Otrzymywanie polikryszta ów azotku glinu z dodatkiem tlenku itru

MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 64, 2, (2012), 214-218 www.ptcer.pl/mccm Otrzymywanie polikryszta ów azotku glinu z dodatkiem tlenku itru KAMIL JANKOWSKI*, DARIUSZ KATA, JERZY LIS AGH Akademia Górniczo Hutnicza, Wydzia In ynierii Materia owej i Ceramiki, KCiMO, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków *e-mail: kamilj@agh.edu.pl Streszczenie Polikryszta y azotku glinu charakteryzuj si wysokim wspó czynnikiem przewodzenia ciep a, dobr stabilno ci temperaturow i chemiczn oraz wysok wytrzyma o ci mechaniczn. AlN posiada w a ciwo ci piezoelektryczne i jest pó przewodnikiem szerokopasmowym. Dzi ki temu coraz szerzej jest stosowany w elektronice, energetyce j drowej oraz przemy le wojskowym. Najcz ciej polikryszta y azotku glinu s wytwarzane przez spiekanie z dodatkiem tlenku itru i tlenku glinu. Du a ilo dodatków obni a przewodnictwo cieplne tego tworzywa w zwi zku z czym w pracy starano si wytworzy polikryszta y AlN o jak najmniejszej ich zawarto ci. Zastosowano dwie metody otrzymywania polikryszta ów: prasowanie na gor co i spiekanie swobodne. Próbki prasowano na gor co w atmosferze azotu w temperaturze 1900 C przez 2 godziny. Polikryszta y bez ci nienia spiekano w atmosferze azotu w temperaturze 1830 C przez 5 godzin oraz 1900 C przez 2 godziny. Dla wszystkich próbek zosta y wyznaczone g sto ci pozorne metod Archimedesa. Celem sprawdzenia sk adu fazowego polikryszta ów zastosowano technik dyfrakcji rentgenowskiej. Na obrazach dyfrakcyjnych wykryto nast puj ce fazy: granat itrowo-glinowy (Y 3 Al 5 O 9 -YAG), perowskit itrowo-glinowy (YAlO 3 -YAP) oraz jednosko n faz itrowo-glinow (Y 4 Al 2 O 9 -YAM). Fazy te powsta y podczas procesu spiekania wskutek reakcji Y 2 O 3 z Al 2 O 3. Tlenek glinu znajdowa si w uk adzie w wyniku pasywacji ziaren proszku AlN u ytego do spiekania. Najwy szy wspó czynnik przewodzenia ciep a, wynosz cy 250 W/(m K), otrzymano dla polikryszta ów spiekanych swobodnie w temperaturze 1900 C przez 2 godziny i zawieraj cych 5% wag. Y 2 O 3. S owa kluczowe: AlN, spiekanie, Y 2 O 3, g sto, przewodnictwo cieplne PREPARATION OF POLYCRYSTALLINE ALUMINIUM NITRIDE WITH YTTRIA ADDITIVE Aluminium nitride polycrystals are characterized by high thermal conductivity, good temperature and chemical stability as well as good mechanical strength. AlN has piezoelectric properties and it is a broad-band semiconductor. Owing to that, it is more and more widely used in electronics, engineering, nuclear power engineering and military industry. AlN polycrystals are mostly produced through sintering doped with yttria and alumina additives. As large quantity of additives decreases thermal conductivity of AlN, in this paper polycrystals with the least possible amount of oxides were aspired to be produced. Two methods of obtaining the AlN polycrystals were used: hot pressing and pressureless sintering. Samples were hot pressed in the nitrogen atmosphere at 1900 C for 2 hours. Pressureless polycrystals