ELEMENTY ELEKTRONICZNE
|
|
- Dominik Stefański
- 6 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413; tel , piotr.dziurdzia@agh.edu.pl dr inż. Ireneusz Brzozowski paw. C-3, pokój 512; tel , ireneusz.brzozowski@agh.edu.pl ZAGADNIENIA TERMICZMNE W ELEMENTACH ELEKTRONICZNYCH EiT 2014 r. PD&IB 2 1
2 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA P R O B L E M? Jeden z tranzystorów układu scalonego o wymiarach 1µm x 1µm x 1µm rozprasza 1mW mocy elektrycznej (np. MOS. I D =1mA przy U DS =1V) Jaką gęstość mocy zanotujemy:? P? [W/m 3 ]!!! V EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 3 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA Gęstość mocy we wnętrzu układu scalonego jest większa niż w reaktorze jądrowym!!! W 1 =10 15 W/m 3!!! W 1 >W 2 W 2 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 4 2
3 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA SPRZĘŻENIE ELEKTROTERMICZNE Wydzielana w układzie moc Zmiana temperatury w sąsiedztwie elementu mocy Zmiana parametrów elektrycznych mikrostruktury pod wpływem zmian temperatury EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 5 MOC, CIEPŁO, TEMPERATURA DROGI ROZPRASZANIA CIEPŁA Q T P(t) moc wydzielana w układzie Q L P(t) Q B ciepło rozpraszane przez dolną powierzchnię układu scalonego Q B Q T ciepło rozpraszane przez górną powierzchnię układu scalonego Q L ciepło rozpraszane przez wyprowadzenia układu scalonego EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 6 3
4 SPOSOBY PRZEKAZYWANIA CIEPŁA PRZEWODZENIE EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 7 SPOSOBY PRZEKAZYWANIA CIEPŁA KONWEKCJA Konwekcja, inaczej unoszenie ciepła, jest procesem przekazywania ciepła z powierzchni ciała stałego do otaczającego płynu (gaz lub ciecz). Przekazywanie ciepła odbywa się zatem nie tylko przez przewodnictwo cieplne, ale i poprzez ruch swobodnych molekuł. Naturalna konwekcja jest spowodowana miejscową różnicą gęstości medium i w jej procesie rozrzedzony płyn unosi się ku górze w obecności pola grawitacyjnego. RADIACJA W procesie radiacji nie uczestniczy żadne medium pośredniczące. Ciepło jest transmitowane do otoczenia poprzez fale elektromagnetyczne (najskuteczniej w próżni). Ilość emitowanego ciepła zależy tylko od temperatury i emisyjności powierzchni materiału z którego jest wykonana. Procesem radiacji rządzi prawo Stefana- Boltzmanna, zgodnie z którym energia radiacji jest proporcjonalna do czwartej potęgi temperatury. EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 8 4
5 REZYSTANCJA TERMICZNA T x, y, z, t wx, y, z, t C T x, y, z, t t gdzie: - współczynnik przewodności cieplnej [W/mK], C - pojemność cieplna właściwa [J/m 3 K], w rozkład gęstości generowanej mocy cieplnej [W/m 3 ] To x ( 3, l 3, c 3, m 3, S 3 ) ( 2, l 2, c 2, m 2, S 2 ) Tj ( 1, l 1, c 1, m 1, S 1 ) - przewodność cieplna, l grubość warstwy, c ciepło właściwe, m masa, S powierzchnia warstwy EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 9 REZYSTANCJA TERMICZNA To x ( 3, l 3, c 3, m 3, S 3 ) ( 2, l 2, c 2, m 2, S 2 ) ( 1, l 1, c 1, m 1, S 1 ) Tj T j (t) R th_1 R th_2 R th_3 T 0 (t) P(t) Tj T P l l l T PR R R th_1 th_ 2 th_3 S1 1 S2 2 S 3 3 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 10 5
6 POJEMNOŚĆ TERMICZNA To x ( 3, l 3, c 3, m 3, S 3 ) ( 2, l 2, c 2, m 2, S 2 ) ( 1, l 1, c 1, m 1, S 1 ) Tj C th 4C l S 4 2 R 2 th C c T j (t) R th_1 R th_2 R th_3 T 0 (t) P(t) C th_1 C th_2 C th_3 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 11 MODEL TERMICZNY Przykładowy model elektrotermiczny obudowy układu scalonego Q T Q T Q L radiator Q B mikrostruktura metaliczne wyprowadzenia z mikrostruktury P(t) Q L dolna część obudowy mikrostruktury Q B EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 12 6
