Co to jest cienka warstwa?
|
|
- Michał Piotrowski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1
2 Warstwy w układach scalonych 1. W jednym mikroprocesorze jest 25 milionów tranzystorów, które muszą być między sobą odpowiednio połączone, lub od siebie odizolowane. Musi być doprowadzone napięcie zasilające itp. 2. W związku z tym układ scalony jest wielowarstwowy, składa się z co najmniej 6 warstw metalu, 6 warstw izolatora i odpowiedniej ilości warstw półprzewodnikowych. Cienkie warstwy Warstwy mogą być: polikrystaliczne monokrystaliczne (epitaksjalne) amorficzne Krzem polikrystaliczny dielektryk p n n+ p n+ n++ p p Warstwa epitaksjalna 2
3 Metody nanoszenia cienkich warstw Naparowanie warstw Rozpylanie jonów (sputtering) Różne metody chemicznego nanoszenia warstw z fazy gazowej (odmiany CVD Chemical Vapor Deposition) np. PECVD (Plasma Enhanced); LPCVD (Low Pressure) Epitaksja z wiązki molekularnej warstwy polikrystaliczne warstwy monokrystaliczne Metody nanoszenia cienkich warstw 1. Wszystkie metody polegają na tym, że atomy (cząsteczki) nanoszonej substancji muszą zbliżyć się do podłoża, związać z nim i utworzyć odpowiedniej grubości warstwę. 2. W czasie wytwarzania cienkich warstw zachodzą konkurujące ze sobą procesy: Powodujące wzrost warstwy: 1. Osadzanie atomów na powierzchni; Powodujące zmniejszanie się warstwy: 1. Odbijanie padających atomów od powierzchni; 2. Desorpcja (parowanie) atomów z powierzchni; 3
4 Etapy tworzenia cienkich warstw 1. Termiczna akomodacja 2. Związanie z podłożem 3. Dyfuzja powierzchniowa 4. Zarodkowanie 5. Wzrost izolowanych wysp 6. Łączenie się wysp 7. Dalszy wzrost Etapy tworzenia warstwy Atom zbliża się do powierzchni Migracja, ucieczka, związanie z podłożem Połączenie dwóch atomów Zarodkowanie Wzrost Połączenie między wyspami Ciągła warstwa 4
5 Termiczna akomodacja Padający jon/atom musi stracić nadmiarową energię kinetyczną. Ev Er αt = E E v s Jeśli a T =0: nie ma straty energii; jest to zderzenie sprężyste i atom po prostu odbija się. Jeśli a T =1: cała nadmiarowa energia jest stracona. Wiązanie z podłożem 1. Mogą zajść dwa główne przypadki: Wiązania atomów z powierzchnią mają charakter fizyczny, czyli są to słabe wiązania typu Van der Waalsa (0.01 ev) Mogą powstać typowe wiązania chemiczne różnego typu (1-10 ev) 5
6 Zarodkowanie Jak powstaje klaster atomów? podobnie, jak i wszystkie inne nowe fazy. Najpierw musi powstać zarodek, a następnie musi on się powiększać. Podobnie, jak w każdym procesie powstawania nowej fazy mamy dwa konkurujące ze sobą efekty: klaster ma niższą energię swobodną niż izolowane atomy ( G V ) - to powstanie klastra atomów obniża energią swobodną, a co za tym idzie szybkość desorpcji; klaster ma wyższą energię powierzchniową niż izolowane atomy, co z kolei oznacza zwiększenie energii swobodnej i zanikanie klastrów, które są zbyt małe. Zarodkowanie Podobnie, jak w przypadku krystalizacji trójwymiarowej, aby cienka warstwa mogła wzrastać, muszą powstać zarodki warstwy większe niż pewien minimalny promień krytyczny. Proces zarodkowania nie jest aż tak trudny, jak to wynika z rozważań termodynamicznych dotyczących idealnego przypadku. Podłoże nie jest ani idealnie gładkie, ani pozbawione defektów. Wszystkie nierówności, zanieczyszczenia itp. są miejscami, w których zarodki powstają bardzo łatwo. 6
