1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp.
|
|
- Mirosław Piotrowski
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Metody wytwarzania materiałów i struktur półprzewodnikowych WYK. 3 SMK Na podstawie: W. Marciniak, Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT W-wa Przyrząd półprzewodnikowy (dioda, tranzystor) w sensie technologicznym stanowi bryłę materiału pp, w której wytworzono obszary o różnych koncentracjach i rodzajach domieszek. Są to warstwy p, n wytworzone w bryle pp. przy użyciu odpowiednich procesów fizykochemicznych. Właściwości eksploatacyjne i fizyczne przyrządów pp. silnie zależą od ich konstrukcji i technologii wytwarzania: - konstrukcja: kształt, wielkość i położenie warstw p, n, rozkłady koncentracji domieszek, rezystywności poszczególnych warstw, rozmiary kontaktów itp. (również kształt i rozmiar obudowy), - technologia wytwarzania: sposób i kolejność wykonywania określonych operacji. 1. Wytwarzanie czystych oraz jednorodnie domieszkowanych materiałów pp. Wymagania stawiane strukturze materiału pp.: Budowa monokrystaliczna, minimalna liczba defektów wzrostowych, precyzyjnie kontrolowana liczba domieszek: m -3. Podstawowy warunek, aby możliwe było kontrolowane domieszkowanie materiału jest dysponowanie materiałem o koncentracji atomów zanieczyszczeń <10 19 m -3. W Si lub Ge koncentracja wszystkich atomów m -3, więc koncentracja atomów zanieczyszczeń oznacza: 1 atom pierwiastka obcego na 10 mld atomów pierwiastka macierzystego = materiał technicznie czysty. Dla germanu, gdzie koncentracja nośników samoistnych 2.5*10 19 m -3 = 1
2 materiał samoistny. Dla krzemu koncentracja ta jest 1000 razy mniejsza: krzem czysty technicznie nie jest pp. samoistnym. W skorupie ziemskiej 28% Si składnik piasku i skał. Oczyszczanie chemiczne (reakcja redukcji z węglem w wysokiej temperaturze) umożliwia otrzymanie materiału o zawartości 99.9% Si. Materiał ten poddaje się procesowi oczyszczania strefowego. Materiał polikrystaliczny w postaci pręta przesuwa się powoli w piecu. Grzanie indukcyjne na krótkim odcinku pręta podnosi temperaturę >T t i wytwarza lokalna strefę roztopionego materiału, która przesuwa się wzdłuż pręta i unosi ze sobą zanieczyszczenia. Po kilku przejściach strefy wzdłuż pręta zanieczyszczenia zostają zebrane na jednym końcu pręta. Odcina się go i poddaje powtórnemu oczyszczaniu chemicznemu. Pozostała część pręta = technicznie czysty krzem o budowie polikrystalicznej. Monokryształy Si lub Ge otrzymywane są metodą wyciągania z fazy stałej Czochralskiego. W tyglu grafitowym lub krzemowym umieszcza się czysty polikrystaliczny Si lub Ge i roztapia go za pomocą nagrzewania indukcyjnego w polu elektrycznym w.cz. (T t Si 1420 o C, T t Ge 937 o C). Do roztopu zanurza się zarodek kryształu o precyzyjnie ustalonej orientacji krystalograficznej. Na powierzchni styku zarodka z roztopem temperatura obniża się o 1-2 o poniżej T t następuje krystalizacja. Narastająca warstwa ciała stałego zachowuje ciągłość budowy krystalicznej z zarodkiem. Przez powolne podnoszenie zarodka (i obrót) umożliwia 2
3 się narastanie kolejnych warstw kryształu. Zwykle powierzchnia zarodka ma orientację {111} o największej gęstości powierzchniowej atomów. Średnica otrzymywanych kryształów do 15 cm, długość kilkadziesiąt cm. Krystalizator (puller) w pracowni Zakładu Optoelektroniki Instytutu Fizyki PS W przypadku hodowania GaAs (T t =1240 o C) należy dodatkowo zapobiec rozkładowi GaAs i odparowaniu As (atmosfera gazu obojętnego zawiera As pod ciśnieniem 960 hpa). Pożądane domieszki wprowadza się do monokryształów dodając do fazy ciekłej odpowiednich domieszek w ściśle określonych ilościach. Pręt monokrystaliczny jest cięty na cienkie płytki o grubości m. Płytki są szlifowane, polerowane mechanicznie i chemicznie (trawienie) do osiągnięcia lustrzanej gładkości. Grubość płytki maleje do m. 2. Metody wytwarzania warstw domieszkowych w podłożu półprzewodnikowym a). epitaksja Proces wytwarzania cienkiej warstwy pp. monokrystalicznego 3-25 m na podłożu monokrystalicznym z zachowaniem ciągłości budowy krystalicznej z podłożem (warstwa epitaksjalna). Gdy warstwa Si osadzana jest na podłożu np. szafirowym = heteroepitaksja. Warstwa epitaksjalna ma orientację sieci identyczną, co podłoże, może się jednak znacznie 3
