKTONIKI Studia dzienne I rok studiów Specjalności: TM, IM, PHiON, AT, PM, MSI ĆWICZENIE N 2

Bardziej szczegółowo

POLE ELEKTRYCZNE PRAWO COULOMBA

POLE ELEKTRYCZNE PRAWO COULOMBA POLE ELEKTRYCZNE PRAWO COULOMBA gdzie: Q, q ładunki elektryczne wyrażone w kulombach [C] r - odległość między ładunkami Q i q wyrażona w [m] ε - przenikalność elektryczna bezwzględna środowiska, w jakim

Bardziej szczegółowo

AUDIO MODULATION OF TESLA COIL HIGH VOLTAGE GENERATOR MODULACJA ŹRÓDŁA WYSOKIEGO NAPIĘCIA TYPU CEWKA TESLI SYGNAŁEM DŹWIĘKOWYM

AUDIO MODULATION OF TESLA COIL HIGH VOLTAGE GENERATOR MODULACJA ŹRÓDŁA WYSOKIEGO NAPIĘCIA TYPU CEWKA TESLI SYGNAŁEM DŹWIĘKOWYM Łukasz Bajda V rok Koło Naukowe Techniki Cyfrowej dr inż. Wojciech Mysiński opiekun naukowy AUDIO MODULATION OF TESLA COIL HIGH VOLTAGE GENERATOR MODULACJA ŹRÓDŁA WYSOKIEGO NAPIĘCIA TYPU CEWKA TESLI SYGNAŁEM

Bardziej szczegółowo

Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną

Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną Wykład: Prof. dr hab. inż. Wojciech Kucewicz Laboratorium: Dr inż. Jacek Ostrowski Katedra Elektroniki AGH, C2 pokój 422 (godziny konsultacji zostaną podane po uzgodnieniu ze studentami), E-mail: ostrowsk@agh.edu.pl

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY RLC. Wykonanie: Marcin Mądrzyk

ELEMENTY RLC. Wykonanie: Marcin Mądrzyk ELEMENTY RLC Wykonanie: Marcin Mądrzyk Plan prezentacji Rezystory Krótki wstęp teoretyczny Budowa Podstawowe zależności Model rezystora Parametry Szeregi nominalnych wartości Oznaczanie rezystorów Rodzaje

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki

Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1) Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 3 OBWODY LINIOWE PRĄDU SINUSOIDLNEGO

Bardziej szczegółowo

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki

Bardziej szczegółowo

Kondensatory. a)w połączeniu z elementami indukcyjnymi mogą tworzyć obwody rezonansowe

Kondensatory. a)w połączeniu z elementami indukcyjnymi mogą tworzyć obwody rezonansowe Kondensatory Kondensator o zmiennej pojemności, stosowany w starych odbiornikach radiowych 1.Kondensator - jest to element elektryczny (elektroniczny), zbudowany z dwóch przewodników (okładek) rozdzielonych

Bardziej szczegółowo

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude

Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki. Opracował: Mgr inż. Marek Staude Podstawy Elektrotechniki i Elektroniki Opracował: Mgr inż. Marek Staude Część 2 Analiza obwodów w stanie ustalonym przy wymuszeniu sinusoidalnym Przypomnienie ostatniego wykładu Prąd i napięcie Podstawowe

Bardziej szczegółowo

Stabilizatory impulsowe

Stabilizatory impulsowe POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik

Bardziej szczegółowo

Technik mechatronik modułowy

Technik mechatronik modułowy M1. Wprowadzenie do mechatroniki Technik mechatronik modułowy Klasa 1 5 godz./tyg. 5 x 30 tyg. = 150 godz. Rozkład zajęć lekcyjnych M1. J1 Przestrzeganie przepisów bezpieczeństwa i higieny pracy w mechatronice

Bardziej szczegółowo

I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia

I we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia 22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych

Bardziej szczegółowo

Budowa. Metoda wytwarzania

Budowa. Metoda wytwarzania Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.