7 CIEPŁO, CZY ZAWSZE PROBLEM? Element wprowadzany w ruch zmianami temperatury p-si p-si p-si p-si EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 13 CIEPŁO, CZY ZAWSZE PROBLEM? MIKROMASZYNY MEMS 1 µm 'Courtesy of Sandia National Laboratories, SUMMiT(TM) Technologies, EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne zagadnienia termiczne 14 7
8 MODUŁ PELTIERA 30mm q c Cu 3mm 30mm (-) (+) q h q h EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 15 MODUŁ PELTIERA EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 16 8
9 MODUŁ PELTIERA EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 17 MODUŁ PELTIERA x 1 2 P N P N P N 3 T Temperatura względna 1 radiator, 2 moduł termoelektryczny, 3 - mikroukład Q h Q U I c pel EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 18 9
10 MODUŁ PELTIERA Q h = *T h (t)*i pel (t) x Al 2 O 3 Cu Bi 2 Te 3 T h (t) P j =R*I 2 pel(t) Cu T c (t) Al 2 O 3 Q c = *T c (t)*i pel (t) EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 19 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO SEEBECKA Zjawisko Seebecka opisuje indukowanie się siły termoelektrycznej w obwodzie składającym się z dwóch różnych przewodników, których połączenia znajdują się w różnych temperaturach. Indukowane napięcie termoelektryczne U zależy od temperatury. Współczynnik s jest charakterystyczny dla zastosowanego materiału przewodnika. T+T T Przewodnik 2 Przewodnik 2 T+T T+T U=s 1 T-s 2 (T-T)-s 2 T= =s 12 T=(s 1 -s 2 ) T U s T s 2 T EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 20 10
11 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO PELTIERA Zjawisko Peltiera opisuje procesy zachodzące na złączu dwóch różnych przewodników przy przepływie prądu elektrycznego. W zależności od kierunku przepływu prądu złącze pochłania lub wydziela ciepło do otoczenia. Efektywność zachodzących procesów zależy od różnicy poziomów energetycznych pasm przewodnictwa zastosowanych przewodników. q c przewodnik_1 e q h Ciepło pochłaniane przez złącze Temperatura obniża się e przewodnik_2 Ciepło wydzielane przez złącze Temperatura wzrasta EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 21 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO PELTIERA pasmo przewodnictwa pasmo przewodnictwa poziom E Fermiego Metal_1 Q T poziom Fermiego T Półprzewodnik T poziom Fermiego Metal_2 p I pel pasmo przewodnictwa EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 22 11
12 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO THOMSONA Zjawisku Thomsona musi towarzyszyć przepływ prądu elektrycznego pod wpływem przyłożonego z zewnątrz napięcia. Jeżeli jednorodny przewodnik znajduje się w polu gradientu temperatury, to w zależności od kierunku przepływającego prądu ciepło jest pochłaniane lub wydzielane z jego objętości T 1 q c T 1 +T Q t e q h e dt T I dx gdzie: T współczynnik Thomsona [Vm/K], I prąd elektryczny [A] x EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 23 ZJAWISKA TOWARZYSZĄCE DZIAŁANIU MODUŁU TERMOELEKTRYCZNEGO ZJAWISKO JOULE A Q j I 2 R Z uwagi na zależność rezystywności od temperatury oraz ze względu na znaczne gradienty temperatury występujące w pracujących modułach termoelektrycznych, właściwą formułą opisującą wydzielane w nich ciepło Joule'a jest wzór: Q j l ( T I S 0 2 ) dx gdzie: (T) rezystywność materiału [m], l długość przewodnika [m], S powierzchnia przekroju poprzecznego przewodnika [m 2 ] EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 24 12
13 MODUŁ PELTIERA Q c I R 2 pel Bi2Te3 Tc I pel Bi2 Te3 2 T h T c Q h I R 2 pel Bi2Te3 Th I pel Bi2 Te3 2 T h T c EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 25 MODEL MODUŁU PELTIERA Zależności termiczne parametrów modułów Peltiera [W/ o C] R [Ω] % % [mv/ o C] T [ o C] T [ o C] % T [ o C] EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 26 13