4 różnić właściwościami elektrofizycznymi (inny rodzaj przewodnictwa, inna koncentracja domieszki, inna rezystywność). Metody otrzymywania warstw epitaksjalnych: - metody osadzania chemicznego: SiCl 4 (gaz) + 2H 2 (gaz) Si (c. stałe) + 4HCl (gaz) (*) Do rury kwarcowej wpuszcza się gazy reakcyjne (wodór z czterochlorkiem krzemu), które opływają powierzchnię płytek krzemowych, ułożonych na podstawce kwarcowej nagrzanej do temperatury 1200 o C. Atomy krzemu uwalniane w procesie reakcji redukcji czterochlorku krzemu wodorem, wędrują po powierzchni płytki krzemowej dopóty aż zajmą położenia o minimalnych wartościach energii (węzły sieci krystalicznej). Reakcja (*) jest odwracalna. Przy dużym stężeniu HCl lub SiCl 4 (także zależy od prędkości przepływu gazu reakcyjnego i temperatury) przebiega z lewa na prawo (trawienie płytki krzemowej). Do narastającej w procesie epitaksji warstwy pp. można wprowadzać domieszki donorowe lub akceptorowe o koncentracjach regulowanych w szerokim zakresie. Do reaktora wprowadza się pary PCl 3 (warstwa n) lub BBr 3 (warstwa p) nośnikiem gazowym par domieszek jest wodór. Bardzo ważne jest uzyskanie ostrego profilu domieszkowania. Na granicy warstwa epitaksjalna-podłoże występuje autodyfuzja (proces wysokotemperaturowy) i profil domieszkowania jest rozmyty. Wadę tę można wyeliminować korzystając z reakcji rozkładu silanu: SiH 4 (gaz) T Si(c. stałe) + 2H 2 (gaz). Proces ten przebiega w niższej temperaturze (1050 o C) i autodyfuzja jest mniejsza. 4
5 b). dyfuzja W odpowiednio wysokich temperaturach możliwa jest dyfuzja nie tylko elektronów i dziur, ale i atomów. Zjawisko to można wykorzystać w procesie domieszkowania pp. Jeśli do powierzchni płytki podłożowej dostarczyć pewną ilość atomów pierwiastka domieszki, to wskutek chaotycznego ruchu cieplnego, będą one dyfundować wgłąb podłoża. Równania opisujące dyfuzję: N F D, I prawo Fizka x 2 N N D, II prawo Ficka 2 t x F gęstość strumienia atomów domieszki (liczba atomów przechodzących w jednostce czasu przez jednostkową powierzchnię prostopadłą do x), D współczynnik dyfuzji, x współrzędna prostopadła do powierzchni pp, t czas, LD Dt - długość drogi dyfuzji. Warunki brzegowe dla II równania Ficka: A dyfuzja z nieograniczonego źródła ciągły przepływ gazu zawierającego domieszkę nad powierzchnią pp.: N(0, t) N const N( x,0) 0 N( x, t) N erfc( x / 2 L ); erfc( x) 1 erf ( x) N(, t) 0 o o Całkowitą liczbę atomów domieszki w półprzewodniku można wyznaczyć: D M ( t) N( x, t) dx, M ( t) 2 N L / 2 N Dt / 0 o D o 5
6 B dyfuzja z ograniczonego źródła: N M ( t) const; x 0 0, x N x N dla x N x t 2 (,0) o ( 0 ), (, ) exp[ ( ) ] L 2L D D M N( x,0) 0 dlax, N(, t) 0 Powierzchniowa koncentracja domieszek: No M / LD M / Dt jest odwrotnie proporcjonalna do pierwiastka z czasu trwania dyfuzji. x Rozwiązania dla tych dwóch różnych postaci warunków brzegowych porównano na rys. 2.10, gdzie użyto współrzędnych znormalizowanych: N( x); N [ N( x, t) / N ]; x x / 2 Dt o 6
7 Możliwe mechanizmy dyfuzji: - zamiennowęzłowy (atom domieszki zajmuje pozycję w węźle sieci pp). Zachodzi, gdy: f 1 zerwaniu ulegają wiązania kowalencyjne domieszki z sąsiednimi atomami krzemu, f 2 brak atomu krzemu w sąsiednim węźle; oba zdarzenia drgania cieplne atomów. f exp( W / kt ); f exp( W / kt ) W 1 energia wiązania kowalencyjnego domieszki z Si, W 2 energia wiązania kowalencyjnego atomu Si z Si (energia kreacji wakansu) 7
8 Prawdopodobieństwo jednoczesnego zdarzenia: f f f ęxp( W / kt); W W W Energia aktywacji dla dyfuzji zamiennowęzłowej. 1 2 az az 1 2 Ponieważ liczba prób dokonania przeskoku w 1s = częstotliwości drgań atomu, o, więc częstotliwość przeskoków: exp( W / kt ) o az W az =2 3 ev dla Ge; 3 4 ev dla Si, o =10 13 Hz. Np. dla W az =3eV częstotliwość przeskoków w T=1200 o C =10 13 e /s, a w T=300K, =10 13 e /s 1 przeskok na 3*10 31 lat (wiek Ziemi 5*10 9 lat). Dlatego proces dyfuzji trzeba prowadzić w bardzo wysokich temperaturach. Ponieważ D, D=D o exp(- W az /kt); D o dyfuzyjność = D T Wszystkie domieszki donorowe i akceptorowe dyfundują zgodnie z mechanizmem zamiennowęzłowym. dyfuzja międzywęzłowa (atom domieszki lokalizuje się w swobodnej przestrzeni między atomami krzemu). Polega na tym, że atom domieszki może zmieniać pozycję w krysztale przeciskając się między atomami krzemu: f exp(-w am /kt); D=D o exp(-w am /kt); W am energia aktywacji dyfuzji międzywęzłowej. W am <W az, współczynnik dyfuzji dla mechanizmu międzywęzłowego jest znacznie większy niż dla mechanizmu zamiennowęzłowego (ta sama temperatura). Takiej dyfuzji poddają się ciężkie atomy metali (Au, Ni), które ze względu na duże rozmiary nie mogą zamieniać atomów Si w węzłach sieci. Domieszki te dają dozwolone stany energetyczne w pobliżu środka pasma zabronionego i spełniają funkcję centrów generacyjnorekombinacyjnych. Techniczna realizacja procesu dyfuzji w piecu dyfuzyjnym. 8
