Dynamiczne równanie dyfuzji. Łukasz Starzak, Pomiary i modelowanie w elektronice mocy, lato 2012/13
|
|
- Renata Domańska
- 5 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Dynamiczne równanie dyfuzji 129
2 Rozwiązanie przez redukcję do ładunku skupionego Uproszczenie uzyskane przez scałkowanie równanie kontroli ładunku ładunek skupiony jedna liczba opisuje wszystkie nośniki w bazie zgadza się gdy zmiany ładunku w czasie są szybkie względem czasu życia τ W rzeczywistych układach mocy prąd proporcjonalny do ładunku Qs czasy przelotu i wymuszenia (okres/czas przełączania) są tego samego rzędu nie można oddać wzajemnego oddziaływania przyrządu i układu Proste udoskonalenia podział ładunku na części (zwykle 3) nie usuwają zasadniczych wad 130
3 Równoważny obwód elektryczny uzyskany poprzez przekształcenie Fouriera 131
4 Równoważny obwód elektryczny uzyskany poprzez przekształcenie Fouriera (cd.) 132
5 Postać modelu obszaru składowania ładunku Pełny schemat elektryczny Brzegowe koncentracje nośników Zgromadzony ładunek naprzemienne segmenty parzyste i nieparzyste liczba zależy od wymaganej dokładności Kontrola granic obszaru składowania ładunku 133
6 Modele obszaru ładunku przestrzennego i obszaru dryftu Prąd przesunięcia opisuje przemieszczanie ładunku związane z tworzeniem obszaru pozbawionego nośników nadmiarowych Gęstość ładunku zjonizowane domieszki + nośniki ruchome usuwane z obszaru składowania ładunku 134
7 Modelowanie emiterów Współczynnik rekombinacji w emiterze Dla emitera z buforem ładunek w buforze wzory wyprowadzone dla przypadku statycznego 135
8 Model kanału MOS Najprostsze równania o genezie fizycznej Nieco bardziej złożony wzór na napięcie odcięcia, uwzględniający zmniejszenie ruchliwości nośników w kanale (parametr ψxref) 136
9 Pojemności struktury MOS CGS1 & CGS2 are clasically computed by using the geometric size of the oxide and are unrelated to the voltage 137
10 Model studni P Umożliwia uzyskanie zatrzasku w tranzystorze IGBT Model w postaci rezystancji o wartości zależnej od parametrów geometrycznych i elektrycznych 138
11 Kompletny model tranzystora NPT-IGBT Model dowolnego przyrządu jest tworzony przez: zestawienie modułów odpowiadających poszczególnym elementom struktury określenie równań ciągłości prądu między nimi 139
12 Wyniki symulacji statycznych Charakterystyki statyczne dla różnych temperatur (izotermiczne) Przebicie lawinowe Zatrzask 140
13 Wyniki symulacji stanów przejściowych załączanie 141
14 Wyniki symulacji stanów przejściowych wyłączanie 142
15 Modele przekształtników impulsowych z przełączaniem łączników Sprawdzają się dla krótkiego czasu symulacji i pojedynczej częstotliwości Długi czas symulacji, duże zapotrzebowanie na pamięć, duża objętość generowanych wyników (kilkaset MB), gdy wiele ( 100) okresów wiele częstotliwości falowniki, PFC (500 khz / 50 Hz = ) dojście do stanu ustalonego rozruch i zaburzenia Każde przełączenie to trudne obliczeniowo wymuszenie dla modeli elementów nieliniowych, szczególnie zaawansowanych modeli p.p.m. koniecznych wiele iteracji w każdym kroku szybkie zmiany krótki krok bardzo wiele iteracji na jednostkę czasu symulacji 143
16 Uśrednione modele przekształtników impulsowych Z modelu układu usuwa się przełączanie Zyski pozostawia się jednak wpływ przełączania (współczynnik wypełnienia) na działanie układu krok symulacji może być dużo większy brak obciążających obliczeniowo procesów powtarzanych z dużą częstotliwością dużo krótszy czas symulacji Usunięcie częstotliwości przełączania odpowiada uśrednieniu przebiegów za okres przełączania to samo podejście zastosowano wcześniej do wyprowadzenia transmitancji przekształtników skutek podobny do filtracji dolnoprzepustowej, chociaż to nie to samo 144
17 Uśrednione modele przekształtników impulsowych (cd.) 145
18 Zalety i wady Modele uśrednione szybko uzyskiwane wykresy Bodego i Nyquista ocena stabilności, impedancja wejściowa szybko uzyskiwane wyniki symulacji czasowej stany przejściowe o czasie trwania dużo dłuższym niż okres przełączania uwzględnienie strat mocy w elementach biernych łatwe w uproszczeniu, dokładnie bardziej złożone w elementach półprzewodnikowych proste, ale tylko statycznych brak efektów pasożytniczych takich jak przepięcia tłumiki Modele z przełączaniem w naturalny sposób mogą zawierać elementy pasożytnicze, również dla transformatorów (indukcyjność rozproszenia) w większym stopniu oddają rzeczywistość moce strat tętnienie przebiegów długi czas symulacji czasowej, duże zapotrzebowanie na zasoby obliczeniowe stany przejściowe uzyskanie wykresu Bodego z analizy czasowej teoretycznie możliwe, ale bardzo mozolne wymaga szeregu powtórzeń symulacji czasowej 146