Bardziej szczegółowo

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13 PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Dielektryki i Magnetyki

Dielektryki i Magnetyki Dielektryki i Magnetyki Zbiór zdań rachunkowych dr inż. Tomasz Piasecki tomasz.piasecki@pwr.edu.pl Wydanie 2 - poprawione ponownie 1 marca 2018 Spis treści 1 Zadania 3 1 Elektrotechnika....................................

Bardziej szczegółowo

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy

Bardziej szczegółowo

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat.

PL B1. POLITECHNIKA GDAŃSKA, Gdańsk, PL BUP 19/09. MACIEJ KOKOT, Gdynia, PL WUP 03/14. rzecz. pat. PL 216395 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 216395 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 384627 (51) Int.Cl. G01N 27/00 (2006.01) H01L 21/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej

Bardziej szczegółowo

29 PRĄD PRZEMIENNY. CZĘŚĆ 2

29 PRĄD PRZEMIENNY. CZĘŚĆ 2 Włodzimierz Wolczyński 29 PRĄD PRZEMIENNY. CZĘŚĆ 2 Opory bierne Indukcyjny L - indukcyjność = Szeregowy obwód RLC Pojemnościowy C pojemność = = ( + ) = = = = Z X L Impedancja (zawada) = + ( ) φ R X C =

Bardziej szczegółowo

Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym.

Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym. ZARZĄDZANIE I INŻYNIERIA PRODUKCJI Zastosowanie technologii montażu powierzchniowego oraz nowoczesnych systemów inspekcji optycznej w przemyśle elektronicznym. RYS HISTORICZNY ROZWOJU ELEKTRONIKI Elektronika

Bardziej szczegółowo

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała

Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne. Wojciech Świtała Wykład 1 Technologie na urządzenia mobilne Wojciech Świtała wojciech.switala@cs.put.poznan.pl http://www.cs.put.poznan.pl/~wswitala Sztuka Elektroniki - P. Horowitz, W.Hill Układy półprzewodnikowe U.Tietze,

Bardziej szczegółowo

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):

Zadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia

Bardziej szczegółowo

X L = jωl. Impedancja Z cewki przy danej częstotliwości jest wartością zespoloną

X L = jωl. Impedancja Z cewki przy danej częstotliwości jest wartością zespoloną Cewki Wstęp. Urządzenie elektryczne charakteryzujące się indukcyjnością własną i służące do uzyskiwania silnych pól magnetycznych. Szybkość zmian prądu płynącego przez cewkę indukcyjną zależy od panującego

Bardziej szczegółowo

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH

ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor

Bardziej szczegółowo

WPROWADZENIE. TWR = dr / (R * dt)

WPROWADZENIE. TWR = dr / (R * dt) WPROWADZENIE Temperaturowy współczynnik rezystancji TCR (TWR) określa zmiany rezystancji pod wpływem temperatury. Im mniejsza wartość TCR tym bardziej stabilny rezystor. Temperaturowy współczynnik rezystancji

Bardziej szczegółowo

ELEKTRONIKA. SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (

ELEKTRONIKA. SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h ( ELEKTRONIKA SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h ( ) Wykład (IIIsem): Elementy i układy elektroniczne dr inż. Jan Deskur, pok. 626,

Bardziej szczegółowo

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07.

PL 217306 B1. AZO DIGITAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Gdańsk, PL 27.09.2010 BUP 20/10. PIOTR ADAMOWICZ, Sopot, PL 31.07. PL 217306 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217306 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 387605 (22) Data zgłoszenia: 25.03.2009 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Formalizm liczb zespolonych

Formalizm liczb zespolonych Część III Elementy bierne: rezystor, kondesator, cewka Wymuszenie, odpowiedź układu Systemy liniowe i stacjonarne Prądy sinusoidalne, impedancja Dwójniki bierne: rezystancja, pojemność, indukcyjność Rezonans

Bardziej szczegółowo

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)

14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor) 14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem

Bardziej szczegółowo

ZSME E. Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011

ZSME E. Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011 ZSME E T K Karol Kalinowski kl. 1e 2010 / 2011 Slajd 1: Historia kondensatorów Odkrycie kondensatora przypisuje się Pieterowi van Musschenbroekowi w styczniu 1746 roku w Lejdzie (Holandia). Nastąpiło ono

Bardziej szczegółowo

Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych

Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet laboratoryjnych oraz zestawu elementów do budowy i badań układów elektronicznych POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Wydział Elektryczny Katedra Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Laboratorium Podstaw Elektroniki bud. A-5 s.211 (a,b) Skrócony opis dostępnych na stanowiskach studenckich makiet

Bardziej szczegółowo

Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"

Ćwiczenie: Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.

