Badanie diod półprzewodnikowych
|
|
- Rafał Lewandowski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E - 7) Opracował: dr inż. Michał Strozik Sprawdził: dr inż. Włodzimierz Ogulewicz Zatwierdził: dr hab. inż. Janusz Kotowicz
2 Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk napięciowo-prądowych podstawowych przyrządów półprzewodnikowych znajdujących zastosowanie w elektroenergetyce: diody prostowniczej i diody stabilizacyjnej. Znajomość charakterystyk napięciowo-prądowych umożliwia mierzącemu wyznaczenie podstawowych parametrów elektrycznych w/w elementów. 1. Wprowadzenie teoretyczne. 1.1 Diody półprzewodnikowe. Diody są najprostszymi, dwukońcówkowymi elementami, zawierającymi złącza półprzewodnikowe. Zwykle dioda jest zbudowana z pojedynczego złącza p-n lub złącza metal-półprzewodnik (m-s). Wyjaśnienie podstawowych właściwości złączy p-n oraz m-s jest więc kluczem do zrozumienia działania diod i nie tylko diod, gdyż złącza p-n stanowią elementarne cegiełki, z których buduje się bardziej złożone struktury tranzystorów, tyrystorów, układów scalonych itp. Diody można różnie klasyfikować, w zależności od przyjętych kryteriów. Dla użytkowników elementów najistotniejszy jest następujący podział diod: - prostownicze, - stabilitrony (diody Zenera), - uniwersalne, - impulsowe, - pojemnościowe, - tunelowe, - mikrofalowe, - optoelektroniczne (fotodiody, diody świecące). W tradycyjnych układach zasilających największe znaczenie posiadają diody prostownicze i diody stabilizacyjne. 1.2 Diody prostownicze. Diodami prostowniczymi nazywa się diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego o małej częstotliwości przy dużych mocach wydzielanych w obciążeniu. Są to zatem diody pracujące przeważnie w układach prostowniczych bloków zasilania różnych urządzeń elektronicznych i elektrycznych. Diody te pracują przy częstotliwości 50 Hz, czasem 400 Hz. Jest to zakres na tyle małych częstotliwości, że zjawiska dynamiczne nie mają istotnego wpływu na pracę diody w układzie w przeciwieństwie do grupy diod 2
3 prostowniczych impulsowych przeznaczonych do pracy w tzw. przetwornicach lub zasilaczach impulsowych, gdzie wymagane są specjalne parametry diod. Diody prostownicze są to diody warstwowe (dyfuzyjne lub stopowe) wytwarzane z krzemu lub rzadziej z germanu. Wytwarzane są również diody prostownicze z barierą Schottky ego. Dwa podstawowe parametry diod prostowniczych to: - maksymalny średni prąd przewodzenia I 0 lub inaczej prąd znamionowy w kierunku przewodzenia I FN, - powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne U RMM Produkuje się diody na prądy od pojedynczych amperów do kilku kiloamperów i napięcia wsteczne sięgające kilku kilowoltów. Diody na prądy powyżej 10A pracują z radiatorami odprowadzającymi wydzielane ciepło do otoczenia. Rys. 1. Charakterystyka napięciowo- prądowa złącza p-n. Na Rys. 1 przedstawiona jest charakterystyka diody I D =I D (U AK ). Jak widać już przy bardzo małych napięciach U AK (jest to napięcie na diodzie) prąd płynący przez diodę I D (prąd przewodzenia) bardzo mocno wzrasta do dużych wartości. Tak jak każdy element dioda ma również swoje parametry graniczne, których nie można przekroczyć bez jej uszkodzenia. Dlatego prąd przewodzenia diody nie może przekroczyć jej prądu maksymalnego I Fmax. Napięcie przewodzenia diody U F określa się przy prądzie przewodzenia I F =0,1 I Fmax. Dla diody germanowej Ge (diody mogą być zbudowane z różnych półprzewodników) napięcie to zawiera się w zakresie od 0,2V do 0,4V, a dla diody krzemowej Si - od 0,5V do 0,8V (Rys. 2.). 3
