ELEKTRONIKA. SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (
|
|
- Stefan Maj
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 ELEKTRONIKA SS-I, AiR, III sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h (H22/B3) SS-I, AiR, IV sem. Wykład 30h, Laboratorium 30h ( ) Wykład (IIIsem): Elementy i układy elektroniczne dr inż. Jan Deskur, pok. 626, tel , (dom) Jan.Deskur@put.poznan.pl Zakład Sterowania i Elektroniki Przemysłowej Instytut Automatyki i Inżynierii Informatycznej Laboratorium (III sem.): mgr inż. Adam Maciejuk, mgr inż. Dariusz Janiszewski, mgr inż. Bogdan Fabiański
2 Program wykładów w semestrze III 0. Wprowadzenie 1h 1. Elementy elektroniczne 7h 2. Wzmacniacze operacyjne i komparatory 6h 3. Filtry aktywne i generatory sygnałów 4h 4. Szumy i zakłócenia w układach elektronicznych 4h 5. Przetworniki A/C i C/A 6. Wybrane zagadnienia współczesnej elektroniki 4h 4h 2
3 Literatura przedmiotu (IIIsem.) - książki i skrypty 1. Marian P. Kaźmierkowski, Jerzy T. Matysik WPROWADZENIE DO ELEKTRONIKI I ENERGOELEKTRONIKI, Oficyna Wyd. Politechniki Warszawskiej, W-wa, 2005, s Waldemar Nawrocki, Krzysztof Arnold, Krzysztof Lange, UKŁADY ELEKTRONICZNE, Wyd. PP, Poznań, 2002, str Piotr Górecki, WZMACNIACZE OPERACYJNE; podstawy, aplikacje, zastosowania. Wyd. BTC, 2002, str John Watson, ELEKTRONIKA, WKiŁ, 2002, s Mirosław Rusek, Jerzy Pasierbiński. ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE w pytaniach i odpowiedziach. WNT, Zbigniew Nosal, Jerzy Baranowski, UKŁADY ELEKTRONICZNE. Część I - Układy analogowe liniowe. (cz.ii...nieliniowe) WNT, 2003 Seria Podręczniki akademickie. Elektronika. Informatyka. Telekomunikacja 7. Andrzej Filipkowski, UKŁADY ELEKTRONICZNE ANALOGOWE I CYFROWE, WNT, 2003, Seria Podręczniki akademickie. EIT 8. Ulrich Tietze, Christoph Schenk, UKŁADY PÓŁPRZEWODNIKOWE. WNT, Paul Horowitz, Winfield Hill, SZTUKA ELEKTRONIKI. ti,ii, WKiŁ,
4 Wprowadzenie do elektroniki Czym zajmuje się elektronika?... sterowanym ruchem elektronów w próżni i gazach (el. próżniowa) oraz ciałach stałych (el. półprzewodnikowa) Podział ze względu na rodzaj zjawisk i obszar zastosowań: elektronika kwantowa, plazmowa, przemysłowa, medyczna, energoelektronika, piezoelektronika, optoelektronika,... Elementy, podzespoły, układy, systemy elektroniczne - element (= prosta, nierozdzielna konstrukcyjnie część) - element bierny (rezystor, kondensator,..) - element czynny (ogniwo, tranzystor, tyrystor itp.) - podzespół (np. potencjometr, przełącznik, przekaźnik) - układ (=zbiór połączonych elementów spełniający określoną funkcję, np. wzmacniacz, filtr itp.) Rewolucja mikroelektroniczna (układy scalone) Klasyfikacje układów scalonych - analogowe, cyfrowe, mieszane (analogowo - cyfrowe) - półprzewodnikowe (bipolarne, unipolarne), hybrydowe (warstwowe) - SSI(<100), MSI(<1000), LSI(<100000), VLSI, ULSI(>106) - standardowe ( o stałej strukturze), programowalne 4
5 Elektronika próżniowa - dioda 5
6 Elektronika próżniowa - trioda 6
7 Elektronika próżniowa - lampa elektronopromieniowa 7
8 Elektronika próżniowa - lampa elektronopromieniowa 8
9 Budowa atomu poziomy energetyczne elektronów 9
10 Budowa krystaliczna krzemu a) obraz przestrzenny, b) model dwuwymiarowy dla T = 0 K 10
11 Drgania cieplne siatki krystalicznej T > 0 K. Powstawanie par: elektron swobodny - dziura 11
