UKD 6213823 NORMA BRANŻOWA ELEMENTY Tranzystory typu BF 214 PÓŁrRZEWODNiKOWE i BF 215 BN81 33753102 Zamloat 8N 11/33151607 L Grupa katalogowa 1923 Przedmiot normy Przedmiotem normy si' szczeg6łowe wynas a dotyczęce krzemowych tranzystorów npn mał j mocy \/\elk ;ej częstotliwości wykonanych technologię mitaksjal'1o r>pnarnę t ypu BF 214 BF 215 w obudowie metalowej pr? '?naczonych' do sprzętu powszechnego użytku oraz urzędzeń wymagajęcych zastosowania elementów o wy>okiej i b d:'dzo w y;oki j jakości Tranzystory typu BF 21'4 przeznaczone sę do ' pracy we wzmacniaczach pośredniej częstotliwości odbiorników radiowych AMFM i wzmacni aczach pośredniej ci toru fonii odbiorników TV częstotliwoś Tranzystor' y typu BF 215 przeznaczone sę do pracy we wstępnych stopniach i mieszaczach odbiorników radiowych FM Kategoria klimatyczna wg PN73/E04550 00 dla tran_ bl wysokiej jakości : TRANZYSTOR BF 214/3 BN81/337531/02 cl bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 214/4 8N81/3375;31/02 3 Cechowanie tranzystorów powinno zawierać nast\pujęce dane: al nazwę p r oducenta lub znak fabryczny ' bl oznaczenie typu (podtypu) cl oznakowanie dodatkowe dla tranzystor6w wy!opklej bardzo wysokiej jakości Tranzystory wysokiej jakości powinny być znakowane cyfrę 3 a tranzystory bardzo wysoklej jakości cyfrę u miesiczonę po oznaczeniu typu zystorów: standardowej jakości (poziom jakości l 40/125/04 wysokiej jakości (poziom jakości ill l 40/125/21 bardzo wysokiej jakości (poziom jakości v) 40/125/56 4 Wymiary i oznaczenia wyprowadzeń tranzystora wg rysunku i tab l Elementy obudowy wg PN72/T01503: 2 Przy\<ład oznaczania tranzystor6w al standardowej jakości: TRANZYSTOR BF 214 BN81/337531/02 arkusz 29 podstawił 812 arkusz 55 obudowa C7 Oznac;zenie obudowy stosowane przez producenta CE25 A F l 1 _ l SN 81/3375 3102 11 Kolektor (el tran:z;ystora Jest połęczony elektrycznie z obudowę ZgłolZona przez NaukowoProdukcyjne Centrum Półprzewodnik6w Utanowiona przez Naczelnego Dyrektora Zjednoczenia PrzemYlu Podzelpoł6w Materloł6w Elektronicznych UNTRAELEKTRON dnia 26 erpnia 1981 r jako norma obowiqzujclcc:a od dnia 1 tycznla 1982 r (Dz Norm Miar nr 19/1981 poz 17) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE 1981 Druk Wyd NDrm W'WD Ark wyd 180 akl 2600 + 55 Zam 2870181 Cn 1 1010
a 9N81j337>3102 Tablica 1 Wymiary 5 Badania w arupie A B C id wg ark 00 P 5 1 Symbol wymiaru min Wymiary mm nom A 43 'Q 2541) 9 b 3 9D 53 9 D 1 45 F j 092 104 1 ) k 05 127 1) Wymiar teoretyczny max 53 053 58 49 l O l 16 12 Kęt stodnie nom 45 90 6; Wymagania szczes6łowe dla badań grudy A B C i D a) badanie podgrupy Al sprawdzenie wymiarów; A D l wg rysunku i tabl l b) badania podgrupy A2 A3 A4 i C2 wg tabl 2 c) badania grupy B C i D wg tabl 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy Bi C i D wg tabl 4 7 Pozostałe