4 Rys. 2. Charakterystyka napięciowo - prądowa w kierunku przewodzenia dla diody krzemowej i germanowej. Zmiany natężenia prądu idealnego złącza p-n w funkcji napięcia polaryzacji opisuje wzór Shockley a: qu I = I s exp 1 (1) kt gdzie: I s prąd nasycenia złącza, U napięcie polaryzacji, T temperatura [K], k= J/K (stała Boltzmana) q=1, C (ładunek elementarny). Z dobrym przybliżeniem przyjmuje się, że dla U F >100mV: qu I F I s exp (2) nkt Prąd I' s jest zastępczym prądem nasycenia uwzględniającym mechanizmy dyfuzji i rekombinacji, a wartość współczynnika n zależy od udziału składowej dyfuzyjnej i rekombinacyjnej w prądzie płynącym przez złącze. Współczynnik n przyjmuje wartość pomiędzy 1 (tylko prąd dyfuzji) i 2 (tylko prąd rekombinacji). Aby uwzględnić spadek napięcia na elementach diody poza obszarem ładunku przestrzennego zwykle wprowadza się pojęcie rezystancji szeregowej, co jest związane z założeniem, że te spadki napięcia są proporcjonalne do prądu płynącego przez złącze. Tak więc najprostszy model diody w kierunku przewodzenia wygląda jak na Rys. 3. U-I f R S IR f S I f D R s U Rys. 3. Model diody w kierunku przewodzenia. 4
5 Element D ma charakterystykę opisaną wzorem (2), tylko zamiast U, we wzorze należy podstawić (U-I F R s ).Tak więc wypadkowa charakterystyka diody może być opisana wzorem: q( U I F Rs ) I = F I s exp (3) nkt Po przekształceniu otrzymujemy równanie liniowe: q ln I F = ln I s + ( U I F Rs ) (3) nkt lub zapisując w innej postaci: q ln I = ln I s + ( U U ) (3) nkt Jeśli tę charakterystykę narysować w układzie współrzędnych, na którym oś napięcia U jest liniowa a oś prądu, I F ma podziałkę logarytmiczną, otrzymamy wykres jak na Rys. 4. I [A] U=IR s 1E-3 1E-4 1E n [ mv] 1 1E-6 1E I`s (przy U=0) 1E-8 U [V] Rys. 4. Charakterystyka napięciowo-prądowa diody półprzewodnikowej w układzie półlogarytmicznym. Po wykonaniu takiego wykresu można obliczyć z części liniowej wartość I' s oraz n, a z części nieliniowej R s. Dla ułatwienia analizy wykresu w części liniowej pomijamy rezystancję szeregową, R s. 1.3 Diody stabilizacyjne. Diody stabilizacyjne, nazywane często zwyczajowo diodami Zenera, są to diody warstwowe p-n, przeznaczone do zastosowań w układach stabilizacji napięć, w układach ograniczników, jako źródła napięć odniesienia itp. Jest to 5
6 półprzewodnikowy element stabilizacyjny, w którym wykorzystuje się efekty: Zenera i powielania lawinowego. Występują one podczas zaporowej polaryzacji złącza p-n. Efekt Zenera polega na tunelowym przejściu elektronu, (tzn. bez straty energii) z pasma podstawowego do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Występuje on przede wszystkim w półprzewodnikach silnie domieszkowanych (cienkie złącze, co implikuje duże natężenie pola elektrycznego w jego obszarze ( 10 8 V/m.)). Występuje w diodach, których napięcie przebicia leży w zakresie 2 5V. Zjawisko powielania lawinowego polega na powielaniu nośników prądu w warstwie zaporowej złącza w wyniku zderzeń elektronów z atomami sieci krystalicznej. Efekt ten występuje w złączu słabo domieszkowanym (złącze grube o grubości znacznie przekraczającej średnią drogę swobodną elektronu więc o dużym prawdopodobieństwie powielania lawinowego; natężenie pola elektrycznego w warstwie zaporowej złącza wynosi ok V/m). Wspomniany efekt zachodzi w diodach, których napięcie przebicia jest z reguły wyższe od 6V. Dla diod o napięciu polaryzacji zawierającym się w granicach 5 10V oba efekty występują jednocześnie. I U =9,1V Z 0,6V U P max Rys. 5. Przykładowa charakterystyka napięciowo-prądowa diody stabilizacyjnej. Charakterystykę napięciowo-prądowa diody stabilizacyjnej przedstawiono na Rys. 5. Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dioda zachowuje się tak jak zwykła dioda, tzn. spadek napięcia na niej jest niewielki i wynosi ok V. Przy polaryzacji zaporowej gwałtowny wzrost prądu występuje dla pewnej wartości napięcia (zależy to od sposobu wykonania diody). Tę ostatnią właściwość wykorzystuje się stosując diodę jako element stabilizacyjny w stabilizatorach napięć. 6