12 Model pasmowy atomu 4 q m W= n h 0 W b) a) W - energia elektronu [ev] q - ładunek elektronu ( C) m - masa elektronu ( kg) n - liczba naturalna h - stała Plancka ( J s) ε0 stała elektryczna próżni ( F/m) a) odosobniony atom, b) atom w siatce krystalicznej 12
13 Powstawanie elektronów swobodnych i dziur Szerokość pasma zabronionego dla różnych półprzewodników Półprzewodnik InSb Pb Ge Si GaAs Se CdS W g[ev] ,12 1,43 1,7 1,9 13
14 Pasma energetyczne w ciałach stałych a)izolatory, b) półprzewodniki, c) metale 14
15 Ważniejsze półprzewodniki stosowane w elektronice Grupa IV Półprzewodnik Si, Ge, SiC III V II - VI GaP, GaAs, GaAsP, InSb, InAs CdS, CdSe, MgO IV - VI PbS, PbSe, PbTe Zastosowanie Diody, tranzystory, fotoogniwa, fotodiody, fototranzystory, warystory Diody LED, hallotrony, gausotrony Fotorezystory, termistory (NTC) Fotorezystory 15
16 Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 16
17 Półprzewodnik samoistny g=r n i= pi 2 ni pi =ni T =const ni = A exp W g / 2kT g - szybkość generacji termicznej nośników (par elektron-dziura) r - szybkość rekombinacji nośników n - koncentracja elektronów (liczba elektronów w jednostce objętości) p - koncentracja dziur i - samoistny (intrinsic) A - stała materiałowa k - stała Boltzmana T - temperatura bezwzględna 17
18 Półprzewodnik domieszkowany, typu n N n = N d n N d n P n = p= = 18 =1014 m 3 N d 10 N n P n Nd - koncentracja atomów donorowych Nn - koncentracja atomów w materiale typu n Pn - koncentracja dziur w paśmie walencyjnym n,p koncentracja elektronów i dziur generowanych termicznie 18
19 Półprzewodnik typu p 19
20 Siatka krystaliczna w półprzewodnikach 20
21 Siatka krystaliczna w półprzewodnikach (2) 21
22 Generacja, rekombinacja ; czas życia nośników 2 L =D L - droga dyfuzji D - stała dyfuzji t - czas życia nośników 22
23 Rekombinacja za pomocą centrów pułapkowych 23
24 Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki; konduktywność półprzewodników i x=n q v x S J x =n q v x J x = E x vx =n q =n q Ex ix - natężenie prądu (składowa w kierunku x) n - koncentracja nośników ładunku vx - prędkość ruchu (unoszenia) ładunków w kierunku pola Ex natężenie pola elektrycznego w kierunku x σ - konduktywność półprzewodnika µ - ruchliwość nośników 24
25 Prąd elektryczny w metalach i roztworach 25
26 Prąd elektryczny w półprzewodnikach 26
27 Technologia uzyskiwania i oczyszczania monokryształu 27
28 Podstawowe parametry materiałów półprzewodnikowych 28
29 Rezystory stałe 29
30 Ciągi E6, E12, E24 znamionowych rezystancji 30
31 Elementy bierne strukturowe (do montażu powierzchniowego) 31
32 Rozmiary elementów strukturowych 32
33 Charakterystyki termistorów 33
34 Pytania (wstęp, elementy bierne i elektronika próżniowa) 1. Czym zajmuje się elektronika? 2. Wyjaśnij różnice między elektroniką analogową i cyfrową 3. Czym różnią się czynne elementy elektroniczne od biernych? 4. Narysuj i objaśnij symbole biernych elementów elektronicznych. 5. Wymień rodzaje rezystorów, ich parametry i charakterystyki 6. Jak dzielą się mikroelektroniczne układy scalone? 7. Naszkicuj diodę z żarzoną katodą i wyjaśnij jej działanie 8. Po co w triodzie stosuje się siatkę? 9. Dlaczego w lampach elektronopromieniowych stosuje się wysokie napięcie? 10. Objaśnij dlaczego w kineskopach stosuje się magnetyczne odchylanie wiązki, a w oscyloskopach - elektrostatyczne. 11. Jak nazywa się materiał pokrywający przednią część lampy elektronopromieniowej? 34
