Technologia elementów optycznych
|
|
- Stefan Zawadzki
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS
2 Pojęcia podstawowe
3 Wymiary MEMS/MOEMS
4 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10
5 Technologie wytwarzania MEMS Fotolitografia Fotolitografia UV Litografia wiązką elektronową (Electron beam lithography) Litografia rentgenowska (X-ray lithography) Osadzanie warstw CVD (chemical vapour deposition) LPCVD (low pressure CVD), PECVD (plasma enhanced CVD) PVD (physical vapor deposition) Napylanie, naparowywanie Electroplating Trawienie Trawienie suche Trawienie wspomagane plazmą : RIE (reactive ion etching), DRIE (deep RIE) Trawienie mokre, trawienie mokre chemiczne Inne Milling, EDM (electro discharge machining), laser machining Techniki bondingu: fusion bonding, anodic bonding, flip-chip bonding Opakowanie (packaging)
6 Proces wytwarzania MEMS Modelowanie 3D Koncepcja: Specyfikacja Procesów Analizy modelu Projektowanie CAD, symulacje i layout Wytwarzanie masek Kolejne cykle procesu Osadzanie warstw Fotolitografia Usuwanie warstw Testy Wstępne testy, podział i ochrona uwalnianych elementów Podział Cięcie Montaż Opakowanie Izolacja i odsłonięcie elementów Testy Testowanie wszystkich funkcji
7 Podstawowe technologie MEMS Bulk micromachining : usuwanie materiału masywnej części substratu RIE/deep RIE Trawienie izo i anizotropowe Osadzanie cienkich warstw: utlenianie, PECVD, LPCVD, epitaksja, napylanie Dyfuzja/etch stop Bardziej dopasowane do mikroczujników! Surface micromachining : usuwanie materiału warstw wytworzonych na substracie Osadzanie warstwy poświęcanej (PSG, SiO 2 ) Osadzanie i trawienie polikrzemu Trawienie warstwy poświęcanej Bardziej dopasowane do mikroaktuatorów! Proporcje Współczynnik proporcji trawienia i osadzania izotropowe Warstwa struktury anizotropowe Uwolniona warstwa
8 Materiały technologii MEMS Wafle Si, Ge, GaAs, InP, szkło, metale, ceramiki, polimery Si materiał dominujący ponieważ : opanowana technologia wyśmienite właściwości mechaniczne możliwość integracji z elektroniką Materiały używane do wytwarzania cienkich warstw Si, poli-si, a-si, SiN, domieszkowany SiO2 (PSG, BPSG), SiO2, SiC polimery (PR, epoxy, polyimide, etc.) materiały piezoelektryczne (PZT, ZnO, AlN, itp.)
9 Procesy technologiczne odwzorowania kształtów Metody odwzorowywania kształtów Wzór przenoszony na płytkę za pośrednictwem emulsji Wzór przenoszony na płytkę bez pośrednictwa emulsji Metoda substraktywna (litografia + trawienie) Metoda addytywna (litografia + odrywanie) Bezpośrednie trawienie skanującą wiązką jonową
10 Techniki litograficzne Fotolitografia Elektronolitografia maska skanująca wiązka elektronów + tańsza od innych - ograniczenia dyfrakcyjne (0.5µm) - wymaga maski + nie wymaga maski - długie czasy naświetlania - rozproszenie elektronów
11 Technolgia surface micromachining Proces z 1 maską Proces z dwoma maskami + Prostota procesu - Zależność czasowa + Bez zależności czasowej - Potrzeba maski ustawczej
12 Procesy technologiczne, w wyniku których powstają nowe warstwy Kryteria klasyfikacji procesów technologicznych: - temperatura procesu (procesy nisko-, średnioi wysokotemperaturowe) - ciśnienie - typ reakcji chemicznej (rozkład związków złożonych, utlenianie, azotkowanie, reakcje złożone, ) - fakt konsumowania lub nie atomów podłoża
13 Procesy technologiczne, w wyniku których powstają nowe warstwy Parametry warstw: - skład chemiczny - struktura krystalograficzna - orientacja krystalograficzna - adhezja warstwy do podłoża - grubość warstwy - współczynnik załamania warstwy - stała dielektryczna - rezystywność (lub jej rozkład) - współczynnik rozszerzalności termicznej - naprężenia mechaniczne - jednorodność (lub jej rozkład) - profil (sposób pokrycia uskoków)