9 Domieszkowanie akceptorami Bor (spośród Ga, Al, In, B) ma najlepsze właściwości fizykochemiczne najmniejszą energię jonizacji, największą rozpuszczalność graniczną w krzemie (5*10 26 m -3 ) oraz małą wartość współczynnika dyfuzji w dwutlenku krzemu (warstwie pasywującej). Płytki krzemowe wygrzewa się w T= o C w atmosferze B 2 O 3 : 2B 2 O 3 + 3Si 3SiO 2 + 4B Na powierzchni Si powstaje szkliwo borowo-krzemowe (stop SiO 2 *B 2 O 3 ) i uwalnia się bor, który dyfunduje wgłąb płytki krzemowej. Pierwotne źródło domieszki BBr 3 : 4BBr 3 +3O 2 2B 2 O 3 +6Br 2 9
10 Nośnikiem gazowym par BBr 3 jest azot. W piecu dyfuzyjnym reagują one z O 2, a B 2 O 3 łączy się z krzemem dając SiO 2 silnie domieszkowany B. Dyfuzja następuje dwustopniowo. Predyfuzja (dyfuzja ze źródła nieograniczonego) powstanie SiO 2 *B 2 O 3. Redyfuzja (dyfuzja ze źródła ograniczonego) źródło warstwa szkliwa. Domieszkowanie donorami Najczęściej P, rzadziej As lub Sb, W d 0.04 ev; P ma większy współczynnik dyfuzji w krzemie i wykazuje powolną dyfuzję w SiO 2. As lub Sb stosuje się, gdy wykonanie złożonej struktury pp. wymaga wielokrotnej dyfuzji (domieszka musi mieć mały współczynnik dyfuzji). As jest toksyczny, Sb ma małą rozpuszczalność graniczną w krzemie (5*10 23 m -3, As 1.5*10 27 m -3 ). Płytki krzemowe, umieszczone w rurze kwarcowej pieca dyfuzyjnego wygrzewa się w temperaturze o C w atmosferze P 2 O 5 : 2P 2 O Si 5SiO 2 + 4P Na powierzchni Si powstaje szkliwo fosforo-krzemowe (stop SiO 2 *P 2 O 5 ) i uwalnia się P, który dyfunduje wgłąb płytki pp. Jako pierwotne źródło domieszki stosuje się ciekły POCl 3, który reaguje z tlenem. 4POCl 3 + 3O 2 2P 2 O 5 + 6Cl 2 Nośnikiem gazowym par POCl 3 jest azot. W piecu dyfuzyjnym reagują one z tlenem, a P 2 O 5 łączy się z krzemem dając SiO 2 domieszkowany P. Dyfuzja następuje również dwustopniowo. c). Implantacja jonów wszczepienie jonów Zamiast dyfuzji lub jako proces uzupełniający. Polega na wbijaniu jonów do kryształu na skutek bombardowania powierzchni płytki pp. jonami rozpędzonymi w silnym polu elektrycznym. - komora źródła jonów powstają tu jony domieszki (metodą rozpylania) i są rozpędzane w polu elektrycznym do dużych prędkości ( kev) 10
11 - analizator masy tu wiązka jonów zagina się w polu magnetycznym pod kątem zależnym od stosunku ładunku do masy jonu i przechodzi przez układ ogniskowania, - komora podłożowa z płytką podłożową podgrzaną do temperatury kilkudziesięciu o C, jony bombardują powierzchnię płytki i wchodzą do kryształu pp. na określoną głębokość. W efekcie bombardowania jonami w warstwie przypowierzchniowej pp. powstaje dużo defektów warstwa amorficzna. Końcowa faza wygrzewanie półprzewodnika w temperaturze o C przez okres kilku min do kilku godzin (wygrzewanie laserowe). Celem jest uporządkowanie struktury krystalicznej i umożliwienie jonom zajęcia pozycji węzłowych. Grubość warstwy implantowanej i koncentracja jonów domieszki zależą od rodzaju jonów, ich energii, dawki i właściwości podłoża pp. Przy energiach do 200 kev, grubość warstw 1 m. Rozkład koncentracji jonów ma kształt rozkładu Gaussa można otrzymać dowolny profil koncentracji domieszek. 3. Kształtowanie lokalne właściwości fizykochemicznych pp. W typowej płytce pp. o średnicy 5 cm można wykonać wiele tysięcy struktur pp. (diód, tranzystorów). Potrzebne są metody precyzyjnej kontroli rozmiarów geometrycznych obszarów pp., poddawanych procesowi domieszkowania. Płytka krzemowa pokryta jest warstwą SiO 2, w której wykonano otwór (okno). Atomy domieszki nie są w stanie przeniknąć przez warstwę SiO 2 (małe D w SiO 2 ) maskę. Krzem jest więc domieszkowany tylko w obszarze okna. W domieszkowaniu lokalnym stosuje się dwa procesy: maskowanie i fotolitografię. a). wytwarzanie warstwy maskującej (maskowanie) Najczęściej stosowanym sposobem wytwarzania SiO 2 na powierzchni Si jest utlenianie cieplne płytki krzemowej w atmosferze tlenu, pary wodnej lub tlenu wilgotnego, w T= o C: Si(c. stałe) + O 2 (gaz) SiO 2 (c. stałe) Si(c. stałe) + 2H 2 O(gaz) SiO 2 (c. stałe) + 2H 2 (gaz) Urządzenie do utleniania jest to rura kwarcowa umieszczona w piecu oporowym, do której doprowadza się gaz utleniający. Płytki krzemowe znajdują się w kasecie kwarcowej, umieszczonej w strefie stałej temperatury. W początkowej fazie utleniania grubość warstwy wzrasta liniowo (szybkość ograniczona reakcją tlenu z krzemem) w funkcji czasu, w drugiej fazie grubość warstwy rośnie wolniej, proporcjonalnie do t (szybkość utleniania ograniczona procesem dyfuzji tlenu przez warstwę SiO 2 ). 11
