Materiały i technologie w elektrotechnice i elektronice wykład I

Podobne dokumenty
Laboratorium inżynierii materiałowej LIM

Fizyka i inżynieria materiałów Prowadzący: Ryszard Pawlak, Ewa Korzeniewska, Jacek Rymaszewski, Marcin Lebioda, Mariusz Tomczyk, Maria Walczak

Zaburzenia periodyczności sieci krystalicznej

Fizyka 2. Janusz Andrzejewski

Elektryczne właściwości materii. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W10) Szkoły Policealnej Zawodowej.

Zjawiska zachodzące w półprzewodnikach Przewodniki samoistne i niesamoistne

Przewodność elektryczna ciał stałych. Elektryczne własności ciał stałych Izolatory, metale i półprzewodniki

Pasmowa teoria przewodnictwa. Anna Pietnoczka

Elektryczne własności ciał stałych

Właściwości kryształów

STRUKTURA IDEALNYCH KRYSZTAŁÓW

2. Półprzewodniki. Istnieje duża jakościowa różnica między właściwościami elektrofizycznymi półprzewodników, przewodników i dielektryków.

Opis efektów kształcenia dla modułu zajęć

Struktura materiałów. Zakres tematyczny. Politechnika Rzeszowska - Materiały lotnicze - I LD / dr inż. Maciej Motyka.

TEORIA PASMOWA CIAŁ STAŁYCH

Spis treści. Przedmowa 9

Nauka o Materiałach Wykład II Monokryształy Jerzy Lis

MATERIAŁOZNAWSTWO. Prof. dr hab. inż. Andrzej Zieliński Katedra Inżynierii Materiałowej Pok. 204

Opis przedmiotu: Materiałoznawstwo

LABORATORIUM Z FIZYKI

Fizyka Ciała Stałego. Struktura krystaliczna. Struktura amorficzna

INŻYNIERIA NOWYCH MATERIAŁÓW

Stany skupienia materii

Fizyka Ciała Stałego. Struktura krystaliczna. Struktura amorficzna

Transportu Politechniki Warszawskiej, Zakład Podstaw Budowy Urządzeń Transportowych B. Ogólna charakterystyka przedmiotu

Karta (sylabus) modułu/przedmiotu ELEKTROTECHNIKA (Nazwa kierunku studiów)

Ćwiczenie 5 BADANIE ZALEŻNOŚCI PRZEWODNICTWA ELEKTRYCZNEGO PÓŁPRZEWODNIKA OD TEMPERATURY 1.WIADOMOŚCI OGÓLNE

Wykład V Wiązanie kowalencyjne. Półprzewodniki

Elektryczne właściwości materiałów. Materiały dydaktyczne dla kierunku Technik Optyk (W12) Kwalifikacyjnego kursu zawodowego.

Przyrządy i układy półprzewodnikowe

Wykład XIV: Właściwości optyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Technologii Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Rok akademicki: 2016/2017 Kod: EEL n Punkty ECTS: 4. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: -

S. Baran - Podstawy fizyki materii skondensowanej Wiązania chemiczne w ciałach stałych. Wiązania chemiczne w ciałach stałych

Teoria pasmowa ciał stałych

Właściwości materii. Bogdan Walkowiak. Zakład Biofizyki Instytut Inżynierii Materiałowej Politechnika Łódzka. 18 listopada 2014 Biophysics 1

Budowa ciał stałych. sieć krystaliczna układy krystalograficzne sieć realna defekty wiązania w ciałach stałych

Atomy wieloelektronowe

Właściwości optyczne. Oddziaływanie światła z materiałem. Widmo światła widzialnego MATERIAŁ

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Podstawy fizyki wykład 4

Elementy teorii powierzchni metali

Podstawy krystalografii

30/01/2018. Wykład XI: Właściwości elektryczne. Treść wykładu: Wprowadzenie

Fizyka Ciała Stałego

Dr inż. Zbigniew Szklarski

Funkcja rozkładu Fermiego-Diraca w różnych temperaturach

r. akad. 2012/2013 Podstawy Procesów i wykład XIII - XIV Zakład Biofizyki

Rozszczepienie poziomów atomowych

Model wiązania kowalencyjnego cząsteczka H 2

Podział ciał stałych ze względu na strukturę atomowo-cząsteczkową

Ciała stałe. Literatura: Halliday, Resnick, Walker, t. 5, rozdz. 42 Orear, t. 2, rozdz. 28 Young, Friedman, rozdz

WIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE

Wykład IX: Odkształcenie materiałów - właściwości plastyczne

30/01/2018. Wykład XII: Właściwości magnetyczne. Zachowanie materiału w polu magnetycznym znajduje zastosowanie w wielu materiałach funkcjonalnych

Wykład XIII: Właściwości magnetyczne. JERZY LIS Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki Katedra Ceramiki i Materiałów Ogniotrwałych

Rok akademicki: 2016/2017 Kod: NIM s Punkty ECTS: 5. Poziom studiów: Studia I stopnia Forma i tryb studiów: Stacjonarne

STRUKTURA PASM ENERGETYCZNYCH

Zasady obsadzania poziomów

Przerwa energetyczna w germanie

Materiałoznawstwo. Wzornictwo Przemysłowe I stopień ogólnoakademicki stacjonarne wszystkie Katedra Technik Komputerowych i Uzbrojenia

STRUKTURA CIAŁA STAŁEGO

Ciała stałe. Ciała krystaliczne. Ciała amorficzne. Bardzo często mamy do czynienia z ciałami polikrystalicznymi, rzadko monokryształami.

Nauka o Materiałach. Wykład IX. Odkształcenie materiałów właściwości plastyczne. Jerzy Lis

Elektryczne własności ciał stałych

Wykład VI. Teoria pasmowa ciał stałych

Uniwersytet Śląski w Katowicach str. 1 Wydział

Elektryczne własności ciał stałych

WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE PLASTYCZNOŚĆ. Zmiany makroskopowe. Zmiany makroskopowe

Sylabus modułu kształcenia/przedmiotu

Właściwości chemiczne i fizyczne pierwiastków powtarzają się w pewnym cyklu (zebrane w grupy 2, 8, 8, 18, 18, 32 pierwiastków).

Wykład III. Teoria pasmowa ciał stałych

Pytania z przedmiotu Inżynieria materiałowa

Podstawowe właściwości fizyczne półprzewodników WYKŁAD 1 SMK J. Hennel: Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, WNT, W-wa 2003

Kierunek i poziom studiów: Chemia budowlana, II stopień Sylabus modułu: Chemia ciała stałego 0310-CH-S2-B-065

STRUKTURA MATERIAŁÓW

Cel ćwiczenia: Wyznaczenie szerokości przerwy energetycznej przez pomiar zależności oporności elektrycznej monokryształu germanu od temperatury.

Teoria pasmowa. Anna Pietnoczka

WIĄZANIA. Co sprawia, że ciała stałe istnieją i są stabilne? PRZYCIĄGANIE ODPYCHANIE

Materiałoznawstwo Materials science. Transport I stopień (I stopień / II stopień) Ogólnoakademicki (ogólno akademicki / praktyczny)

Teoria pasmowa ciał stałych Zastosowanie półprzewodników

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA w elektronice

STRUKTURA MATERIAŁÓW. Opracowanie: Dr hab.inż. Joanna Hucińska

Materiałoznawstwo Materials science. Automaryka i Robotyka I stopień (I stopień / II stopień) Ogólno akademicki (ogólno akademicki / praktyczny)

Fizyka 3.3. prof.dr hab. Ewa Popko p.231a

Struktura pasmowa ciał stałych

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej. Mateusz Goryca

Budowa i podstawowe własności materiałów. Prof. dr hab. inż. Grzegorz Karwasz Tel Pokój 570

Wiązania chemiczne. Związek klasyfikacji ciał krystalicznych z charakterem wiązań atomowych. 5 typów wiązań

Informacje ogólne. 45 min. test na podstawie wykładu Zaliczenie ćwiczeń na podstawie prezentacji Punkty: test: 60 %, prezentacja: 40 %.

