Badanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii sił atomowych (AFM)

Podobne dokumenty
I. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna 1.

AFM. Mikroskopia sił atomowych

SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force

M1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur

Podstawy fizyki wykład 2

1 k. AFM: tryb bezkontaktowy

Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)

NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip

Mikroskop sił atomowych (AFM)

M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur.

Skaningowy mikroskop tunelowy STM

Mikroskopia Sił Atomowych (AFM)

Mikroskop sił atomowych

Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa

(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:

Wykład 21: Studnie i bariery cz.2.

Wady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element)

Pomiar drogi koherencji wybranych źródeł światła

Nanoskopowe metody charakteryzacji materiałów. Obrazek: Helsinki University of Technology tfy.tkk.fi/sin/research/

Laboratorium nanotechnologii

O manipulacji w nanoskali

Oglądanie świata w nanoskali mikroskop STM

PROJEKT STUDENCKIEGO SKANINGOWEGO MIKROSKOPU TUNELOWEGO

Badanie rozkładu pola elektrycznego

INSTRUKCJA Regulacja PID, badanie stabilności układów automatyki

ĆWICZENIE 4a. Analiza struktury kompozytów polimerowych

Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych. Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012

Nadprzewodniki. W takich materiałach kiedy nastąpi przepływ prądu może on płynąć nawet bez przyłożonego napięcia przez długi czas! )Ba 2. Tl 0.2.

Stanowisko do badania zjawiska tłumienia światła w ośrodkach materialnych

PRACOWNIA FIZYCZNA DLA UCZNIÓW WAHADŁA SPRZĘŻONE

Ćw. nr 31. Wahadło fizyczne o regulowanej płaszczyźnie drgań - w.2

Badanie rozkładu pola elektrycznego

Nazwisko i imię: Zespół: Data: Ćwiczenie nr 9: Swobodne spadanie

1. Regulatory ciągłe liniowe.

Wzmacniacze operacyjne

Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM

Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM)

Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8

Opis przedmiotu zamówienia

Fizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska

Automatyka i pomiary wielkości fizykochemicznych. Instrukcja do ćwiczenia VI Dobór nastaw regulatora typu PID metodą Zieglera-Nicholsa.

SIMATIC S Regulator PID w sterowaniu procesami. dr inż. Damian Cetnarowicz. Plan wykładu. I n t e l i g e n t n e s y s t e m y z e

Regulacja dwupołożeniowa (dwustawna)

Laboratorium techniki laserowej Ćwiczenie 2. Badanie profilu wiązki laserowej

Laboratorium Półprzewodniki, Dielektryki i Magnetyki

Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel

dr inż. Beata Brożek-Pluska SERS La boratorium La serowej

Regulatory o działaniu ciągłym P, I, PI, PD, PID

Systemy Ochrony Powietrza Ćwiczenia Laboratoryjne

Opis ćwiczenia. Cel ćwiczenia Poznanie budowy i zrozumienie istoty pomiaru przyspieszenia ziemskiego za pomocą wahadła rewersyjnego Henry ego Katera.

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012

Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu

Wykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å

Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7

2. Pomiar drgań maszyny

f = -50 cm ma zdolność skupiającą

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Laboratorium Optyki Falowej

Warsztaty metod fizyki teoretycznej Zestaw 1 Mikroskopia sił atomowych (AFM) - opis drgań ostrza

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

PRACOWNIA MIKROSKOPII

Wyznaczanie prędkości dźwięku w powietrzu

DOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE

Elementy pomiaru AFM

Wykład Budowa atomu 2

Obiekt. Obiekt sterowania obiekt, który realizuje proces (zaplanowany).

Ćwiczenie M-2 Pomiar przyśpieszenia ziemskiego za pomocą wahadła rewersyjnego Cel ćwiczenia: II. Przyrządy: III. Literatura: IV. Wstęp. l Rys.