12 Narastanie warstwy SiO 2 następuje częściowo wgłąb płytki podłożowej. Obok maskowania drugą podstawową funkcja SiO 2 jest pasywowanie powierzchni krzemu (ochrona powierzchni przed zanieczyszczeniami oraz radykalne zmniejszenie ilości stanów powierzchniowych) d=0.5-2 m. Warstwa SiO 2 stosowana jest jako warstwa dielektryczna w kondensatorach i tranzystorach MIS. W kondensatorach i tranzystorach MIS d= nm. Warstwy SiO 2 można nanosić na powierzchnię płytki krzemowej metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej (CVD) w temperaturze 400 o C (1mm/min). Niekiedy istnieje potrzeba zastosowania warstwy maskującej z bardziej gęstego materiału niż SiO 2. Stosuje się Si 3 N 4. Przez taką warstwę nie przechodzą jony Na +, H + - wpływają na stabilność pp. Wady gorsze właściwości elektrofizyczne obszaru granicznego Si-Si 3 N 4 niż Si-SiO 2 oraz trudności obróbki fotochemicznej. b). wytwarzanie okien w warstwie maskującej (fotolitografia). Polega na zastosowaniu warstwy światłoczułej (fotorezyst) do maskowania i lokalnego wytrawiania odsłoniętych warstw. Wytrawianiu podlegają warstwy SiO 2 lub Si 3 N 4. Najpierw nakłada się ciekłą emulsję światłoczułą na powierzchnię utlenionej płytki podłożowej. 12
13 Po wysuszeniu emulsji w T=150 o C (odparowanie rozpuszczalnika) powierzchnia płytki naświetlona jest przez specjalną maskę kontaktową (fotomaskę) promieniowaniem UV. Naświetlenie to prowadzi do polimeryzacji, uodporniającej warstwy na działanie roztworu wywołującego. Po wywołaniu i utrwaleniu warstwa światłoczuła osłania tylko tą część powierzchni płytki, która była naświetlona. W następnej fazie płytka poddawana jest działaniu kwasu fluorowodorowego w celu wytrawienia okna w odsłoniętej części warstwy SiO 2. Potem usuwa się warstwę emulsji (H 2 SO 4, HNO 3 ). W ten sposób otrzymuje się strukturę gotową do prowadzenia domieszkowania lokalnego. Wytwarzanie masek fotolitograficznych: rysunek, negatyw pośredni, maska wzorcowa, maska robocza. Maska fotolitograficzna jest płytką szklaną (5*5 cali) z utrwaloną warstwą nieprzezroczystego materiału światłoczułego tworzącego określone figury geometryczne. Inny sposób wytwarzania rysowanie obrazu wiązką elektronów lub promieniowaniem lasera bezpośrednio na masce wzorcowej (płytka szklana pokryta warstwą chromu). Zdolność rozdzielcza procesu fotolitografii ± 2 m. 13
14 epitaksja lokalna Płytkę krzemową z warstwą SiO 2, w której wykonano okna metodą fotolitografii, można poddać procesowi epitaksji. Warstwa krzemu monokrystalicznego narasta tylko w obszarze okna = epitaksja lokalna. dyfuzja lokalna dyfuzja w obszarze okna Nie wszystkie domieszki są maskowane przez warstwę SiO 2 (Ga i Al, nie). W przypadku B i P skuteczność maskowania zależy od grubości warstwy SiO 2, temperatury i czasu trwania procesu dyfuzji. 14
15 implantacja lokalna jako maski stosuje się warstwy aluminium, molibdenu, złota, krzemu polikrystalicznego lub emulsji fotograficznej (tranzystory MOS). - technologia planarna płaszczyznowa - maskowanie podłoża krzemowego warstwą SiO 2 - fotolitografia - domieszkowanie lokalne Cecha pp. struktur planarnych krawędzie wszystkich złączy wychodzą na jedną płaszczyznę, którą można pasywować warstwą dielektryka Przez tą powierzchnię prowadzone są wszystkie procesy obróbcze. Jeśli dodatkowo stosuje się epitaksję = technologia epiplanarna. 15
16 Inne procesy technologiczne: - wykonanie metalicznych pól kontaktowych, - testowanie struktur na płytce podłożowej, - cięcie płytki na poszczególne struktury, - zamocowanie struktury w odpowiedniej podstawce obudowy, - mikromontaż połączenie pól kontaktowych cienkim drutem, - wykonanie obudowy. 16
Fizyka i technologia złącza PN. Adam Drózd 25.04.2006r.
Fizyka i technologia złącza P Adam Drózd 25.04.2006r. O czym będę mówił: Półprzewodnik definicja, model wiązań walencyjnych i model pasmowy, samoistny i niesamoistny, domieszki donorowe i akceptorowe,
Bardziej szczegółowoMetody wytwarzania elementów półprzewodnikowych
Metody wytwarzania elementów półprzewodnikowych Ryszard J. Barczyński, 2010 2015 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Wytwarzanie
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia aw. C-3, okój 413; tel.
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone,
TECHNOLOGIA WYKONANIA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWOD- NIKOWYCH WYK. 16 SMK Na pdstw.: W. Marciniak, WNT 1987: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, 1. Technologia wykonania złącza p-n W rzeczywistych złączach
Bardziej szczegółowoTechnologia planarna
Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych
Bardziej szczegółowo2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.
