Nanoskopowe metody charakteryzacji materiałów. Obrazek: Helsinki University of Technology tfy.tkk.fi/sin/research/
|
|
- Edward Kaczmarczyk
- 7 lat temu
- Przeglądów:
Transkrypt
1 Nanoskopowe metody charakteryzacji materiałów Obrazek: Helsinki University of Technology tfy.tkk.fi/sin/research/
2 STM i AFM: podstawy konstrukcji STM AFM
3 Scanning tunelling microscope (STM) Heinrich Rohrer i Gerd K. Binnig IBM Zurich Research Laboratory, Szwajcaria Nagroda Nobla 1986 ~ 2κ z I T e Tryb STM wykorzystuje pomiar prądu tunelowania ( prąd pomiędzy igłą a powierzchnią próbki ). Do próbki przykłada się napięcie.
4 STM: zasada działania Prąd tunelowy zależy od odległości od próbki i pracy wyjścia (lokalnej gęstości stanów) Wysokość bariery jest funkcją pracy wyjścia igły i próbki Jeśli napięcie przyłożone jest znacznie mniejsze niż praca wyjścia, bierzemy pod uwagę tylko pracę wyjścia próbki Duża rozdzielczość w osi z (zmiana o 1 Å może odpowiadać dziesięciokrotnej zmianie natężenia)
5 STM: zasada działania Wynik pomiaru zależy również od lokalnej wartości funkcji gęstości stanów, zarówno dla próbki, jaki i dla igły. Obecność artefaktów może obniżać rozdzielczość obrazowania w płaszczyźnie.
6 STM Atom ksenonu na powierzchni niklu IBM Almaden Research Centre
7 STM: stały prąd (CCM) Przyłożone napięcie między igłą a próbką Przy zbliżaniu igły do powierzchni wytwarza się prąd tunelowy Pętla sprzężenia zwrotnego zapewnia stały prąd Przemieszczenie skanera odzwierciedla topografię próbki Obrazowanie próbek przewodzących lub nieprzewodzących na przewodzącym podłożu Zalety: + Wysoka rozdzielczość obrazowania + Obrazowanie próbek o nierównej powierzchni + Zastosowanie czułych wzmacniaczy pozwala obrazować próbki o niskiej przewodności, np. biologiczne Wady: -Prędkość obrazowania zależna od prędkości pętli sprzężenia zwrotnego - Trudności w interpretacji wyników zależne od lokalnej gęstości stanów, napięcia, wartości prądu Constant Current mode3.swf
8 STM: stały prąd HOPG (highly oriented pyrolytic graphite) Pentadekan
9 STM: skanowanie w płaszczyźnie (CHM) Przyłożone napięcie między igłą a próbką Przy zbliżaniu igły do powierzchni wytwarza się prąd tunelowy Igła porusza się w płaszczyźnie Topografia obrazowana na podstawie natężenia prądu tunelowego Obrazowanie próbek przewodzących lub nieprzewodzących na przewodzącym podłożu Zalety: + Wysoka rozdzielczość obrazowania +Duża szybkość obrazowania Wady: - Obrazowanie wyłącznie płaskich powierzchni (10 A) - Brak bezpośredniej informacji o topografii - Trudności w interpretacji wyników zależne od lokalnej gęstości stanów, napięcia, wartości prądu Constant_height_mode3.swf
10 STM: skanowanie w płaszczyźnie Nanorurka węglowa na podłożu HOPG
11 STM: lokalna szerokość bariery LBH Przesuw igły zbliżony jak w metodzie stałego prądu (pętla sprzężenia zwrotnego) Odległość igła próbka modulowana z okresem znacznie krótszym niż stała czasowa pętli sprzężenia zwrotnego. Zmiana wartości natężenia w funkcji odległości dostarcza informacji o lokalnej wartości pracy wyjścia ~ 2κz 2mΦ κ = 2 h I T e Φ ( ln ) 2 d I ~ T dz Barrier Height imaging3.swf Wady: -Trudności w interpretacji wyników raczej jakościowe a nie ilościowe
12 STM: Lokalna gęstość stanów (LDOS) Pomiar następuje jednocześnie z pomiarem topografii Napięcie przykładane do próbki jest modulowane z okresem znacznie krótszym niż stała czasowa pętli sprzężenia zwrotnego Pomiar zmian natężenia następujących jako odpowiedź na modulację napięcia (di/du) dostarcza informacji o lokalnej wartości funkcji gęstości stanów Density of States imaging3.swf Wady: - Topografia powierzchni może wpływać na wynik pomiaru LDOS
13 LBH i LDOS LBH- Warstwa fullerenów na podłożu grafiitowym I(z) Spectroscopy3.swf I(V) Spectroscopy3.swf LDOS - Dyslokacje w krysztale diamentu: Ying Ran, Yi Zhang & Ashvin Vishwanath Nature Physics 5, (2009)
14 AFM mikroskop sił atomowych Podział technik pomiaru: Bezpośredni kontakt (ang. contact) Częściowy kontakt (ang. semicontact, tapping) Brak kontaktu (ang. noncontact) Kilka przejazdów (ang. multipass)
15 AFM: tryby bezpośredniego kontaktu Tryby bezpośredniego kontaktu: Skanowanie w płaszczyźnie (CHM) Stała siła (CFM) Modulowana siła (FMM) Pomiar skręcenia bocznego (LFM) Pomiar piezoelektryków (PFM) Mikroskopia akustyczna (AFAM) Rozpływ prądu (SRI, SSRM) Siły elektrostatyczne (EFM) Pomiar impedancji