19 Metoda uśredniania zmiennych stanu Ćuk, Middlebrook (lata 1970.) do wyprowadzenia transmitancji układów przełączanych (jedna z technik stosunkowo ogólna) Zmienne stanu to taki zestaw wielkości fizycznych x, że ich znajomość, wraz z wiedzą o wymuszeniach u, wyznaczyć wszystkie inne wielkości w układzie w chwili bieżącej a także wyznaczyć stan wyjść y znajomość pochodnych pozwala wyznaczyć przyszłe stany układu w prostej przetwornicy: il, uc 147
20 Transmitancja wyrażona przez zmienne stanu Wielomian charakterystyczny jego pierwiastki są biegunami transmitancji T(s) kryterium Routha-Hurwitza układ jest stabilny, jeżeli wszystkie współczynniki wielomianu charakterystycznego są dodatnie umożliwia ocenę stabilności bez wyprowadzania pełnego równania transmitancji 148
21 Metoda uśredniania zmiennych stanu dla przetwornicy obniżającej napięcie Takt on 149
22 Metoda uśredniania zmiennych stanu dla przetwornicy obniżającej napięcie (cd.) Takt off 150
23 Nieliniowy ciągły model przetwornicy obniżającej 151
24 Transformator składowej stałej Praktyczniej byłoby, gdyby w modelu obwodowym występowało źródło o faktycznym napięciu Vin, nie źródło zastępcze d Vin Można to osiągnąć wprowadzając transformator składowej stałej czwórnik, w którym składowe stałe napięć i prądów wejściowych i wyjściowych spełniają równanie transformatora element idealny (brak magnetyzacji, rozproszenia) obiekt nierzeczywisty, ale bez problemu implementowalny w symulatorach zwykle występuje w postaci AC+DC, tj. równanie transformatora spełniają zarówno składowe stałe, jak i przemienne 152
25 Implementacja transformatora składowej stałej w symulatorze SPICE RP i RS dodane dla poprawy zbieżności Problem: stała przekładnia (w ramach jednej analizy), podczas gdy współczynnik wypełnienia może się zmieniać Przekładnia jako zmienna obwodowa postać napięcia B źródło opisane w formie ABM w niektórych wersjach SPICE a (PSpice: E VALUE, G VALUE) 153
26 Model uśredniony przetwornicy obniżającej z użyciem transformatora DC Wyniki analizy BP (ustalonego punktu pracy) Wyniki analizy AC (małosygnałowej) Gvd(jω) Wada metody: dla każdej topologii (inne przetwornice, dodatkowy filtr wejściowy itd.) konieczne jest wyprowadzenie modelu od początku jeżeli AC = 1 w źródle Vd, to Gvd(jω) = Vout(jω) wartość mogłaby być dowolna, ale tak jest najprościej 154
27 Zasady analizy małosygnałowej (AC) Używane modele małosygnałowe wyznaczany jest ustalony punkt pracy obliczane są parametry modelu małosygnałowego w UPP charakterystyka u-i elementu jest przedstawiana jako linia prosta Vout i u (iac uac) V1,dc = 1 V Wartości źródeł bez znaczenia są to tylko współczynniki proporcjonalności wyników wyniki rzeczywiste póki uac małe w przetwornicy uout,ac dla uin,ac = 1 V pewnie nie jest rzeczywiste, mimo to Gvd jest prawdziwa można by podać uin,ac = 0,1 V i podzielić uout,ac przez 0,1 Vout,ac V1,ac Vout,ac V1,ac 155
28 Metoda uśredniania łącznika Uśrednia się równania tylko tego fragmentu obwodu, który wprowadza nieciągłość w czasie łącznika dwubiegunowego (tranzystor + dioda) Wyróżniamy końcówkę elementu aktywnego, pasywnego i wspólną wewnętrzne połączenia trójnika są niezależne od topologii przetwornicy (także dla transformatorowych) i trybu pracy (CCM/DCM) reszta układu jest ciągła i liniowa zostaje bez zmian 156
29 Uśrednianie typowego prądu łącznika i1(t) = 0 w takcie on i1(t) = i2(t) w takcie off i2 ma przebieg trójkątny skoro i tak uśredniamy, to można użyć jego wartości średniej za okres i2(t) Tsw = (Ipeak + Ivalley) / 2 = I2 157
30 Prądy końcówkowe w trybie CCM Identyczny wynik otrzymamy dla dowolnej innej przetwornicy 158
31 Napięcia międzykońcówkowe w trybie CCM W każdej przetwornicy Vap jest stałe w czasie 159
32 Równoważny obwód elektryczny dla trybu CCM Tą metodą również otrzymaliśmy układ równań transformatora Wszystkie wielkości mogą być zmienne w czasie, ale z częstotliwością mniejszą niż częstotliwość przełączania 160
33 Model przetwornicy podwyższającej AC + Parametric Sweep (Vbias) DC Sweep (Vbias) 161
34 Rezystancja wejściowa Uśredniony model klucza upraszcza również ręczną analizę układów Można np. uzyskać wyrażenie na rezystancję wejściową przetwornicy 162
35 Straty Joule a w dławiku Znajdują się poza łącznikiem, więc uwzględnianie normalnie Przenosząc obciążenie na stronę pierwotną, łatwo wyprowadzić funkcję przetwarzania M=f(D) Ten sam wynik za pomocą symulatora (nie potrzeba przenosić obciążenia) 163