7 I U Z U IZmin P max 1 r z hiperbola mocy admisyjnej I Zmax Rys. 6. Charakterystyka wsteczna diody stabilizacyjnej. Na Rys. 6 przedstawiono charakterystykę diody Zenera spolaryzowanej w kierunku zaporowym wraz z jej podstawowymi parametrami. Trzy podstawowe parametry diod stabilozacyjnych to: - napięcie stabilizacji U Z (nazywane również napięciem Zenera), definiowane jako napięcie odpowiadające umownej wartości prądu stabilizacji, np. dla 0,1 maksymalnej wartości prądu stabilizacji, - rezystancja przyrostowa r Z = U Z I Z przy określonym prądzie stabilizacji (w graficznej interpretacji jest to nachylenie odcinka na charakterystyce napięciowo-prądowej odpowiadającej występowaniu zjawiska Zenera i przebicia lawinowego, - temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKU Z. 2. Badania i pomiary. 2.1 Określenie wielkości mierzonych. Wielkościami mierzonymi są spadki napięcia i prądy płynące przez diody i tyrystor. Na podstawie tych danych wyznacza się charakterystyki napięciowo prądowe badanych elementów. Z analizy wykresów (wykonanych w Excelu) wyznaczamy dla diody prostowniczej: napięcie przewodzenia U F, oraz współczynnik n, a dla diody stabilizacyjnej napięcie przewodzenia U F, napięcie stabilizacji U z, rezystancję przyrostową r Z. 2.2 Schematy układów pomiarowych Wyznaczanie charakterystyki napięciowo-prądowej w kierunku przewodzenia metodą punkt po punkcie. - wyznaczyć charakterystykę napięciowo-prądową w układzie pomiarowym jak na Rys. 7, - wyniki zapisać w karcie pomiarowej (zakresy prądów i napięć poda prowadzący). 7
8 ZASILACZ REGULOWANY + R ma mv Rys. 7. Układ pomiarowy dla diody prostowniczej i diody Zenera (kierunek przewodzenia). I F U F Tablica 1 DIODA (****wpisać typ****) kierunek przewodzenia [ma] [V] Wyznaczanie charakterystyki napięciowo-prądowej w kierunku zaporowym metodą punkt po punkcie. - wyznaczyć charakterystyki napięciowo-prądowe diod: prostowniczej i stabilizacyjnej (Zenera) w układach pomiarowych przedstawionych odpowiednio na Rys. 8 i Rys. 9, - wyniki zapisać w karcie pomiarowej (zakresy prądów i napięć poda prowadzący). + ZASILACZ REGULOWANY V µa R Rys. 8. Układ pomiarowy dla diody prostowniczej (kierunek zaporowy). ZASILACZ REGULOWANY + ma V R Rys. 9. Układ pomiarowy dla diody Zenera (kierunek zaporowy). I R U R Tablica 2 DIODA (****wpisać typ****) kierunek zaporowy [*A] [V] 8
9 3. Opracowanie wyników pomiarowych. W trakcie zajęć należy przeprowadzić pomiary wg instrukcji do ćwiczenia i zaleceń prowadzącego. Wszystkie uzyskane wyniki należy zapisać do karty pomiarowej. Karta pomiarowa po zakończeniu ćwiczenia powinna być podpisana przez prowadzącego i dołączona do późniejszego sprawozdania z ćwiczenia. Sprawozdanie w szczególności powinno zawierać: 1. Zbiorczą charakterystykę napięciowo-prądową diody prostowniczej (zestawienie wyników z pomiarów w kierunku przewodzenia i zaporowym, przykład Rys. 1). 2. Charakterystykę napięciowo-prądową diody prostowniczej w kierunku przewodzenia w skali półlogarytmicznej (przykład Rys. 4.). 3. Wyznaczone parametry badanej diody prostowniczej (U F, n ). 4. Zbiorczą charakterystyki napięciowo-prądową diody Zenera (zestawienie wyników z pomiarów w kierunku przewodzenia i zaporowym, przykład Rys. 5). 5. Wyznaczone parametry badanej diody Zenera (U F, n, U z, r Z ). 6. Oszacowania niepewności pomiarowej i błędów. 7. Sprawozdanie należy dostarczyć w formie wydrukowanej i dokumentu elektronicznego (dyskietka). 9
10 ZAŁACZNIK 1. KARTA POMIAROWA Tablica 1A I F [ma] U F [V] Tablica 1B I F [µa] U F [V] Tablica 2A I F [ma] U F [V] Tablica 2B I F [ma] U F [V] DIODA prostownicza... kierunek przewodzenia DIODA prostownicza... kierunek zaporowy DIODA Zenera... kierunek przewodzenia DIODA Zenera... kierunek zaporowy Grupa: Nazwiska studentów: data:... d 10 podpis
Badanie diod półprzewodnikowych
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Badanie diod półprzewodnikowych (E 7) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ
Bardziej szczegółowoBADANIE DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH
BAANE O PÓŁPZEWONKOWYCH nstytut izyki Akademia Pomorska w Słupsku Cel i ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest: - zapoznanie się z przebiegiem charakterystyk prądowo-napięciowych diod różnych typów, - zapoznanie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 4 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Politechniki Wrocławskiej TUDA DZENNE LABORATORUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNKOWYCH Ćwiczenie nr 4 Charakterystyki = f(u) złącza p-n.. Zagadnienia do samodzielnego
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 2 Charakterystyki I= f(u) złącza p-n.