16 AFM: kontakt, skanowanie w płaszczyźnie Igła przesuwana po powierzchni próbki Punkt zamocowania ramienia na stałej wysokości Odkształcenie ramienia igły jest proporcjonalne do siły oddziaływania (prawo Hooke a) Odkształcenie odzwierciedla topografię próbki Opcjonalnie korekcja zniekształceń sferycznych Zalety: +Duża szybkość obrazowania + Wysoka rozdzielczość (ograniczona przez promień igły) Wady: - Niszczy powierzchnię miękkich próbek i igłę - Zniekształcenia dla próbek o różnej twardości lokalnej - W przypadku obecności wilgoci występują siły kapilarne Constant_Height_mode2.swf
17 AFM: kontakt, stała siła Igła przesuwana po powierzchni próbki Pętla sprzężenia zwrotnego utrzymuje stałą wartość siły docisku (wygięcia ramienia igły) Przemieszczenie skanera odzwierciedla topografię próbki Zalety: + Wysoka rozdzielczość (ograniczona przez promień igły) + Pomiar powierzchni o dużej i średniej twardości + Pomiar próbek o rozwiniętej topografii Wady: - Mniejsza szybkość skanowania - Zniekształcenia dla próbek o różnej twardości lokalnej - W przypadku obecności wilgoci występują siły kapilarne -Może uszkadzać miękkie próbki Constant_Force_mode.swf
18 AFM: kontakt Stała siła, Al 2 O 3 Skan w płaszczyźnie, MoTe 2 MnAs na krzemie, 6x6 µm
19 AFM: lateral force-siły skręcenia bocznego Igła przesuwana po powierzchni próbki Stosowane długie i cienkie końcówki, giętkie ramię Moment sił działających na koniec igły powoduje skręcenie ramienia Dla niewielkich odkształceń skręcenie jest proporcjonalne do sił działających na koniec igły Odwzorowanie lokalnych sił oddziaływania (siły tarcia itp.) Skanowanie wprzód i wspak pozwala oddzielić wpływ topografii Zalety: + Wysoka rozdzielczość +Rozróżnia materiały o różnych właściwościach + Charakteryzacja cienkich warstw Wady: - Niszczy powierzchnię miękkich próbek i igłę - Zniekształcenia dla próbek o różnej twardości lokalnej - W przypadku obecności wilgoci występują siły kapilarne Lateral_Force_mode2.swf
20 AFM: lateral force-siły skręcenia bocznego Ludzki włos, PARK Złoto na mice (mikromasch)
21 AFM:kontakt - modulowana siła docisku FMM Igła przesuwana po powierzchni próbki Zasada pomiar podobna jak w metodzie stałej siły Siła docisku modulowana sinusoidalnie Badanie lokalnej twardości próbki nanoindenter Po wykonaniu kalibracji można wyznaczyć moduł sprężystości Topografia wyznaczana na podstawie wartości średniej odkształcenia igły i przesunięcia skanera st. sprężystości próbki k p Dz = kr 1 D st. sprężystości ramienia przemieszczenie skanera przemieszczenie końca igły force_modulation_mode2.swf Kopolimer blokowy, Veeco
22 AFM:kontakt pomiar piezoelektryków Igła przesuwana po powierzchni próbki Do próbki przyłożone napięcie zmienne Odkształcenia pod wpływem pola elektrycznego powodują zmiany topografii Pomiar odkształcenia pionowego i skręcenia bocznego ramienia Pomiar przesunięcia fazowego między polem elektrycznym a odkształceniami ramienia Określenie rozmiarów i orientacji domen wewnątrz próbki Schemat układu pomiarowego, Agilent Struktura domenowa LiNbO 3, Agilent
23 AFM:kontakt pomiar piezoelektryków Pfm.swf Reakcja piezoelektryka na pobudzenie, Agilent
24 AFM:Pomiar rozpływu prądu-spreading resistance Igła przesuwana po powierzchni próbki Próbka podłączona do napięcia, przez przewodzącą igłę przepływa prąd Pomiar lokalnej wartości oporu (opór kontaktowy+opór próbki) Pomiar następuje równocześnie z pomiarem topografii Niezbędne jest zastosowanie układu wzmacniacza prądowego o szerokim zakresie wartości. Najczęściej tzw. wzmacniacz logarytmiczny nawet 10 rzędów wielkości (1 pa 10 ma). Spreading_Resistance_Im-g2.swf Heterostruktura, Veeco/Lucent Technologies
25 AFM:kontakt EFM-siły elektrostatyczne Igła (przewodząca) przesuwana po powierzchni próbki Tryb pomiar podobny jak w pomiarze przy stałej sile Do próbki przyłożone napięcie o składowej stałej (bias) i zmiennej Prąd przepływający przez igłę jest zwykle niewielki, co umożliwia pomiar sił elektrostatycznych F el 1 2 dc dz 2 ( z) = ( V V ) i p Pojemność powierzchniowa Siła oddziaływania elektrostatycznego Potencjał igły Potencjał próbki contact EFM2.swf
26 AFM:kontakt mikroskopia akustyczna AFAM Igła (przewodząca) przesuwana po powierzchni próbki (podobnie do metody stałej siły) Próbka na umieszczona przetworniku piezoelektrycznym Wzbudzenie drgań w ramieniu igły, na ich podstawie tworzona mapa wychyleń w pobliżu częstotliwości rezonansowej Na częstotliwość własną drgań ma wpływ twardość obszaru kontaktu i jego promień Inne czynniki mające wpływ na częstotliwość to siła nacisku, promień igły i geometria próbki Pozwala na wyznaczenie lokalnej wartości modułu Younga (rozdzielczość rzędu nanometrów) Mod rezonansowy pozwala wyznaczyć wartość zredukowanego modułu Younga PZT, NT-MDT Afam.swf