were sintered in the nitrogen atmosphere at 1830 C for 5 hours and 1900 C for 2 hours. Densities of all the samples were examined by means of Archimedes method. To investigate phase composition of polycrystals, X-ray diffraction was used. On X-ray diffraction patterns, the following phases of Y-Al-O-N type were detected: yttrium aluminium Garnet (Y 3 Al 5 O 9 -YAG), yttrium aluminate perovskite (YAlO 3 -YAP), yttrium aluminium monoclinic (Y 4 Al 2 O 9 -YAM). These phases were established as a result of reaction Y 2 O 3 with Al 2 O 3 during sintering process. The presence of alumina in this system resulted from passivation of AlN powder being used for sintering. The highest factor of thermal conductivity, that is 250 W/(m K), was obtained for specimens pressurelessly sintered at 1900 C for 2 h, doped with 5 wt% Y 2 O 3. Keywords: AlN, Sintering, Y 2 O 3, Density, Heat conductivity 1. Wst p Azotek glinu po raz pierwszy zosta zsyntezowany w drugiej po owie XIX wieku, ale zacz to go stosowa dopiero w latach siedemdziesi tych XX wieku. Do metod otrzymywania azotku glinu zaliczymy metod karbotermincznej redukcji tlenku glinu, metod azotowania proszku glinu w atmosferze azotu lub amoniaku oraz metod SHS. Pierwsza z nich polega na redukcji tlenku glinu w glem w atmosferze azotu. Pocz tkowo rozdrobniony boksyt mieszany jest z w glem po czym tak mieszanin wygrzewa si w reaktorze w 1800 C w strumieniu azotu aby zasz a reakcja [1, 2]: Al 2 O 3 nh 2 O + 3C + N 2 2AlN + 3CO + nh 2 O. (1) Metod bezpo redniego azotowania proszku glinu przeprowadza si dwuetapowo. Pocz tkowo ziarna glinu wygrzewa si w temperaturze 500-600 C a do utworzenia nietopliwej warstwy azotku na powierzchni ziaren. Nast pnie temperatur reakcji podwy sza si do 1200-1300 C celem podniesienia wspó czynników dyfuzji reagentów przez utworzon warstw azotku. Reakcj utrzymuje si w tej temperaturze przez okres kilkunastu godzin od uzyskaniu stopnia przereagowania powy ej 98% [1]. Metoda SHS wykorzystuje wydzielaj ce si ciep o egzotermicznej reakcji syntezy azotku glinu. Mieszanin prosz- 214

OTRZYMYWANIE POLIKRYSZTA ÓW AZOTKU GLINU Z DODATKIEM TLENKU ITRU ków glinu i azotku glinu (50:50) umieszcza si w reaktorze, do którego pompuje si azot pod ci nieniem od 3 do 10 atm. Syntez zapocz tkowuje si w jednej cz ci z o a i nast pnie reakcja przebiega w sposób samopropaguj cy w warunkach zbli onych do adiabatycznych. Temperatura reakcji przekracza 2000 C, a szybko frontu propagacji uzale niona jest od ci nienia azotu i przyjmuje warto ci rz du kilkunastu centymetrów na minut. Azotek glinu krystalizuje w kilku uk adach krystalogra- cznych, najcz ciej w heksagonalnym o strukturze wurcytu (a = 3.111 Å, c = 4.980 Å), rzadziej w regularnym [2-4]. Spo- ród materia ów ceramicznych AlN wyró nia si interesuj cymi w a ciwo ciami zykochemicznymi. Posiada bardzo wysoki, jak na ceramik, wspó czynnik przewodzenia ciep a wynosz cy maksymalnie 319 W/(m K) [5]. Ponadto charakteryzuje si w a ciwo ciami piezoelektrycznymi i jest pó przewodnikiem szerokopasmowym, którego