14 MODEL MODUŁU PELTIERA Ekwiwalentny model modułu termoelektrycznego EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 27 MOC CIEPLNA MODUŁU PELTIERA P. Górecki : Ogniwa Peltiera, Elektronika Praktyczna 1/96, Warszawa 1996 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne moduł Peltiera 28 14
15 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY ubiquitous computing s dream of wireless sensors everywhere is accompanied by the nightmare of battery replacement and disposal Przykład: Gęstość energii we współczesnych bateriach osiąga 3.8 kj/cm 3. Aby zagwarantować 10-letni okres nieprzerwanej pracy dla urządzenia o średnim poborze mocy 1mW trzeba wyposażyć go w baterię o objętości 100cm 3!? Szybkość procesorów, gęstość pamięci, szerokość pasma sieci transmisyjnych wzrastała w ostatnich latach w tempie eksponencjalnym. Ta właściwość nie była udziałem baterii, znaczące zmiany w tym względzie nie są nawet antycypowane w przyszłości! EiT 2014` r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 29 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY Źródła energii pochodzącej ze środowiska DRGANIA piezoelectric ~200µW electrostatic µW CIEPŁO <20µW 10 o C gradient ŚWIATŁO <10µW TŁO ELEKTRO-MAGNETYCZNE <1µW Szacunkowa moc elektryczna otrzymywana w obiektach zamkniętych z 1cm 2 lub 1cm 3 materiału konwertera EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 30 15
16 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY I PEL Radiator R L U S Moduł Peltiera (TEM) P=I PEL2 R L ŹRÓDŁO CIEPŁA Ciepło odpadowe z procesów przemysłowych, geotermiczne, izotopy, paliwa kopalne Radiator Antena Moduł Peltiera Układ przetwarzający napięcie Węzeł sieci bezprzewodowej Źródło ciepła Układ magazynujący energię EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 31 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY T h TEG T c T a U S T a I L Moc wyjściowa P L w funkcji obciążenia prądowego I l dla różnych gradientów temperatury EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 32 16
17 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 33 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY Ciepło ciała ludzkiego jako źródło energii do zasilania układów elektronicznych P human Przepływ mocy cieplnej P human generowanej przez ciało człowieka (~30mW/cm 2 ) P el = ok. 3% P human EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 34 17
18 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY Ciepło ciała ludzkiego jako źródło energii do zasilania układów elektronicznych Przy całkowitym bezruchu człowiek uwalnia ok. 80W mocy cieplnej Podczas wysiłku fizycznego przemiana materii wzrasta i może sięgnąć aż 800W! EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 35 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY Źródło: Joseph A. Paradiso, Thad Starner, Energy scavenging for mobile and wireless electronics, Published by the IEEE CS and IEEE ComSoc, 2005 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 36 18
19 GENERATOR TERMOELEKTRYCZNY EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne generator tremoelektryczny 37 Technologie półprzewodnikowe EiT 2014 r. PD&IB 38 19
20 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW POZIOMA METODA BRIDGAMA ZARODEK KRYSZTAŁ STOPIONA STREFA POLIKRYSZTAŁ GRZEJNIK EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 39 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA CZOCHRALSKIEGO EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 40 20
21 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA CZOCHRALSKIEGO EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 41 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA CZOCHRALSKIEGO EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 42 21