27 AFM: częściowy kontakt (semicontact) Ramię igły wprowadzane w drgania (przetwornik piezoelektryczny, warstwa magnetyczna, metody akustyczne). Oddziaływania odpychające występują jedynie przez część okresu drgań. Tryby pomiarowe: Pomiar topografii Obrazowanie fazowe (phase imaging) Sygnał odchylenia z pętli sprzężenia zwrotnego (feedback error) Pomiar wymaga dobrania częstotliwości rezonansowej do częstotliwości rezonansowej igły (rzędu khz) Zalety: + Pomiar miękkich materiałów +Małe zużycie igły i małe uszkodzenia próbki + Dobre odwzorowanie próbek o rozwiniętej topografii
28 AFM: częściowy kontakt - topografia Oddziaływanie igły z powierzchnią próbki powoduje zmianę częstotliwości oscylacji. Pętla sprzężenia zwrotnego utrzymuje stałą amplitudę oscylacji wydłużenie elementu piezoelektrycznego odpowiada topografii powierzchni. Oddziaływania odpychające, Van der Waalsa, elektrostatyczne i inne. Charakter oddziaływań zależy od amplitudy oscylacji przy dużej amplitudzie (200 nm) większy wpływ oddziaływań odpychających. Struktura białek, NT-MDT Semicontact_mode2.swf
29 AFM: obrazowanie fazowe Przesunięcie fazowe pomiędzy wymuszeniem a drganiami igły jest spowodowane m.in. przez adhezję, siły kapilarne, lepkość. W próbkach niejednorodnych dla obszarów o różnych właściwościach obserwuje się różne przesunięcie fazowe. Obrazowanie fazowe zwiększa kontrast i wydobywa szczegóły topografii. Dobra metoda obrazowania próbek o dużych różnicach wysokości powierzchni. Polietylen, NT-MDT Phase_Imaging_mode_en.swf Włókna celulozy, Veeco
30 AFM: sygnał pętli sprzężenia zwrotnego (feedback error) Szybkość skanowania jest ograniczona przez szybkość układu pętli sprzężenia zwrotnego. Różnica pomiędzy przesunięciem skanera i zmianami amplitudy drgań igły tzw. feedback error. Sygnał zawiera dodatkowe informacje o topografii metoda wyostrza uskoki i nierówności. Poli(tlenek etylenu(, NT-MDT Semicontact Error mode2.swf
1 k. AFM: tryb bezkontaktowy
AFM: tryb bezkontaktowy Ramię igły wprowadzane w drgania o małej amplitudzie (rzędu 10 nm) Pomiar zmian amplitudy drgań pod wpływem sił (na ogół przyciągających) Zbliżanie igły do próbki aż do osiągnięcia
Bardziej szczegółowoAFM. Mikroskopia sił atomowych
AFM Mikroskopia sił atomowych Siły van der Waalsa F(r) V ( r) = c 1 r 1 12 c 2 r 1 6 Siły van der Waalsa Mod kontaktowy Tryby pracy AFM związane z zależnością oddziaływania próbka ostrze od odległości
Bardziej szczegółowoI. Wstęp teoretyczny. Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) 1.
Ćwiczenie: Mikroskopia sił atomowych (AFM) Prowadzący: Michał Sarna (sarna@novel.ftj.agh.edu.pl) I. Wstęp teoretyczny 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych AFM (ang. Atomic Force Microscope) jest jednym
Bardziej szczegółowoElementy pomiaru AFM
Elementy pomiaru AFM - Dobór właściwej metody i konfiguracji mikroskopu - Przygotowanie i zamocowanie próbki - Dobranie i zamocowanie igły - Regulacja i ustawienie parametrów pracy: Regulacja pozycji fotodiody
Bardziej szczegółowoSkaningowy mikroskop tunelowy STM
Skaningowy mikroskop tunelowy STM Skaningowy mikroskop tunelowy (ang. Scanning Tunneling Microscope; STM) należy do szerszej rodziny mikroskopów ze sondą skanującą. Wykorzystuje on zjawisko tunelowania
Bardziej szczegółowoRodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy)
Spis treści 1 Historia 2 Rodzaje mikroskopów ze skanującą sondą (SPM, Scanning Probe Microscopy) 2.1 Skaningowy mikroskop tunelowy (STM od ang. Scanning Tunneling Microscope) 2.1.1 Uzyskiwanie obrazu metodą
Bardziej szczegółowoSPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopia skanującej sondy STM Scanning Tunneling Microscopy Skaningowa mikroskopia tunelowa AFM Atomic Force Microscopy Mikroskopia siły atomowej MFM Magnetic Force Microscopy
Bardziej szczegółowoMikroskop sił atomowych
Mikroskop sił atomowych AFM: jak to działa? Krzysztof Zieleniewski Proseminarium ZFCS, 5 listopada 2009 Plan seminarium Łyczek historii Możliwości mikroskopu Budowa mikroskopu na Pasteura Podstawowe mody
Bardziej szczegółowoMikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa
Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Instytut Fizyki Doświadczalnej Lipowa 41, 15-424 Białystok Tel: (85) 7457228 http://physics.uwb.edu.pl/zfmag Mikroskopia skaningowa tunelowa i siłowa
Bardziej szczegółowoM2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur.