36 Model uśredniony małosygnałowy łącznika Dotychczasowe modele są ciągłe w czasie, jednak nieliniowe jeśli d = var Symulator sam linearyzuje model do analizy AC; do obliczeń analitycznych konieczne przeprowadzenie linearyzacji analitycznej Rozkładamy zmienne na składowe stałe i przemienne D składowa stała d (D, SPICE: D0) d składowa przemienna d (d, SPICE: d) 164
37 Pół-sprzężenie zwrotne Sprzężenie zwrotne tylko DC najprostszy model wzmacniacza źródło E o stałym wzmocnieniu filtr LoL-CoL o fc = 6,28 mhz odcina składową przemienną na wyjściu składowa stała d (D, D0) Osobne niezależne źródło VMOD składowa przemienna d (d ) 165
38 Pół-sprzężenie zwrotne wyniki symulacji Składowa stała współczynnika wypełnienia (ustalony punkt pracy) wyliczany jest przez symulator automatycznie dzięki SZ Źródło VMOD pozwala dodać niezależną jednostkową składową przemienną współczynnika wypełnienia wyznaczyć Gvd(jω) Można zbadać rzeczywisty wpływ stratności elementów na charakterystykę transmitancji inaczej po każdej zmianie RLf trzeba by było ręcznie szukać odpowiedniego D 166
Część 4. Zagadnienia szczególne
Część 4 Zagadnienia szczególne a. Tryb nieciągłego prądu dławika Łukasz Starzak, Sterowanie przekształtników elektronicznych, zima 2011/12 1 Model przetwornicy w trybie nieciągłego prądu DC DC+AC Napięcie
Bardziej szczegółowoSterowane źródło mocy
Sterowane źródło mocy Iloczyn prądu i napięcia jest zawsze proporcjonalny (równy) do pewnej mocy p Źródła tego typu nie mogą być zwarte ani rozwarte Moc ujemna pochłanianie mocy W rozważanym podobwodzie
Bardziej szczegółowoPrzerywacz napięcia stałego
Przerywacz napięcia stałego Efektywna topologia układu zmienia się w zależności od stanu łącznika Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, lato 2018/19 1 Napięcie wyjściowe przerywacza prądu stałego Przełączanie
Bardziej szczegółowoPrzetwornica SEPIC. Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety. Wady
Przetwornica SEPIC Single-Ended Primary Inductance Converter z przełączanym jednym końcem cewki pierwotnej Zalety Wady 2 C, 2 L niższa sprawność przerywane dostarczanie prądu na wyjście duże vo, icout
Bardziej szczegółowoImpulsowe przekształtniki napięcia stałego. Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki
Impulsowe przekształtniki napięcia stałego Włodzimierz Janke Katedra Elektroniki, Zespół Energoelektroniki 1 1. Wstęp 2. Urządzenia do przetwarzanie energii elektrycznej 3. Problemy symulacji i projektowania
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoCzęść 4. Zagadnienia szczególne. b. Sterowanie prądowe i tryb graniczny prądu dławika
Część 4 Zagadnienia szczególne b. Sterowanie prądowe i tryb graniczny prądu dławika Idea sterowania prądowego sygnał sterujący pseudo-prądowy prąd tranzystora Pomiar prądu tranzystora Zegar Q1 załączony
Bardziej szczegółowoKompensator PID. 1 sω z 1 ω. G cm. aby nie zmienić częstotliwości odcięcia f L. =G c0. s =G cm. G c. f c. /10=500 Hz aby nie zmniejszyć zapasu fazy
Kompensator PID G c s =G cm sω z ω L s s ω p G cm =G c0 aby nie zmienić częstotliwości odcięcia f L f c /0=500 Hz aby nie zmniejszyć zapasu fazy Łukasz Starzak, Sterowanie przekształtników elektronicznych,
Bardziej szczegółowoAnaliza ustalonego punktu pracy dla układu zamkniętego
Analiza ustalonego punktu pracy dla układu zamkniętego W tym przypadku oznacza stałą odchyłkę od ustalonego punktu pracy element SUM element DIFF napięcie odniesienia V ref napięcie uchybu V e V ref HV
Bardziej szczegółowoANALOGOWE I MIESZANE STEROWNIKI PRZETWORNIC. Ćwiczenie 3. Przetwornica podwyższająca napięcie Symulacje analogowego układu sterowania
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoModelowanie i badania wybranych impulsowych przetwornic napięcia stałego, pracujących w trybie nieciągłego przewodzenia (DCM)
Temat rozprawy: Modelowanie i badania wybranych impulsowych przetwornic napięcia stałego, pracujących w trybie nieciągłego przewodzenia (DCM) mgr inż. Marcin Walczak Promotor: Prof. dr hab. inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoWłaściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy
Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy Zalety sterowanie polowe niska moc sterowania wyłącznie nośniki większościowe krótki czas przełączania wysoka maksymalna częstotliwość pracy
Bardziej szczegółowo5 Filtry drugiego rzędu
5 Filtry drugiego rzędu Cel ćwiczenia 1. Zrozumienie zasady działania i charakterystyk filtrów. 2. Poznanie zalet filtrów aktywnych. 3. Zastosowanie filtrów drugiego rzędu z układem całkującym Podstawy
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH
LABORATORIUM LKTRONIKI Ćwiczenie Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych el ćwiczenia Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji
Bardziej szczegółowoRys. 1. Przebieg napięcia u D na diodzie D
Zadanie 7. Zaprojektować przekształtnik DC-DC obniżający napięcie tak, aby mógł on zasilić odbiornik o charakterze rezystancyjnym R =,5 i mocy P = 10 W. Napięcie zasilające = 10 V. Częstotliwość przełączania
Bardziej szczegółowoModelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK. mgr inż. Maciej Bączek
Modelowanie i badania transformatorowych przekształtników napięcia na przykładzie przetwornicy FLYBACK mgr inż. Maciej Bączek Plan prezentacji 1. Wprowadzenie 2. Cele pracy 3. Przetwornica FLYBACK 4. Modele
Bardziej szczegółowoCzęść 3. Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy. Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51
Część 3 Przegląd przyrządów półprzewodnikowych mocy Łukasz Starzak, Przyrządy i układy mocy, studia niestacjonarne, lato 2018/19 51 Budowa przyrządów półprzewodnikowych Struktura składa się z warstw Warstwa
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI
1 ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI 15.1. CEL ĆWICZENIA Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych właściwości wzmacniaczy mocy małej częstotliwości oraz przyswojenie umiejętności
Bardziej szczegółowoWykaz symboli, oznaczeń i skrótów
Wykaz symboli, oznaczeń i skrótów Symbole a a 1 operator obrotu podstawowej zmiennych stanu a 1 podstawowej uśrednionych zmiennych stanu b 1 podstawowej zmiennych stanu b 1 A A i A A i, j B B i cosφ 1
Bardziej szczegółowoPodzespoły i układy scalone mocy część II
Podzespoły i układy scalone mocy część II dr inż. Łukasz Starzak Katedra Mikroelektroniki Technik Informatycznych ul. Wólczańska 221/223 bud. B18 pok. 51 http://neo.dmcs.p.lodz.pl/~starzak http://neo.dmcs.p.lodz.pl/uep
Bardziej szczegółowoPrzetwornica mostkowa (full-bridge)
Przetwornica mostkowa (full-bridge) Należy do grupy pochodnych od obniżającej identyczny (częściowo podwojony) podobwód wyjściowy Transformator można rozpatrywać jako 3-uzwojeniowy (1:n:n) oba uzwojenia
Bardziej szczegółowoPomiary napięć i prądów zmiennych
Ćwiczenie 1 Pomiary napięć i prądów zmiennych Instrukcja do ćwiczenia opracował: Wojciech Słowik 03.2015 ver. 03.2018 (LS, WS, LB, K) 1. Cel ćwiczenia Zapoznanie się z układami pomiarowymi napięć oraz
Bardziej szczegółowoW celu obliczenia charakterystyki częstotliwościowej zastosujemy wzór 1. charakterystyka amplitudowa 0,
Bierne obwody RC. Filtr dolnoprzepustowy. Filtr dolnoprzepustowy jest układem przenoszącym sygnały o małej częstotliwości bez zmian, a powodującym tłumienie i opóźnienie fazy sygnałów o większych częstotliwościach.
Bardziej szczegółowoELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH
Politechnika Warszawska Wydział Elektryczny ELEMENTY UKŁADÓW ENERGOELEKTRONICZNYCH Piotr Grzejszczak Mieczysław Nowak P W Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej 2015 Wiadomości ogólne Tranzystor
Bardziej szczegółowoMotywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości
Motywacje stosowania impulsowych przetwornic transformatorowych wysokiej częstotliwości Podwyższenie napięcia w dużym stosunku (> 2 5) przy wysokiej η dzięki transformatorowi Zmniejszenie obciążeń prądowych
Bardziej szczegółowoWłaściwości przetwornicy zaporowej
Właściwości przetwornicy zaporowej Współczynnik przetwarzania napięcia Łatwa realizacja wielu wyjść z warunku stanu ustalonego indukcyjności magnesującej Duże obciążenie napięciowe tranzystorów (Vg + V/n
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne
lementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne Wprowadzenie Złacze PN spolaryzowane zaporowo: P N U - + S S U SAT =0.1...0.2V U S q D p L p p n D n n L n p gdzie: D p,n współczynniki dyfuzji
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoLaboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW
Laboratorium KOMPUTEROWE PROJEKTOWANIE UKŁADÓW SYMULACJA UKŁADÓW ELEKTRONICZNYCH Z ZASTOSOWANIEM PROGRAMU SPICE Opracował dr inż. Michał Szermer Łódź, dn. 03.01.2017 r. ~ 2 ~ Spis treści Spis treści 3
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2
Ćwiczenie 2 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów bipolarnych oraz metod identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli małosygnałowych, poznanie metod
Bardziej szczegółowoA3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych
A3 : Wzmacniacze operacyjne w układach liniowych Jacek Grela, Radosław Strzałka 2 kwietnia 29 1 Wstęp 1.1 Wzory Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1.