22 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW METODA BEZTYGLOWA EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 43 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW WAFER płytka podłożowa (np. krzemu) powstała z pociętego pręta krzemowego EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 44 22
23 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW EPITAKSJA Technika wzrostu kryształów z roztworów i z fazy gazowej na istniejącym podłożu krystalicznym. Najważniejszym zastosowaniem tej techniki jest wytwarzanie cienkich warstw monokrystalicznych. Jej cechą jest możliwość otrzymywania materiałów półprzewodnikowych w temperaturach dużo niższych niż temperatura topnienia. GaAs+Ga GaAs Stopiony roztwór o temperaturze dużo niższej niż temperatura topnienia samego GaAs Warstwa epitaksjalna Podłoże EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 45 WYTWARZANIE MONOKRYSZTAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKÓW EPITAKSJA Warstwa epitaksjalna ma identyczną orientacje sieci krystalicznej jak podłoże, ale może różnić się własnościami elektrofizycznymi. Może mieć inny poziom domieszkowania, a nawet inny typ przewodnictwa, itp. Metoda osadzania chemicznego 1 zwojnica indukcyjna, 2- płytki podłożowe, 3 podstawka kwarcowa, 4 podstawka grafitowa, 5 - rura kwarcowa Rysunek zaczerpnięto z W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1979 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 46 23
24 DOMIESZKOWANIE PÓŁPRZEWODNIKÓW DYFUZJA W odpowiednio wysokiej temperaturze możliwa jest dyfuzja atomów w głąb płytki podłożowej. dyfuzja z nieograniczonego źródła (o stałej wydajności) dyfuzja z ograniczonego źródła M całkowita liczba atomów Rysunek zaczerpnięto z W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1979 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 47 DOMIESZKOWANIE PÓŁPRZEWODNIKÓW IMPLANTACJA JONÓW Bombardowanie kryształu jonami domieszek rozpędzonymi do dużych energii (setki kev). Implantację przeprowadzana jest w stosunkowo niskich temperaturach. Implantacja może być przeprowadzana poprzez warstwy tlenku, lecz na ogół nie zachodzi przez warstwę metalu. Implantacja stosowana jest do wytwarzania bardzo cienkich warstw, do wprowadzania domieszek, które nie mogą być wprowadzone poprzez dyfuzję. Implantacja pozwala na uzyskanie bardzo dokładnej geometrii i jakości obszarów domieszkowanych. EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 48 24
25 DOMIESZKOWANIE PÓŁPRZEWODNIKÓW IMPLANTACJA JONÓW 1 źródło jonów, 2 układ przyspieszenia jonów, 3 analizator masy, 4 układ odchylania, 5 komora z podgrzewanym podłożem Rysunek zaczerpnięto z W. Marciniak Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT 1979 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 49 WYTWARZANIE ZŁĄCZ P-N ZŁĄCZE WYCIĄGANE N D =10 14 cm -3 N A -N D =5x10 14 cm -3 N D -N A =10 15 cm -3 N A -N D =5x10 15 cm -3 N D -N A =10 16 cm -3 PRZEKOMPENSOWANIE zmiana wypadkowej koncentracji domieszki Metoda wyciągania została zastąpiona metodami polegającymi na wprowadzaniu domieszek po otrzymaniu monokryształu lub metodami epitaksji warstwy o przeciwnym do podłoża typie przewodnictwa. EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 50 25
26 WYTWARZANIE ZŁĄCZ P-N ZŁĄCZE STOPOWE In Faza ciekła In+Ge p-ge n-ge n-ge n-ge EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 51 WYTWARZANIE ZŁĄCZ P-N ZŁĄCZE DYFUZYJNE ZŁĄCZE IMPLANTOWANE N A >N D N D >N A Bor N A>N D N D >N A p n p n Dyfuzja ze źródła o skończonej wydajności Dyfuzja ze źródła o stałejwydajności ZŁĄCZE EPITAKSJALNE Metoda dyfuzji stosowana jest obecnie na szeroka skalę. Przeprowadzana jest w wysokiej temperaturze. Rysunki zaczerpnięto z S. Kuta Elementy i układy elektroniczne, AGH 2000 EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 52 26