C5: BADANIE POCHŁANIANIA PROMIENIOWANIA α i β W POWIETRZU oraz w ABSORBERACH

Politechnika Gdańska. Wydział Chemiczny. Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej. Rozprawa doktorska

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Wyznaczanie modułu Younga metodą strzałki ugięcia

Laboratorium techniki światłowodowej. Ćwiczenie 3. Światłowodowy, odbiciowy sensor przesunięcia

OCENA PRZYDATNOŚCI FARBY PRZEWIDZIANEJ DO POMALOWANIA WNĘTRZA KULI ULBRICHTA

POMIAR TEMPERATURY CURIE FERROMAGNETYKÓW

PL B1. UNIWERSYTET ŁÓDZKI, Łódź, PL BUP 15/13

XIXOLIMPIADA FIZYCZNA (1969/1970). Stopień W, zadanie doświadczalne D.. Znaleźć doświadczalną zależność T od P. Rys. 1

NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan

LABORATORIUM ELEKTROTECHNIKI POMIAR PRZESUNIĘCIA FAZOWEGO

BEZDOTYKOWY CZUJNIK ULTRADŹWIĘKOWY POŁOŻENIA LINIOWEGO

Czym jest prąd elektryczny

4.3 Wyznaczanie prędkości dźwięku w powietrzu metodą fali biegnącej(f2)

Prof. dr hab. Maria Kozioł-Montewka

Krystalografia. Analiza wyników rentgenowskiej analizy strukturalnej i sposób ich prezentacji

LASERY I ICH ZASTOSOWANIE W MEDYCYNIE

Zastosowanie deflektometrii do pomiarów kształtu 3D. Katarzyna Goplańska

Wyznaczenie długości fali świetlnej metodą pierścieni Newtona

Ćwiczenie nr 31: Modelowanie pola elektrycznego

ZASTOSOWANIE MIKROSKOPII SIŁ ATOMOWYCH (AFM) W DIAGNOSTYCE WARSTWY WIERZCHNIEJ

Podstawy Mikroelektroniki

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Układ stabilizacji laserów diodowych

Podstawy Automatyki. Wykład 9 - Dobór regulatorów. dr inż. Jakub Możaryn. Warszawa, Instytut Automatyki i Robotyki

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Pętla fazowa

Generatory sinusoidalne LC

Laboratorium techniki światłowodowej. Ćwiczenie 5. Badanie wpływu periodycznych zgięd na tłumiennośd światłowodu

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Podstawy Elektroniki dla Informatyki. Wzmacniacze operacyjne

Transkrypt:

1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z techniką obrazowania powierzchni za pomocą skaningowego mikroskopu sił atomowych (AFM). Badanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii sił atomowych (AFM) 2. Zagadnienia do przygotowania na kolokwium Zasada działania mikroskopów SPM Tryby pracy mikroskopu SPM Efekt piezoelektryczny Kontroler PI i PID 3 Mikroskopia bliskich oddziaływań Mianem mikroskopii bliskich oddziaływań (inaczej: mikroskopii sondy skanującej, mikroskopia skanującego próbnika, ang. scanning probe microscopy, SPM) określa się rodzinę technik obrazowania powierzchni, której zasadniczym elementem jest ostrze, które przesuwając się nad, bądź po powierzchni próbkuje pewne oddziaływanie. Historycznie pierwszą odmianą mikroskopu SPM był skaningowy mikroskop tunelowy (ang. scanning tunneling microscope, STM) skonstruowany przez G. Binning a, H. Röhrer a i Ch. Gerbera w 1982 roku. Jego działanie opierało się o pomiar prądu tunelowego, który płynął pomiędzy badaną powierzchnią a końcówką ostrej, metalowej igły. Dzięki bardzo szybkiej zmienności prądu tunelowego w zależności od odległości pomiędzy elektrodami, mikroskop STM mógł osiągnąć atomową zdolność rozdzielczą. G. Binnig i H. Röhrer zostali za swoje osiągnięcie uhonorowani Nagrodą Nobla w 1986 roku. Mimo sukcesu mikroskop STM miał istotną wadę: nadawał się tylko do badania powierzchni przewodzących. Aby ominąć te ograniczenia podjeto zatem prace, które doprowadziły do skonstruowania skaningowego mikroskopu sił atomowych (ang. atomic force microscope, AFM). Zrozumienie zasad działania tego urządzenia jest celem opisywanego ćwiczenia. Warto zauważyć, że rozwój technik SPM nie zatrzymał się na AFM i powstało wiele nowych wyspecjalizowanych wariantów tej techniki do pomiarów bardzo wyrafinowanych układów. Jednak wiele opisanych poniżej cech mikroskopu AFM ma również zastosowanie i innych wariantach SPM. 3.1 Mikroskopia bliskich oddziaływań zasada działania Schemat ideowy każdego mikroskopu SPM przedstawiony jest na Rys. 1a. Każdy mikroskop SPM jest wyposażony w ostrze, które zbliżane jest na odległość rzędu nanometra do badanej powierzchni. Położenie ostrza jest kontrolowane przez skaner. Skaner jest elementem zwykle w kształcie walca wykonanym z kilku (najczęściej czterech) fragmentów materiału piezoelektrycznego i często nazywanym piezotubką lub tubka 1