Bardziej szczegółowo

Dielektryki Opis w domenie częstotliwości

Dielektryki Opis w domenie częstotliwości Dielektryki Opis w domenie częstotliwości Ryszard J. Barczyński, 2013 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Opis w domenie częstotliwości

Bardziej szczegółowo

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik

Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik 1 Przykładowe zadanie egzaminacyjne dla kwalifikacji E.20 w zawodzie technik elektronik Znajdź usterkę oraz wskaż sposób jej usunięcia w zasilaczu napięcia stałego 12V/4A, wykonanym w oparciu o układ scalony

Bardziej szczegółowo

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET

Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical

Bardziej szczegółowo

TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH

TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH TABELA SYMBOLI elementów ELEKTRONICZNYCH elementy aktywne/czynne: półprzewodnikowe (tranzystory, tyrystory, układy scalone itp.), lampy próżniowe (diody, triody, pentody itd.), silniczki elementy bierne:

Bardziej szczegółowo

Wykład FIZYKA II. 4. Indukcja elektromagnetyczna. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak

Wykład FIZYKA II. 4. Indukcja elektromagnetyczna.  Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Wykład FIZYKA II 4. Indukcja elektromagnetyczna Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/ PRAWO INDUKCJI FARADAYA SYMETRIA W FIZYCE

Bardziej szczegółowo

INDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103

INDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103 INDEKS.AC... 45.DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS... 68.FOUR... 94.IC... 72.INC... 67.LIB... 92.MC... 41.MODEL... 21,42,111.NODESET... 27.NOISE... 65.OP... 19.OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT...

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany

Bardziej szczegółowo

Wiadomości podstawowe

Wiadomości podstawowe Wiadomości podstawowe Tranzystory są urządzeniami półprzewodnikowymi umożliwiającymi sterowanie przepływem dużego prądu, za pomocą prądu znacznie mniejszego. Wykorzystuje się je do wzmacniania małych sygnałów

Bardziej szczegółowo

Część 7. Zaburzenia przewodzone. c. Filtry wejściowe

Część 7. Zaburzenia przewodzone. c. Filtry wejściowe Część 7 Zaburzenia przewodzone c. Filtry wejściowe 1 Topologie filtrów Dla częstotliwości zaburzeń filtr EMI powinien być maksymalnie stratny Zasadniczo filtry EMI są dolnoprzepustowe Skuteczność zależy

Bardziej szczegółowo

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału

Bardziej szczegółowo

Badanie diod półprzewodnikowych

Badanie diod półprzewodnikowych POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape Opracował:

Bardziej szczegółowo

Jednostka tematyczna. Temat lekcji/bloku zajęć praktycznych

Jednostka tematyczna. Temat lekcji/bloku zajęć praktycznych Rozkład materiału z przedmiotu teoretycznego Elektrotechnika i elektronika. dla Technikum Zawód- Technik elektronik Klasa 1TZ Rok szkolny 2016/17 Nr programu w SZP 311408/29-08-2012. Przygotował: Zespół

Bardziej szczegółowo

Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak

Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak ~ 1 ~ I. Właściwości elementów biernych A. Charakterystyki elementów biernych 1. Rezystor idealny (brak przesunięcia fazowego między napięciem a prądem) brak części

Bardziej szczegółowo

Badanie zasilacza niestabilizowanego

Badanie zasilacza niestabilizowanego UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie zasilacza niestabilizowanego Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie

Bardziej szczegółowo

W książce tej przedstawiono:

W książce tej przedstawiono: Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,