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i otoniki Opracował zespół: Marek Panek, Waldemar Oleszkiewicz, wona Zborowska-Lindert, Bogdan Paszkiewicz, Małgorzata Kramkowska, Beata Ściana, Zdzisław ynowiec, Bogusław
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE. Obwody nieliniowe.
POLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE Obwody nieliniowe. (E 3) Opracował: dr inż. Leszek Remiorz Sprawdził: dr
Bardziej szczegółowoELEKTROTECHNIKA I ELEKTRONIKA
NWERSYTET TECHNOLOGCZNO-PRZYRODNCZY W BYDGOSZCZY WYDZAŁ NŻYNER MECHANCZNEJ NSTYTT EKSPLOATACJ MASZYN TRANSPORT ZAKŁAD STEROWANA ELEKTROTECHNKA ELEKTRONKA ĆWCZENE: E7 BADANE DODY PROSTOWNCZEJ DODY ZENERA
Bardziej szczegółowoDIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987
DIODY WYK. VI SMK W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, W-wa 1987 Nadając konkretny kształt konstrukcyjny bryle półprzewodnika, będącej złączem p-n, czyli definiując jej rozmiary,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORAORUM ELEKRONK Ćwiczenie 1 Parametry statyczne diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodnikowych oraz zapoznanie
Bardziej szczegółowoRównanie Shockley a. Potencjał wbudowany
Wykład VI Diody Równanie Shockley a Potencjał wbudowany 2 I-V i potencjał wbudowany Temperatura 77K a) Ge E g =0.7eV b) Si E g =1.14eV c) GaAs E g =1.5eV d) GaAsP E g =1.9eV qv 0 (0. 5 0. 7)E g 3 I-V i
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Wydział PRACOWNIA FIZYCZNA WFiIS AGH Imię i nazwisko 1. 2. Temat: Rok Grupa Zespół Nr ćwiczenia Data wykonania Data oddania Zwrot do popr. Data oddania Data zaliczenia OCENA Ćwiczenie nr 123: Dioda półprzewodnikowa
Bardziej szczegółowoEL08s_w03: Diody półprzewodnikowe
EL08s_w03: Diody półprzewodnikowe Złącza p-n i m-s Dioda półprzewodnikowa ( Zastosowania diod ) 1 Złącze p-n 2 Rozkład domieszek w złączu a) skokowy b) stopniowy 3 Rozkłady przestrzenne w złączu: a) bez
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia. Podstawowe informacje. eu exp mkt ] 1 (1) I =I S[
Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z diodami półprzewodnikowymi poprzez pomiar ich charakterystyk prądowonapięciowych oraz jednoczesne doskonalenie techniki pomiarowej. Zakres ćwiczenia
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe cz II
Diody półprzewodnikowe cz II pojemnościowe Zenera tunelowe PIN Schottky'ego Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa
COACH 10 Dioda półprzewodnikowa Program: Coach 6 Projekt: na MN060c CMA Coach Projects\PTSN Coach 6\ Elektronika\dioda_2.cma Przykład wyników: dioda2_2.cmr Cel ćwiczenia - Pokazanie działania diody - Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoI we. F (filtr) U we. Rys. 1. Schemat blokowy układu zasilania odbiornika prądu stałego z sieci energetycznej z zastosowaniem stabilizatora napięcia
22 ĆWICZENIE 3 STABILIZATORY NAPIĘCIA STAŁEGO Wiadomości wstępne Stabilizatory napięcia stałego są to układy elektryczne dostarczające do odbiornika napięcie o stałej wartości niezależnie od zmian w określonych
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n
POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI LABORATORIUM FIZYKI FAZY SKONDENSOWANEJ Ćwiczenie 9 Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoĆw. III. Dioda Zenera
Cel ćwiczenia Ćw. III. Dioda Zenera Zapoznanie się z zasadą działania diody Zenera. Pomiary charakterystyk statycznych diod Zenera. Wyznaczenie charakterystycznych parametrów elektrycznych diod Zenera,
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoLaboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia
Wrocław, 21.03.2017 r. Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych test kompetencji zagadnienia Podczas testu kompetencji studenci powinni wykazać się znajomością zagadnień określonych w kartach kursów
Bardziej szczegółowoSYMBOLE GRAFICZNE. Tyrystory. Struktura Charakterystyka Opis
SYMBOLE GRAFICZNE y Nazwa triasowy blokujący wstecznie SCR asymetryczny ASCR Symbol graficzny Struktura Charakterystyka Opis triasowy blokujący wstecznie SCR ma strukturę czterowarstwową pnpn lub npnp.