przerwa energetyczna wynosi 6,2 ev [6]. Jest materia em nietoksycznym i odpornym chemicznie w rodowisku kwa nym. AlN mo emy zakwali kowa do materia ów twardych; jego twardo mierzona metod Vickersa wynosi od 14 do 15 GPa [7]. Posiada równie dobre w asno ci mechaniczne: wytrzyma o na ciskanie wynosi oko o 2100 MPa, natomiast wytrzyma- o na zginanie przyjmuje warto ci 390-400 MPa. Ze wzgl du na swoje specy czne w a ciwo ci azotek glinu znalaz zastosowanie w wielu dziedzinach. Materia- y na bazie AlN stosuje si w elektronice, gdzie wykorzystywane s jako materia y pod o owe zast puj ce krzem. Zacz to produkowa mikro-chipy oraz sensory na bazie azotku glinu, który dzi ki wysokiemu przewodnictwu cieplnemu mo e znacznie szybciej i efektywniej odprowadza ciep o z uk adu, co przek ada si na wydajno ca ego uk adu elektronicznego. D ugo fali w ultra olecie dla AlN wynosi 210 nm. Z tego powodu znajduje zastosowanie w optoelektronice przy produkcji diod LED. Spieki oraz kompozyty ceramiczne oparte na azotku glinu znalaz y praktyczne wykorzystanie w energetyce j drowej, przemy le zbrojeniowym jako elementy radarów oraz sk adniki ochrony balistycznej pojazdów wojskowych [3,8]. Typowo proszki azotku glinu spiekane s z dodatkami u atwiaj cymi zag szczanie (tlenek itru, tlenek glinu). Du a ilo dodatków obni a przewodnictwo cieplne spieczonego tworzywa i zawsze wymaga optymalizacji. Dlatego celem tej pracy by o wytworzenie polikryszta ów AlN charakteryzuj cych si optymalnymi w a ciwo ciami przy jak najmniejszej zawarto ci dodatku, którym by Y 2 O 3. 2. Cz eksperymentalna 2.1. Przygotowanie proszków Jako substraty do otrzymania polikryszta ów AlN wykorzystano komercyjne proszki azotku glinu oraz tlenek itru rmy H.C. Starck. Mieszanin proszków AlN i Y 2 O 3 poddano homogenizacji na mokro przy u yciu alkoholu izopropylowego przez okres 24 godzin w m ynie kulowym, stosuj c mielniki z Si 3 N 4 o rednicy 5 mm. Po procesie ujednorodniania mielniki odseparowano od mieszaniny i wysuszono do sta ej masy w suszarce pró niowej w temperaturze 90 C. 2.2. Procedura przygotowania polikryszta ów AlN W celu otrzymania polikryszta ów azotku glinu zastosowano dwie metody: spiekanie swobodne i prasowanie na gor co. W przypadku spiekania swobodnego, próbki kszta towano poprzez wst pne zaprasowanie jednoosiowe, a nast pnie doprasowanie izostatyczne przy ci nieniu 250 MPa. Przygotowano seri próbek zawieraj cych od 1% do 10% wag. tlenku itru. Wypraski poddano procesowi spiekania w atmosferze azotu w 1830 C przez okres 5 godzin, oraz w 1900 C przez 2 godziny, stosuj c zasypk z proszku AlN. Po wytrzymaniu temperaturowym, polikryszta y ch odzono swobodnie z piecem do temperatury pokojowej przez okres 10 godzin. W przypadku metody prasowania na gor co proszek kszta towano bezpo rednio podczas procesu spiekania przy obci eniu 25 MPa w formie gra towej. Przygotowano polikryszta y zawieraj ce kolejno 0%, 2%, 4%, 8% i 10 % wag. Y 2 O 3. Prasowanie na gor co odbywa o si w temperaturze 1900 C wytrzymanej przez okres dwóch godziny. 