7 Wzrost zarodków (powstawanie izolowanych od siebie wysp). 1. Zarodki rosną tworząc trójwymiarowe wyspy (taki proces następuje, gdy atomy nanoszonej warstwy silniej wiążą się ze sobą nawzajem niż z podłożem, a także, gdy dyfuzja powierzchniowa jest dość wolna). Wzrost zarodków 2. Zarodki rosną warstwa na warstwie (taki proces następuje, gdy atomy nanoszonej warstwy silniej wiążą się z podłożem niż ze sobą nawzajem, a także, gdy dyfuzja powierzchniowa jest szybka). Warstwy rosnące w taki sposób są zazwyczaj dobrej jakości. 7
8 Wzrost zarodków 3. Mechanizm pośredni Wzrost jest najpierw warstwa po warstwie, a później tworzą się trójwymiarowe wyspy. Dyfuzja powierzchniowa 1. Dyfuzja atomów po powierzchni warstwy pozwala na tworzenie i wzrost klasterów adsorbowanych atomów => powstaje warstwa 2. Na jakie odległości atomy dyfundują? 3. Korzystając z tego, co wiemy o dyfuzji: X D s τ Gdzie τ jest średnim czasem życia atomu na powierzchni. 8
9 Dyfuzja powierzchniowa Mogą zatem zajść dwa przypadki: Klaster powstanie Klaster nie powstanie Łączenie się wysp 1. Atomy łatwo uwalniają się z małych wysp (duża energia powierzchniowa) i wędrując po powierzchni przyłączają się do wysp dużych. 9
10 Łączenie się wysp 2. W czasie wygrzewania obniża się energia powierzchniowa; atomy z miejsc o dużej krzywiźnie wędrują do miejsc o mniejszej krzywiźnie. 3. Małe wyspy, wykonując przypadkowe ruchy zbliżają się do wysp większych i łączą się z nimi. Naparowanie warstw 1. Nanoszony materiał jest ogrzewany przechodzi w stan pary dyfunduje poprzez próżnię a następnie osadza się na chłodniejszym podłożu 2. Procesy fizyczne: Parowanie Transport w fazie gazowej Osadzanie warstwy 10
11 Naparowanie warstw wieloskładnikowych naparowane warstwy ze stopu metali nie mają takiego samego składu jak źródło (składniki parują niezależnie) Zmiana w czasie stosunku składnika A do B w dwuskładnikowym stopie metali. (K) Naparowanie warstw wieloskładnikowych 1. Z jednego stopu: gdy szybkości parowania są równe; 2. Z wielu źródeł 3. Z wielu źródeł na zmianę: wówczas, aby ujednorodnić warstwę trzeba ja wygrzewać. 11
12 Naparowanie warstw Większość metali tworzących ścieżki przewodzące łączące poszczególne elementy, oraz elektrody łączące układy z zewnętrznym światem nanosi się właśnie w taki sposób. (bardzo często aluminium i złoto) Inne zastosowania: przemysł optyczny (lustra, warstwy pokrywające soczewki, filtry itp.) Rozpylanie jonowe (sputtering) Jony są przyspieszane w kierunku katody. Wskutek zderzeń z jonami fragmenty tarczy odrywają się i dyfundują przez komorę a następnie osadzają się na podłożu. Wybicie jonu z powierzchni następuje wskutek przekazania pędu przez jon - powierzchnia nie topi się. 12
13 Rozpylanie jonowe 1. Etapy rozpylania jonowego: Wytworzenie jonów (najczęściej są to jony Ar + ); Przeprowadzenie atomów źródła w stan gazowy; Transport w fazie gazowej; Osadzanie warstwy. Rozpylanie jonowe 1. Wydajność procesu rozpylania jonowego (liczba wybitych atomów na jeden padający jon) jest w zakresie od 0.1 do 3. Zależy ona od następujących czynników: 1.Materiał tarczy; 2.Masa jonów, którymi bombarduje się powierzchnię; 3.Energia jonów, którymi bombarduje się powierzchnię. W przypadku rozpylania jonowego stosuje się energie od 50 ev do 1000 ev; 4.Kąt padania jonów bombardujących. 13
14 Rozpylanie jonowe 1. Wpływ masy (i energii) jonów bombardujących powierzchnię na wydajność procesu wybijania z powierzchni. Rozpylanie jonowe 1. Procesy wybijania atomów zachodzą w warstwie około 10 Å % energii padających jonów powoduje ogrzewanie materiału, na który jony padają => musi on być chłodzony % energii unoszą ze sobą wybijane jony i atomy 1. Typowe energie ev (znacznie większe niż w przypadku naparowania warstw). Wybijane atomy mają bardzo różne energie. 14