postanowienia wg ark 00 niniejszej normy Tablica 2 Parametry elektryczne podstawowe sprawdzane w badaniach podgrupy Ą2 A3 A4 i C2 Wartości graniczne Podgrupa Rodzaj Kontrolowany Metoda pomiaru Jedbadań badania parametr wg PN74jT01504 nostka BF 214 BF Warunki pomiaru 215 / min max nn max l 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Sprawdzenie pod CBO ark 05 UCB 10 Vi i O na 100 100 stawowych para A2 metrów elekt rycz U(BR)cBO ark 04 fc 10 pa; fe O V 30 nych U(BR)cW ark 03 fe 2 ma; B O V 30 30 U(BR )EBO ark 04 E 10!lA; c O V 4 45 h 2lE ark 01 C ' ma; U CE O\ 90 330 40 165 U BE ark 01 le 1 ma; U lo\ CE V 065 074 E f T ark 24 e '!1A ; U c 10V MHz Sprawdzenie dru 150 Al f 100 MH gorzł'dnych parae2 metrów elekt ryczfe 1 ma; [lee lov nych C 12es ark 23 pf 0;7 f MHz T bb C e ark 25 re 1 ma; U CE 10 V f 50 MHz ps 22 15 A4 Sprawdzenie Para metrów elllktrycznych w tumb 125 Oc (poziom V) J CBO ark 05 V Be 10 V; JE O!lA ' 50 50
BNS/33731 02 Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagąnla szczegółowe 1 2 3 4 81 C próba Ub metoda 2: 25 N; 3 cykle Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ua: 5 N Sprawdzenie szczelności próba a; poziom nieszczelności 6 3/ 665 10 Pat dm s 3 2 B3 B4 C4 Sprawdzenie wytrzymałości na spacl<i swobodne o Sprawdzenlewytrzymałoci na udary wielokrotne połoienie tranzystora w czasle spadarlla: wyprowadzeniami do góry mocowanie za obudow 4 B6 C6 Sprawdzenie odporności na nara:t:eola J<ład OB wg PN7B/T01515 elektryczne tabl 5 1E; 20 ma Uca 8 V 5 C3 Sprawdzenie masy wyrobu 05 g 6 C4 Sprawdzenie wytrzymałości na przyśpieszenla stałe i Sprawdzenie! wytrzymałości na wibracje o stałej czotllwo'cl kierunek probierczy: obydwa kierunki wzdłui osi wyprowadzeń mocowanie za obudowf mocowanie za obudow mocowanie za obudow 7 CO Sprawdzenie wymiarów wg rysunku i tabl S Dl Sprawdzenie odporncl na niskie ciśnie temperatura naraienia 25 0 C (poziom JakoSc i V) nie atmosfer vczne g 04 Sprawdzenl wytrzymałości na pleśń brak porostu pieśni po badaniu lo 05 Sprawdzenie wytrzymałości na mgł soln{l połoienie tranzystora dowolne Tablica 4 Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniach grupy Bi C i D (poziom V) Sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne Wartości graniczne Oznaczenie Metoda pomiaru Warunki Jednostliterowe wg pomiaru ka BF 214 BF 215 Podgrupa badań parametru PN74/T o 1504 mln max mln max 1 2 3 4 5 6 7 S g B C 83 B4 B5 CZ C4 C5 na 100 100 lcao ark 05 U ca lo V le O C7 Cg Oli) B5 C6 CS na 500 500 CZ 1)' ł A 50 50 h 21E ark Ol lc ma V CE 'OV B 83 B4 B5 C C2 C4 C5 go 330 40 165 C7 Cg B6 C6 CS 72 400 32 200 C2 1) 45 20 1)W czasie badania KONEC nformacje dodatkowe