M2 Mikroskopia sił atomowych: badanie nanostruktur. Celem ćwiczenia jest poznanie mikroskopii sił atomowych i zbadanie otrzymanych próbek. Wymagane zagadnienia Podstawy fizyczne mikroskopii sił atomowych:
Bardziej szczegółowoNOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ. Beata Grabowska, pok. 84A, Ip
NOWOCZESNE TECHNIKI BADAWCZE W INŻYNIERII MATERIAŁOWEJ Beata Grabowska, pok. 84A, Ip http://home.agh.edu.pl/~graboska/ Mikroskopia Słowo mikroskop wywodzi się z języka greckiego: μικρός - mikros "mały
Bardziej szczegółowoBadanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii sił atomowych (AFM)
1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z techniką obrazowania powierzchni za pomocą skaningowego mikroskopu sił atomowych (AFM). Badanie powierzchni materiałów z za pomocą skaningowej mikroskopii
Bardziej szczegółowoM1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur
M1/M3 Zastosowanie mikroskopii sił atomowych do badania nanostruktur Prowadzący: Kontakt e-mail: Rafał Bożek rafal.bozek@fuw.edu.pl Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zasadami mikroskopii sił atomowych
Bardziej szczegółowoLaboratorium nanotechnologii
Laboratorium nanotechnologii Zakres zagadnień: - Mikroskopia sił atomowych AFM i STM (W. Fizyki) - Skaningowa mikroskopia elektronowa SEM (WIM) - Transmisyjna mikroskopia elektronowa TEM (IF PAN) - Nanostruktury
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki wykład 2
D. Halliday, R. Resnick, J.Walker: Podstawy Fizyki, tom 5, PWN, Warszawa 2003. H. D. Young, R. A. Freedman, Sear s & Zemansky s University Physics with Modern Physics, Addison-Wesley Publishing Company,
Bardziej szczegółowoMikroskopie skaningowe
SPM Scanning Probe Microscopy Mikroskopie skaningowe (SPM- Sharp Probe Microscopy) Mikroskopy skanujące 1. Efekt tunelowania (STM). Stały prąd, stała wysokość. 2. Oddziaływania sił atomowych(afm). W kontakcie,
Bardziej szczegółowoWady ostrza. Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element)
Wady ostrza Ponieważ ostrze ma duży promień niektóre elementy ukształtowania powierzchni nie są rejestrowane (fioletowy element) Ponieważ ostrze ma kilka zakończeń w obrazie pojawiają się powtórzone struktury
Bardziej szczegółowoMikroskop sił atomowych (AFM)
Mikroskop sił atomowych (AFM) 1. Wprowadzenie Mikroskop sił atomowych (ang. Atomic Force Microscope AFM) został skonstruowany w 1986 r. w laboratorium IBM w Zurichu (Binnig G., Quate C.F., Gerber C., Phys.
Bardziej szczegółowoWykład 21: Studnie i bariery cz.2.
Wykład 21: Studnie i bariery cz.2. Dr inż. Zbigniew Szklarski Katedra Elektroniki, paw. C-1, pok.321 szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ 1 Przykłady tunelowania: rozpad alfa, synteza
Bardziej szczegółowoDOTYCZY: Sygn. akt SZ /12/6/6/2012
Warszawa dn. 2012-07-26 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie
Bardziej szczegółowoZaawansowane Metody Badań Strukturalnych. Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM
Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM Rentgenowska fazowa analiza ilościowa Parametry komórki elementarnej Wielkości krystalitów Budowa mikroskopu
Bardziej szczegółowoOglądanie świata w nanoskali mikroskop STM
FOTON 112, Wiosna 2011 23 Oglądanie świata w nanoskali mikroskop STM Szymon Godlewski Instytut Fizyki UJ Od zarania dziejów człowiek przejawiał wielką ciekawość otaczającego go świata. Prowadził obserwacje
Bardziej szczegółowoĆWICZENIE 4a. Analiza struktury kompozytów polimerowych
Nanomateriały ĆWICZENIE 4a 5 Analiza struktury kompozytów polimerowych Określenie stopnia rozproszenia i rozmiaru modyfikowanych bentonitów oraz nanonapełniaczy w matrycy epoksydowej Analiza topografii
Bardziej szczegółowoWydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Katedra Elektroniki
Wydział Elektrotechniki, Automatyki, Informatyki i Elektroniki Na podstawie instrukcji Wtórniki Napięcia,, Laboratorium układów Elektronicznych Opis badanych układów Spis Treści 1. CEL ĆWICZENIA... 2 2.
Bardziej szczegółowoUniwersytet Łódzki, Wydział Chemii Katedra Chemii Nieorganicznej i Analitycznej Zakład Elektroanalizy i Elektrochemii Łódź, ul.
Uniwersytet Łódzki, Wydział Chemii 91-403 Łódź, ul. Tamka 12 Andrzej Leniart Akademia Ciekawej Chemii 11 czerwiec 2014 r. Z czego zbudowana jest materia? Demokryt z Abdery (ur. ok. 460 p.n.e., zm. ok.