piezoelektryczną. Jeśli do przeciwległych fragmentów zostanie przyłożone różne napięcie, to ich odkształcenia w wyniku efektu piezoelektrycznego będą różne i cały skaner wychyli się. Jeśli skaner jest długi (w mikroskopach ma długość rzędu centymetrów) a wychylenie będzie niewielkie jego końcówka, do której przymocowane jest ostrze przesunie się nieco w płaszczyźnie prostopadłej do osi skanera (Rys. 1b). W ten ostrze porusza się w płaszczyźnie powierzchni (x-y). Ruch w kierunku z, prostopadłym do powierzchni najczęściej jest realizowany przez dodatkowy element piezoelektryczny. Ostrze przesuwa się nad (bądź po) powierzchnią mierząc w kolejnych punktach oddziaływanie. Dzięki takiemu ruchowi (skanowaniu) powstaje dwuwymiarowa mapa wielkości oddziaływania (Rys. 1c). a) b) c) Rys. 1. Zasadnicze elementy działania mikroskopu SPM; a) schemat ideowy mikroskopu SPM; b) schemat działania skanera (tubki piezorezystywnej); c) droga ostrza podczas skanowania powierzchni. Rysunki 1b) i 1c) zostały zaadaptowane z broszury STM/AFM mikroskopy ze skanującą sondą elementy teorii i praktyki autorstwa R. Howland i L. Benatar z firmy Park Scientific Instruments, tłum. M. Woźniak, J.A. Kozubowski, Warszawa 2002. Najistotniejszym elementem mikroskopu SPM jest ostrze. Za jego pomocą mierzone jest oddziaływanie, które niesie ze sobą całą interesująca nas informację. Tym oddziaływaniem może być prąd tunelowy, jak w skaningowym mikroskopie tunelowym STM, bądź siła jak w różnych wariantach mikroskopu sił atomowych AFM. Oddziaływanie to musi spełniać jednak pewne warunki: (i) musi wykazywać silną zależność od odległości pomiędzy ostrzem a powierzchnią, (ii) wykazywać mierzalne zmiany dla różnych punktów powierzchni próbki oraz (iii) być w pewnym zakresie monotoniczne. Warunek (i) konieczny jest do zapewnienia wysokiej zdolności rozdzielczej w kierunku prostopadłym do powierzchni. Najlepszym przykładem jest tu prąd tunelowy, który w realnych warunkach zmienia się nawet o rząd wielkości przy zmianie odległości pomiędzy ostrzem a powierzchnią zaledwie o 1 Å, czyli 0.1 nm. Warunek (ii) zapewnia odpowiednią zdolność rozdzielczą w płaszczyźnie powierzchni. Łatwo sobie wyobrazić, że jeśli oddziaływanie byłoby stałe niezależnie w którym 2