nformacje dodi:ltkowe do BN81/337531 02 NFORMACJE DODATKOWE l nstytucia opracowujacl! normę NaukowoProdukcyjne Centrllm Półprzęwodnlk6w Warszawa 2 Normy zwiezane PN73/E0455000 Wyroby elektrotechniczne Proby środowlsrowe Postanowlenlaog61ne PN72/T 0150329 Elementy p6łprzewomlkowe Zarys wymiary Podstawa B12 PN?2/T 0150355 Elementy półprzewodnikowe Zarys wymiary Obudowa C7 PN74/T 0150401 Tranzystory Pomiar h napicle 21E 3 SymbolKTM BF 214 1156213406007 BF 2'1 5 1156213407008 4 Wall'tości dopuszczalne wg rys 11 i tabl Rezystancja termiczna zł{lcze otoczenie Rth(j_a)900 K/W Rezystancja termiczna zł{lcze obudowa R th (jc) :s;; 500 K/W 'F l1 er 2'5 V BE PN74/T 0150403 Tranzystory Pomiar naplć przebica V(BR) CEO)' V(BR) CES' U(BR) CER' D(BR )CEX ' PN74/T0150404 Tranzystory Pomiar napić \ V(BR )cao) i V{BR')EBO przebicia PN74/T Ot504 05 Tranzystory Pomiar pri\d6w wstecz nych lcbo i lebo PN74/'r 0150423 Tranzystory Pomiar paramet'r6w [ y ] w zakresie w cz PN74/T0150424 Tranzystory Pomiar modułu h 21e w zakresie w cz i czstotliwości f T PN74/T 0150425 Tranzystory Pomiar stałej czasowej sprz!enia zwrotnego T bb Cc PN78/T01515 ' Elementy p6łprzewoaoikowe Og6lne wymagania i badania sao 1\ \ RtaoCjo1:1 ZO la o ' V [\ ''''( r: 00 \ t' 1\ 55 15 t BN8113375 310211 BN79/337S31oo Elementy półprzewodnikowe Tranzy Rys 11 Zale!ność dopuszczalnej wartości całkowitej story małej mocy wielkiej częstotliwości Wymagania i badania Tablica 11 mocy wejściowej na wszystkich elektrodach od temperatury Ptot = f (tamb) 'Ptot f (tcase) Lp Oznaczenie parametru Wartości dopuszczalne Nazwa parametru Jednostka BF 214 BF 215 l 2 3 4 5 l V CBO Napit'c1e kolektorbaza V 30 2 V EBO Napięcie emitel'baza V 4 3 V CEO Naplcle kolektoremiter V 30 4 lc Pri\d kolektora ma 30 5 lb Pr{ld bazy ma l o 165 Całkowita moc wejściowa (stat amb 25 C mw 6 Plot ła lub śremla) na wszystkich o tccu 25 C 300 elektrodach 7 '; Temperatura zł{lcza Oc 175 8 t cmb Temperatura otoczenia w czasie pracy Oc :40 +125 S t lłu Temperatura przechowywąni a Oc 55 +175
nformacje dodatkowe do BN81/337531 02 s 5 Dane c harakterystycz np w g r ys 12 + 1_24 i tabl 12 l i l BF Zt BL! l a + i 6 4 to* 2S C lto!! 100 11> f 't r T 'OT &0 4ł A OJlA 2 ta ZO4lA 4 8 12 Utt [VJ 20 BN 81/3315 310212) e (ma] to % 8J: ZS / o O j ' f ta 2SoC 10mA 8mA SmA 4 h 2mA 04 O 2 4 6 UNCV] BN8173375 31 OZ 131 Rys 12 Charakterystyka wyjściowa fe f ( UCE); l B Rys 13 Charakterystyka wyjściowa fe f ( U eb ); f E ' parametr parametr ł (J F 214 SF 215 tll' : Z5 C le (n AJ 8r 214 BF ll5 lnmb a Z5 C ; 100 ad &0 40 20 UCf OV / / 02 04 06 O Uw [VJ 181\1 81/337$310213)' 12 10 6 4 z / J / ł' 40 Ue! : 10V j / 7 J 17 80 120 160 ł [pa) lsn 81/3375 31 OZ 1si Rys 14 Charakterystyka wejściowa f 8 fe U BE ) Rys 15 Charakterystyka przejściowa l e '; f (B )