Bardziej szczegółowoNazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n
Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 123: Półprzewodnikowe złącze p-n Cel ćwiczenia: Zapoznanie się z własnościami warstwowych złącz półprzewodnikowych p-n. Wyznaczanie charakterystyk stałoprądowych
Bardziej szczegółowo4. Diody DIODY PROSTOWNICZE. Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego.
4. Diody 1 DIODY PROSTOWNICE Są to diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. jawisko prostowania: przepuszczanie przez diodę prądu w jednym kierunku, wtedy gdy chwilowa polaryzacja diody jest
Bardziej szczegółowoElementy i obwody nieliniowe
POLTCHNKA ŚLĄSKA WYDZAŁ NŻYNR ŚRODOWSKA NRGTYK NSTYTT MASZYN RZĄDZŃ NRGTYCZNYCH LABORATORM LKTRYCZN lementy i obwody nieliniowe ( 3) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGLWCZ 3 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoElementy półprzewodnikowe. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.
Elementy półprzewodnikowe Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Elementy elektroniczne i ich zastosowanie. Elementy stosowane w elektronice w większości
Bardziej szczegółowoIV. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego
1 V. Wyznaczenie parametrów ogniwa słonecznego Cel ćwiczenia: 1.Zbadanie zależności fotoprądu zwarcia i fotonapięcia zwarcia od natężenia oświetlenia. 2. Wyznaczenie sprawności energetycznej baterii słonecznej.
Bardziej szczegółowoDiody prostownicze. częstotliwo. ową 50 Hz) przy znacznych lub zgoła a duŝych mocach wydzielanych w obciąŝ
Diody 1 Diody prostownicze Ogólna charakterystyka Diodami prostowniczymi nazywa się diody przeznaczone do prostowania prądu przemiennego. W domyśle rozumie się prostowanie prądu o małej częstotliwo stotliwości
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki i miernictwa
Numer indeksu 150946 Michał Moroz Imię i nazwisko Numer indeksu 151021 Paweł Tarasiuk Imię i nazwisko kierunek: Informatyka semestr 2 grupa II rok akademicki: 2008/2009 Laboratorium elektroniki i miernictwa
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODY
ZESPÓŁ LABORATORIÓW TELEMATYKI TRANSPORTU ZAKŁAD TELEKOMUNIKACJI W TRANSPORCIE WYDZIAŁ TRANSPORTU POLITECHNIKI WARSZAWSKIEJ LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA NR 2 DIODY DO UŻYTKU
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoTranzystor. C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz2b.cmr
Tranzystor Program: Coach 6 Projekt: komputer H : C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma Coach Projects\PTSN Coach 6 \Elektronika\Tranzystor_cz1.cmr C:\Program Files (x86)\cma\coach6\full.en\cma
Bardziej szczegółowoDIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE Instrukcję opracował: dr inż. Jerzy Sawicki Wymagania i wiedza konieczna do wykonania ćwiczenia: 1. Znajomość instrukcji do ćwiczenia, w tym
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI
LABOATOIM ELEKTONIKI ĆWICENIE 1 DIODY STABILIACYJNE K A T E D A S Y S T E M Ó W M I K O E L E K T O N I C N Y C H 21 CEL ĆWICENIA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi
Bardziej szczegółowoIII. TRANZYSTOR BIPOLARNY
1. TRANZYSTOR BPOLARNY el ćwiczenia: Wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Zagadnienia: zasada działania tranzystora bipolarnego. 1. Wprowadzenie Nazwa tranzystor pochodzi z języka
Bardziej szczegółowoPOLITECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGETYKI INSTYTUT MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LABORATORIUM ELEKTRYCZNE.