2.3. Charakterystyka polikryszta ów otrzymanych polikryszta ów zosta a wyznaczona metod Archimedesa. Pomiaru dyfuzyjno ci cieplnej dokonano przy u yciu laserowej metody impulsowej na urz dzeniu LFA 427 rmy NETZSCH. Ciep o w a ciwe zmierzono za pomoc analizatora termicznego Netzsch STA 449 F3. Wspó czynnik przewodzenia ciep a obliczono ze wzoru: ( T ) ( T ) ( T ) cp( T ), (2) gdzie (T) przewodnictwo cieplne [W/(m K)], (T) dyfuzyjno cieplna [mm 2 /s], (T) g sto, c p (T) ciep o w a ciwe [J/(g K)]. Do obserwacji mikrostruktury polikryszta ów pos u y mikroskop elektronowy SEM Nova 200 NanoSEM. Przy u yciu aparatury Philips X Pert Pro MD Seifert-FPM XRD7 wykonano seri bada strukturalnych XRD w celu identy kacji powsta ych faz. 3. Wyniki 3.1. Spiekanie Podczas procesu prasowania na gor co na próbk wywierany by sta y nacisk 25 MPa. Rozszerzalno termiczna materia u prowadzi a do pocz tkowego zwi kszenia si wymiarów próbki, po czym nast pi skurcz wywo any spiekaniem. Pod koniec procesu prasowania na gor co wyst pi efekt plateau, co przy sta ej temperaturze oznacza o uzyskanie maksymalnego w danych warunkach zag szczenia materia u. Warunki procesu spiekania pod ci nieniem przedstawiono na Rys. 1. Próbki spiekane swobodnie w temperaturze 1830 C charakteryzowa y si niskim stopniem zag szczenia co oznacza, e by y porowate. Ich g sto mala a od 92% do 84% wraz z podwy szeniem zawarto ci tlenku itru z 4% do 8% wag. Podwy szenie temperatury spiekania do 1900 C spowodowa o otrzymanie g stych polikryszta ów, charakteryzuj cych si stopniem zag szczenia powy ej MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 64, 2, (2012) 215

K. JANKOWSKI, D. KATA, J. LIS Rys. 1. Krzywe procesu spiekania pod ci nieniem. Fig. 1. Hot pressing process diagrams. 97,5%. Polikryszta y otrzymane metod prasowania na gor co w temperaturze 1900 C osi gn y warto ci g sto ci wzgl dnej blisko 100%. Ich g sto waha a si od 3,24 do 3,27 g/cm 3. Wyniki badania g sto ci umieszczono w Tabeli 1. 3.2. Pomiary przewodnictwa W przypadku kszta tek otrzymanych na drodze spiekania pod ci nieniem w temperaturze 1900 C najwy sze przewodnictwo cieplne wynios o 140 W/(m K). Osi gni to to dla polikryszta u zawieraj cego 10% wag. Y 2 O 3. W przypadku próbek spiekanych swobodnie w temperaturze 1830 C maksymalna warto przewodnictwa cieplnego wynios a 195W/(m K) przy dodatku Y 2 O 3 wynosz cym 4% wag. Najwy sze warto ci wspó czynnika przewodzenia ciep a posiada y polikryszta y spiekane swobodnie w temperaturze 1900 C. Maksymalne przewodnictwo cieplne wynosz ce 250W/(m K) uzyskano w przypadku próbki zawieraj cej 5% wag. Y 2 O 3. 