27 WYTWARZANIE TRANZYSTORA N-P-N SiO 2 n-si p n-si n+ p n-si n+ p n-si EiT 2014 r. PD&IB Elementy elektroniczne technologie półprzewodnikowe 53 27
ELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413;
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoZjawisko termoelektryczne
34 Zjawisko Peltiera polega na tym, że w obwodzie składającym się z różnych przewodników lub półprzewodników wytworzenie różnicy temperatur między złączami wywołuje przepływ prądu spowodowany różnicą potencjałów
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoZADANIE 28. Wyznaczanie przewodnictwa cieplnego miedzi
ZADANIE 28 Wyznaczanie przewodnictwa cieplnego miedzi Wstęp Pomiędzy ciałami ogrzanymi do różnych temperatur zachodzi wymiana ciepła. Ciało o wyższej temperaturze traci ciepło, a ciało o niższej temperaturze
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoCzym jest prąd elektryczny
Prąd elektryczny Ruch elektronów w przewodniku Wektor gęstości prądu Przewodność elektryczna Prawo Ohma Klasyczny model przewodnictwa w metalach Zależność przewodności/oporności od temperatury dla metali,
Bardziej szczegółowowymiana energii ciepła
wymiana energii ciepła Karolina Kurtz-Orecka dr inż., arch. Wydział Budownictwa i Architektury Katedra Dróg, Mostów i Materiałów Budowlanych 1 rodzaje energii magnetyczna kinetyczna cieplna światło dźwięk
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2. Zjawiska cieplne w ogniwie Peltier a
Zespół Elektrotermii Laboratorium Termokinetyki Ćwiczenie 2. Zjawiska cieplne w ogniwie Peltier a 1. Zasada działania ogniw Peltiera Działanie modułów termoelektrycznych, zwanych najczęściej ogniwami Peltier
Bardziej szczegółowoZJAWISKA TERMOELEKTRYCZNE
Wstęp W ZJAWISKA ERMOELEKRYCZNE W.1. Wstęp Do zjawisk termoelektrycznych zaliczamy: zjawisko Seebecka - efekt powstawania różnicy potencjałów elektrycznych na styku metali lub półprzewodników, zjawisko
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoi elementy z półprzewodników homogenicznych część II
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych część II Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Bardziej szczegółowoPrzyrządy Półprzewodnikowe
KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowoCzęść 2. Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych
Część 2 Przewodzenie silnych prądów i blokowanie wysokich napięć przy pomocy przyrządów półprzewodnikowych Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 23 Półprzewodniki
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoPytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa
Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa 1.Podział materiałów elektrotechnicznych 2. Potencjał elektryczny, różnica potencjałów 3. Związek pomiędzy potencjałem i natężeniem pola elektrycznego 4. Przewodzenie
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA ELM001551W
ELEKTRONIKA ELM001551W Podstawy elektrotechniki i elektroniki Definicje prądu elektrycznego i wielkości go opisujących: natężenia, gęstości, napięcia. Zakres: Oznaczenia wielkości fizycznych i ich jednostek,
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoTECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE
TECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE SEMINARIUM Termoelektryczne urządzenia chłodnicze Teoretyczne podstawy działania Anna Krzesińska I M-M sem. 2 1 Spis treści Termoelektryczność...3 Efekt Seebecka...4
Bardziej szczegółowoZapoznanie się ze zjawiskiem Seebecka i Peltiera. Zastosowanie elementu Peltiera do chłodzenia i zamiany energii cieplnej w energię elektryczną.