POLITECHNIK ŚLĄSK WYDZIŁ INŻYNIERII ŚRODOWISK I ENERGETYKI INSTYTUT MSZYN I URZĄDZEŃ ENERGETYCZNYCH LBORTORIUM ELEKTRYCZNE Badanie tyrystora (E 9) Opracował: Dr inż. Włodzimierz OGULEWICZ 3 1. Cel ćwiczenia
Bardziej szczegółowo21. Diody i układy diodowe
21. Diody i układy diodowe Celem ćwiczenia jest poznanie budowy, zasady działania i właściwości podstawowych układów elektronicznych, w których zastosowano diody prostownicze i diody Zenera. 21.1. Diody
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe
Elementy elektroniczne Wykłady 4: Diody półprzewodnikowe Część pierwsza Diody - wprowadzenie Diody półprzewodnikowe - wprowadzenie Podstawowe równanie: AK R exp 1 mt proszczenia w zakresie przewodzenia
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI DIODA
ZESPÓŁ LABORATORÓW TELEMATYK TRANSPORT ZAKŁAD TELEKOMNKACJ W TRANSPORCE WYDZAŁ TRANSPORT POLTECHNK WARSZAWSKEJ LABORATORM PODSTAW ELEKTRONK NSTRKCJA DO ĆWCZENA NR 2 DODA DO ŻYTK WEWNĘTRZNEGO WARSZAWA 2016
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe
Diody półprzewodnikowe prostownicze detekcyjne impulsowe... Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 Kod: ES1C400 026 BADANIE WYBRANYCH DIOD I TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK
Bardziej szczegółowo. Diody, w których występuje przebicie Zenera, charakteryzują się małymi, poniŝej 5V, wartościami napięcia stabilizacji oraz ujemną wartością α
2 CEL ĆWCENA Celem ćwiczenia jest praktyczne zapoznanie się z charakterystykami statycznymi oraz waŝniejszymi parametrami technicznymi diod stabilizacyjnych Są to diody krzemowe przeznaczone min do zastosowań
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoBase. Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000
Złącze p-n Base Paul Sherz Practical Electronic for Inventors McGraw-Hill 2000 Dyfuzja aż do stanu równowagi 6n+3p+6D Dipol ładunku elektrycznego 6p+3n+6A Pole elektryczne Nadmiarowe nośniki mniejszościowe
Bardziej szczegółowoĆ w i c z e n i e 1 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH
Ć w i c z e n i e 6 BADANIE PROSTOWNIKÓW NIESTEROWANYCH. Wiadomości ogólne Prostowniki są to urządzenia przetwarzające prąd przemienny na jednokierunkowy. Prostowniki stosowane są m.in. do ładowania akumulatorów,
Bardziej szczegółowoWYZNACZANIE STAŁEJ PLANCKA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH. Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska
1 II PRACOWNIA FIZYCZNA: FIZYKA ATOMOWA Z POMIARU CHARAKTERYSTYK PRĄDOWO-NAPIĘCIOWYCH DIOD ELEKTROLUMINESCENCYJNYCH Irena Jankowska-Sumara, Magdalena Krupska Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest wyznaczenie
Bardziej szczegółowoLaboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6
Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6 1/5 Stabilizator liniowy Zadaniem jest budowa i przebadanie działania bardzo prostego stabilizatora liniowego. 1. W ćwiczeniu wykorzystywany
Bardziej szczegółowoPracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie 1. Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów RC
Pracownia Automatyki i Elektrotechniki Katedry Tworzyw Drzewnych Ćwiczenie ĆWICZENIE Połączenia szeregowe oraz równoległe elementów C. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest praktyczno-analityczna ocena wartości
Bardziej szczegółowoŹródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego
POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoLaboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa
Laboratorum 4 Dioda półprzewodnikowa Marcin Polkowski (251328) 19 kwietnia 2007 r. Spis treści 1 Cel ćwiczenia 2 2 Opis ćwiczenia 2 3 Wykonane pomiary 3 3.1 Dioda krzemowa...............................................