14 Trawienie Procesy trawienia można podzielić na: - mokre - realizowane w wodnych roztworach kwasów i ługów - suche - realizowane w plazmie aktywnych chemicznie i szlachetnych gazów lub przy zastosowaniu wiązki jonowej
15 Trawienie suche Technika suchego trawienia została opracowana dla potrzeb mikroelektroniki i umożliwia uzyskiwanie wzorów o większej rozdzielczości niż w przypadku trawienia mokrego (obecnie standardowo wytwarza się tą techniką wzory o szerokości linii nawet mniejszej niż 100nm). Suche trawienie wykonuje się technikami jonowymi i plazmowymi, które wykorzystują zjawiska zachodzące w plazmie lub oddziaływanie wiązki jonów z materiałem trawionym. Główne mechanizmy suchego trawienia to reakcje chemiczne i fizyczne: Mechanizm chemiczny polega na reakcji wolnych rodników z materiałem trawionym, wytworzeniu lotnych produktów tej reakcji i odpompowaniu ich z reaktora Mechanizm fizyczny polega na wybijaniu atomów lub cząsteczek trawionego materiału przez wysokoenergetyczne jony
16 Trawienie suche Urządzeniem realizującym trawienie plazmowe jest reaktor planarny, który może pracować w modzie trawienia plazmowego PE (ang. Plasma Etching) albo w modzie reaktywnego trawienia jonowego RIE (ang. Reactive Ion Etching) PE - udział jonów w procesie trawienia jest nieznaczny, dominuje chemiczne oddziaływanie rodników z materiałem trawionym - duże szybkości - wysoka selektywność RIE - duże energie jonów > od 50eV - mechanizm fizyczny ma duży wpływ na proces trawienia, który jest bardziej anizotropowy i mniej selektywny - kompromis pomiędzy szybkością a anizotropią
17 Trawienie mokre Trawienie mokre w wodnych roztworach kwasów cechuje się dużą izotropią. Wyjątkiem jest proces trawienia monokrystalicznych materiałów np. krzemu w wodnych roztworach ługów. Poszczególne płaszczyzny krystalograficzne mają różne szybkości trawienia (np.: V<100>:V<111>=100:1) i dlatego można uzyskać dużą anizotropię. Trawienie izotropowe Trawienie anizotropowe
18 Trawienie anizotropowe <100> <111> 54.7 Silicon Substrate
19
20 Procesy trawienia C. Gorecki-Highlights in Microtechnology
21 Przykład procesu technologicznego czujnika ciśnienia
22 Optical MEMS Projection displays Optical-fiber switches Sub-wavelength structures OPTICAL MEMS Diffractive optics Adaptive optics, photonic crystals are well suited for implantation in MEMS This will lower the cost and also add functionality Promising application areas include: environmental monitoring security surveillance biomedicine optical interconnects optical wireless communications Na podstawie materiałów
23
24
25
26 SMD - Surface Mount Device
27 Produkt komercyjny
28 MOEMS
29 Texas Instruments - DMD
30 2x2 Optical Switch Cross State Bar State
31 2x2 Optical Switch
32
33 NxN Optical Link
34 3D Optical Switch
35
36
37 Programowalne struktury dyfrakcyjne
38 Programowalne struktury dyfrakcyjne
39
40
41
42
43
44
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoCzyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z
to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,
Bardziej szczegółowoOBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE
OBRÓBKA PLAZMOWA W MIKROELEKTRONICE I MIKROMECHANICE Metody suchego i mokrego trawienia umożliwiają selektywne trawienie metali, przewodników, dielektryków a także światłoczułych materiałów organicznych
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS
Różne wyniki trawienia krzemu TECHNOLOGIA STRUKTUR MOEMS prof. nzw. Romuald B. Beck Wykład 3 Warszawa, czerwiec 2008 Wytwarzanie belki (belka krzemowa) Magnetic Force Microscope MFM Ostrze do analizy MFM
Bardziej szczegółowoMIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie
MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowozasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych.