3.3. Obserwacja mikrostruktury Obrazy mikrostruktur próbek spiekanych swobodnie w temperaturze 1830 C, zawieraj cych 4% wag. Y 2 O 3, oraz spiekanych pod ci nieniem w temperaturze 1830 C, zawieraj cych 7% wag. Y 2 O 3, zosta y przedstawione odpowiednio na Rys. 2a i 2b. Mikrostruktury spiekanych swobodnie próbek w temperaturze 1900 C, zawieraj cych 5% wag. Y 2 O 3, oraz spiekanych pod ci nieniem w temperaturze 1900 C, zawieraj cych 10% wag. Y 2 O 3, zosta y przedstawione na Rys. 3a i 3b. Na Rys. 2a mikrostruktura polikryszta u uwidoczni a dobrze ukszta towane ziarna, w których k t dwu cienny wi kszo ci punktów potrójnych wynosi w przybli eniu 60. rednia wielko ziaren dla tego polikryszta u wynios a 5,5 m. Mikrostruktura ujawni a nieliczne pory wyst puj ce wewn trz ziaren AlN. Na obrazie mikrostruktury mo na równie zauwa y pory wyst puj ce na granicach mi dzyziarnowych. W polikrysztale spiekanym pod ci nieniem (Rys 2 mo na zauwa y nie rozpuszczone ziarna tlenku itru. rednia wielko ziaren wynios a 3 m. Na obrazie mikrostruktury polikryszta u otrzymanego na drodze spiekania swobodnego w temperaturze 1900 C, zawieraj cego 5% wag. Y 2 O 3, (Rys 3a) zaobserwowano kilkakrotnie wi ksze ziarna, w porównaniu z polikryszta ami uzyskanymi t sam drog w temperaturze 1830 C. rednia wielko ziaren wynios a oko o 20 m. K t dwu cienny wi kszo ci punktów potrójnych wynosi w przybli eniu 60. Przestrze punktów potrójnych podobnie jak poprzednio by a wype niona faz ciek. Zdj cie mikrostruktury ujawni- o sporadyczne wyst powanie porów wewn trz- i mi dzyziarnowych. Mikrostruktura polikryszta u spiekanego pod ci nieniem (Rys. 3 jest jednorodna z wyra nie wyst puj cymi punktami potrójnymi o k cie zbli onym do 120. rednia wielko ziaren wynios a 7 m. 3.4. Badania strukturalne XRD Badania strukturalne XRD wykonano w zakresie k towym 2 od do. Wyniki analizy rentgenowskiej polikryszta ów spiekanych swobodnie w temperaturze 1900 C, zawieraj cych 2% oraz 8% wag. dodatku Y 2 O 3, przedstawia odpowiednio Rys. 4a i 4b. Warto ci po o e pików w funkcji k ta 2 odczytane z dyfraktogramu pokazanego na Rys. Tabela 1. Wyniki pomiarów g sto ci. Table1. Density measurement results. Spiekanie swobodnie w 1830 C przez 5h Spiekanie pod ci nieniem w 1900 C przez 2h Spiekanie swobodnie w zasypce 1900 C przez 3h Y 2 O 3 % [wag.] Y 2 O 3 [% wag.] Y 2 O 3 [% wag.] 4% 3,04 92,41 0% 3,24 99,34 1% 3,15 96,45 5% 2,97 90,08 2% 3,25 99,32 2% 3,18 97,61 6% 2,92 88,37 4% 3,26 99,01 3% 3,22 98,64 7% 2,83 85,45 8% 3,27 98,49 4% 3,18 97,60 8% 2,79 84,06 10% 3,28 98,26 5% 3,19 97,94 6% 3,13 95,93 7% 3,21 98,47 8% 3,15 96,43 9% 3,24 99,39 10% 3,22 98,73 216 MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 64, 2, (2012)

OTRZYMYWANIE POLIKRYSZTA ÓW AZOTKU GLINU Z DODATKIEM TLENKU ITRU no ci wzgl dem ziaren azotku glinu faza ta w znacz cy sposób u atwia uzyskanie wysokiego stopnia zag szczenia ziaren AlN. Na podstawie teorii spiekania z faz ciek mo na przypuszcza, e drobne ziarna azotku glinu rozpuszczaj si w fazie ciek ej prowadz c do przesycenia si roztworu wzgl dem du ych ziaren, co skutkuje wykrystalizowaniem fazy sta ej na ich powierzchni. Dzi ki temu przestrze mi dzyziarnowa zostaje wype niona nowopowsta faz sta- oraz faz ciek, co prowadzi do wysokiego stopnia zag szczenia materia u [9]. Schemat procesu spiekania azotku glinu z tlenkiem itru zosta przedstawiony na rysunku 5. W zale no ci od ilo ci dodatku Y 2 O 3 tworz si nast puj ce fazy: granat itrowo-glinowy krystalizuj cy