miejscu powierzchni znajdowałoby się ostrze, jakiekolwiek obrazowanie nie byłoby możliwe. Wreszcie warunek (iii) jest konieczny, aby można było prawidłowo zinterpretować otrzymane wyniki oraz, jak będzie to opisane poniżej, jest niezbędne by prawidłowo kontrolować mikroskop. Do powyższych warunków należy dodać jeszcze taki, że ostrze za pomocą którego dokonujemy pomiaru powinno być podobnych rozmiarów do mierzonych obiektów na powierzchni. Komercyjnie dostępne ostrza mają promień krzywizny końcówki ponad 10 nm. Powstaje więc pytanie: jak to możliwe, że niektóre wersje mikroskopów SPM (dotyczy to mikroskopów STM i bezkontaktowych mikroskopów sił atomowych NC-AFM) są w stanie obrazować powierzchnie z atomową zdolnością rozdzielczą. Tajemnica tkwi w tym, że końcówka ostrza nie jest gładka, ale pojawiają się na niej nanonierówności (porównaj Rys. 2.). Zmiana oddziaływania (prądu w STM, siły chemicznej w NC-AFM) z odległością jest tak szybka, że decydujący jest wkład pojedynczego atomu, znajdującego się na najbardziej wysuniętej nierówności na ostrzu. Dzięki temu możliwe jest w tych technikach obserwowanie struktury atomowej. Rys. 2. Powierzchnia ostrza mikroskopu SPM w skali mezoskopowej jest gładka (a), ale naprawdę występują na jej powierzchni nanonierówności (b) co dla szybko zanikających oddziaływań powoduje, że prawie całe oddziaływanie zachodzi za pośrednictwem pojedynczego atomu (c) a to pozwala osiągnąć atomową zdolność rozdzielczą. 3.2 Mikroskopia bliskich oddziaływań tryby pracy Najprostszym trybem pracy mikroskopu jest tryb stałej wysokości (Rys. 3). Podczas pracy w tym trybie ostrze prowadzone jest na stałej wysokości ponad powierzchnią, a jednocześnie mierzone jest oddziaływanie zwykle im ostrze jest bliżej powierzchni tym to oddziaływanie jest większe. 3

Rys. 3. Schemat pomiaru w trybie stałej wysokości mikroskopu SPM. Łatwo jednak sobie wyobrazić, że tryb ten ma istotne wady. Oddziaływanie mierzone w mikroskopii SPM ma zwykle krótki zasięg, zatem ostrze musi pozostawać blisko powierzchni. W przypadku dużej różnicy wysokości na powierzchni może nastąpić niekontrolowane zetknięcie ostrza z powierzchnią. Jest to zatem tryb w praktyce rzadko stosowany, ograniczony do badań w skali atomowej w warunkach ultrawysokiej próżni i niskich temperatur. Rys. 4. Schemat mikroskopu SPM pracującego w trybie stałego oddziaływania. Zwykle używa się trybu stałego oddziaływania (Rys. 4). Do pracy w tym trybie niezbędne jest wykorzystanie układu sprzężenia zwrotnego. Operator mikroskopu definiuje pewien poziom oddziaływania (np. prąd, siłę), który powinien być zachowany podczas działania mikroskopu. Poziom odniesienia jest następnie 4

porównywany z rzeczywiście mierzonym poziomem oddziaływania i odległość ostrza od powierzchni jest zmieniana w taki sposób, aby te wielkości były sobie równe (czyli by sygnał błędu, który jest różnicą pomiędzy zadaną a rzeczywistą wielkością oddziaływania zredukować do zera). Następnie ostrze przesuwa się nad powierzchnią do kolejnego punktu i pomiar, porównanie oraz dopasowanie wysokości ostrza powtarza się od początku. W rezultacie informacja o topografii powierzchni znajduje się w sygnale sterującym pionowym położeniem ostrza, sygnał błędu można wykorzystać do prawidłowego ustalenia parametrów sprzężenia zwrotnego, jak opisano to w rozdziale 5. Jak widać, wymaganie by oddziaływanie było monotoniczne w zakresie pracy mikroskopu w trybie stałego oddziaływania jest niezbędne do prawidłowego działania układu sprzężenia zwrotnego. 4 Mikroskopia sił atomowych Mikroskopia sił atomowych AFM jest metodą pozwalającą na badanie topografii powierzchni tak przewodzących jak i izolujących. Oddziaływaniem, które jest badane przez tą wersję mikroskopii SPM jest siła działająca pomiędzy ostrzem a powierzchnią. Pomiar siły jest realizowany poprzez obserwację zmiany wygięcia elastycznej dźwigni (dźwigienki, beleczki, ang. cantilever) o znanej stałej sprężystości, do której przymocowane jest ostrze (Rys. 5a). Istnieją różne sposoby pomiaru wygięcia dźwigni (chodzi tu o odkształcenia o wielkości ułamka nanometra), takie jak zbudowanie dźwigni z materiału piezoelektrycznego bądź piezorezystywnego możliwy jest wtedy pomiar odpowiednio napięcia i oporu dźwigni. Jednak najpowszechniej stosowany jest optyczny schemat detekcji, którego działanie ilustruje Rys 5b-d. Promień lasera jest odbijany od górnej powierzchni dźwigni i kierowany (zwykle układem luster) do pozycjoczułego detektora oddalonego o kilka centymetrów. Dzięki temu nawet minimalne zmiany wygięcia dźwigni powodują mierzalne przesunięcie plamki światła na detektorze, a co za tym idzie mierzalną zmianę napięcia w sektorach detektora. Jest to bardzo czuła metoda, wymagające jednak justowania układu optycznego. a) b) c) d) Rys. 5. Dźwignia mikroskopu AFM; a) zbliżenie na ostrze zamontowane na końcu dźwigni (wg. www. nanosensors.com); b)-d) działanie optycznej detekcji wygięcia dźwigni Mikroskopia AFM bada siły działające pomiędzy ostrzem a powierzchnią. Typowa zależność wielkości tych sił od odległości ostrze-powierzchnia przedstawiona jest schematycznie na Rys. 6. Daleko od powierzchni 5