FiIS PRAONIA FIZYZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆIZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OENA el ćwiczenia: Zapoznanie się ze
Bardziej szczegółowostr. 1 d. elektron oraz dziura e.
1. Półprzewodniki samoistne a. Niska temperatura b. Wzrost temperatury c. d. elektron oraz dziura e. f. zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne g. Krzem i german 2. Półprzewodniki domieszkowe a. W półprzewodnikach
Bardziej szczegółowoEnergia emitowana przez Słońce
Energia słoneczna i ogniwa fotowoltaiczne Michał Kocyła Problem energetyczny na świecie Przewiduje się, że przy obecnym tempie rozwoju gospodarczego i zapotrzebowaniu na energię, paliw kopalnych starczy
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych
Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych W ramach ćwiczenia student poznaje praktyczne właściwości elementów półprzewodnikowych stosowanych w elektronice przez badanie charakterystyk diody oraz
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoBadanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2)
Badanie własności hallotronu, wyznaczenie stałej Halla (E2) 1. Wymagane zagadnienia - ruch ładunku w polu magnetycznym, siła Lorentza, pole elektryczne - omówić zjawisko Halla, wyprowadzić wzór na napięcie
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoModel elektronów swobodnych w metalu
Model elektronów swobodnych w metalu Stany elektronu w nieskończonej trójwymiarowej studni potencjału - dozwolone wartości wektora falowego k Fale stojące - warunki brzegowe znikanie funkcji falowej na
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoTechnika sensorowa. Czujniki piezorezystancyjne. dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel
Technika sensorowa Czujniki piezorezystancyjne dr inż. Wojciech Maziarz Katedra Elektroniki C-1, p.301, tel. 12 617 30 39 Wojciech.Maziarz@agh.edu.pl 1 Czujniki działające w oparciu o efekt Tensometry,
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Protokół
Bardziej szczegółowoWyznaczanie współczynnika efektywności pompy ciepła Peltiera
Wyznaczanie współczynnika efektywności pompy ciepła Peltiera 1. METODY TRANSPORTU CIEPŁA Każde ciało, rozpatrywane jako układ termodynamiczny, posiada pewną energię wewnętrzną, na którą składają się energie
Bardziej szczegółowoWSPÓŁCZYNNIK PRZEJMOWANIA CIEPŁA PRZEZ KONWEKCJĘ
INSYU INFORMAYKI SOSOWANEJ POLIECHNIKI ŁÓDZKIEJ Ćwiczenie Nr2 WSPÓŁCZYNNIK PRZEJMOWANIA CIEPŁA PRZEZ KONWEKCJĘ 1.WPROWADZENIE. Wymiana ciepła pomiędzy układami termodynamicznymi może być realizowana na
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoW książce tej przedstawiono:
Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej,
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoTermodynamika Część 7 Trzecia zasada termodynamiki Metody otrzymywania niskich temperatur Zjawisko Joule'a Thomsona Chłodzenie magnetyczne
Termodynamika Część 7 Trzecia zasada termodynamiki Metody otrzymywania niskich temperatur Zjawisko Joule'a Thomsona Chłodzenie magnetyczne Janusz Brzychczyk, Instytut Fizyki UJ Postulat Nernsta (1906):
Bardziej szczegółowoUkład termodynamiczny Parametry układu termodynamicznego Proces termodynamiczny Układ izolowany Układ zamknięty Stan równowagi termodynamicznej
termodynamika - podstawowe pojęcia Układ termodynamiczny - wyodrębniona część otaczającego nas świata. Parametry układu termodynamicznego - wielkości fizyczne, za pomocą których opisujemy stan układu termodynamicznego,
Bardziej szczegółowoteoretyczne podstawy działania
Techniki Niskotemperaturowe w medycynie Seminarium Termoelektryczne urządzenia chłodnicze - teoretyczne podstawy działania Edyta Kamińska IMM II st. Sem I 1 Spis treści Termoelektryczność... 3 Zjawisko
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoZłącze p-n powstaje wtedy, gdy w krysztale półprzewodnika wytworzone zostaną dwa obszary o odmiennym typie przewodnictwa p i n. Nośniki większościowe
Diody Dioda jest to przyrząd elektroniczny z dwiema elektrodami mający niesymetryczna charakterystykę prądu płynącego na wyjściu w funkcji napięcia na wejściu. Symbole graficzne diody, półprzewodnikowej