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM ELEKTRONIKI
INSTYTUT NWIGCJI MORSKIEJ ZKŁD ŁĄCZNOŚCI I CYBERNETYKI MORSKIEJ UTOMTYKI I ELEKTRONIK OKRĘTOW LBORTORIUM ELEKTRONIKI Studia dzienne I rok studiów Specjalności: TM, IRM, PHiON, RT, PM, MSI ĆWICZENIE NR
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoUrządzenia półprzewodnikowe
Urządzenia półprzewodnikowe Diody: - prostownicza - Zenera - pojemnościowa - Schottky'ego - tunelowa - elektroluminescencyjna - LED - fotodioda półprzewodnikowa Tranzystory - tranzystor bipolarny - tranzystor
Bardziej szczegółowoĆwiczenie C1 Diody. Wydział Fizyki UW
Wydział Fizyki UW Pracownia fizyczna i elektroniczna (w tym komputerowa) dla Inżynierii Nanostruktur (1100-1INZ27) oraz Energetyki i Chemii Jądrowej (1100-1ENPRFIZELEK2) Ćwiczenie C1 Diody Streszczenie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra utomatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIK ENS1C300 022 WYBRNE ZSTOSOWNI DIOD PÓŁPRZEWODNIKOWYCH BIŁYSTOK
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE
w Jeleniej Górze (Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa) WYDZIAŁ TECHNICZNY PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE INSTRUKCJE LABORATORYJNE Józef Biegalski Lech Kaczmarek Jerzy Pietruszewski Jerzy Zdanowski Jelenia Góra,
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoDioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK
Dioda półprzewodnikowa OPRACOWANIE: MGR INŻ. EWA LOREK Budowa diody Dioda zbudowana jest z dwóch warstw półprzewodników: półprzewodnika typu n (nośnikami prądu elektrycznego są elektrony) i półprzewodnika
Bardziej szczegółowoZadania z podstaw elektroniki. Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF):
Zadania z podstaw elektroniki Zadanie 1. Wyznaczyć pojemność wypadkową układu (C1=1nF, C2=2nF, C3=3nF): Układ stanowi szeregowe połączenie pojemności C1 z zastępczą pojemnością równoległego połączenia
Bardziej szczegółowoPaństwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa w Legnicy Laboratorium Podstaw Elektroniki i Miernictwa Ćwiczenie nr 2 PRWO OHM. BDNIE DWÓJNIKÓW LINIOWYCH I NIELINIOWYCH . Cel ćwiczenia. - Zapoznanie się z właściwościami
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH L A B O R A T O R I U M ELEMENTY ELEKTRONICZNE DIODY REV. 2.0 1. CEL ĆWICZENIA - pomiary charakterystyk stałoprądowych diod prostowniczych, świecących oraz stabilizacyjnych - praktyczne
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoZasada działania tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Zasada działania tranzystora bipolarnego
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A
Instrkcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 3 A Temat: Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie metod wyznaczania oraz pomiar rezystancji dynamicznej (róŝniczkowej)
Bardziej szczegółowoWARYSTORY, TERMISTORY, DIODY.