oczywiście siła jest równa zero. Podczas zbliżania ostrza do pojawiają się oddziaływania przyciągające (van der Waalsa, elektrostatyczne, kapilarne, chemiczne. Gdy ostrze znajdzie się bardzo blisko powierzchni zaczynają dominować siły odpychające mające swoje źródło w zakazie Pauliego i całkowita siła szybko staje się odpychająca. Istnieją wersje mikroskopu, które eksplorują różne zakresy sił (Rys. 6). Rys. 6. Zależność wielkości sił działających pomiędzy ostrzem a powierzchnią od odległości oraz zakresy pracy różnych wersji mikroskopu AFM. Metoda bezkontaktowej mikroskopii sił (ang. non-contact atomic force microscope, NC-AFM) operuje w rejonie sił przyciągających. Dźwignia wprawiana jest w drgania rezonansowe o amplitudzie 0.1nm - 20nm, w zależności od realizacji. Siła pomiędzy ostrzem a powierzchnią zmienia częstość rezonansową, co daje informację o ukształtowaniu powierzchni. Ostrze nie dotyka badanej powierzchni, choć w celu uzyskania dobrej (czyli atomowej) rozdzielczości zbliża się na odległość 0.2nm - 0.3 nm w dolnym położeniu cyklu drgań. Metoda ta jest stosowana przede wszystkim w mikroskopach pracujących w próżni. Tryb kontaktu przerywanego (ang. tapping mode AFM) również wykorzystuje drgającą dźwignię. Jednak w tym przypadku dźwignia drga z wymuszaną częstością bliską, ale nie dokładnie równą, częstości rezonansowej tak, by w dolnym punkcie nawrotu dotknęła powierzchni. Wielkością mierzoną jest w tym przypadku amplituda drgań, z której można wysnuć informację na temat topografii powierzchni. Metoda ta jest powszechnie stosowana w mikroskopach pracujących w powietrzu oraz cieczach. Tryb kontaktowy (ang. contact AFM) nie wymaga wprowadzenia dźwigni w drgania. Po prostu zbliża się dźwignię do powierzchni aż ostrze jej dotknie po czym naciska się powierzchnie z pewną niewielką (rzędu nanonewtona) siłą. Przesuwanie ostrza po powierzchni o pewnym ukształtowaniu powoduje zmianę wygięcia dźwigni, która daje nam informację o topografii. Jest to najprostsza metoda AFM i to ją właśnie będziemy wykorzystywać w ćwiczeniu na Pracowni. 6