Bardziej szczegółowoStabilność. Krzysztof Patan
Stabilność Krzysztof Patan Pojęcie stabilności systemu Rozważmy obiekt znajdujący się w punkcie równowagi Po przyłożeniu do obiektu siły F zostanie on wypchnięty ze stanu równowagi Jeżeli po upłynięciu
Bardziej szczegółowoOpis matematyczny. Równanie modulatora. Charakterystyka statyczna. Po wprowadzeniu niewielkich odchyłek od ustalonego punktu pracy. dla 0 v c.
Opis matematyczny Równanie modulatora Charakterystyka statyczna d t = v c t V M dla 0 v c t V M D 1 V M V c Po wprowadzeniu niewielkich odchyłek od ustalonego punktu pracy v c (t )=V c + v c (t ) d (t
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc)
Przekształtniki impulsowe prądu stałego (dc/dc) Wprowadzenie Sterowanie napięciem przez Modulację Szerokości Impulsów MSI (Pulse Width Modulation - PWM) Przekształtnik obniżający napięcie (buck converter)
Bardziej szczegółowo12. Zasilacze. standardy sieci niskiego napięcia tj. sieci dostarczającej energię do odbiorców indywidualnych
. Zasilacze Wojciech Wawrzyński Wykład z przedmiotu Podstawy Elektroniki - wykład Zasilacz jest to urządzenie, którego zadaniem jest przekształcanie napięcia zmiennego na napięcie stałe o odpowiednich
Bardziej szczegółowoData wykonania ćwiczenia: Ćwiczenie prowadził:
W O J S K O W A A K A D E M I A T E C H N I C Z N A WYDZIAŁ ELEKTRONIKI Drukować dwustronnie T E C H N I K A O B L I C Z E N I O W A I S Y M U L A C Y J N A Grupa...+++... Nazwisko i imię: 1. 2. 3. Ocena
Bardziej szczegółowoPrzekształtniki napięcia stałego na stałe
Przekształtniki napięcia stałego na stałe Buck converter S 1 łącznik w pełni sterowalny, przewodzi prąd ze źródła zasilania do odbiornika S 2 łącznik diodowy zwiera prąd odbiornika przy otwartym S 1 U
Bardziej szczegółowoGeneratory drgań sinusoidalnych LC
Generatory drgań sinusoidalnych LC Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Generatory drgań sinusoidalnych
Bardziej szczegółowoINDEKS. deklaracja... 7,117 model model materiału rdzenia Charakterystyki statyczne Czynnik urojony...103
INDEKS.AC... 45.DC... 20,35,136.END... 3,5,22.ENDS... 68.FOUR... 94.IC... 72.INC... 67.LIB... 92.MC... 41.MODEL... 21,42,111.NODESET... 27.NOISE... 65.OP... 19.OPTIONS... 24, 85, 130, 135, 166.PLOT...
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 5 - stabilność liniowych układów dynamicznych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 5 - stabilność liniowych układów dynamicznych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Wstęp Stabilność O układzie możemy mówić, że jest stabilny gdy układ ten wytrącony ze stanu równowagi
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA EKS1A300024 BADANIE TRANZYSTORÓW BIAŁYSTOK 2015 1. CEL I ZAKRES
Bardziej szczegółowo1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne
Spis treści Przedmowa 13 Wykaz ważniejszych oznaczeń 15 1. Zarys właściwości półprzewodników 21 1.1. Półprzewodniki stosowane w elektronice 22 1.2. Struktura energetyczna półprzewodników 22 1.3. Nośniki
Bardziej szczegółowoUkład uśrednionych równań przetwornicy
Układ uśrednionych równań przetwornicy L C = d t v g t T d t v t T d v t T i g t T = d t i t T = d t i t T v t T R Układ jet nieliniowy, gdyż zawiera iloczyny wielkości zmiennych w czaie d i t T mnożenie
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu boost
Bardziej szczegółowoWYMAGANIA DOTYCZĄCE ZALICZENIA ZAJĘĆ
Nazwa przedmiotu: Techniki symulacji Kod przedmiotu: ES1C300 015 Forma zajęć: pracownia specjalistyczna Kierunek: elektrotechnika Rodzaj studiów: stacjonarne, I stopnia (inŝynierskie) Semestr studiów:
Bardziej szczegółowoA6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka
Bardziej szczegółowoModelowanie diod półprzewodnikowych
Modelowanie diod półprzewodnikowych Programie PSPICE wbudowane są modele wielu elementów półprzewodnikowych takich jak diody, tranzystory bipolarne, tranzystory dipolowe złączowe, tranzystory MOSFET, tranzystory
Bardziej szczegółowoA-2. Filtry bierne. wersja
wersja 04 2014 1. Zakres ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zrozumienie propagacji sygnałów zmiennych w czasie przez układy filtracji oparte na elementach rezystancyjno-pojemnościowych. Wyznaczenie doświadczalne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie ELE. Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego.