15 Rozpylanie jonowe Wpływ kąta padania wiązki jonów na wydajność. Rozpylanie jonowe 1. Rozpylanie jonów nadaje się do nanoszenia warstw stopów, dlatego że skład warstwy jest w przybliżeniu taki sam jak skład rozpylanej tarczy. 1. W ciele stałym dyfuzja zachodzi powoli. Dlatego zmiany składu tarczy równoważą różnice wydajności wybijania różnych jonów. 15
16 Rozpylanie jonowe 1. Przebieg procesu: 1. Początkowy skład stopu złożonego z A i B : ABABABABABABAB 2. Jeśli S A > S B, to na początku wybijanych jest więcej atomów A 3. Powierzchnia wzbogaca się w B : BAB. B. BA. B. AB 4. Teraz, na powierzchni jest więcej B =>więcej B jest wybijanych... ABABBABABBAB 2. Itd., itd. Proces się powtarza, a skład warstwy jest w przybliżeniu taki, jak tarczy. Rozpylanie jonowe: techniki doświadczalne 1. Metoda stałoprądowa (DC sputtering); 2. Metoda zmiennoprądowa (RF sputtering); 3. Rozpylanie reakcyjne (Reactive sputtering); 4. Rozpylanie magnetronowe (Magnetron sputtering). 16
17 Rozpylanie jonowe: techniki doświadczalne 1. Metoda stałoprądowa Najprostsza wersja napylania stałoprądowego: jony wybijają atomy z tarczy a te opadaja na podłoże i tam osiadają. Rozpylanie jonowe: techniki doświadczalne Metoda stałoprądowa Najczęściej do substratu przykłada się ujemne, stałe napięcie. Maksymalna wydajność wybijania atomów jest zazwyczaj przy napięciu 2-5kV; 17
18 Rozpylanie jonów: techniki doświadczalne Metoda zmiennoprądowa Niezbędna przy nanoszeniu materiałów, które są izolatorami. Przy stałym napięciu polaryzującym katoda ładuje się dodatnio. Np. żeby nanieść warstwę SiO 2 metodą DC należałoby przyłożyć napięcie rzędu V. Rozpylanie jonów: techniki doświadczalne Metoda zmiennoprądowa Przy zmiennym napięciu tarcza się nie ładuje (a ściśle mówiąc ładuje się i rozładowuje na przemian). tarcza komora i podłoże czas > Rozpylanie zachodzi, gdy tarcza jest ujemna 18
19 Epitaksja 1. Homoepitaksja: warstwa i podłoże to ten sam materiał; 2. Heteroepitaksja: warstwa i podłoże to różne materiały. 3. Epitaksja to między innymi: MBE Molecular Beam Epitaxy (epitaksja z wiązki molekularnej) MOVPE - Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (Epitaksja z wykorzystaniem związków metalorganicznych w fazie pary) LPE Liquid-Phase Epitaxy (epitaksja z fazy ciekłej) VPE Vapor-Phase Epitaxy (epitaksja z fazy gazowej); lub CVD (chemical vapor deposition) Epitaksja Struktury krystaliczne wytwarzanej warstwy i podłoża mogą być: Dopasowane (zazwyczaj w homo- czasem w heteroepitaksji) 19
20 Epitaksja Naprężone (warstwa ma inna strukturę krystaliczną niż podłoże). Różnica między parametrami komórek elementarnych warstwy i podłoża nie może być zbyt duża. Przykład: Co ma strukturę hcp; może być w postaci warstw być wytwarzany jako fcc (do 1mm). Takie warstwy mogą mieć niezwykłe właściwości. Epitaksja Zrelaksowane (warstwa rośnie tworząc dyslokacje krawędziowe) 20
21 Epitaksja 1. W warstwach epitaksjalych mogą powstać różne defekty. Na przykład: błędy kolejności ułożenia warstw atomowych (stacking faults) c b a c b a c b a a c b a c b a c a Epitaksja 1. Ze względu na symetrię komórki elementarnej mogą powstawać obszary o innej orientacji ("domeny antyfazowe"). Np. w przypadku GaAs-na-Si. antiphase domain 21