Cienkie warstwy Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym. Istotnym parametrem charakteryzującym
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoMateriały fotoniczne
Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,
Bardziej szczegółowoPlan. Wstęp EBL Litografia Nano-imprinitg Holografia Trawienie Pomiary Zastosowanie Podsumowanie. Szymon Lis Photonics Group. C-2 p.305. Plan.
Politechnik Wrocławska wykładu 2D Kryształy Fotoniczne technologia i pomiary 1. 2D Kryształ fotoniczny 2. Technologia - elektronolitografia - holografia - nano-imprinting litografia miękka - trawienie
Bardziej szczegółowoMarek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.
Bardziej szczegółowoPiezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia
MIKROSYSTEMY - laboratorium Ćwiczenie 1 Piezorezystancyjny czujnik ciśnienia: modelowanie membrany krzemowej podstawowego elementu piezorezystancyjnego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem
Bardziej szczegółowoFotolitografia. xlab.me..me.berkeley.
Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Koszalińska
Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje
Bardziej szczegółowoAparatura do osadzania warstw metodami:
Aparatura do osadzania warstw metodami: Rozpylania mgnetronowego Magnetron sputtering MS Rozpylania z wykorzystaniem działa jonowego Ion Beam Sputtering - IBS Odparowanie wywołane impulsami światła z lasera
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL BUP 26/06
PL 212025 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 212025 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 375716 (51) Int.Cl. H01L 27/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:
Bardziej szczegółowoPolisilany. R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne
Polisilany R 1, R 2... CH 3, C 2 H 5, C 6 H 5, C 6 H 11 i inne Mechanizm otrzymywania polisilanów Struktura trójwymiarowego polisilanu Typy przestrzennego uporządkowania polisilanów a.) polisilan liniowy
Bardziej szczegółowoTechnologia cienkowarstwowa
Physical Vapour Deposition Evaporation Dlaczego w próżni? 1. topiony materiał wrze w niższej temperaturze 2. zmniejsza się proces utleniania wrzącej powierzchni 3. zmniejsza się liczba zanieczyszczeń w
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoBadania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych
Badania wybranych nanostruktur SnO 2 w aspekcie zastosowań sensorowych Monika KWOKA, Jacek SZUBER Instytut Elektroniki Politechnika Śląska Gliwice PLAN PREZENTACJI 1. Podsumowanie dotychczasowych prac:
Bardziej szczegółowoCienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Bardziej szczegółowoTechnologia w elektronice
Technologia w elektronice Procesy technologiczne 1. Wytwarzanie Si 2. Domieszkowanie 3. Wytwarzanie i usuwanie warstw izolatora. Cienkie warstwy. 4. Litografia. 5. Montowanie kontaktów. 1 Litografia Fotolitografia
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoModelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoTechnologie mikro- nano-
Technologie mikro- nano- część Prof. Golonki 1. Układy wysokotemperaturowe mogą być nanoszone na następujące podłoże ceramiczne: a) Al2O3 b) BeO c) AlN 2. Typowe grubości ścieżek w układach grubowarstwowych:
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoEkspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński
Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą
Bardziej szczegółowoSŁAWOMIR WIAK (redakcja)
SŁAWOMIR WIAK (redakcja) Akademicka Oficyna Wydawnicza EXIT Recenzenci: Prof. Janusz Turowski Politechnika Łódzka Prof. Ewa Napieralska Juszczak University Lille Nord de France, LSEE, UA, Francja Autorzy
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni
Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 7 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Wykład 7 Wytwarzanie struktur 3D Łączenie LTCC z innymi materiałami Integracja przeźroczystego szkła z modułem LTCC Łączenie PDMS
Bardziej szczegółowoSYLABUS. Chemiczna obróbka metali i półprzewodników
SYLABUS Nazwa przedmiotu Nazwa jednostki prowadzącej przedmiot Chemiczna obróbka metali i półprzewodników Wydział Matematyczno-Przyrodniczy Centrum Mikroelektroniki i Nanotechnologii Kod przedmiotu Studia
Bardziej szczegółowoCzujniki mikromechaniczne
Czujniki mikromechaniczne WSTĘP Narzędzia mikroelektroniki zastosowane do struktur mechanicznych pozwalają wytworzyć nie tylko proste czujniki o wymiarach mikronowych ale całe struktury - mikrosystemy.