w uk adzie regularnym (Y 3 Al 5 O 9 -YAG), perowskit itrowo-glinowy krystalizuj cy w uk adzie rombowym lub heksagonalnym (YAlO 3 -YAP) i jednosko na faza itrowo-glinowa, krystalizuj a) a) 4a odpowiadaj fazom AlN i YAG. Oszacowana zawarto fazy AlN wynios a 98,3% wag., a fazy YAG 1,7% wag. Analiza rentgenogramu widocznego na Rys. 4b wykaza a wyst powanie 91,8% wag. fazy AlN, 7,8% wag. fazy YAM oraz 0,4% wag. Y 2 O 3. Na podstawie analizy obrazów dyfrakcji rentgenowskiej zauwa ono, e wraz ze wzrostem zawarto- ci tlenku itru faza YAG przechodzi stopniowo w faz YAP, a nast pnie w faz YAM. 4. Dyskusja Rys. 2. Obrazy mikrostruktur polikryszta ów otrzymanych w temperaturze 1830 C: a) 4% wag. Y 2 O 3, spiekanie swobodne; 7% wag. Y 2 O 3, spiekanie pod ci nieniem. Fig. 2. Microstructures of polycrystals obtained at 1830 C: a) 4 wt% Y 2 O 3, pressureless sintering; 7 wt%. Y 2 O 3, hot pressing. Rys. 3. Obrazy mikrostruktur polikryszta ów otrzymanych w temperaturze 1900 C: a) 5% wag. Y 2 O 3, spiekanie swobodne; 10% wag. Y 2 O 3, spiekanie pod ci nieniem. Fig. 3. Microstructures of polycrystals obtained at 1900 C: a) 5 wt% Y 2 O 3, pressureless sintering; 10 wt%. Y 2 O 3, hot pressing. W powietrzu azotek glinu w postaci drobnego proszku ulega pasywacji, w wyniku czego na powierzchni ziaren AlN tworzy si Al 2 O 3. Podczas procesu spiekania tlenek glinu reaguje z tlenkiem itru tworz c w ten sposób faz ciek o sk adzie pochodz cym z uk adu Y-Al-O-N. Dzi ki dobrej zwil al- MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 64, 2, (2012) 217

K. JANKOWSKI, D. KATA, J. LIS 8% wag. powsta YAM oraz Y 2 O 3. Na podstawie tych danych oszacowano, e zawarto Al 2 O 3 w AlN nie przekracza a 1,5% wag. 5. Podsumowanie i wnioski a) Rys. 4. Obrazy dyfrakcji rentgenowskiej polikryszta ów spiekanych swobodnie w temperaturze 1900 C, zawieraj cych: a) 2% wag. dodatku Y 2 O 3, 8% wag. dodatku Y 2 O 3. Fig. 4. X-ray diffraction patterns of polycrystals pressurelessly sintered at 1900 C: a) doped with 2 wt%. Y 2 O 3, doped with 8 wt% Y 2 O 3. Rys. 5 Schemat procesu spiekania azotku glinu z dodatkiem tlenku itru [10]. Fig. 5. Scheme of sintering process of aluminium nitride with yttria additives [10]. ca w uk adzie jednosko nym (Y 4 Al 2 O 9 -YAM). Poniewa faza Y 4 Al 2 O 9 YAM jest energetycznie uprzywilejowana, podczas procesu spiekania tworzy si jako pierwsza [11]. Wraz ze wzrostem temperatury pojawiaj si kolejne fazy YAlO 3 YAP oraz Y 3 Al 5 O 9 YAG. Stosunek Y 2 O 3 -Al 2 O 3 wynosi dla YAG 3:5, dla YAP 1:1 i dla YAM 2:1. Im mniejsza zawarto Al 2 O 3 w fazie ciek ej tym wy szy jest jej wspó czynnik przewodnictwa cieplnego [12]. Z punktu widzenia przewodno ci cieplnej wyst powanie fazy YAM jest najbardziej po dane. W tym celu nale y dobra odpowiedni ilo dodatku tlenku itru w zale no ci od ilo ci Al 2 O 3 w AlN. Z drugiej strony, zbyt du a ilo dodatku Y 2 O 3 powoduje pogorszenie przewodno ci cieplnej. Z tego powodu niska zawarto tlenu w azotku glinu jest tak istotna dla otrzymywania polikryszta ów o wysokim wspó