22 Epitaksja Inne możliwe defekty warstw epitaksjalnych: 1 Dyslokacja, która jest w podłożu, została przedłużona również w warstwie epitaksjalnej. 2, 5 Defekt epitaksjalny, błędy ułożenia (np. Inny kierunek wzrostu kryształu) spowodowany jakimś zanieczyszczeniem. W przypadku 5 defekt zaczyna się w podłożu. 3 Wytrącenie 4 Nierówność powierzchni Epitaksja z wiązki molekularnej Jest to coś w rodzaju bardzo powolnego parowania. Odbywa się w wysokiej próżni. Jest to bardzo precyzyjnie kontrolowany proces. Warstwy są bardzo dobrej jakości. Jest to metoda droga i powolna. 22
23 Epitaksja z wiązki molekularnej Zalety: Wysoka próżnia warstwy są bardzo czyste Precyzja na poziomie monowarstw Wady: cena Bardzo wolna metoda Nie do wszystkiego się nadaje CVD Wzrost warstwy wskutek reakcji chemicznych zachodzących między nanoszonymi składnikami. Nanoszone warstwy mogą być monokrystaliczne, polikrystaliczne, lub amorficzne. Chemical Vapor Deposition (CVD) 23
24 Nanoszone materiały (przykłady) Dielektryki: Tlenek krzemu azotek krzemu Półprzewodniki: Krzem epitaksjalny (monokrystaliczny) i polikrystaliczny GaAs Metale: W Al Cu Ti CVD Zachodzące reakcje mogą być w różny sposób wspomagane: za pomocą temperatury, lasera, promieniowania UV, plazmy. Odpowiednio do metody, substrat musi być ogrzany do średnio wysokiej temperatury ( C). 24
25 CVD Ogólny przebieg procesu przedstawia rysunek: Etapy procesu CVD 1. Transport substratów (wymuszona konwekcja) do komory 2. Transport substratów (dyfuzja) ze strumienia gazu do podłoża. 3. Adsorpcja substartów na podłożu. 4. Procesy powierzchniowe( dekompozycja substratów lub reakcje, migracja, wiązanie z podłożem. 5. Desorpcja produktów ubocznych reakcji. 6. Transport produktów (dyfuzja) do strumienia gazu z podłoża. 7. Transport produktów (wymuszona konwekcja) z komory 25
26 CVD warstwy epitake pitaksjalne Wzrost warstw w zależności od składu gazu CVD warstwy epitake pitaksjalne Epitaksja jest absolutnie niezbędna gdy potrzebujemy warstwę o większym oporze niż podłoże (obnizyć opór można poprzez domieszkowane; zwiększyć oporu się nie da). 26
Cienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis
Wykład II Monokryształy Jerzy Lis Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów - krystalografia 3. Budowa kryształów rzeczywistych defekty WPROWADZENIE Stan krystaliczny jest podstawową
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Bardziej szczegółowoOsadzanie z fazy gazowej
Osadzanie z fazy gazowej PVD (Physical Vapour Deposition) Obniżone ciśnienie PVD procesy, w których substraty dla nakładania warstwy otrzymywane są przez parowanie lub rozpylanie. PAPVD Plasma Assisted
Bardziej szczegółowozasięg koherencji dla warstw nadprzewodzących długość fali de Broglie a w przypadku warstw dielektrycznych.
Cienkie warstwy Cienka warstwa to dwuwymiarowe ciało stałe o specjalnej konfiguracji umożliwiającej obserwowanie specyficznych efektów nie występujących w materiale litym. Istotnym parametrem charakteryzującym
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Dr inż. T. Wiktorczyk Wydzial Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Fizyka Cienkich Warstw W-3 Fizyczne metody otrzymywania warstw -kontynuacja Naparowanie próżniowe omówiono na W-2
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoKRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoMateriały fotoniczne
Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,
Bardziej szczegółowoCzym się różni ciecz od ciała stałego?