2. Półprzewodniki 1 Półprzewodniki to materiały, których rezystywność jest większa niż rezystywność przewodników (metali) oraz mniejsza niż rezystywność izolatorów (dielektryków). Przykłady: miedź - doskonały
Bardziej szczegółowoDomieszkowanie półprzewodników
Jacek Mostowicz Domieszkowanie półprzewodników Fizyka komputerowa, rok 4, 10-06-007 STRESZCZENIE We wstępie przedstawiono kryterium podziału materiałów na metale, półprzewodniki oraz izolatory, zdefiniowano
Bardziej szczegółowoRZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B1
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 174002 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 300055 (22) Data zgłoszenia: 12.08.1993 (5 1) IntCl6: H01L21/76 (54)
Bardziej szczegółowoPrzyrządy Półprzewodnikowe
KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH Laboratorium Mikrotechnologii Przyrządy Półprzewodnikowe Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa 2009 1. Podstawy teoretyczne Ćwiczenie 1 Sonda czteroostrzowa
Bardziej szczegółowoIII. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski
III. METODY OTRZYMYWANIA MATERIAŁÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH Janusz Adamowski 1 1 Wstęp Materiały półprzewodnikowe, otrzymywane obecnie w warunkach laboratoryjnych, charakteryzują się niezwykle wysoką czystością.
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3,
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS Click to edit Master title style
Struktura CMOS Click to edit Master text styles warstwy izolacyjne (CVD) Second Level kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) NMOS metal II metal I PWELL podłoże P PMOS NWELL przelotka (VIA) obszary
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa. Anna Pietnoczka
Teoria pasmowa Anna Pietnoczka Opis struktury pasmowej we współrzędnych r, E Zmiana stanu elektronów przy zbliżeniu się atomów: (a) schemat energetyczny dla atomów sodu znajdujących się w odległościach
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane
Podstawy fizyki ciała stałego półprzewodniki domieszkowane Półprzewodnik typu n IV-Ge V-As Jeżeli pięciowartościowy atom V-As zastąpi w sieci atom IV-Ge to cztery elektrony biorą udział w wiązaniu kowalentnym,
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Wytwarzanie monokryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora. Trawienie. Montowanie
Bardziej szczegółowoRyszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego
Półprzewodniki i elementy z półprzewodników homogenicznych Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja
Bardziej szczegółowoTeoria pasmowa ciał stałych
Teoria pasmowa ciał stałych Poziomy elektronowe atomów w cząsteczkach ulegają rozszczepieniu. W kryształach zjawisko to prowadzi do wytworzenia się pasm. Klasyfikacja ciał stałych na podstawie struktury
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 3. Detekcja światła. Struktura krystaliczna. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 3 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoAbsorpcja związana z defektami kryształu
W rzeczywistych materiałach sieć krystaliczna nie jest idealna występują różnego rodzaju defekty. Podział najważniejszych defektów ze względu na właściwości optyczne: - inny atom w węźle sieci: C A atom
Bardziej szczegółowoElementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1
Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100
Bardziej szczegółowoMIKROSYSTEMY. Ćwiczenie nr 2a Utlenianie
MIKROSYSTEMY Ćwiczenie nr 2a Utlenianie 1. Cel ćwiczeń: Celem zajęć jest wykonanie kompletnego procesu mokrego utleniania termicznego krzemu. W skład ćwiczenia wchodzą: obliczenie czasu trwania procesu
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH
PODSTAWY TEORII PASMOWEJ Struktura pasm energetycznych Teoria wa Struktura wa stałych Półprzewodniki i ich rodzaje Półprzewodniki domieszkowane Rozkład Fermiego - Diraca Złącze p-n (dioda) Politechnika
Bardziej szczegółowoFunkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach
Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach 1 f FD ( E) = E E F exp + 1 kbt Styczna do krzywej w punkcie f FD (E F )=0,5 przecina oś energii i prostą f FD (E)=1 w punktach odległych o k B
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki samoistne. Struktura krystaliczna
Półprzewodniki samoistne Struktura krystaliczna Si a5.43 A GaAs a5.63 A ajczęściej: struktura diamentu i blendy cynkowej (ZnS) 1 Wiązania chemiczne Wiązania kowalencyjne i kowalencyjno-jonowe 0K wszystkie
Bardziej szczegółowo3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA
3. ZŁĄCZE p-n 3.1. BUDOWA ZŁĄCZA Złącze p-n jest to obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy jedną typu p i drugą typu n. Na rysunku 3.1 przedstawiono uproszczony
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności elektryczne trzeba zdefiniować kilka wielkości Oporność właściwa (albo przewodność) ładunek [C] = 1/
Bardziej szczegółowoPrzewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki
Przewodność elektryczna ciał stałych Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki Elektryczne własności ciał stałych Do sklasyfikowania różnych materiałów ze względu na ich własności
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe
Przyrządy półprzewodnikowe Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 116 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA E&T Metal
Bardziej szczegółowoMETALE. Cu 8.50 1.35 1.56 7.0 8.2 Ag 5.76 1.19 1.38 5.5 6.4 Au 5.90 1.2 1.39 5.5 6.4
MAL Zestawienie właściwości gazu elektronowego dla niektórych metali: n cm -3 k cm -1 v cm/s ε e ε /k Li 4.6 10 1.1 10 8 1.3 10 8 4.7 5.5 10 4 a.5 0.9 1.1 3.1 3.7 K 1.34 0.73 0.85.1.4 Rb 1.08 0.68 0.79
Bardziej szczegółowoCel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.