Ćwiczenie ELE Jacek Grela, Łukasz Marciniak 3 grudnia 2009 1 Wstęp teoretyczny 1.1 Wzmacniacz ładunkoczuły Rys.1 Schemat wzmacniacza ładunkowego. C T - adaptor ładunkowy, i - źródło prądu reprezentujące
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych
Ćwiczenie 3 Badanie własności podstawowych liniowych członów automatyki opartych na biernych elementach elektrycznych Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych własności członów liniowych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1b. Silnik prądu stałego jako element wykonawczy Modelowanie i symulacja napędu CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoIMPULSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM
Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego. IMPSOWY PRZEKSZTAŁTNIK ENERGII Z TRANZYSTOREM SZEREGOWYM Przekształtnik impulsowy z tranzystorem szeregowym słuŝy do przetwarzania energii prądu jednokierunkowego
Bardziej szczegółowoStabilizatory impulsowe
POITECHNIKA BIAŁOSTOCKA Temat i plan wykładu WYDZIAŁ EEKTRYCZNY Jakub Dawidziuk Stabilizatory impulsowe 1. Wprowadzenie 2. Podstawowe parametry i układy pracy 3. Przekształtnik obniżający 4. Przekształtnik
Bardziej szczegółowoPolitechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki
Politechnika Poznańska, Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Energoelektroniki i Sterowania Laboratorium energoelektroniki Temat ćwiczenia: Przetwornica impulsowa DC-DC typu buck
Bardziej szczegółowoSposoby modelowania układów dynamicznych. Pytania
Sposoby modelowania układów dynamicznych Co to jest model dynamiczny? PAScz4 Modelowanie, analiza i synteza układów automatyki samochodowej równania różniczkowe, różnicowe, równania równowagi sił, momentów,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 8. Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz. 1
Ćwiczenie nr Podstawowe czwórniki aktywne i ich zastosowanie cz.. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze sposobem realizacji czwórników aktywnych opartym na wzmacniaczu operacyjnym µa, ich
Bardziej szczegółowo(57) 1. Układ samowzbudnej przetwornicy transformatorowej (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) (13) B2 PL B2 H02M 3/315. fig.
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 161056 (13) B2 (21) Numer zgłoszenia: 283989 (51) IntCl5: H02M 3/315 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia: 23.02.1990 (54)Układ
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE
Ćwiczenie 1 Podstawy opisu i analizy obwodów w programie SPICE Cel: Zapoznanie ze składnią języka SPICE, wykorzystanie elementów RCLEFD oraz instrukcji analiz:.dc,.ac,.tran,.tf, korzystanie z bibliotek
Bardziej szczegółowo1 Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x 2, x 1, x 0 )= (1, 3, 5, 7, 12, 13, 15 (4, 6, 9))*.
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Odpowiedzi do zadań dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia (okręgowe) Dana jest funkcja logiczna f(x 3, x,
Bardziej szczegółowoElementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe
Elementy elektroniczne Wykłady 7: Tranzystory polowe Podział Tranzystor polowy (FET) Złączowy (JFET) Z izolowaną bramką (GFET) ze złączem m-s (MFET) ze złączem PN (PNFET) Typu MO (MOFET, HEXFET) cienkowarstwowy
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoPorównanie uzysku energetycznego z użyciem falownika centralnego i mikrofalowników
Porównanie uzysku energetycznego z użyciem falownika centralnego i mikrofalowników mikrofalowniki falownik centralny wzorzec National Renewable Energy Laboratory (USA) 40 Główne grupy rozwiązań falowników
Bardziej szczegółowo11. Wzmacniacze mocy. Klasy pracy tranzystora we wzmacniaczach mocy. - kąt przepływu
11. Wzmacniacze mocy 1 Wzmacniacze mocy są układami elektronicznymi, których zadaniem jest dostarczenie do obciążenia wymaganej (na ogół dużej) mocy wyjściowej przy możliwie dużej sprawności i małych zniekształceniach
Bardziej szczegółowoCEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego
WFiIS LABORATORIUM Z ELEKTRONIKI Imię i nazwisko: 1.. TEMAT: ROK GRUPA ZESPÓŁ NR ĆWICZENIA Data wykonania: Data oddania: Zwrot do poprawy: Data oddania: Data zliczenia: OCENA CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia
Bardziej szczegółowoWSTĘP DO ELEKTRONIKI
WSTĘP DO ELEKTRONIKI Część IV Czwórniki Linia długa Janusz Brzychczyk IF UJ Czwórniki Czwórnik (dwuwrotnik) posiada cztery zaciski elektryczne. Dwa z tych zacisków uważamy za wejście czwórnika, a pozostałe
Bardziej szczegółowoWzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS
Wzmacniacze napięciowe z tranzystorami komplementarnymi CMOS Cel ćwiczenia: Praktyczne wykorzystanie wiadomości do projektowania wzmacniacza z tranzystorami CMOS Badanie wpływu parametrów geometrycznych
Bardziej szczegółowoĆwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych"
Ćwiczenie: "Właściwości wybranych elementów układów elektronicznych" Opracowane w ramach projektu: "Informatyka mój sposób na poznanie i opisanie świata realizowanego przez Warszawską Wyższą Szkołę Informatyki.