Bardziej szczegółowoWykład 12 V = 4 km/s E 0 =.08 e V e = = 1 Å
Wykład 12 Fale materii: elektrony, neutrony, lekkie atomy Neutrony generowane w reaktorze są spowalniane w wyniku zderzeń z moderatorem (grafitem) do V = 4 km/s, co odpowiada energii E=0.08 ev a energia
Bardziej szczegółowoDyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM
Zaawansowane Metody Badań Strukturalnych Dyfrakcja rentgenowska cz.2 Mikroskopia Sił Atomowych AFM Fazowa analiza ilościowa Obliczenia strukturalne prawo Vegarda Pomiary cienkich warstw Budowa mikroskopu
Bardziej szczegółowoMikroskopia Sił Atomowych (AFM)
Narzędzia dla nanotechnologii Mikroskopia Sił Atomowych (AFM) Tomasz Kruk* Wprowadzenie Wśród wielu urządzeń kojarzonych z nanotechnologią żadne nie jest tak dobrze rozpoznawalne i proste w założeniu swojej
Bardziej szczegółowoMikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM)
Mikroskop tunelowy skaningowy Scaning tuneling microscopy (STM) Zasada działania Historia odkryć Zastosowane rozwiązania Przykłady zastosowania Bolesław AUGUSTYNIAK Zasada działania mikroskopu skanującego
Bardziej szczegółowoDOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012
Warszawa dn. 2012-07-20 SZ-222-20/12/6/6/2012/2713 Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż
Bardziej szczegółowoĆwiczenie - 8. Generatory
1 U U 2 LABOATOIUM ELEKTONIKI Ćwiczenie - 8 Generatory Spis treści 1 el ćwiczenia 1 2 Podstawy teoretyczne 2 2.1 Wiadomości ogólne.................................. 2 3 Przebieg ćwiczenia 3 3.1 Badanie
Bardziej szczegółowoDobór materiałów konstrukcyjnych cz.13
Dobór materiałów konstrukcyjnych cz.13 dr inż. Hanna Smoleńska Katedra Inżynierii Materiałowej i Spajania Wydział Mechaniczny, Politechnika Gdańska Materiały edukacyjne ROZSZERZALNOŚĆ CIEPLNA LINIOWA Ashby
Bardziej szczegółowoMenu. Badające rozproszenie światła,
Menu Badające rozproszenie światła, Instrumenty badające pole magnetyczne Ziemi Pole magnetyczne Ziemi mierzy się za pomocą magnetometrów. Instrumenty badające pole magnetyczne Ziemi Rodzaje magnetometrów:»
Bardziej szczegółowoO manipulacji w nanoskali
FOTON 113, Lato 2011 23 O manipulacji w nanoskali Szymon Godlewski Instytut Fizyki UJ Skonstruowany w 1981 roku przez dwóch pracowników IBM Gerda Binniga i Heinricha Rohrera skaningowy mikroskop tunelowy
Bardziej szczegółowo(Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11. Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY:
. (Pieczęć Wykonawcy) Załącznik nr 8 do SIWZ Nr postępowania: ZP/259/050/D/11 Opis oferowanej dostawy OFERUJEMY: 1) Mikroskop AFM według pkt 1 a) załącznika nr 7 do SIWZ, model / producent..... Detekcja
Bardziej szczegółowoDemonstracja: konwerter prąd napięcie
Demonstracja: konwerter prąd napięcie i WE =i i WE i v = i WE R R=1 M Ω i WE = [V ] 10 6 [Ω] v + Zasilanie: +12, 12 V wy( ) 1) Oświetlanie o stałym natężeniu: =? (tryb DC) 2) Oświetlanie przez lampę wstrząsoodporną:
Bardziej szczegółowoMikroskopia polowa. Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania. Bolesław AUGUSTYNIAK
Mikroskopia polowa Efekt tunelowy Historia odkryć Uwagi o tunelowaniu Zastosowane rozwiązania Bolesław AUGUSTYNIAK Efekt tunelowy Efekt kwantowy, którym tłumaczy się przenikanie elektronu w sposób niezgodny
Bardziej szczegółowoWłasności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu
1 ĆWICZENIE 7. CEL ĆWICZENIA. Własności dynamiczne przetworników pierwszego rzędu Celem ćwiczenia jest poznanie własności dynamicznych przetworników pierwszego rzędu w dziedzinie czasu i częstotliwości
Bardziej szczegółowoGeneratory. Podział generatorów
Generatory Generatory są układami i urządzeniami elektronicznymi, które kosztem energii zasilania wytwarzają okresowe przebiegi elektryczne lub impulsy elektryczne Podział generatorów Generatory można
Bardziej szczegółowoBadanie strutury powierzchni z atomową zdolnością rozdzielczą. Powierzchnia jak ją zdefiniować?
Badanie strutury powierzchni z atomową zdolnością rozdzielczą Powierzchnia jak ją zdefiniować? Obszar kryształu, dla którego nie da się zastosować trójwymiarowych równań opisujących własności wnętrza.
Bardziej szczegółowoDwa w jednym teście. Badane parametry
Dwa w jednym teście Rys. Jacek Kubiś, Wimad Schemat zawieszenia z zaznaczeniem wprowadzonych pojęć Urządzenia do kontroli zawieszeń metodą Boge badają ich działanie w przebiegach czasowych. Wyniki zależą
Bardziej szczegółowoELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM
ELEKTRONIKA W EKSPERYMENCIE FIZYCZNYM D. B. Tefelski Zakład VI Badań Wysokociśnieniowych Wydział Fizyki Politechnika Warszawska, Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, PL 28 lutego 2011 Stany nieustalone, stabilność
Bardziej szczegółowoDobór współczynnika modulacji częstotliwości
Dobór współczynnika modulacji częstotliwości Im większe mf, tym wyżej położone harmoniczne wyższe częstotliwości mniejsze elementy bierne filtru większy odstęp od f1 łatwiejsza realizacja filtru dp. o
Bardziej szczegółowoGeneratory sinusoidalne LC
Ćw. 5 Generatory sinusoidalne LC. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter
Bardziej szczegółowoLiniowe układy scalone w technice cyfrowej
Liniowe układy scalone w technice cyfrowej Wykład 6 Zastosowania wzmacniaczy operacyjnych: konwertery prąd-napięcie i napięcie-prąd, źródła prądowe i napięciowe, przesuwnik fazowy Konwerter prąd-napięcie
Bardziej szczegółowoSzumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów
Szumy układów elektronicznych, wzmacnianie małych sygnałów Ryszard J. Barczyński, 2016 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Szumy
Bardziej szczegółowoDynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8
Dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego- ćwiczenie 8 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest dynamiczne badanie wzmacniacza operacyjnego, oraz zapoznanie się z metodami wyznaczania charakterystyk częstotliwościowych.