WFiIS PRACOWNIA FIZYCZNA I i II Imię i nazwisko: 1. 2. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA Cel ćwiczenia: Wyznaczenie
Bardziej szczegółowoW1. Właściwości elektryczne ciał stałych
W1. Właściwości elektryczne ciał stałych Względna zmiana oporu właściwego przy wzroście temperatury o 1 0 C Materiał Opór właściwy [m] miedź 1.68*10-8 0.0061 żelazo 9.61*10-8 0.0065 węgiel (grafit) 3-60*10-3
Bardziej szczegółowoELEMENTY ELEKTRONICZNE
AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji Katedra Elektroniki ELEMENTY ELEKTRONICZNE dr inż. Piotr Dziurdzia paw. C-3, pokój 413;
Bardziej szczegółowoRozszczepienie poziomów atomowych
Rozszczepienie poziomów atomowych Poziomy energetyczne w pojedynczym atomie Gdy zbliżamy atomy chmury elektronowe nachodzą na siebie (inaczej: funkcje falowe elektronów zaczynają się przekrywać) Na skutek
Bardziej szczegółowoWłaściwości kryształów
Właściwości kryształów Związek pomiędzy właściwościami, strukturą, defektami struktury i wiązaniami chemicznymi Skład i struktura Skład materiału wpływa na wszystko, ale głównie na: właściwości fizyczne
Bardziej szczegółowoStruktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża)
Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła 1 Tranzystor
Bardziej szczegółowoElektryczne własności ciał stałych
Elektryczne własności ciał stałych Izolatory (w temperaturze pokojowej) w praktyce - nie przewodzą prądu elektrycznego. Ich oporność jest b. duża. Np. diament ma oporność większą od miedzi 1024 razy Metale
Bardziej szczegółowoPrzyrządy i układy półprzewodnikowe
Przyrządy i układy półprzewodnikowe Prof. dr hab. Ewa Popko ewa.popko@pwr.edu.pl www.if.pwr.wroc.pl/~popko p.231a A-1 Zawartość wykładu Wy1, Wy2 Wy3 Wy4 Wy5 Wy6 Wy7 Wy8 Wy9 Wy10 Wy11 Wy12 Wy13 Wy14 Wy15
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA
ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA wykład 2 PÓŁPRZEWODNIKI luty 2008 - Lublin krzem u ej n o z r o w t rze i p o ytk d u pł m rze k Od m ik ro pr oc es or ET F S MO p rzy rząd Od p iasku do Ten wykład O CZYM
Bardziej szczegółowoCiała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz
Ciała stałe Podstawowe własności ciał stałych Struktura ciał stałych Przewodnictwo elektryczne teoria Drudego Poziomy energetyczne w krysztale: struktura pasmowa Metale: poziom Fermiego, potencjał kontaktowy
Bardziej szczegółowoStruktura pasmowa ciał stałych
Struktura pasmowa ciał stałych dr inż. Ireneusz Owczarek CMF PŁ ireneusz.owczarek@p.lodz.pl http://cmf.p.lodz.pl/iowczarek 2012/13 Spis treści 1. Pasmowa teoria ciała stałego 2 1.1. Wstęp do teorii..............................................
Bardziej szczegółowoZjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne
Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego. Zadania elektroniki: Urządzenia elektroniczne
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania metali. Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe
Technologie wytwarzania metali Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki próżniowe KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Krzepnięcie - przemiana fazy
Bardziej szczegółowoWykład IV. Półprzewodniki samoistne i domieszkowe
Wykład IV Półprzewodniki samoistne i domieszkowe Półprzewodniki (Si, Ge, GaAs) Konfiguracja elektronowa Si : 1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 2 = [Ne] 3s 2 3p 2 4 elektrony walencyjne Półprzewodnik samoistny Talent
Bardziej szczegółowoZłącza p-n, zastosowania. Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET
Złącza p-n, zastosowania Własności złącza p-n Dioda LED Fotodioda Dioda laserowa Tranzystor MOSFET Złącze p-n, polaryzacja złącza, prąd dyfuzyjny (rekombinacyjny) Elektrony z obszaru n na złączu dyfundują
Bardziej szczegółowo3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17)
152 Elektryczność 3.4 Badanie charakterystyk tranzystora(e17) Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystora npn w układzie ze wspólnym emiterem W E. Zagadnienia do przygotowania: półprzewodniki,
Bardziej szczegółowoProcesy technologiczne w elektronice
Procesy technologiczne w elektronice Procesy technologiczne Wytwarzanie monoryształów Si i innych. Domieszkowanie; wytwarzanie złącz. Nanoszenie cienkich warstw. Litografia. Wytwarzanie warstw izolatora.
Bardziej szczegółowoTechnologie wytwarzania. Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG
Technologie wytwarzania Opracował Dr inż. Stanisław Rymkiewicz KIM WM PG Technologie wytwarzania Odlewanie Metalurgia proszków Otrzymywanie monokryształów Otrzymywanie materiałów superczystych Techniki
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN 20-618 Lublin, ul. Nadbystrzycka 38A www.kueitwn.pollub.pl LABORATORIUM INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Podstawy
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych Click to edit Master title style
Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoNauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis
Wykład II Monokryształy Jerzy Lis Treść wykładu: 1. Wstęp stan krystaliczny 2. Budowa kryształów - krystalografia 3. Budowa kryształów rzeczywistych defekty WPROWADZENIE Stan krystaliczny jest podstawową
Bardziej szczegółowoSkalowanie układów scalonych
Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna
Bardziej szczegółowoCienkie warstwy. Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania. Co to jest cienka warstwa?