Bardziej szczegółowoA-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A-6. Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) I. Zakres ćwiczenia 1. Zastosowanie diod i wzmacniacza operacyjnego µa741 w następujących układach nieliniowych: a) generator funkcyjny b) wzmacniacz
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 5 - stabilność liniowych układów dynamicznych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 5 - stabilność liniowych układów dynamicznych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2015 Wstęp Stabilność - definicja 1 O układzie możemy mówić, że jest stabilny gdy wytrącony ze stanu równowagi
Bardziej szczegółowoZaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej niż jedna)
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 0/0 Zadania dla grupy elektrycznej na zawody I stopnia Zaznacz właściwą odpowiedź (właściwych odpowiedzi może być więcej
Bardziej szczegółowoPOMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C
ĆWICZENIE 4EMC POMIARY CHARAKTERYSTYKI CZĘSTOTLIWOŚCIOWEJ IMPEDANCJI ELEMENTÓW R L C Cel ćwiczenia Pomiar parametrów elementów R, L i C stosowanych w urządzeniach elektronicznych w obwodach prądu zmiennego.
Bardziej szczegółowoPodstawy Automatyki. Wykład 5 - stabilność liniowych układów dynamicznych. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki
Wykład 5 - stabilność liniowych układów dynamicznych Instytut Automatyki i Robotyki Warszawa, 2018 Wstęp Stabilność O układzie możemy mówić, że jest stabilny jeżeli jego odpowiedź na wymuszenie (zakłócenie)
Bardziej szczegółowo14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE Podstawy modulacji częstotliwości Dioda pojemnościowa (waraktor)
14 Modulatory FM CELE ĆWICZEŃ Poznanie zasady działania i charakterystyk diody waraktorowej. Zrozumienie zasady działania oscylatora sterowanego napięciem. Poznanie budowy modulatora częstotliwości z oscylatorem
Bardziej szczegółowoSystemy. Krzysztof Patan
Systemy Krzysztof Patan Systemy z pamięcią System jest bez pamięci (statyczny), jeżeli dla dowolnej chwili t 0 wartość sygnału wyjściowego y(t 0 ) zależy wyłącznie od wartości sygnału wejściowego w tej
Bardziej szczegółowoCyfrowe sterowanie przekształtników impulsowych lato 2012/13
Cyfrowe sterowanie przekształtników impulsowych lato 2012/13 dr inż. Łukasz Starzak Politechnika Łódzka Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Katedra Mikroelektroniki i Technik
Bardziej szczegółowoCzęść 4. Zmiana wartości napięcia stałego. Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe
Część 4 Zmiana wartości napięcia stałego Stabilizatory liniowe Przetwornice transformatorowe Bloki wyjściowe systemów fotowoltaicznych Systemy nie wymagające znaczącego podwyższania napięcia wyjście DC
Bardziej szczegółowoINDEKS ALFABETYCZNY CEI:2002
185 60050-131 CEI:2002 INDEKS ALFABETYCZNY A admitancja admitancja... 131-12-51 admitancja obciążenia... 131-14-06 admitancja pozorna... 131-12-52 admitancja robocza... 131-14-03 admitancja wejściowa...
Bardziej szczegółowoPrzetwornice napięcia. Stabilizator równoległy i szeregowy. Stabilizator impulsowy i liniowy = U I I. I o I Z. Mniejsze straty mocy.
Przetwornice napięcia Stabilizator równoległy i szeregowy = + Z = Z + Z o o Z Mniejsze straty mocy Stabilizator impulsowy i liniowy P ( ) strat P strat sat max o o o Z Mniejsze straty mocy = Średnie t
Bardziej szczegółowoFiltry aktywne filtr środkowoprzepustowy
Filtry aktywne iltr środkowoprzepustowy. Cel ćwiczenia. Celem ćwiczenia jest praktyczne poznanie właściwości iltrów aktywnych, metod ich projektowania oraz pomiaru podstawowych parametrów iltru.. Budowa
Bardziej szczegółowoModulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów
Bardziej szczegółowoMiernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak
Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak ~ 1 ~ I. Właściwości elementów biernych A. Charakterystyki elementów biernych 1. Rezystor idealny (brak przesunięcia fazowego między napięciem a prądem) brak części
Bardziej szczegółowoSYNTEZA obwodów. Zbigniew Leonowicz
SYNTEZA obwodów Zbigniew Leonowicz Literatura: [1]. S. Bolkowski Elektrotechnika teoretyczna. Tom I. WNT Warszawa 1982 (s.420-439) [2]. A. Cichocki, K.Mikołajuk, S. Osowski, Z. Trzaska: Zbiór zadań z elektrotechniki
Bardziej szczegółowoBADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO
Ćwiczenie 11 BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO 11.1 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie rodzajów, budowy i właściwości przerzutników astabilnych, monostabilnych oraz
Bardziej szczegółowoMetoda zaburz-obserwuj oraz metoda wspinania
Metoda zaburz-obserwuj oraz metoda wspinania Algorytm zaburz-obserwuj mierzy się moc (zwykle modułu) przed i po zmianie na tej podstawie podejmuje się decyzję o kierunku następnej zmiany Metoda wspinania
Bardziej szczegółowoSystemy autonomiczne (Stand-Alone / Autonomous)
Systemy autonomiczne (Stand-Alone / Autonomous) Napięcia stałego np. przyczepa kempingowa DC 12/24 V ograniczona grupa odbiorników niskie napięcie mała moc (przy dużym prądzie duże spadki napięć) nieoptymalny
Bardziej szczegółowoPytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych
Pytania podstawowe dla studentów studiów I-go stopnia kierunku Elektrotechnika VI Komisji egzaminów dyplomowych 1 Podstawy metrologii 1. Model matematyczny pomiaru. 2. Wzorce jednostek miar. 3. Błąd pomiaru.