Bardziej szczegółowoUKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) 1. OPIS TECHNICZNY UKŁADÓW BADANYCH
UKŁADY Z PĘTLĄ SPRZĘŻENIA FAZOWEGO (wkładki DA171A i DA171B) WSTĘP Układy z pętlą sprzężenia fazowego (ang. phase-locked loop, skrót PLL) tworzą dynamicznie rozwijającą się klasę układów, stosowanych głównie
Bardziej szczegółowoĆwiczenie nr 65. Badanie wzmacniacza mocy
Ćwiczenie nr 65 Badanie wzmacniacza mocy 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie podstawowych parametrów wzmacniaczy oraz wyznaczenie charakterystyk opisujących ich właściwości na przykładzie wzmacniacza
Bardziej szczegółowoPROJEKT STUDENCKIEGO SKANINGOWEGO MIKROSKOPU TUNELOWEGO
Słowa kluczowe: mikroskop, ostrze, prąd tunelowy, próbka Łukasz Bednarz Sebastian Bednarz PROJEKT STUDENCKIEGO SKANINGOWEGO MIKROSKOPU TUNELOWEGO Skaningowy mikroskop tunelowy (STM) jest urządzeniem o
Bardziej szczegółowoWzmacniacz jako generator. Warunki generacji
Generatory napięcia sinusoidalnego Drgania sinusoidalne można uzyskać Poprzez utworzenie wzmacniacza, który dla jednej częstotliwości miałby wzmocnienie równe nieskończoności. Poprzez odtłumienie rzeczywistego
Bardziej szczegółowoZASADA DZIAŁANIA miernika V-640
ZASADA DZIAŁANIA miernika V-640 Zasadniczą częścią przyrządu jest wzmacniacz napięcia mierzonego. Jest to układ o wzmocnieniu bezpośred nim, o dużym współczynniku wzmocnienia i dużej rezystancji wejściowej,
Bardziej szczegółowoPomiar twardości ciał stałych
Pomiar twardości ciał stałych Twardość jest istotną cechą materiału z konstrukcyjnego i technologicznego punktu widzenia. Twardość, to właściwość ciał stałych polegająca na stawianiu oporu odkształceniom
Bardziej szczegółowoKamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel
Kamil Zalewski, Wojciech Nath, Marcin Ewiak, Grzegorz Gabryel Ogólny opis mikroskopów Wstęp do idei mikroskopów skanujących Rodziny mikroskopów skanujących Ogólna zasada działania mikroskopów AFM i STM
Bardziej szczegółowoPodstawy Mikroelektroniki
Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie Wydział IEiT Katedra Elektroniki Podstawy Mikroelektroniki Temat ćwiczenia: Nr ćwiczenia 1 Pomiary charakterystyk magnetoelektrycznych elementów spintronicznych-wpływ
Bardziej szczegółowoOPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA
Załącznik nr 2 do SIWZ OPIS PRZEDMIOTU ZAMÓWIENIA Zadanie nr 1 pn.: Dostawa i instalacja fabrycznie nowego (nieużywanego) Profilometru mechanicznego wraz z przeszkoleniem Personelu Zamawiającego Przedmiotem
Bardziej szczegółowoUjemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie
Ujemne sprzężenie zwrotne, WO przypomnienie Stabilna praca układu. Przykład: wzmacniacz nie odw. fazy: v o P kt pracy =( v 1+ R ) 2 0 R 1 w.12, p.1 v v o = A OL ( v ) ( ) v v o ( ) Jeśli z jakiegoś powodu
Bardziej szczegółowoPL B1. Sposób badania przyczepności materiałów do podłoża i układ do badania przyczepności materiałów do podłoża
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203822 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 358564 (51) Int.Cl. G01N 19/04 (2006.01) G01N 29/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoMechatronika i inteligentne systemy produkcyjne. Sensory (czujniki)
Mechatronika i inteligentne systemy produkcyjne Sensory (czujniki) 1 Zestawienie najważniejszych wielkości pomiarowych w układach mechatronicznych Położenie (pozycja), przemieszczenie Prędkość liniowa,
Bardziej szczegółowoWykład FIZYKA II. 4. Indukcja elektromagnetyczna. Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak
Wykład FIZYKA II 4. Indukcja elektromagnetyczna Dr hab. inż. Władysław Artur Woźniak Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej http://www.if.pwr.wroc.pl/~wozniak/ PRAWO INDUKCJI FARADAYA SYMETRIA W FIZYCE
Bardziej szczegółowoLaboratorium Półprzewodniki, Dielektryki i Magnetyki
Laboratorium Półprzewodniki, Dielektryki i Magnetyki Ćwiczenie 5 Badanie odwrotnego efektu piezoelektrycznego Zagadnienia do przygotowania 1. Elektrostrykcja i odwrotny efekt piezoelektryczny 2. Podstawowe
Bardziej szczegółowoFizyka powierzchni. Dr Piotr Sitarek. Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska
Fizyka powierzchni 11 Dr Piotr Sitarek Katedra Fizyki Doświadczalnej, Wydział Podstawowych Problemów Techniki, Politechnika Wrocławska Lista zagadnień Fizyka powierzchni i międzypowierzchni, struktura
Bardziej szczegółowoOpis przedmiotu zamówienia
Załącznik nr 5 Opis przedmiotu zamówienia 1. Przedmiotem zamówienia jest dostawa mikroskopu na potrzeby Centrum Badań nad Innowacjami o parametrach: 2. Dostarczony asortyment musi być fabrycznie nowy oraz
Bardziej szczegółowoMiernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak
Miernictwo I INF Wykład 13 dr Adam Polak ~ 1 ~ I. Właściwości elementów biernych A. Charakterystyki elementów biernych 1. Rezystor idealny (brak przesunięcia fazowego między napięciem a prądem) brak części