Cienkie warstwy Podstawy fizyczne Wytwarzanie Właściwości Zastosowania Co to jest cienka warstwa? Gdzie stosuje się cienkie warstwy? Wszędzie Wszelkiego rodzaju układy scalone I technologia MOS, i wytwarzanie
Bardziej szczegółowoZłącze p-n: dioda. Przewodnictwo półprzewodników. Dioda: element nieliniowy
Złącze p-n: dioda Półprzewodniki Przewodnictwo półprzewodników Dioda Dioda: element nieliniowy Przewodnictwo kryształów Atomy dyskretne poziomy energetyczne (stany energetyczne); określone energie elektronów
Bardziej szczegółowoPVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA)
ISO 9001:2008, ISO/TS 16949:2002 ISO 14001:2004, PN-N-18001:2004 PVD-COATING PRÓŻNIOWE NAPYLANIE ALUMINIUM NA DETALE Z TWORZYWA SZTUCZNEGO (METALIZACJA PRÓŻNIOWA) *) PVD - PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION OSADZANIE
Bardziej szczegółowoTEORIA TRANZYSTORÓW MOS. Charakterystyki statyczne
TEORIA TRANZYSTORÓW MOS Charakterystyki statyczne n Aktywne podłoże, a napięcia polaryzacji złącz tranzystora wzbogacanego nmos Obszar odcięcia > t, = 0 < t Obszar liniowy (omowy) Kanał indukowany napięciem
Bardziej szczegółowoI Konferencja. InTechFun
I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa POIG.01.03.01-00-159/08
Bardziej szczegółowoPytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa
Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa 1.Podział materiałów elektrotechnicznych 2. Potencjał elektryczny, różnica potencjałów 3. Związek pomiędzy potencjałem i natężeniem pola elektrycznego 4. Przewodzenie
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych. Fizyka II, lato
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2016 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoMateriałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA
Materiałoznawstwo optyczne CERAMIKA OPTYCZNA Szkło optyczne i fotoniczne, A. Szwedowski, R. Romaniuk, WNT, 2009 POLIKRYSZTAŁY - ciała stałe o drobnoziarnistej strukturze, które są złożone z wielkiej liczby
Bardziej szczegółowoAleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA
Aleksandra Banaś Dagmara Zemła WPPT/OPTOMETRIA B V B C ZEWNĘTRZNE POLE ELEKTRYCZNE B C B V B D = 0 METAL IZOLATOR PRZENOSZENIE ŁADUNKÓW ELEKTRYCZNYCH B C B D B V B D PÓŁPRZEWODNIK PODSTAWOWE MECHANIZMY
Bardziej szczegółowoPrzyrządy półprzewodnikowe część 2
Przyrządy półprzewodnikowe część 2 Prof. Zbigniew Lisik Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych pokój: 110 e-mail: zbigniew.lisik@p.lodz.pl wykład 30 godz. laboratorium 30 godz WEEIiA
Bardziej szczegółowoPolitechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć. Dr hab.
Politechnika Lubelska Wydział Elektrotechniki i Informatyki Katedra Urządzeń Elektrycznych i Techniki Wysokich Napięć Dr hab. Paweł Żukowski Materiały magnetyczne Właściwości podstawowych materiałów magnetycznych
Bardziej szczegółowo!!!DEL są źródłami światła niespójnego.
Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji
Bardziej szczegółowoPrzewodnictwo elektryczne ciał stałych
Przewodnictwo elektryczne ciał stałych Fizyka II, lato 2011 1 Własności elektryczne ciał stałych Komputery, kalkulatory, telefony komórkowe są elektronicznymi urządzeniami półprzewodnikowymi wykorzystującymi
Bardziej szczegółowoRekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja
Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek
Bardziej szczegółowoTECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW
TECHNOLOGIE OTRZYMYWANIA MONOKRYSZTAŁÓW Gdzie spotykamy monokryształy? Rocznie, na świecie produkuje się 20000 ton kryształów. Większość to Si, Ge, GaAs, InP, GaP, CdTe. Monokryształy można otrzymywać:
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 5. Detekcja światła. Plan na dzisiaj. Złącze p-n. złącze p-n
Repeta z wykładu nr 5 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika
Nazwisko... Data... Nr na liście... Imię... Wydział... Dzień tyg.... Godzina... Ćwiczenie 243 4.2. Badanie zależności temperaturowej oporu elektrycznego metalu i półprzewodnika Tabela I. Metal Nazwa próbki:
Bardziej szczegółowoRóżne dziwne przewodniki
Różne dziwne przewodniki czyli trzy po trzy o mechanizmach przewodzenia prądu elektrycznego Przewodniki elektronowe Metale Metale (zwane również przewodnikami) charakteryzują się tym, że elektrony ich
Bardziej szczegółowoSTRUKTURA CIAŁA STAŁEGO
STRUKTURA CIAŁA STAŁEGO Podział ciał stałych Ciała - bezpostaciowe (amorficzne) Szkła, żywice, tłuszcze, niektóre proszki. Nie wykazują żadnych regularnych płaszczyzn ograniczających, nie można w nich
Bardziej szczegółowoWpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC
Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H
Bardziej szczegółowoFizyka 2. Janusz Andrzejewski
Fizyka 2 wykład 13 Janusz Andrzejewski Scaledlugości Janusz Andrzejewski 2 Scaledługości Simple molecules
Bardziej szczegółowo1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW
1. PÓŁPRZEWODNIKI 1.1. PODSTAWOWE WŁAŚCIWOŚCI PÓŁPRZEWODNIKÓW Najprostsza definicja półprzewodników brzmi: "Półprzewodniki są materiałami, których rezystywność 1 jest większa niż rezystywność przewodników
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska, Inżynieria Biomedyczna. Przedmiot: BIOMATERIAŁY. Metody pasywacji powierzchni biomateriałów. Dr inż. Agnieszka Ossowska
BIOMATERIAŁY Metody pasywacji powierzchni biomateriałów Dr inż. Agnieszka Ossowska Gdańsk 2010 Korozja -Zagadnienia Podstawowe Korozja to proces niszczenia materiałów, wywołany poprzez czynniki środowiskowe,
Bardziej szczegółowoPÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE. Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową.