Warto jednak rozumieć ograniczenia metody kontaktowego AFM. Przede wszystkim jest to metoda, która nie nadaje się do obrazowania delikatnych struktur. Ostrze po prostu może je zniszczyć podczas skanowania. Drugim ograniczeniem zdolność rozdzielcza limitowana przez powierzchnię kontaktu pomiędzy ostrzem a powierzchnią. Ilustruje to Rys. 7. Jeśli ostrze stykałoby się z powierzchnią pojedynczym atomem to możliwe by było zobrazowanie pojedynczej wakancji w powierzchniowej strukturze atomowej. Moglibyśmy wtedy mówić o atomowej zdolności rozdzielczej. Jednak, nawet przy bardzo małych siłach i bardzo twardych materiałach ostrze odkształca się i pole powierzchni jest znacznie większe. Przykładowo pole kontaktu ostrza pokrytego węglikiem wolframu z powierzchnią diamentu jest równe 7.4 nm 2 przy nacisku 12 nn oraz 3.9nm 2 przy oderwaniu, obejmuje zatem bardzo dużo atomów [M. Echanescu et al., Phys. Rev. Lett. 81 (1998) 1877]. Zatem siła od wszystkich tych atomów uśrednia się i nie jest możliwe wykrycie pojedynczej wakancji atomowej. Rzecz jasna, im miększe materiały tym większe pole kontaktu i tym gorsza zdolność rozdzielcza. Rys. 7. Wpływ pola kontaktu na zdolność rozdzielczą mikroskopu AFM. 5 Wykonanie ćwiczenia I. Zapoznanie się z oprogramowaniem mikroskopu w modzie symulacyjnym II. Zamontowanie próbki i uruchomienie mikroskopu 7

III. Znalezienie parametrów pracy mikroskopu umożliwiających obrazowanie powierzchni dysków CD i DVD IV. Pomiar gęstości zapisu informacji na dyskach CD i DVD Najistotniejszymi parametrami, które mają wpływ na jakość obrazu (czyli wierność odzwierciedlania topografii powierzchni) a które można kontrolować są siła nacisku ostrza, szybkość skanowania oraz parametry sprzężenia zwrotnego. Sprawdzenie efektów tych parametrów będzie jednym z zadań podczas wykonania ćwiczenia. Warto jednak wcześniej przez chwilę się zastanowić co to są owe parametry sprzężenia zwrotnego. W mikroskopie najczęściej stosuje się regulator proporcjonalno-całkujący (ang. proportional-intergral controller, PI), lub regulator proporcjonalno-całkująco-różniczkujący (ang. proportional-intergral-derivative controller, PID). W normalnym użytkowaniu najistotniejszy jest człon proporcjonalny, który jest odpowiedzialny za wzmocnienie sygnału błędu. Innymi słowy, jeśli człon proporcjonalny będzie duży, to układ sprzężenia zwrotnego zareaguje na mały sygnał błędu bardzo dużą korekcją położenia skanera. Jest to bardzo istotny parametr. Jeśli będzie on zbyt mały, to skaner nie będzie w stanie podążać za topografią powierzchni i jej kontur nie będzie prawidłowo wyznaczony. Można to najlepiej zauważyć porównując linie skanu wykonane w przeciwległych kierunkach. Jeśli przedstawiają taki sam profil struktur na powierzchni to dobrze. Jeśli natomiast przedstawiają struktury różniące się od siebie i przesunięte, to zapewne znaczy, że człon proporcjonalny jest zbyt mały. Natomiast jeśli będzie on za duży, układ sprzężenia zwrotnego zacznie się wzbudzać i na linii skanu pojawią się oscylacje. Człon całkujący odpowiada za to jak szybko skaner będzie reagował na pojawienie się sygnału błędu: tym wieksza będzie korekta położenia im dłużej sygnał błędu jest różny od zera. W normalnym użytkowaniu parametr ten nie ma zwykle dużego wpływu na jakość obrazu, zapewnia jednak, że nie występuje stała składowa sygnału błędu. Człon różniczkujący powoduje przemnożenie sygnału sterującego położeniem z skanera o wielkość proporcjonalną do pochodnej czasowej sygnału błędu. Powoduje zatem zwiększenia czułości układu tam, gdzie konieczne są szybkie zmiany (duża pochodna sygnału błędu) jednocześnie nie powodując wzbudzenia układu tam, gdzie sygnał błędu zmienia się powoli. 8