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH. Ćwiczenie nr 2. Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy
LABORATORIUM PODZESPOŁÓW ELEKTRONICZNYCH Ćwiczenie nr 2 Pomiar pojemności i indukcyjności. Szeregowy i równoległy obwód rezonansowy Wykonując pomiary PRZESTRZEGAJ przepisów BHP związanych z obsługą urządzeń
Bardziej szczegółowoZwój nad przewodzącą płytą METODA ROZDZIELENIA ZMIENNYCH
METODA ROZDZIELENIA ZMIENNYCH (2) (3) (10) (11) Modelowanie i symulacje obiektów w polu elektromagnetycznym 1 Rozwiązania równań (10-11) mają ogólną postać: (12) (13) Modelowanie i symulacje obiektów w
Bardziej szczegółowoDOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012
Warszawa dn. 2012-08-03 SZ-222-20/12/6/6/2012/ Szanowni Państwo, DOTYCZY: Sygn. akt SZ-222-20/12/6/6/2012 Przetargu nieograniczonego, którego przedmiotem jest " sprzedaż, szkolenie, dostawę, montaż i uruchomienie
Bardziej szczegółowoOgólny schemat blokowy układu ze sprzężeniem zwrotnym
1. Definicja sprzężenia zwrotnego Sprzężenie zwrotne w układach elektronicznych polega na doprowadzeniu części sygnału wyjściowego z powrotem do wejścia. Częśd sygnału wyjściowego, zwana sygnałem zwrotnym,
Bardziej szczegółowoKatedra Elektroniki ZSTi. Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów
Katedra Elektroniki ZSTi Lekcja 12. Rodzaje mierników elektrycznych. Pomiary napięći prądów Symbole umieszczone na przyrządzie Katedra Elektroniki ZSTiO Mierniki magnetoelektryczne Budowane: z ruchomącewkąi
Bardziej szczegółowoĆw. 6 Generatory. ( ) n. 1. Cel ćwiczenia. 2. Wymagane informacje. 3. Wprowadzenie teoretyczne PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB
Ćw. 6 Generatory. Cel ćwiczenia Tematem ćwiczenia są podstawowe zagadnienia dotyczące generacji napięcia sinusoidalnego. Ćwiczenie składa się z dwóch części. Pierwsza z nich, mająca charakter wprowadzenia,
Bardziej szczegółowoLASERY I ICH ZASTOSOWANIE
LASERY I ICH ZASTOSOWANIE Laboratorium Instrukcja do ćwiczenia nr 3 Temat: Efekt magnetooptyczny 5.1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z metodą modulowania zmiany polaryzacji światła oraz
Bardziej szczegółowoTranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych
Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC na tranzystorach bipolarnych Wzmacniacz jest to urządzenie elektroniczne, którego zadaniem jest : proporcjonalne zwiększenie amplitudy wszystkich składowych widma sygnału
Bardziej szczegółowoModulatory PWM CELE ĆWICZEŃ PODSTAWY TEORETYCZNE
Modulatory PWM CELE ĆWICZEŃ Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów z układem A741. Analiza charakterystyk i podstawowych obwodów z układem LM555. Poznanie budowy modulatora szerokości impulsów
Bardziej szczegółowoLIV OLIMPIADA FIZYCZNA 2004/2005 Zawody II stopnia
LIV OLIMPIADA FIZYCZNA 004/005 Zawody II stopnia Zadanie doświadczalne Masz do dyspozycji: cienki drut z niemagnetycznego metalu, silny magnes stały, ciężarek o masie m=(100,0±0,5) g, statyw, pręty stalowe,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: Elektrochemiczny pomiar szybkości korozji metali. Wpływ inhibitorów korozji
Ćwiczenie 2: Elektrochemiczny pomiar szybkości korozji metali. Wpływ inhibitorów korozji Wymagane wiadomości Podstawy korozji elektrochemicznej, podstawy kinetyki procesów elektrodowych, równanie Tafela,
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2a. Pomiar napięcia z izolacją galwaniczną Doświadczalne badania charakterystyk układów pomiarowych CZUJNIKI POMIAROWE I ELEMENTY WYKONAWCZE
Politechnika Łódzka Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych 90-924 Łódź, ul. Wólczańska 221/223, bud. B18 tel. 42 631 26 28 faks 42 636 03 27 e-mail secretary@dmcs.p.lodz.pl http://www.dmcs.p.lodz.pl
Bardziej szczegółowoNMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan
NMR (MAGNETYCZNY REZONANS JĄDROWY) dr Marcin Lipowczan Spis zagadnień Fizyczne podstawy zjawiska NMR Parametry widma NMR Procesy relaksacji jądrowej Metody obrazowania Fizyczne podstawy NMR Proton, neutron,
Bardziej szczegółowoKOOF Szczecin: www.of.szc.pl
3OF_III_D KOOF Szczecin: www.of.szc.pl XXXII OLIMPIADA FIZYCZNA (198/1983). Stopień III, zadanie doświadczalne D Źródło: Nazwa zadania: Działy: Słowa kluczowe: Komitet Główny Olimpiady Fizycznej; Waldemar
Bardziej szczegółowoPolitechnika Gdańska. Wydział Chemiczny. Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej. Rozprawa doktorska
Politechnika Gdańska Wydział Chemiczny Katedra Elektrochemii, Korozji i Inżynierii Materiałowej Rozprawa doktorska Dynamiczna spektroskopia impedancyjna w mikroskopowej analizie powierzchni metalicznych
Bardziej szczegółowoWZMACNIACZ OPERACYJNY
1. OPIS WKŁADKI DA 01A WZMACNIACZ OPERACYJNY Wkładka DA01A zawiera wzmacniacz operacyjny A 71 oraz zestaw zacisków, które umożliwiają dołączenie elementów zewnętrznych: rezystorów, kondensatorów i zwór.