Szkła Czym się różni ciecz od ciała stałego? gęstość Czy szkło to ciecz czy ciało stałe? Szkło powstaje w procesie chłodzenia cieczy. Czy szkło to ciecz przechłodzona? kryształ szkło ciecz przechłodzona
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowoŁukowe platerowanie jonowe
Łukowe platerowanie jonowe Typy wyładowania łukowego w zależności od rodzaju emisji elektronów z grzaną katodą z termoemisyjną katodą z katodą wnękową łuk rozłożony łuk z wędrującą plamką katodową dr K.Marszałek
Bardziej szczegółowoFizyka Cienkich Warstw
Fizyka Cienkich Warstw W-2 METODY OTRZYMYWANIA CIENKICH WARSTW (preparation methods, deposition methods, coatin technoloies) 1. Fizyczne metody otrzymywania warstw 2. Chemiczne metody otrzymywania warstw
Bardziej szczegółowoZaburzenia periodyczności sieci krystalicznej
Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej Defekty liniowe dyslokacja krawędziowa dyslokacja śrubowa dyslokacja mieszana Defekty punktowe obcy atom w węźle luka w sieci (defekt Schottky ego) obcy atom
Bardziej szczegółowoZjawiska powierzchniowe
Zjawiska powierzchniowe Adsorpcja Model Langmuira Model BET 1 Zjawiska powierzchniowe Adsorpcja Proces gromadzenia się substancji z wnętrza fazy na granicy międzyfazowej; Wynika z tego, że w obszarze powierzchniowym
Bardziej szczegółowoElementy teorii powierzchni metali
prof. dr hab. Adam Kiejna Elementy teorii powierzchni metali Wykład 4 v.16 Wiązanie metaliczne Wiązanie metaliczne Zajmujemy się tylko metalami dlatego w zasadzie interesuje nas tylko wiązanie metaliczne.
Bardziej szczegółowoLaboratorium inżynierii materiałowej LIM
Laboratorium inżynierii materiałowej LIM wybrane zagadnienia fizyki ciała stałego czyli skrót skróconego skrótu dr hab. inż.. Ryszard Pawlak, P prof. PŁP Fizyka Ciała Stałego I. Wstęp Związki Fizyki Ciała
Bardziej szczegółowoStan Krystaliczny Stan krystaliczny. Stan krystaliczny
Stan Krystaliczny Stan krystaliczny Stan krystaliczny jest podstawową formą występowania nieorganicznych ciał stałych w przyrodzie (dlaczego?). Cechą wyróżniającą kryształy jest ich uporządkowana, periodyczna
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoPolitechnika Koszalińska
Politechnika Instytut Mechatroniki, Nanotechnologii i Technik Próżniowych Wytwarzanie, struktura i właściwości cienkich powłok na bazie węgla Andrzej Czyżniewski Dotacje na innowacje Dotacje na innowacje
Bardziej szczegółowoPraca objętościowa - pv (wymiana energii na sposób pracy) Ciepło reakcji Q (wymiana energii na sposób ciepła) Energia wewnętrzna
Energia - zdolność danego układu do wykonania dowolnej pracy. Potencjalna praca, którą układ może w przyszłości wykonać. Praca wykonana przez układ jak i przeniesienie energii może manifestować się na
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby
Bardziej szczegółowoSzkła. Forma i odlewy ze szkła kwarcowego wykonane w starożytnym Egipcie (około roku 2500 p.n.e.)
Szkła metaliczne Szkła cdn.gemrockauctions.com/uploads/images/275000-279999/276152/276152_1338954219.jpg American Association for the Advancement of Science Grot ze szkła wulkanicznego obsydianu (epoka
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób otrzymywania bioaktywnej powłoki na implantach i wszczepach medycznych oraz bioaktywna powłoka otrzymana tym sposobem
PL 221704 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221704 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 397877 (22) Data zgłoszenia: 23.01.2012 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoCo to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski
Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG
Technologie wytwarzania Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki
Bardziej szczegółowoUkłady cienkowarstwowe cz. II
Układy cienkowarstwowe cz. II Czym są i do czego mogą się nam przydać? Rodzaje mechanizmów wzrostu cienkich warstw Sposoby wytwarzania i modyfikacja cienkich warstw półprzewodnikowych czyli... Jak zrobić
Bardziej szczegółowoWłaściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ
Właściwości optyczne Oddziaływanie światła z materiałem hν MATERIAŁ Transmisja Odbicie Adsorpcja Załamanie Efekt fotoelektryczny Tradycyjnie właściwości optyczne wiążą się z zachowaniem się materiałów
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowo1) Rozmiar atomu to około? Która z odpowiedzi jest nieprawidłowa? a) 0, m b) 10-8 mm c) m d) km e) m f)
1) Rozmiar atomu to około? Która z odpowiedzi jest nieprawidłowa? a) 0,0000000001 m b) 10-8 mm c) 10-10 m d) 10-12 km e) 10-15 m f) 2) Z jakich cząstek składają się dodatnio naładowane jądra atomów? (e
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Fizyczne podstawy uszkodzeń radiacyjnych cz. 1.