PÓŁPRZEWODNIKI W ELEKTRONICE Powszechnie uważa się, że współczesna elektronika jest elektroniką półprzewodnikową. 1 Półprzewodniki Półprzewodniki to ciała stałe nieorganiczne lub organiczne o przewodnictwie
Bardziej szczegółowoBadanie charakterystyki diody
Badanie charakterystyki diody Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk prądowo napięciowych różnych diod półprzewodnikowych. Wstęp Dioda jest jednym z podstawowych elementów elektronicznych,
Bardziej szczegółowo1. Wprowadzenie: dt q = - λ dx. q = lim F
PAŃSTWOWA WYŻSZA SZKOŁA ZAWODOWA W PILE INSTYTUT POLITECHNICZNY Zakład Budowy i Eksploatacji Maszyn PRACOWNIA TERMODYNAMIKI TECHNICZNEJ INSTRUKCJA Temat ćwiczenia: WYZNACZANIE WSPÓŁCZYNNIKA PRZEWODNOŚCI
Bardziej szczegółowoZałącznik nr 1. Projekty struktur falowodowych
Załącznik nr 1 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej
Bardziej szczegółowoWŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY
WŁASNOŚCI CIAŁ STAŁYCH I CIECZY Polimery Sieć krystaliczna Napięcie powierzchniowe Dyfuzja 2 BUDOWA CIAŁ STAŁYCH Ciała krystaliczne (kryształy): monokryształy, polikryształy Ciała amorficzne (bezpostaciowe)
Bardziej szczegółowoPodstawy technologii monokryształów
1 Wiadomości ogólne Monokryształy - Pojedyncze kryształy o jednolitej sieci krystalicznej. Powstają w procesie krystalizacji z substancji ciekłych, gazowych i stałych, w określonych temperaturach oraz
Bardziej szczegółowoInstytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka
Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Wydział Elektrotechniki, Elektroniki Informatyki i Automatyki Politechnika Łódzka LABORATORIUM INŻYNIERII
Bardziej szczegółowoVI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
Oporność właściwa (Ωm) 1 VI. POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORNOŚCI METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: pomiar zależności oporności elektrycznej (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury,
Bardziej szczegółowoPółprzewodniki. złącza p n oraz m s
złącza p n oraz m s Ryszard J. Barczyński, 2012 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Publikacja współfinansowana ze środków Unii
Bardziej szczegółowoPOMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY
ĆWICZENIE 44 POMIAR ZALEŻNOŚCI OPORU METALI I PÓŁPRZEWODNIKÓW OD TEMPERATURY Cel ćwiczenia: Pomiar zależności oporu elektrycznego (rezystancji) metalu i półprzewodnika od temperatury oraz wyznaczenie temperaturowego
Bardziej szczegółowoRepeta z wykładu nr 4. Detekcja światła. Dygresja. Plan na dzisiaj
Repeta z wykładu nr 4 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje:
Bardziej szczegółowoFizyka i technologia wzrostu kryształów
Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.1 Wzrost kryształów objętościowych półprzewodników na świecie i w Polsce Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,
Bardziej szczegółowoS. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Półprzewodniki. Półprzewodniki
Półprzewodniki Definicja i własności Półprzewodnik materiał, którego przewodnictwo rośnie z temperaturą (opór maleje) i w temperaturze pokojowej wykazuje wartości pośrednie między przewodnictwem metali,
Bardziej szczegółowoINŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej... INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice... Dr hab. inż. JAN FELBA Profesor nadzwyczajny PWr 1 PROGRAM WYKŁADU Struktura materiałów
Bardziej szczegółowoZaburzenia periodyczności sieci krystalicznej
Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej Defekty liniowe dyslokacja krawędziowa dyslokacja śrubowa dyslokacja mieszana Defekty punktowe obcy atom w węźle luka w sieci (defekt Schottky ego) obcy atom
Bardziej szczegółowoFotolitografia. xlab.me..me.berkeley.
Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie
Bardziej szczegółowoCo to jest cienka warstwa?
Co to jest cienka warstwa? Gdzie i dlaczego stosuje się cienkie warstwy? Układy scalone, urządzenia optoelektroniczne, soczewki i zwierciadła, ogniwa paliwowe, rozmaite narzędzia,... 1 Warstwy w układach
Bardziej szczegółowoNatężenie prądu elektrycznego
Natężenie prądu elektrycznego Wymuszenie w przewodniku różnicy potencjałów powoduje przepływ ładunków elektrycznych. Powszechnie przyjmuje się, że przepływający prąd ma taki sam kierunek jak przepływ ładunków
Bardziej szczegółowoE3. Badanie temperaturowej zależności oporu elektrycznego ciał stałych 1/5
1/5 Celem ćwiczenia jest poznanie temperaturowej zależności przepływu prądu elektrycznego przez przewodnik i półprzewodnik oraz doświadczalne wyznaczenie energii aktywacji przewodnictwa dla półprzewodnika
Bardziej szczegółowoElementy przełącznikowe
Elementy przełącznikowe Dwie główne grupy: - niesterowane (diody p-n lub Schottky ego), - sterowane (tranzystory lub tyrystory) Idealnie: stan ON zwarcie, stan OFF rozwarcie, przełączanie bez opóźnienia
Bardziej szczegółowoKRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW. Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego
KRYSTALIZACJA METALI I STOPÓW Publikacja współfinansowana ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego Krzepnięcie przemiana fazy ciekłej w fazę stałą Krystalizacja przemiana
Bardziej szczegółowoMateriały używane w elektronice
Materiały używane w elektronice Typ Rezystywność [Wm] Izolatory (dielektryki) Over 10 5 półprzewodniki 10-5 10 5 przewodniki poniżej 10-5 nadprzewodniki (poniżej 20K) poniżej 10-15 Model pasm energetycznych
Bardziej szczegółowoMateriały Reaktorowe. Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d.
Materiały Reaktorowe Efekty fizyczne uszkodzeń radiacyjnych c.d. Luki (pory) i pęcherze Powstawanie i formowanie luk zostało zaobserwowane w 1967 r. Podczas formowania luk w materiale następuje jego puchnięcie
Bardziej szczegółowo