Bardziej szczegółowoPolitechnika Białostocka
Politechnika Białostocka Wydział Elektryczny Katedra Automatyki i Elektroniki Instrukcja do ćwiczeń laboratoryjnych z przedmiotu: ELEKTRONIKA 2 (EZ1C500 055) BADANIE DIOD I TRANZYSTORÓW Białystok 2006
Bardziej szczegółowoPrzetwornice ze zdolnością podwyższania i obniżania napięcia (cd.)
Przetwornice ze zdolnością podwyższania i obniżania napięcia (cd.) Nieodwracająca obniżającopodwyższająca (non-inverting buck-boost) 2 pary tranzystor-dioda wyższy koszt niższa sprawność większy efektywny
Bardziej szczegółowoTEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM
TEORIA OBWODÓW I SYGNAŁÓW LABORATORIUM AKADEMIA MORSKA Katedra Telekomunikacji Morskiej ĆWICZENIE 5 BADANIE STABILNOŚCI UKŁADÓW ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest ugruntowanie
Bardziej szczegółowoŹródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego
POLIECHNIKA ŚLĄSKA WYDZIAŁ INŻYNIERII ŚRODOWISKA I ENERGEYKI INSYU MASZYN I URZĄDZEŃ ENERGEYCZNYCH LABORAORIUM ELEKRYCZNE Źródła zasilania i parametry przebiegu zmiennego (E 1) Opracował: Dr inż. Włodzimierz
Bardziej szczegółowoOpracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu.
Opracowane przez D. Kasprzaka aka 'master' i D. K. aka 'pastakiller' z Technikum Elektronicznego w ZSP nr 1 w Inowrocławiu. WZMACNIACZ 1. Wzmacniacz elektryczny (wzmacniacz) to układ elektroniczny, którego
Bardziej szczegółowoEscort 3146A - dane techniczne
Escort 3146A - dane techniczne Dane wstępne: Zakres temperatur pracy od 18 C do 28 C. ormat podanych dokładności: ± (% wartości wskazywanej + liczba cyfr), po 30 minutach podgrzewania. Współczynnik temperaturowy:
Bardziej szczegółowoModelowanie jako sposób opisu rzeczywistości. Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechnika Łódzka
Modelowanie jako sposób opisu rzeczywistości Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych Politechnika Łódzka 2015 Wprowadzenie: Modelowanie i symulacja PROBLEM: Podstawowy problem z opisem otaczającej
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym
ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym 4. PRZEBIE ĆWICZENIA 4.1. Wyznaczanie parametrów wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym złączowym w
Bardziej szczegółowoLaboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne
Laboratoryjny multimetr cyfrowy Escort 3145A Dane techniczne Dane podstawowe: Zakres temperatur pracy od 18 C do 28 C. ormat podanych dokładności: ± (% wartości wskazywanej + liczba cyfr), po 30 minutach
Bardziej szczegółowoKatedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4
Ćwiczenie 4 Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie charakterystyk statycznych układów scalonych CMOS oraz ich własności dynamicznych podczas procesu przełączania. Wiadomości podstawowe. Budowa i działanie
Bardziej szczegółowoDziałanie przetwornicy synchronicznej
Działanie przetwornicy synchronicznej Dodatkowy tranzystor musi być wysterowywany impulsem ugs dokładnie wtedy, kiedy dioda przewodziłaby, czyli główny tranzystor nie przewodzi przełączanie obu musi być
Bardziej szczegółowoEUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia
EUROELEKTRA Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej Rok szkolny 2012/2013 Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia 1. Wykorzystując rachunek liczb zespolonych wyznacz impedancję
Bardziej szczegółowoProcedura modelowania matematycznego
Procedura modelowania matematycznego System fizyczny Model fizyczny Założenia Uproszczenia Model matematyczny Analiza matematyczna Symulacja komputerowa Rozwiązanie w postaci modelu odpowiedzi Poszerzenie
Bardziej szczegółowo