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoPrawo Ohma. qnv. E ρ U I R U>0V. v u E +
Prawo Ohma U>0V J v u J qnv u - E + J qne d J gęstość prądu [A/cm 2 ] n koncentracja elektronów [cm -3 ] ρ rezystywność [Ωcm] σ - przewodność [S/cm] E natężenie pola elektrycznego [V/cm] I prąd [A] R rezystancja
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoDobór materiałów konstrukcyjnych cz.13
Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 dr inż. Hanna Smoleńska Katedra Inżynierii Materiałowej i Spajania Wydział Mechaniczny, Politechnika Gdańska Materiały edukacyjne ROZSZERZALNOŚĆ CIEPLNA LINIOWA Ashby
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowo1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F
PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W PILE INSTYTUT POLITECHNICZNY Zakład Budowy i Eksploatacji Maszyn PRACOWNIA TERMODYNAMIKI TECHNICZNEJ INSTRUKCJA Temat ćwiczenia: WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEWODNOŚCI
Bardziej szczegółowoZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY
ZALEŻNOŚĆ OPORU ELEKTRYCZNEGO 57 METALU I PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY I.. Prąd elektryczny Dla dużej grupy przewodników prądu elektrycznego (metale, półprzewodniki i inne) spełnione jest prawo Ohma,
Bardziej szczegółowoKONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY
IŃSTYTUT INFORMATYKI STOSOWANEJ POLITECHNIKI ŁÓDZKIEJ Ćwiczenie Nr1 KONDUKCYJNA WYMIANA CIEPŁA - STYKOWY POMIAR TEMPERATURY 1.WPROWADZENIE Przewodzenie ciepła (kondukcja) jest to wymiana ciepła między
Bardziej szczegółowoTranzystory polowe FET(JFET), MOSFET
Tranzystory polowe FET(JFET), MOSFET Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowo1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp.
Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych WYK. 3 SMK Na podstawie: W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT W-wa 1987. Przyrząd półprzewodnikowy (dioda, tranzystor)
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 5 FET
Przyrządy półprzewodnikowe część 5 FET r inż. Bogusław Boratyński Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechnika Wrocławska 2011 Literatura i źródła rysunków G. Rizzoni, Fundamentals of Electrical
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoPrzerwa energetyczna w germanie
Ćwiczenie 1 Przerwa energetyczna w germanie Cel ćwiczenia Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporu monokryształu germanu od temperatury. Wprowadzenie Eksperymentalne badania
Bardziej szczegółowoGENERATOR WIELKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI BADANIE ZJAWISK TOWARZYSZĄCYCH NAGRZEWANIU DIELEKTRYKÓW
GENERATOR WIELKIEJ CZĘSTOTLIWOŚCI BADANIE ZJAWISK TOWARZYSZĄCYCH NAGRZEWANIU DIELEKTRYKÓW Nagrzewanie pojemnościowe jest nagrzewaniem elektrycznym związanym z efektami polaryzacji i przewodnictwa w ośrodkach
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoZłożone struktury diod Schottky ego mocy
Złożone struktury diod Schottky ego mocy Diody JBS (Junction Barrier Schottky) złącze blokujące na powierzchni krzemu obniżenie krytycznego natężenia pola (Ubr 50 V) Diody MPS (Merged PINSchottky) struktura
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoDielektryki polaryzację dielektryka Dipole trwałe Dipole indukowane Polaryzacja kryształów jonowych
Dielektryki Dielektryk- ciało gazowe, ciekłe lub stałe niebędące przewodnikiem prądu elektrycznego (ładunki elektryczne wchodzące w skład każdego ciała są w dielektryku związane ze sobą) Jeżeli do dielektryka
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowo(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 170013 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 297079 (22) Data zgłoszenia: 17.12.1992 (51) IntCl6: H01L 29/792 (
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoSKALOWANIE TERMOPARY I WYZNACZANIE TEMPERATURY KRZEPNIĘCIA STOPU
ĆWICZENIE 20 SKALOWANIE TERMOPARY I WYZNACZANIE TEMPERATURY KRZEPNIĘCIA STOPU Cel ćwiczenia: Poznanie budowy i zasady działania termopary. Skalowanie termopary i wyznaczanie jej współczynnika termoelektrycznego.