Bardziej szczegółowoStudnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski
Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa
Bardziej szczegółowoModelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 1. Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 1 Modelowanie ugięcia membrany krzemowej modelowanie pracy mikromechanicznego czujnika ciśnienia Zadania i cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest dobranie
Bardziej szczegółowoMODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA
Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013 Warszawa, dnia 10.07.2013 r. L. dz. CEZ-170-13 MODYFIKACJA SPECYFIKACJI ISTOTNYCH WARUNKÓW ZAMÓWIENIA Dotyczy postępowania prowadzonego w trybie przetargu nieograniczonego
Bardziej szczegółowoTechnologia sprzętu optoelektronicznego. dr inż. Michał Józwik pokój 507a
Technologia sprzętu optoelektronicznego dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Treść wykładu Specyfika wymagań i technologii elementów optycznych. Ogólna struktura procesów technologicznych.
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe LITOGRAFIA
Układy cienkowarstwowe LITOGRAFIA 1 Układy cienkowarstwowe Wafer krzemowy Warstwa Tlenku Warstwa tlenku Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy Maska Wafer krzemowy Maska Warstwa fotorezystywna Wafer krzemowy
Bardziej szczegółowoLTCC. Low Temperature Cofired Ceramics
LTCC Low Temperature Cofired Ceramics Surowa ceramika - green tape Folia LTCC: 100-200µm, mieszanina ceramiki, szkła i nośnika ceramicznego Technika sitodruku: warstwy (ścieŝki przewodzące, rezystory,
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoWykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
Bardziej szczegółowoTechnologia elementów optycznych
Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 4 powłoki optyczne Powłoki optyczne obróbka powierzchni elementów i podłoży polega na powlekaniu materiału
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Fizyka Cienkich Warstw W-2 METODY OTRZYMYWANIA CIENKICH WARSTW (preparation methods, deposition methods, coatin technoloies) 1. Fizyczne metody otrzymywania warstw 2. Chemiczne metody otrzymywania warstw
Bardziej szczegółowoWSTĘP... 1 Sławomir Wiak. 1. PODSTAWY MECHATRONIKI... 7 Sławomir Wiak, Krzysztof Smółka
WSTĘP... 1 Sławomir Wiak 1. PODSTAWY MECHATRONIKI... 7 Sławomir Wiak, Krzysztof Smółka 1.1. Definicja mechatroniki... 7 1.2. Produkty mechatroniczne... 12 1.3. Analiza procesowa systemów mechatronicznych...
Bardziej szczegółowoWielomodowe, grubordzeniowe
Wielomodowe, grubordzeniowe i z plastykowym pokryciem włókna. Przewężki i mikroelementy Multimode, Large-Core, and Plastic Clad Fibers. Tapered Fibers and Specialty Fiber Microcomponents Wprowadzenie Włókna
Bardziej szczegółowoOsadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 2 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni
Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 2 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Plan wykładu - Podstawy technologii grubowarstwowej - Materiały i procesy TECHNOLOGIA GRUBOWARSTWOWA Układy grubowarstwowe wytwarza
Bardziej szczegółowoDiody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi
Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz
Bardziej szczegółowoPolitechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre
Bardziej szczegółowoRozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu mikromechanicznym
Rozdział 3. Rezystancyjne czujniki gazów na podłożu mikromechanicznym Połączenie własności mechanicznych krzemu z mikroelektroniką przyczyniło się do powstania pod koniec lat 80 zintegrowanych mikrosystemów
Bardziej szczegółowoOptymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach elektronicznych
Politechnika Wrocławska Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Autoreferat rozprawy doktorskiej Optymalizacja procesu reaktywnego trawienia jonowego heterostruktur AlGaN/GaN do zastosowań w przyrządach
Bardziej szczegółowoPowłoki cienkowarstwowe
Powłoki cienkowarstwowe Wstęp Powody zastosowania powłok znaczne straty energii - w układach o dużej ilości elementów optycznych (dalmierze, peryskopy, wzierniki) przykład : peryskop - 12% światła wchodzącego
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowo2.2.P.05: Inżynieria powierzchni materiałów funkcjonalnych
2nd Workshop on Foresight of surface properties formation leading technologies of engineering materials and biomaterials in Białka Tatrzańska, Poland 29th-30th November 2009 2 Panel nt. Produkt oraz materiał
Bardziej szczegółowometody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe
metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe mgr inż. Ewelina Piwowarczyk Uniwersytet Jagielloński Wydział Chemii 1 Metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe Katalizatory na nośniku
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2
Bardziej szczegółowoMikrosystemy Wprowadzenie. Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt.