WARYSTORY, TERMISTORY, DIODY. 1. Warystory. Warystor jest rezystorem, którego wartośd rezystancji zmniejsza się silnie wraz ze wzrostem napięcia. Warystory produkuje się obecnie najczęściej z granulowanego
Bardziej szczegółowoMiłosz Andrzejewski IE
Miłosz Andrzejewski IE Diody Diody przepuszczają prąd tylko w jednym kierunku; służą do prostowania. W tym celu używa się ich w: prostownikach wchodzących w skład zasilaczy. Ogólnie rozpowszechnione są
Bardziej szczegółowoWłasności i zastosowania diod półprzewodnikowych
Własności i zastosowania diod półprzewodnikowych 1. zas trwania: 6h 2. el ćwiczenia Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych różnych typów diod półprzewodnikowych. Montaż i badanie wybranych układów,
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoWykład V Złącze P-N 1
Wykład V Złącze PN 1 Złącze pn skokowe i liniowe N D N A N D N A p n p n zjonizowane akceptory + zjonizowane donory x + x Obszar zubożony Obszar zubożony skokowe liniowe 2 Złącze pn skokowe N D N A p n
Bardziej szczegółowo1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza
Elementy półprzewodnikowe i układy scalone 1. Właściwości materiałów półprzewodnikowych 2. Półprzewodniki samoistne i domieszkowane 3. Złącze pn 4. Polaryzacja złącza ELEKTRONKA Jakub Dawidziuk sobota,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 01. Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia
Temat: Własności diody Zenera Cel ćwiczenia Ćwiczenie 01 Zrozumienie właściwości diod ze złączem p n. Poznanie własności diod każdego typu. Nauka testowania parametrów diod każdego typu za pomocą różnych
Bardziej szczegółowoDiody półprzewodnikowe. Model diody półprzewodnikowej Shockley a. Dioda półprzewodnikowa U D >0 model podstawowy
iody półprzewodnikowe Model diody półprzewodnikowej Shockley a U U + U gr0 exp 1 0 exp 1 2ϕT ϕt gr0 prąd generacyjno-rekombinacyjny 0 prąd nasycenia φ T potencjał termiczny elektronów kt/e26mv dla T300K
Bardziej szczegółowoLaboratorium elektroniki. Ćwiczenie E02IS. Diody. Wersja 2.0 (21 lutego 2018)
Laboratorium elektroniki Ćwiczenie E02IS Diody Wersja 2.0 (21 lutego 2018) Spis treści: 1. Cel ćwiczenia...3 2. Zagrożenia...3 3. Wprowadzenie teoretyczne...3 4. Dostępna aparatura...5 4.1. Moduł doświadczalny...5
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Ćwiczenie 2 Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych 1. WSTĘP TEORETYCZNY 1.1. Diody Podstawę większości diod półprzewodnikowych stanowi złącze p-n. Ze względu na powszechność zastosowania dzieli
Bardziej szczegółowo4. DIODY 4.1. WSTĘP 4.2. DIODY PROSTOWNICZE
4. DIODY 4.1. WSTĘP Diodą nazywamy element dwukońcówkowy składający się z bryły półprzewodnika mającego złącze p-n, zamknięty w obudowie z wyprowadzeniami elektrycznymi osobno z obszaru typu p i obszaru
Bardziej szczegółowokierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II
kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II iody prostownicze i diody Zenera Zadanie Podać schematy zastępcze zlinearyzowane dla diody
Bardziej szczegółowoOPORNIKI POŁĄCZONE SZEREGOWO: W połączeniu szeregowym rezystancja zastępcza jest sumą poszczególnych wartości:
REZYSTOR Opornik (rezystor) najprostszy, rezystancyjny element bierny obwodu elektrycznego. Jest elementem liniowym: spadek napięcia jest wprost proporcjonalny do prądu płynącego przez opornik. Przy przepływie
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 34. Badanie elementów optoelektronicznych
Ćwiczenie nr 34 Badanie elementów optoelektronicznych 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z elementami optoelektronicznymi oraz ich podstawowymi parametrami, a także doświadczalne sprawdzenie
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE LABORATORYJNE. TEMAT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów
ĆWICZENIE LBORTORYJNE TEMT: Wyznaczanie parametrów diod i tranzystorów 1. WPROWDZENIE Przedmiotem ćwiczenia jest zapoznanie się z budową i zasadą działania podstawowych rodzajów diod półprzewodnikowych
Bardziej szczegółowoLaboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki
Politechnika Gdańska Wydział Elektrotechniki i utomatyki 1. Wstęp st. stacjonarne I st. inżynierskie, Energetyka Laboratorium Podstaw Elektrotechniki i Elektroniki Ćwiczenie nr 2 OBWODY NIELINIOWE PRĄDU
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 4 Temat: Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie własności przełączających złącza p - n oraz wybranych
Bardziej szczegółowoInstrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 2 Temat: Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest poznanie wpływu temperatury na charakterystyki i
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoRys.1. Struktura fizyczna diody epiplanarnej (a) oraz wycinek złącza p-n (b)
Ćwiczenie E11 UKŁADY PROSTOWNIKOWE Elementy półprzewodnikowe złączowe 1. Złącze p-n Złącze p-n nazywamy układ dwóch półprzewodników.jednego typu p w którym nośnikami większościowymi są dziury obdarzone
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa
Ćwiczenie 123 Ćwiczenie 123. Dioda półprzewodnikowa Cel ćwiczenia Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoBadanie zasilacza niestabilizowanego
UKŁADY ELEKTRONICZNE Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych Badanie zasilacza niestabilizowanego Laboratorium Układów Elektronicznych Poznań 2008 1. Cel i zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie
Bardziej szczegółowo