Bardziej szczegółowopromotor prof. dr hab. inż. Jan Szmidt z Politechniki Warszawskiej
Politechnika Warszawska Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Warszawa, 13 marca 2018 r. D z i e k a n a t Uprzejmie informuję, że na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 6
Podstawy fizyki wykład 6 Dr Piotr Sitarek Instytut Fizyki, Politechnika Wrocławska Elementy termodynamiki Temperatura Rozszerzalność cieplna Ciepło Praca a ciepło Pierwsza zasada termodynamiki Gaz doskonały
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoSzczegółowy rozkład materiału z fizyki dla klasy II gimnazjum zgodny z nową podstawą programową.
Szczegółowy rozkład materiału z fizyki dla klasy gimnazjum zgodny z nową podstawą programową. Lekcja organizacyjna. Omówienie programu nauczania i przypomnienie wymagań przedmiotowych Tytuł rozdziału w
Bardziej szczegółowoŁadunek elektryczny. Ładunek elektryczny jedna z własności cząstek elementarnych
Ładunek elektryczny Ładunek elektryczny jedna z własności cząstek elementarnych http://pl.wikipedia.org/wiki/%c5%81a dunek_elektryczny ładunki elektryczne o takich samych znakach się odpychają a o przeciwnych
Bardziej szczegółowoBudowa. Metoda wytwarzania
Budowa Tranzystor JFET (zwany też PNFET) zbudowany jest z płytki z jednego typu półprzewodnika (p lub n), która stanowi tzw. kanał. Na jego końcach znajdują się styki źródła (ang. source - S) i drenu (ang.
Bardziej szczegółowoPomiar współczynnika przewodzenia ciepła ciał stałych
Katedra Silników Spalinowych i Pojazdów ATH ZAKŁAD TERMODYNAMIKI Pomiar współczynnika przewodzenia ciepła ciał stałych - - Wiadomości wstępne Przewodzenie ciepła jest procesem polegającym na przenoszeniu
Bardziej szczegółowoPomiar przewodności cieplnej i elektrycznej metali
ĆWICZENIE 27 Pomiar przewodności cieplnej i elektrycznej metali Cel ćwiczenia: wyznaczenia współczynnika przewodzenia ciepła pręta metalowego metodą statyczną, wyznaczanie ciepła właściwego badanych materiałów
Bardziej szczegółowoTermoelektryczne urządzenia chłodnicze
POLITECHNIKA GDAŃSKA WYDZIAŁ MECHANICZNY TECHNIKI NISKOTEMPERATUROWE W MEDYCYNIE Termoelektryczne urządzenia chłodnicze Teoretyczne podstawy działania Monika Wilczyńska Inżynieria Mechaniczno Medyczna
Bardziej szczegółowoWybrane elementy elektroniczne. Rezystory NTC. Rezystory NTC
Wybrane elementy elektroniczne Rezystory NTC Czujniki temperatury Rezystancja nominalna 20Ω 40MΩ (typ 2kΩ 40kΩ) Współczynnik temperaturowy -2-5% [%/K] Max temperatura pracy 120 200 (350) [ºC] Współczynnik
Bardziej szczegółowo