Mikrosystemy Wprowadzenie Prezentacja jest współfinansowana przez Unię Europejską w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego w projekcie pt. Innowacyjna dydaktyka bez ograniczeń - zintegrowany rozwój
Bardziej szczegółowoInżynieria Wytwarzania
KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Inżynieria Wytwarzania Ćwiczenie 3 Osadzanie próżniowe z fazy lotnej 2010 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 3 Osadzanie
Bardziej szczegółowoPoprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza
Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,
Bardziej szczegółowoMikrosystemy Lab-on-a-Chip
Mikrosystemy Lab-on-a-Chip Ireneusz Kocemba* W pracy przedstawiono ogólną ideę funkcjonowania zminiaturyzowanych urządzeń laboratoryjnych zwanych Lab-on-a-Chip. Ich zadaniem jest przeprowadzanie określonych
Bardziej szczegółowoPL B1. MEDGAL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ, Białystok, PL POLITECHNIKA ŁÓDZKA, Łódź, PL
PL 223008 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 223008 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 398452 (22) Data zgłoszenia: 15.03.2012 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoTechnologia elementów optycznych
Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 1 Treść wykładu Specyfika wymagań i technologii elementów optycznych. Ogólna struktura procesów technologicznych.
Bardziej szczegółowoMETODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW
METODY BADAŃ BIOMATERIAŁÓW 1 Cel badań: ograniczenie ryzyka związanego ze stosowaniem biomateriałów w medycynie Rodzaje badań: 1. Badania biofunkcyjności implantów, 2. Badania degradacji implantów w środowisku
Bardziej szczegółowoSpektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy)
Spektroskopia charakterystycznych strat energii elektronów EELS (Electron Energy-Loss Spectroscopy) Oddziaływanie elektronów ze stałą, krystaliczną próbką wstecznie rozproszone elektrony elektrony pierwotne
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoSŁAWOMIR WIAK (redakcja)
SŁAWOMIR WIAK (redakcja) Akademicka Oficyna Wydawnicza EXIT Recenzenci: Prof. Janusz Turowski Politechnika Łódzka Prof. Ewa Napieralska Juszczak University Lille Nord de France, LSEE, UA, Francja Autorzy
Bardziej szczegółowodr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH
Bardziej szczegółowoTechnologia światłowodów planarnych i warstw optycznych
Technologia światłowodów planarnych i warstw optycznych Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone
Bardziej szczegółowoTechnika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel
Technika sensorowa Czujniki piezorezystancyjne dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Czujniki działające w oparciu o efekt Tensometry,
Bardziej szczegółowoTechnologia ogniw paliwowych w IEn
Technologia ogniw paliwowych w IEn Mariusz Krauz 1 Wstęp Opracowanie technologii ES-SOFC 3 Opracowanie technologii AS-SOFC 4 Podsumowanie i wnioski 1 Wstęp Rodzaje ogniw paliwowych Temperatura pracy Temperatura
Bardziej szczegółowoIV. Transmisja. /~bezet
Światłowody IV. Transmisja BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet 1. Tłumienność 10 7 10 6 Tłumienność [db/km] 10 5 10 4 10 3 10 2 10 SiO 2 Tłumienność szkła w latach (za A.