35 Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki; konduktywność półprzewodników i x=n q v x S J x=n q v x J x = E x vx =n q =n q Ex ix - natężenie prądu (składowa w kierunku x) n - koncentracja nośników ładunku vx - prędkość ruchu (unoszenia) ładunków w kierunku pola Ex natężenie pola elektrycznego w kierunku x σ - konduktywność półprzewodnika µ - ruchliwość nośników 35
36 Rezystory warstwowe Rezystywność półprzewodnika: = 1 1 = q n n p p Rezystancja rezystora warstwowego: R= R L =ρ/h - L R a rezystywność powierzchniowa warstwy długość, a szerokość h grubość warstwy 36
37 Rezystory liniowe a) charakterystyka b) symbole 37
38 Parametry rezystorów Rezystancja R ( charakterystyka dla nieliniowych) Moc znamionowa PN = UN IN (0.01W.. 500W) Napięcie graniczne (250V.. 2kV) Współczynnik temperaturowy rezystywności [%/K] =
39 Rezystory nieliniowe a) charakterystyka b) symbol R = U/I = tg(α0) : rezystancja statyczna r = du/di = tg(αd) : rezystancja dynamiczna (przyrostowa) 39
40 Warystor U = c I = U = c I 1 I du 1 r= = c I = R di R= 40
41 Tyrektor 41
42 Termistory typów NTC, PTC, CTR T T 0 RT = RT0 exp B T 0T 1 drt d T [%/ K ] = RT dt 42
43 Fotorezystor 43
44 Przykładowe charakterystyki fotorezystorów 44
45 Magnetorezystory (gaussotrony) 45
46 Efekt Halla w półprzewodniku 46
47 Hallotron UH KH B I 47
48 Rezonatory piezoelektryczne f / f 0 =
Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoPaństwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009
Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 008/009 St. Stacjonarne: Semestr III - 45 h wykłady, 5h ćwicz. audytor., 5h ćwicz. lab. St.
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA. Generatory sygnału prostokątnego
LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory sygnału prostokątnego Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Zasada działania, schemat i zastosowania tranzystorowego multiwibratora
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 5: BADANIE CHARAKTERYSTYK TEMPERATUROWYCH REZYSTANCYJNYCH ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH
INSTYTUT SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH WEL WAT ZAKŁAD EKSPLOATACJI SYSTEMÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 5: BADANIE CHARAKTERYSTYK TEMPERATUROWYCH REZYSTANCYJNYCH ELEMENTÓW ELEKTRONICZNYCH A. Cel ćwiczenia:
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoCel wykładu. Elektronika Jakub Dawidziuk
Elektronika program Złącze p-n, diody półprzewodnikowe. Elementy optoelektroniczne. Prostowniki. Zasada działania BJT, charakterystyki statyczne, modele, parametry. Układy polaryzacji i stabilizacja punktu
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoSylabus. (4) Studia Kierunek studiów Poziom kształcenia Forma studiów. stopnia
Załącznik nr 2 do Zarządzenia Rektora UR Nr 4/2012 z dnia 20.01.2012r. Sylabus (1) Nazwa przedmiotu Elektronika (2) Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Katedra Mechatroniki
Bardziej szczegółowoElektronika. Wzmacniacz tranzystorowy
LABORATORIUM Elektronika Wzmacniacz tranzystorowy Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Podstawowych parametrów elektrycznych i charakterystyk graficznych tranzystorów bipolarnych.