Materiały Reaktorowe Fizyczne podstawy uszkodzeń radiacyjnych cz. 1. Uszkodzenie radiacyjne Uszkodzenie radiacyjne przekaz energii od cząstki inicjującej do materiału oraz rozkład jonów w ciele stałym
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowodr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej
dr inż. Beata Brożek-Pluska La boratorium La serowej Spektroskopii Molekularnej PŁ Powierzchniowo wzmocniona sp ektroskopia Ramana (Surface Enhanced Raman Spectroscopy) Cząsteczki zaadsorbowane na chropowatych
Bardziej szczegółowometody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe
metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe mgr inż. Ewelina Piwowarczyk Uniwersytet Jagielloński Wydział Chemii 1 Metody nanoszenia katalizatorów na struktury Metalowe Katalizatory na nośniku
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowoEnergia emitowana przez Słońce
Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoDRUGA ZASADA TERMODYNAMIKI
DRUGA ZASADA TERMODYNAMIKI Procesy odwracalne i nieodwracalne termodynamicznie, samorzutne i niesamorzutne Proces nazywamy termodynamicznie odwracalnym, jeśli bez spowodowania zmian w otoczeniu możliwy
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska. Literatura
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal, Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów IV. Źródła i rozmnażanie się dyslokacji
Bardziej szczegółowoDyslokacje w kryształach. ach. Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska
Dyslokacje w kryształach ach Keshra Sangwal Zakład Fizyki Stosowanej, Instytut Fizyki Politechnika Lubelska I. Wprowadzenie do defektów II. Dyslokacje: Podstawowe pojęcie III. Własności mechaniczne kryształów
Bardziej szczegółowoWykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład XIV: Właściwości optyczne JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: Treść wykładu: 1. Wiadomości wstępne: a) Załamanie
Bardziej szczegółowoTechnologie plazmowe. Paweł Strzyżewski. Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy Otwock-Świerk
Technologie plazmowe Paweł Strzyżewski p.strzyzewski@ipj.gov.pl Instytut Problemów Jądrowych im. Andrzeja Sołtana Zakład PV Fizyki i Technologii Plazmy 05-400 Otwock-Świerk 1 Informacje: Skład osobowy
Bardziej szczegółowodr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr
dr Rafał Szukiewicz WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WYDZIAŁ FIZYKI I ASTRONOMI UWr WYTWARZANIE I ZASTOSOWANIE NANOCZĄSTEK O OKREŚLONYCH WŁAŚCIWOŚCIACH WROCŁAWSKIE CENTRUM BADAŃ EIT+ WIELKOŚCI OBSERWOWANYCH
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm)
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100 (technologie 3 µm) np. pamięci: 64k 1000/100 >1M 100/10 USF_4 Technologia M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Józwik
Bardziej szczegółowoDRUGA ZASADA TERMODYNAMIKI
DRUGA ZASADA TERMODYNAMIKI Procesy odwracalne i nieodwracalne termodynamicznie, samorzutne i niesamorzutne Proces nazywamy termodynamicznie odwracalnym, jeśli bez spowodowania zmian w otoczeniu możliwy
Bardziej szczegółowo1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych.
Tematy opisowe 1. Kryształy jonowe omówić oddziaływania w kryształach jonowych oraz typy struktur jonowych. 2. Dlaczego do kadłubów statków, doków, falochronów i filarów mostów przymocowuje się płyty z
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie
Bardziej szczegółowoSonochemia. Schemat 1. Strefy reakcji. Rodzaje efektów sonochemicznych. Oscylujący pęcherzyk gazu. Woda w stanie nadkrytycznym?