Bardziej szczegółowo

Temat: MontaŜ mechaniczny przekaźników, radiatorów i transformatorów

Temat: MontaŜ mechaniczny przekaźników, radiatorów i transformatorów Zajęcia nr 7 Temat: przekaźników, radiatorów i transformatorów I. Przekaźniki Przekaźniki to urządzenia, które pod wpływem elektrycznych sygnałów sterujących małej mocy załącza lub wyłącza kilka obwodów

Bardziej szczegółowo

Przekaźniki wysokonapięciowe K-551H, K-552H, K-553H K-554H, K-555H

Przekaźniki wysokonapięciowe K-551H, K-552H, K-553H K-554H, K-555H K-55H, K-55H, K-55H K-55H, K-555H PIT-RADWAR S.A. 50-5 Wrocław, ul. Krakowska 6 tel. (+8) 7/-65-5, fax (+8) 7/-58-59. ZESTYKU K-55H K-55H K-55H K-55H K-555H Moc łączona max W, VA 50 0 min kv DC 7 0 7 8

Bardziej szczegółowo

Laboratorium Inżynierii Materiałowej. Dwiczenie 6. Badanie stabilności temperaturowej kondensatorów i cewek

Laboratorium Inżynierii Materiałowej. Dwiczenie 6. Badanie stabilności temperaturowej kondensatorów i cewek Laboratorium Inżynierii Materiałowej Dwiczenie 6. Badanie stabilności temperaturowej kondensatorów i cewek Katedra Optoelektroniki i Systemów Elektronicznych, WETI, Politechnika Gdaoska Gdaosk 2011 1.

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA

LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI MATERIAŁY POMOCNICZE SERIA PIERWSZA 1. Lutowanie lutowania ołowiowe i bezołowiowe, przebieg lutowania automatycznego (strefy grzania i przebiegi temperatur), narzędzia

Bardziej szczegółowo

Przekaźniki wysokonapięciowe K-551H, K-552H, K-553H K-554H, K-555H, K-556H

Przekaźniki wysokonapięciowe K-551H, K-552H, K-553H K-554H, K-555H, K-556H 50-5 Wrocław, ul. Krakowska 6 tel. (+8) 7/-65-5, fax (+8) 7/-58-59 K-55H, K-55H, K-55H K-55H, K-555H, K-556H K-55H K-55H K-55H K-55H K-555H K-556H. ZESTYKU 0 min kv DC 7 0 7 8 9 0 Prąd łączony max A 50

Bardziej szczegółowo

WYMAGANIA EDUKACYJNE Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH KL. III W ROKU SZKOLNYM 2016/2017 ZAJĘCIA ELEKTRYCZNO - ELEKTRONICZNE WYMAGANIA EDUKACYJNE

WYMAGANIA EDUKACYJNE Z ZAJĘĆ TECHNICZNYCH KL. III W ROKU SZKOLNYM 2016/2017 ZAJĘCIA ELEKTRYCZNO - ELEKTRONICZNE WYMAGANIA EDUKACYJNE L. godz. Lp... 3. TEMATY LEKCJI Zapoznanie uczniów z programem, sposobem oceniania. BHP na lekcji i podczas użytkowania urządzeń elektrycznych. Bezpieczne użytkowanie urządzeń elektrycznych. Historia rozwoju

Bardziej szczegółowo

Elementy przełącznikowe

Elementy przełącznikowe Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia

Bardziej szczegółowo

Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne

Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne Plan wynikowy I wymagania edukacyjne z przedmiotu zajęcia techniczne- zajęcia elektryczno-elektroniczne Ścieżki edukacyjne: K edukacja ekologiczna Z edukacja zdrowotna M edukacja czytelnicza i medialna

Bardziej szczegółowo

Obwodem elektrycznym nazywamy zespół połączonych ze sobą elementów, umożliwiający zamknięty obieg prądu.

Obwodem elektrycznym nazywamy zespół połączonych ze sobą elementów, umożliwiający zamknięty obieg prądu. Opracował: mgr inż. Marcin Wieczorek www.marwie.net.pl Obwód elektryczny i jego schemat. Obwodem elektrycznym nazywamy zespół połączonych ze sobą elementów, umożliwiający zamknięty obieg prądu. Schemat

Bardziej szczegółowo