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TRANZYSTOR BIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 3 TRANZYSTOR BIPOLARNY
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKA. Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski
LABORATORIUM ELEKTRONIKA Generatory drgań sinusoidalnych Opracował: mgr inż. Tomasz Miłosławski Wymagania, znajomość zagadnień: 1. Rodzaje generatorów. 2. Warunki generacji generatorów RC z przesuwnikiem
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoElektronika. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.
Elektronika Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne służą do przetwarzania i przesyłania informacji w postaci
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W W4 Unoszenie Dyfuzja 2 Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej np n 2 i n = n0 + n' p = p0 + p ' Półprzewodnik w stanie nierównowagi termodynamicznej Generacja i rekombinacja
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 ZASTOSOWANIE WZMACNIACZY OPERACYJNYCH W UKŁADACH
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowo12.7 Sprawdzenie wiadomości 225
Od autora 8 1. Prąd elektryczny 9 1.1 Budowa materii 9 1.2 Przewodnictwo elektryczne materii 12 1.3 Prąd elektryczny i jego parametry 13 1.3.1 Pojęcie prądu elektrycznego 13 1.3.2 Parametry prądu 15 1.4
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI FILTRY AKTYWNE
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 11 FILTRY AKTYWNE DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoWYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.1 Model pasmowy przewodników, półprzewodników i dielektryków.
Pracownia Automatyki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1 str.1/10 ĆWICZENIE 1 WYBRANE ELEMENTY I UKŁADY ELEKTRONICZNE W ZASTOSOWANIU DLA CELÓW AUTOMATYZACJI. 1.CEL ĆWICZENIA: Zapoznanie się z podstawowymi
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA
ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA wykład 2 PÓŁPRZEWODNIKI luty 2008 - Lublin krzem u ej n o z r o w t rze i p o ytk d u pł m rze k Od m ik ro pr oc es or ET F S MO p rzy rząd Od p iasku do Ten wykład O CZYM
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoUkłady Elektroniczne Analogowe. Prostowniki i powielacze napięcia
LABORATORIUM Układy Elektroniczne Analogowe Prostowniki i powielacze napięcia Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja zasilania,
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowoWybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC
Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoWydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDIA DZIENNE. Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej STUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 5 Wpływ oświetlenia na półprzewodnik oraz na złącze p-n. Zagadnienia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoCZUJNIKI WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH
CZUJNIKI WIELKOŚCI NIEELEKTRYCZNYCH Rozważmy tylko takie czujniki, które nie zawierają żadnych części ruchomych. Zasadniczo, wyróżnia się dwa rodzaje czujników wielkości nieelektrycznych. Pierwszy rodzaj,
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoPÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. 1 Półprzewodniki Półprzewodniki to ciała stałe nieorganiczne lub organiczne o przewodnictwie
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413;
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE TS1C300 018
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEMENY ELEKONICZNE S1C300 018 BIAŁYSOK 2013 1. CEL I ZAKES ĆWICZENIA LABOAOYJNEGO
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój:
Podstawy Elektroniki Prowadzący: Prof. dr hab. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl Program: wykład - 15h laboratorium
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 8. Detekcja światła. Przypomnienie. Efekt fotoelektryczny
Repeta z wykładu nr 8 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 przegląd detektorów
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 0 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoKomputerowa symulacja bramek w technice TTL i CMOS
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 27 Komputerowa symulacja
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ OPERACYJNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 8 WZMACNIACZ OPERACYJNY DO
Bardziej szczegółowoZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE
ZJAWISKA FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE, WEWNETRZNE I ICH RÓŻNE ZASTOSOWANIA ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE ZEWNĘTRZNE Światło padając na powierzchnię materiału wybija z niej elektron 1 ZJAWISKO FOTOELEKTRYCZNE
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI TYRYSTOR I TRIAK
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 4 TYRYSTOR I TRIAK
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI WZMACNIACZ MOCY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 9 WZMACNIACZ MOCY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoTranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.