czynniku. Dodatek tlenku itru na poziomie 2% wag. powodowa powstanie fazy YAG, przy wi kszych ilo ciach dodatku wynosz cych Polikryszta y azotku glinu zosta y otrzymane dwoma metodami spiekania: swobodnego i prasowania na gor co, w temperaturach 1830 C oraz 1900 C. Temperatura spiekania AlN w 1830 C okaza a si niewystarczaj ca. Próbki spiekane swobodnie by y porowate o niskim stopniu spieczenia, a spiekane pod ci nieniem posiada y wtr cenia nie rozpuszczonej fazy z uk adu Y-Al-O-N. Polikryszta y otrzymane w temperaturze 1900 C odznacza y si zdecydowanie lepszymi warto ciami wspó czynnika przewodzenia ciep a, wy szymi g sto ciami oraz dobrze rozwini t mikrostruktur. Kszta tki otrzymane metod spiekania pod ci nieniem uzyska y g sto blisk 100% warto ci g sto ci teoretycznej. Polikryszta y spiekane swobodnie uzyska y najwy sze ze wszystkich warto ci przewodnictwa. Dzi ki ustaleniu optymalnych warunków spiekania, doborowi odpowiedniej ilo ci dodatku tlenku itru oraz mody kacji mikrostruktury uda o si osi gn przewodnictwo cieplne na poziomie 250 W/(m K). Podzi kowanie Prac wykonano dzi ki nansowemu wsparciu funduszy Unijnych w ramach projektu TERMET Nowe materia- y konstrukcyjne o podwy szonej przewodno ci cieplnej nr POIG.01.01.02-00-97/09-01. Literatura [1] Haussonne F.J.M.: Review of the Synthesis Methods for AIN. Materials and Manufacturing Processes,Vol. 10, Issue 4, 1995. [2] Pathak L.C., Ray A.K., Das S., Sivaramakrishnan C.S., Ramachandrarao P.: Carbothermal Synthesis of Nanocrystalline Aluminium Nitride Powders, J. Am. Ceram. Soc., 82, (1999), 257. [3] J. Lis: Spiekalne proszki zwi zków kowalencyjnych otrzymywane metod SHS, PTC, Kraków, 1994. [4] Komeyaa K., Tatami J.: Liquid Phase Sintering of Aluminum Nitride, Mater. Sci. Forum, 554, (2007), 181-188. [5] Slack G.A.: Nonmetallic crystals with high thermal conductivity, J. Phys. Chem. Solids, 34, 2, (1973), 321-335. [6] Molony B.: Technology and Investment, Harvard College, 1990. [7] Mandal S., Dhargupta K.: Gas pressure sintering of SiC-AlN composites in nitrogen atmosphere, Ceram. Int., 28 (2002), 145-151. [8] Taniyasu Y., Kasu M., Makimoto T.: An aluminium nitride lightemitting diode with a wavelength of 210 nanometers, Nature, 441, (2006), 325-328. [9] Pampuch R., Haberko K., Kordek M.: Nauka o procesach ceramicznych, PWN, Warszawa, 1992. [10] Medraj M.: Phase Equilibria in the AlN-Al 2 O 3 -Y 2 O 3 System - Utility in AlN Processing, McGill University Montreal Canada, rozprawa doktorska, 2001. [11] Zhou H., Liu Y., Miao W., Wu Y.: Effects of binary additives B 2 O 3 -Y 2 O 3 on the microstructure and thermal conductivity of aluminum nitride ceramics, J. Mater. Sci., 34, (1999), 6165 6168 [12] Jackson T.B., Virkar A.V., More K.L., Dinwiddie R.B. Jr., Butler R.A.: High-Thermal-Conductivity Aluminum Nitride Ceramics: The Effect of Thermodynamic, Kinetic, and Microstructural Factors, J. Am. Ceram. Soc., 80, 6, (1997), 1421 35. Otrzymano 14 grudnia 2011, zakceptowano 18 stycznia 2012 218 MATERIA Y CERAMICZNE /CERAMIC MATERIALS/, 64, 2, (2012)