INDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103

Transkrypt

1 INDEKS.AC DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS FOUR IC INC LIB MC MODEL... 21,42,111.NODESET NOISE OP OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT PRINT PROBE... 22,35,56,65.SENS SUBCKT TEMP TF TRAN... 72,98.WIDTH... 5 Algorytm Newton-a Raphson-a... 23, 25, 31, 180, 182, 183, 191 Amplituda prawdopodobieństwa Analiza Monte Carlo... 40,41 Analiza stałoprądowa Analiza szumów Analiza zmiennoprądowa Analiza zniekształceń nieliniowych AREA Atraktor Lorentz-a Błąd obcięcia Cewka deklaracja... 7 model Cewki sprzężone deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103

2 224 Indeks Dioda półprzewodnikowa deklaracja model model małosygnałowy model szumowy parametry pojemności , 136 przełączanie wpływ temperatury Dobroć generatora Domena magnetyczna Efekt tranzystorowy EXP Generator Collpits-a Gęstość mocy szumów na wyjściu zredukowana do wejścia Granica linearyzacji pojemności złączowej Histereza magnetyczna IC... 7,80,89 Impedancja falowa Klucz sterowany napięciem sterowany prądem Komentarz... 3,5 Kondensator deklaracja... 7 model Kontaktowa różnica potencjałów Laser Linia długa...8,79 Linia kontynuacji Makromodel Maser Metoda parametryzacji źródeł Metoda potencjałów węzłowych wady zalety Model cewki ferromagnetyka klucza kondensatora opornika...112

3 Indeks 225 rdzenia magnetycznego szumowy elementu tranzystora bipolarnego tranzystora GaAs , 160 tranzystora JFET tranzystora polowego MOS , 174, 184 Model Baum-a, Beneking-a Model Shichman-a Hodges-a Model szumowy elementu Modele elementów małosygnałowe szumowe Modulacja długości kanału tranzystora MOS model Baum-a Beneking-a Nieliniowe źródła sterowane napięciem SEM SPM Nieliniowe źródła sterowane prądem SEM SPM Nieliniowy rdzeń magnetyczny deklaracja model materiału rdzenia obliczanie parametrów materiału rdzenia parametry Niezależne ź ródło napięcia... 3, 9, 46, 73 Niezależne źródło prądu... 9,46,73 OFF Opornik deklaracja... 6 gęstość widmowa szumów model (temperaturowy) Podobwód deklaracja wywołanie zakończenie definicji struktury Pojemność dyfuzyjna , 144, 146, 151 złączowa , 143, 145, 146, 152, 157, 159, 173 Pojemność złączowa POLY Potencjał Fermiego Potencjał termiczny Potencjał złączowy , 149, 159, 172

4 226 Indeks Prawdopodobieństwo Probe... 22,69,70 Przerwa energetyczna , 147, 150, 159, 160, 169 Przyrostki PULSE PWL Równanie Hamiltona SFFM SIN Stała Plancka Statyczny punkt pracy Statyczny punkt pracy układu... 4 Szum diody opornika tranzystora bipolarnego tranzystora GaAs tranzystora JFET tranzystora MOS Temperatura odniesienia Temperatura otoczenia analizowanego układu TNOM... 6,135 Transmitancja stałoprądowa Tranzystor bipolarny charakterystyka statyczna czas przelotu częstotliwość graniczna deklaracja dynamika model hybryd π model ładunkowy Gummela-Poona parametry... 49, 141, 148 parametry małosygnałowe podział pojemności złącza baza-kolektor pojemność baza-emiter pojemność baza-kolektor pojemność kolektor-podłoże prąd upływu złącza rezystancja obszaru bazy rezystancje omowe zależności temperaturowe Tranzystor polowy MOS deklaracja...165

5 Indeks 227 model Dang-a model małosygnałowy model Meyer-a model pojemności Meyer-a model pojemności Ward-a , 188 model Shichman-a Hodges-a model szumowy modulacja długości kanału parametry , 174, 184 pojemności , 182, 183, 188 wpływ degradacji ruchliwości nośników ładunku wpływ szerokości kanału na napięcievto współczynnik modulacji długości kanału , 188 Tranzystor polowy, złączowy deklaracja model małosygnałowy model Shichman-a Hodges-a model szumowy parametry Tranzystor polowy, złączowy GaAs deklaracja model Curtice-a model małosygnałowy model Raytheon-a model szumowy parametry TRTOL Tytuł analizy... 3,5 UIC... 72,84,101 Wektor magnetyzacji Wektor namagnesowania Węzeł masy... 3 Wrażliwości Współczynnik zniekształceń nieliniowych Współczynnik zwielokrotnienia przyrządu , 148, 149 Względny ładunek bazy Wzmacniacz oporowy Wzmocnienie napięciowe Zjawisko Early-ego Zmodyfikowana metoda potencjałów węzłowych Źródła niezależne SEM... 9,46,73 SPM... 9,46,73 Źródła sterowane napięciem

6 228 Indeks SEM... 9 SPM... 9 Źródła sterowane prądem SEM SPM... 10