ĆWICZENIE 4 Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów. I. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami zasilania tranzystorów. Wybór punktu pracy tranzystora. Statyczna prosta pracy. II. Układ
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoBogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech. Elektronika. Laboratorium nr 3. Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne
Bogdan Olech Mirosław Łazoryszczak Dorota Majorkowska-Mech Elektronika Laboratorium nr 3 Temat: Diody półprzewodnikowe i elementy reaktancyjne SPIS TREŚCI Spis treści... 2 1. Cel ćwiczenia... 3 2. Wymagania...
Bardziej szczegółowoElementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne
Na podstawie: John Watson, Elektronika Elementy i układy elektroniczne i optoelektroniczne Podzespoły półprzewodnikowe. Transoptor: Użyteczny tam, gdzie układy mają bardzo różne potencjały (4 kv) zastępuje
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy półprzewodnikowe mocy, zima 2015/16 20 Półprzewodniki Materiały, w których
Bardziej szczegółowoWykład Ćwiczenia Laboratorium Projekt Seminarium 30 15
Zał. nr 4 do ZW 33/0 WYDZIAŁ PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Mikroelektroniczne układy analogowe i cyfrowe Nazwa w języku angielskim Microelectronic analog and digital
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowo30/01/2018. Wykład XI: Właściwości elektryczne. Treść wykładu: Wprowadzenie
Wykład XI: Właściwości elektryczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: 1. Wprowadzenie 2. a) wiadomości podstawowe b) przewodniki
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoWykład 7. Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe
Wykład 7 Złącza półprzewodnikowe - przyrządy półprzewodnikowe Złącze p-n Złącze p-n Tworzy się złącze p-n E Złącze po utworzeniu Pole elektryczne na styku dwóch półprzewodników powoduje, że prąd łatwo
Bardziej szczegółowoUKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie transoptora Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie studentów z jednym
Bardziej szczegółowoPRZEWODNIK PO PRZEDMIOCIE
Nazwa przedmiotu: PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI, ELEKTRONIKI I TECHNIK POMIAROWYCH Foundations of electrotechnics, electronics and measurement techniques Kierunek: Informatyka Rodzaj przedmiotu: obowiązkowy
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoKARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU
KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/12 z dnia 21 lutego 2012r. Nazwa modułu Układy elektroniczne w miernictwie 2_E1S Nazwa modułu w języku angielskim
Bardziej szczegółowo- 1 WYMAGANIA WSTĘPNE W ZAKRESIE WIEDZY, UMIEJĘTNOŚCI I INNYCH KOMPETENCJI
Zał. nr 4 do ZW 33/01 WYDZIAŁ ELEKTRONIKI KARTA PRZEDMIOTU Nazwa w języku polskim Fizyka 3.3 Nazwa w języku angielskim Physics 3.3 Kierunek studiów: Automatyka i Robotyka Specjalność (jeśli dotyczy): Stopień
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 23: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 08.06.2017 1 2 Własności elektryczne
Bardziej szczegółowoStabilizacja napięcia. Prostowanie i Filtracja Zasilania. Stabilizator scalony µa723
LABORATORIUM Stabilizacja napięcia Prostowanie i Filtracja Zasilania Stabilizator scalony µa723 Opracował: mgr inż. Andrzej Biedka Wymagania: - Układy prostowników półokresowych i pełnookresowych. - Filtracja
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoelektryczne ciał stałych
Wykład 22: Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Własności elektryczne ciał
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI TRANZYSTOR UNIPOLARNY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 7 TRANZYSTOR UNIPOLARNY DO
Bardziej szczegółowoSprzęt i architektura komputerów
Krzysztof Makles Sprzęt i architektura komputerów Laboratorium Temat: Elementy i układy półprzewodnikowe Katedra Architektury Komputerów i Telekomunikacji Zakład Systemów i Sieci Komputerowych SPIS TREŚCI
Bardziej szczegółowo