Schemat 1 Strefy reakcji Rodzaje efektów sonochemicznych Oscylujący pęcherzyk gazu Woda w stanie nadkrytycznym? Roztwór Znaczne gradienty ciśnienia Duże siły hydrodynamiczne Efekty mechanochemiczne Reakcje
Bardziej szczegółowoWstęp. Krystalografia geometryczna
Wstęp Przedmiot badań krystalografii. Wprowadzenie do opisu struktury kryształów. Definicja sieci Bravais go i bazy atomowej, komórki prymitywnej i elementarnej. Podstawowe typy komórek elementarnych.
Bardziej szczegółowoWykład 1. Anna Ptaszek. 5 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Chemia fizyczna - wykład 1. Anna Ptaszek 1 / 36
Wykład 1 Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego 5 października 2015 1 / 36 Podstawowe pojęcia Układ termodynamiczny To zbiór niezależnych elementów, które oddziałują ze sobą tworząc integralną
Bardziej szczegółowoWIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE
WIĄZANIA Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE Przyciąganie Wynika z elektrostatycznego oddziaływania między elektronami a dodatnimi jądrami atomowymi. Może to być
Bardziej szczegółowoTechnologia elementów optycznych
Technologia elementów optycznych dr inż. Michał Józwik pokój 507a jozwik@mchtr.pw.edu.pl Część 7 Technologia mikrosystemów MEMS/MOEMS Pojęcia podstawowe Wymiary MEMS/MOEMS Elementy technologii mikroelementów
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej... INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice... Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Struktura materiałów
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6)
LABORATORIUM SPEKTRALNEJ ANALIZY CHEMICZNEJ (L-6) Posiadane uprawnienia: ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO NR AB 120 wydany przez Polskie Centrum Akredytacji Wydanie nr 5 z 18 lipca 2007 r. Kierownik
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA CIENKICHWARSTW CdHgTe OTRZYMYWANYCH METODĄ LASEROWEJ ABLACJI 2. CHARAKTERYSTYKA METODY PLD OTRZYMYWANIA WARSTW
25/42 Solidification o f Metais and Alloys, Year 2000, Volume 2, Book No 42 Krzepnięcie Metali i Stopów, Rok 2000, Rocznik 2, Nr 42 PAN-Katowice, PL ISSN 0208-9386 STRUKTURA CIENKICHWARSTW CdHgTe OTRZYMYWANYCH
Bardziej szczegółowoDiagramy fazowe graficzna reprezentacja warunków równowagi
Diagramy fazowe graficzna reprezentacja warunków równowagi Faza jednorodna część układu, oddzielona od innych części granicami faz, na których zachodzi skokowa zmiana pewnych własności fizycznych. B 0
Bardziej szczegółowoWarunki izochoryczno-izotermiczne
WYKŁAD 5 Pojęcie potencjału chemicznego. Układy jednoskładnikowe W zależności od warunków termodynamicznych potencjał chemiczny substancji czystej definiujemy następująco: Warunki izobaryczno-izotermiczne
Bardziej szczegółowoPL B1. Mechanizm regulacyjny położenia anody odporny na temperaturę i oddziaływanie próżni
PL 220256 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 220256 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 402066 (22) Data zgłoszenia: 15.12.2012 (51) Int.Cl.