6 nformacja dodatko_ do BN81/337S31 02 Bf Z BF 215 BFZ14 t4 U to O 05 04 02 ' Ut 10'1 8SoC ZS c 10 C 08 01 lc ' tllw ZsoC '''''' r f: 107HHz t' 0 10 1 2 5 BNli/33?S 3'102 15' '+ 12 1& za 24!BN 81/3375 3102 1 Rys 16 Zale!ność statystycznego wsp6łczynnika wzmognlenla prdówego znormalizowanego od pr{ldu kolektora h21e(n)joe) Rys 17 Zaleiność pojemności sprzęienia zwrotnego od napięcia C lu =1 (U CE ) f r CH lilii li 00 S DO 00 3 BF 214 8F 21S lilii ' Z 00 1 00 0 2 fol' UCE= DV UCE= S'ł t Q ZS C f 100MWz 4 1O lo 50 100 le (f'a SN 81/337$31 Oz si 15 '0 8F 214 l F 215 '\ '\ Un 10 V L s :: O ot l '0 to = ZSC f = 2S MNz SN S1l33753102t 91 ' Rys 18 Zaleiność CZttstotllwOŚi::1 granicznej od pr{ldu kolektora f T j (Je) Rys 1_9 Zaleiność stałej czasowej sprzęienia od pr{ldu emitera T bb Cc JUE ) zwrotnego
nformacje dodłltkowe do BN81/337531 02 1 ( F [d 8] is_ [n 8F Z15 t j l 'l; ' _ 1 z t 'l ' '1 ł t = ZS C Le ma G F lice 10V ł' '! ar 214 c tu rp 10 t (p C H! lw t' Uer 1111!VA li ' łi 10 łoo : f ('1Hr] BN8173375310Z1101 O lilii 1 to f MM' 817337$3102 111 Rys 110 Zale!ność wsp6łczynnlka szumów ' optymalnej konduktancjl od częstotliwości F G opl <t) J Rys 1 Zaletność parametrów Y od czstotllw06cl Yf(f) Y BF 214111101 1000 11111 (!H( to O(_ 10!:i 1/ 1111 JL j F ' gu! [ms1 Cne [pr] 10 t : '! CU t_! 'H ;:; 1 (p! f 11 1 10 f 11 l 1'*117 D1S:31 OZ1121 01 ' g'j' l lm Rys 112 Zalotność parametrów Y od częstotliwości Y=f(f) Rys 113 Zaletność admltancjl wejściowej od pr{ldu emitera gt; C llt j(le)
B nformacje dodatowe do BNB 1 /337531 02 ::t tli 25C ł' O5HHt YtlC [ls] le C J 8 Zl 8F 21S t(l rnd=2 C f :: Q5M\lt '00 t Ut t DV '000 'łe UC8' DY '\>'i 10 100 t' f 01 lylf Uca ldv 1 1'ł v 10 01 'Ytł! l BN81t337s 310211'f1 RN817331S 31021151 Rvs 114 Zale!ność 'admitancji i pr\łdu emi tera Yl 2e przenoszenia wstecz od j '1'1 2 e f (JE) Rys 115 Zale!ność admitancji przenoszenia w przód od prędu em itera Y 21e li'p 21!U E ) 9m M 214 (vsj &F 215 ' t++lftjft+h+h+ C tze fgtr:!:e jqort+l4h+l4+ll [pf] r++r+r++ 2 :$i BNB17331S 31021161 01 0 1 02 05 1 2 lan81733?s31oz1171 Rys 11'6 Zale!ność admitancji wyjściowej od prędu emitera 9 22e ; C 22e '! U E ) Rys 117 Zale!ność admitancji wejściowej od prędu emitera 9TbjCllb!UE)
nformacje dodatkowe do BN81j337531 02 ' ] t t t : 'f!i Ue! DO af 214 8f 215 ' ł 111711\1 tli''' lo ZS C 50 lo id ZV 5Y UW\Oy :ir to 'llt!pzl! / lita :; 10Y n tv ; li S Z 01 02 DS l l ' jaal 181 01 te lmal BN81/j1s3102X1gJ Rys 118 Zale!ność admitancji przenoszenia prędu emitera Y2eli'P2e f(le wstecz od Rys 1 19 Zale!ność admitancji przenoszenia w przód od pędu emitera Y? 'PZl = f ( ) _e' e E Cm (pf] 100 10 sr 214 f &F Z1S 4= ' 107HHz tli''' Z5 C gul l CU tv 5V Y lit OV )( V lx V /; V ZOl SV Uc 'ldv 9'1\ [S) 10 1 af ZlS f =100Hlh: tam 25 C c;:1dy/ Jc '0 D*!! 11\100' r; r/ 1 Ctll [pf] '00 o C l 01 l 18N=811337531021201 01 01 l Jr[d] lan81/33?531 02]211 Rys 120 Zale!ność admltancjl wyjściowej od prędu emitera 9 22e ; C ne 'f(1e ) Rys 121 Zale!ność admltancjl wejściowej od prdu emitera g ; Cl f(l ) le e E