Bardziej szczegółowoMomentem dipolowym ładunków +q i q oddalonych o 2a (dipola) nazwamy wektor skierowany od q do +q i o wartości:
1 W stanie równowagi elektrostatycznej (nośniki ładunku są w spoczynku) wewnątrz przewodnika natężenie pola wynosi zero. Cały ładunek jest zgromadzony na powierzchni przewodnika. Tuż przy powierzchni przewodnika
Bardziej szczegółowoStatyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7
Statyczne badanie wzmacniacza operacyjnego - ćwiczenie 7 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z podstawowymi zastosowaniami wzmacniacza operacyjnego, poznanie jego charakterystyki przejściowej
Bardziej szczegółowoUkłady akwizycji danych. Komparatory napięcia Przykłady układów
Układy akwizycji danych Komparatory napięcia Przykłady układów Komparatory napięcia 2 Po co komparator napięcia? 3 Po co komparator napięcia? Układy pomiarowe, automatyki 3 Po co komparator napięcia? Układy
Bardziej szczegółowoLaboratorium Elektroniki
Wydział Mechaniczno-Energetyczny Laboratorium Elektroniki Badanie wzmacniaczy tranzystorowych i operacyjnych 1. Wstęp teoretyczny Wzmacniacze są bardzo często i szeroko stosowanym układem elektronicznym.
Bardziej szczegółowoLABORATORIUM POMIARY W AKUSTYCE. ĆWICZENIE NR 4 Pomiar współczynników pochłaniania i odbicia dźwięku oraz impedancji akustycznej metodą fali stojącej
LABORATORIUM POMIARY W AKUSTYCE ĆWICZENIE NR 4 Pomiar współczynników pochłaniania i odbicia dźwięku oraz impedancji akustycznej metodą fali stojącej 1. Cel ćwiczenia Celem ćwiczenia jest poznanie metody
Bardziej szczegółowoNiezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita
Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość
Bardziej szczegółowoWykład 9: Fale cz. 1. dr inż. Zbigniew Szklarski
Wykład 9: Fale cz. 1 dr inż. Zbigniew Szklarski szkla@agh.edu.pl http://layer.uci.agh.edu.pl/z.szklarski/ Klasyfikacja fal fale mechaniczne zaburzenie przemieszczające się w ośrodku sprężystym, fale elektromagnetyczne
Bardziej szczegółowoĆwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza napięcia REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU
REGIONALNE CENTRUM EDUKACJI ZAWODOWEJ W BIŁGORAJU R C E Z w B I Ł G O R A J U LABORATORIUM pomiarów elektronicznych UKŁADÓW ANALOGOWYCH Ćwiczenie 2: pomiar charakterystyk i częstotliwości granicznych wzmacniacza
Bardziej szczegółowoWyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach
Wyjścia analogowe w sterownikach, regulatorach 1 Sygnały wejściowe/wyjściowe w sterowniku PLC Izolacja galwaniczna obwodów sterownika Zasilanie sterownika Elementy sygnalizacyjne Wejścia logiczne (dwustanowe)
Bardziej szczegółowoPodstawy fizyki sezon 2 2. Elektrostatyka 2
Podstawy fizyki sezon 2 2. Elektrostatyka 2 Agnieszka Obłąkowska-Mucha AGH, WFIiS, Katedra Oddziaływań i Detekcji Cząstek, D11, pok. 111 amucha@agh.edu.pl http://home.agh.edu.pl/~amucha Strumień wektora
Bardziej szczegółowoMetody mostkowe. Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena
Metody mostkowe Mostek Wheatstone a, Maxwella, Sauty ego-wiena Rodzaje przewodników Do pomiaru rezystancji rezystorów, rezystancji i indukcyjności cewek, pojemności i stratności kondensatorów stosuje się
Bardziej szczegółowoPole elektryczne w ośrodku materialnym
Pole elektryczne w ośrodku materialnym Ryszard J. Barczyński, 2017 Politechnika Gdańska, Wydział FTiMS, Katedra Fizyki Ciała Stałego Materiały dydaktyczne do użytku wewnętrznego Stała dielektryczna Stała
Bardziej szczegółowoZASTOSOWANIE MIKROSKOPII SIŁ ATOMOWYCH (AFM) W DIAGNOSTYCE WARSTWY WIERZCHNIEJ
Mirosław BRAMOWICZ Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie Sylwester KŁYSZ Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych PRACE NAUKOWE ITWL Zeszyt 22, s. 159 166, 2007 r. DOI 10.2478/v10041-008-0009-z ZASTOSOWANIE
Bardziej szczegółowoTemat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie
Temat: Wzmacniacze operacyjne wprowadzenie.wzmacniacz operacyjny schemat. Charakterystyka wzmacniacza operacyjnego 3. Podstawowe właściwości wzmacniacza operacyjnego bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym
Bardziej szczegółowoPL B1. INSTYTUT MECHANIKI GÓROTWORU POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Kraków, PL BUP 21/08. PAWEŁ LIGĘZA, Kraków, PL
RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 209493 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 382135 (51) Int.Cl. G01F 1/698 (2006.01) G01P 5/12 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)
Bardziej szczegółowoA6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody)
A6: Wzmacniacze operacyjne w układach nieliniowych (diody) Jacek Grela, Radosław Strzałka 17 maja 9 1 Wstęp Poniżej zamieszczamy podstawowe wzory i definicje, których używaliśmy w obliczeniach: 1. Charakterystyka
Bardziej szczegółowoWytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych
Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja
Bardziej szczegółowoDrgania wymuszone - wahadło Pohla
Zagadnienia powiązane Częstość kołowa, częstotliwość charakterystyczna, częstotliwość rezonansowa, wahadło skrętne, drgania skrętne, moment siły, moment powrotny, drgania tłumione/nietłumione, drgania
Bardziej szczegółowoZakres wymaganych wiadomości do testów z przedmiotu Metrologia. Wprowadzenie do obsługi multimetrów analogowych i cyfrowych
Zakres wymaganych wiadomości do testów z przedmiotu Metrologia Ćwiczenie 1 Wprowadzenie do obsługi multimetrów analogowych i cyfrowych budowa i zasada działania przyrządów analogowych magnetoelektrycznych
Bardziej szczegółowo