Bardziej szczegółowoPodstawowe pojęcia Masa atomowa (cząsteczkowa) - to stosunek masy atomu danego pierwiastka chemicznego (cząsteczki związku chemicznego) do masy 1/12
Podstawowe pojęcia Masa atomowa (cząsteczkowa) - to stosunek masy atomu danego pierwiastka chemicznego (cząsteczki związku chemicznego) do masy 1/12 atomu węgla 12 C. Mol - jest taką ilością danej substancji,
Bardziej szczegółowoOBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA. Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego
OBRÓBKA CIEPLNA STOPÓW ŻELAZA Cz. II. Przemiany austenitu przechłodzonego WPŁYW CHŁODZENIA NA PRZEMIANY AUSTENITU Ar 3, Ar cm, Ar 1 temperatury przy chłodzeniu, niższe od równowagowych A 3, A cm, A 1 A
Bardziej szczegółowoFizyka Ciała Stałego
Wykład III Struktura krystaliczna Fizyka Ciała Stałego Ciała stałe można podzielić na: Krystaliczne, o uporządkowanym ułożeniu atomów lub molekuł tworzącym sieć krystaliczną. Amorficzne, brak uporządkowania,
Bardziej szczegółowoAzotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu
Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe
Bardziej szczegółowoPasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka
Pasmowa teoria przewodnictwa elektrycznego Anna Pietnoczka Wpływ rodzaju wiązań na przewodność próbki: Wiązanie jonowe - izolatory Wiązanie metaliczne - przewodniki Wiązanie kowalencyjne - półprzewodniki
Bardziej szczegółowo3. Przejścia fazowe pomiędzy trzema stanami skupienia materii:
Temat: Zmiany stanu skupienia. 1. Energia sieci krystalicznej- wielkość dzięki której można oszacować siły przyciągania w krysztale 2. Energia wiązania sieci krystalicznej- ilość energii potrzebnej do
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
STRUKTURA STOPÓW CHARAKTERYSTYKA FAZ Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Stop tworzywo składające się z metalu stanowiącego osnowę, do którego
Bardziej szczegółowoCzyszczenie powierzchni podłoży jest jednym z
to jedna z największych w Polsce inwestycji w obszarze badań i rozwoju wysokich technologii (high-tech). W jej wyniku powstała sieć laboratoriów wyposażonych w najnowocześniejszą infrastrukturę techniczną,
Bardziej szczegółowoKrystalizacja. Zarodkowanie
Krystalizacja Ciecz ciało stałe Para ciecz ciało stałe Para ciało stałe Przechłodzenie T = T L - T c Przesycenie p = p g - p z > 0 Krystalizacja Zarodkowanie Rozrost zarodków Homogeniczne Heterogeniczne
Bardziej szczegółowoChemia nieorganiczna. Copyright 2000 by Harcourt, Inc. All rights reserved.
Chemia nieorganiczna 1. Układ okresowy metale i niemetale 2. Oddziaływania inter- i intramolekularne 3. Ciała stałe rodzaje sieci krystalicznych 4. Przewodnictwo ciał stałych Pierwiastki 1 1 H 3 Li 11
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PRZEMIAN ENERGII
LABORATORIUM PRZEMIAN ENERGII BADANIE OGNIWA PALIWOWEGO TYPU PEM I. Wstęp Ćwiczenie polega na badaniu ogniwa paliwowego typu PEM. Urządzenia tego typy są obecnie rozwijane i przystosowywane do takich aplikacji
Bardziej szczegółowoBUDOWA STOPÓW METALI
BUDOWA STOPÓW METALI Stopy metali Substancje wieloskładnikowe, w których co najmniej jeden składnik jest metalem, wykazujące charakter metaliczny. Składnikami stopów mogą być pierwiastki lub substancje
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowoOpracowała: mgr inż. Ewelina Nowak
Materiały dydaktyczne na zajęcia wyrównawcze z chemii dla studentów pierwszego roku kierunku zamawianego Inżynieria Środowiska w ramach projektu Era inżyniera pewna lokata na przyszłość Opracowała: mgr
Bardziej szczegółowo1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej?
Tematy opisowe 1. Od czego i w jaki sposób zależy szybkość reakcji chemicznej? 2. Omów pomiar potencjału na granicy faz elektroda/roztwór elektrolitu. Podaj przykład, omów skale potencjału i elektrody
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoWykład 5. Anna Ptaszek. 9 października Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego. Chemia fizyczna - wykład 5. Anna Ptaszek 1 / 20
Wykład 5 Katedra Inżynierii i Aparatury Przemysłu Spożywczego 9 października 2015 1 / 20 Zjawiska powierzchniowe Adsorpcja na powierzchni ciała stałego (adsorbentu): adsorpcja fizyczna: substancja adsorbująca
Bardziej szczegółowoWykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne
Wykład 5 Fotodetektory, ogniwa słoneczne 1 Generacja optyczna swobodnych nośników Fotoprzewodnictwo σ=e(µ e n+µ h p) Fotodioda optyczna generacja par elektron-dziura pole elektryczne złącza rozdziela parę
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowo31/01/2018. Wykład II: Monokryształy. Treść wykładu: Wstęp - stan krystaliczny
Wykład II: Monokryształy JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów 2.1. Budowa kryształów,
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoWykład II: Monokryształy. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych
Wykład II: Monokryształy JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów 2.1. Budowa kryształów,
Bardziej szczegółowo