Bardziej szczegółowoSzkło kuloodporne: składa się z wielu warstw różnych materiałów, połączonych ze sobą w wysokiej temperaturze. Wzmacnianie szkła
Wzmacnianie szkła Laminowanie szkła. Są dwa sposoby wytwarzania szkła laminowanego: 1. Jak na zdjęciach, czyli umieszczenie polimeru pomiędzy warstwy szkła i sprasowanie całego układu; polimer (PVB ma
Bardziej szczegółowoModelowanie mikrosystemów - laboratorium. Ćwiczenie 2. Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed
Modelowanie mikrosystemów - laboratorium Ćwiczenie 2 Modelowanie pracy mikromechanicznego pojemnościowego czujnika ciśnienia z membraną typu bossed Zadania i cel ćwiczenia. Zadaniem wykonującego ćwiczenie
Bardziej szczegółowoKażda z tych technologii ma swoją specyfikę
Temat numeru Technologie cięcia termicznego i hydroabrazywnego Cięcie blach o różnej, często bardzo dużej grubości, jest znaczącym wyzwaniem dla większości firm produkcyjnych. Cięcie mechaniczne, ew. wytłaczanie
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyczne technologii laserowych i plazmowych Phisycal Fundamentals of laser and plasma technology
Załącznik nr 7 do Zarządzenia Rektora nr 10/1 z dnia 1 lutego 01r. KARTA MODUŁU / KARTA PRZEDMIOTU Kod modułu Nazwa modułu Nazwa modułu w języku angielskim Obowiązuje od roku akademickiego 013/014 A. USYTUOANIE
Bardziej szczegółowoOkreślanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI 1, Henryk M. PRZEWŁOCKI 1, Mietek BAKOWSKI 2 Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych (1), ACREO Szwecja (2) Określanie schematów pasmowych
Bardziej szczegółowoSpektrometr ICP-AES 2000
Spektrometr ICP-AES 2000 ICP-2000 to spektrometr optyczny (ICP-OES) ze wzbudzeniem w indukcyjnie sprzężonej plazmie (ICP). Wykorztystuje zjawisko emisji atomowej (ICP-AES). Umożliwia wykrywanie ok. 70
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoWłaściwości materii. Bogdan Walkowiak. Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka. 18 listopada 2014 Biophysics 1
Wykład 8 Właściwości materii Bogdan Walkowiak Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka 18 listopada 2014 Biophysics 1 Właściwości elektryczne Właściwości elektryczne zależą
Bardziej szczegółowoKształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych
Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)
LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik
Bardziej szczegółowoOgniwa fotowoltaiczne - najnowsze rozwiązania Trendy rozwojowe współczesnych ogniw fotowoltaicznych
Ogniwa fotowoltaiczne - najnowsze rozwiązania Trendy rozwojowe współczesnych ogniw fotowoltaicznych mgr inż. Szymon Witoszek www.emiter.net.pl KOSZT WYGENEROWANIA ENERGII ZE ZDEFINIOWANEGO ŹRÓDŁA KRYTERIA
Bardziej szczegółowoWYKŁAD 6 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni
Mikrosystemy ceramiczne WYKŁAD 6 Dr hab. inż. Karol Malecha, prof. Uczelni Wykład 6 Wykonywanie struktur przestrzennych Laminacja wysoko i niskociśnieniowa (przypomnienie) Laminacja wieloetapowa Laminacja
Bardziej szczegółowo1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp.
Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych WYK. 3 SMK Na podstawie: W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT W-wa 1987. Przyrząd półprzewodnikowy (dioda, tranzystor)
Bardziej szczegółowoFizykochemiczne metody w kryminalistyce. Wykład 7
Fizykochemiczne metody w kryminalistyce Wykład 7 Stosowane metody badawcze: 1. Klasyczna metoda analityczna jakościowa i ilościowa 2. badania rentgenostrukturalne 3. Badania spektroskopowe 4. Metody chromatograficzne
Bardziej szczegółowoNiezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita
Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość
Bardziej szczegółowo