NIEDOSKONAŁOŚCI BUDOWY CIAŁA STAŁEGO KRYSZTAŁY RZECZYWISTE.

Uniwersytet Śląski w Katowicach str. 1 Wydział

Plan studiów ZMiN, II stopień, obowiązujący od roku 2017/18 A. Specjalizacja fotonika i nanotechnologia

Materiałoznawstwo elektryczne Electric Materials Science

Właściwości magnetyczne materii. dr inż. Romuald Kędzierski

P R A C O W N I A

Materiały fotoniczne

Integralność konstrukcji

Własności magnetyczne materii

Transkrypt:

Materiały i technologie w elektrotechnice i elektronice wykład I Instytut Systemów Inżynierii Elektrycznej Zakład Inżynierii Materiałowej i Systemów Pomiarowych, ul Stefanowskiego 18/22 IV p. pok. 412 dr inż. Maria Walczak tel. 42 631 25 13, mwalczak@matel.p.lodz.pl Organizacja semestru 14 godzin wykładu 1 godzina kolokwium 15 godzin laboratorium- 7 kolokwiów laboratoryjnych do każdego ćwiczenia http:/matel.p.lodz.pl, Zakładka- Informacje dla studentów, użytkownik : student, 3 X 2013 2 Plan wykładu Istota inżynierii materiałowej w elektrotechnice i elektronicebudowa materiałów, defekty struktury Właściwości materiałów- przewodnictwo elektryczne, właściwości termiczne, elektromagnetyczne Materiały w urządzeniach elektrycznych i elektronicznych: Przewodniki- materiały przewodowe, przewodniki cienkowarstwowe, kompozyty Nadprzewodniki Półprzewodniki Materiały elektroizolacyjne Magnetyki Czynniki narażeniowe, starzenie, metody ochrony Technologie inżynierii materiałowej- elektronowe, laserowe, plazmowe, próżniowe, mikroelektroniczne, nanotechnologie 3 X 2013 3 Komputery Elektronika Układy automatyki i sterowania, klawiatury Elektronika użytkowa( TV, radioodbiorniki, telekomunikacja itp..) Elementy elektroniczne i układy różnego stosowania, MEMS, MOEMS, czujniki, mikrokontrolery Aparatura medyczna Lasery 3 X 2013 4 Urządzenie elektroniczne a jego schemat 1 Urządzenie elektroniczne a jego schemat 2 [1] [1] Elektronika praktyczna 1/2008, Tomasz Włostowski Wolfenstein 3D na str.9-11 www.ep.com.pl 3 X 2013 5 3 X 2013 6 1

Płytka PCB [1] Wykaz elementów do układu: Rezystory Kondensatory Półprzewodnikidiody, tranzystory i układy scalone Inne- rezonator kwarcowy Wyświetlacz Podstawki 3 X 2013 7 3 X 2013 8 Elektroenergetyka Elektrotechnika Trakcja, linie przesyłowe Maszyny elektryczne i transformatory Elektrotechnika samochodowa- czujniki, MEMS Systemy grzewcze, wentylacyjne, klimatyzacyjne 3 X 2013 9 3 X 2013 10 Czy potrafimy żyć bez energii elektrycznej? Ujarzmienie prądu elektrycznego nastąpiło dzięki rozwojowi inżynierii materiałowej. Ciało stałe - skupisko wielkiej liczby elementów: w 1 cm 3 ~ 10 23 atomów!!!!!!!!!! Zdobycze Fizyki Ciała Stałego - przykłady Elektronika półprzewodników: od tranzystora do mikroprocesora Lasery: telekomunikacja, zastosowania technologiczne, zapis i odczyt informacji, medycyna Inżynieria materiałowa: półprzewodniki, nanomateriały, supersieci, nadprzewodniki i ferromagnetyki, materiały cienkowarstwowe,polimery fluorescencyjne i przewodzące, materiały fotoniczne i optyczne, materiały żaroodporne, trudnotopliwe 3 X 2013 11 3 X 2013 12 2

Zdobycze Fizyki Ciała Stałego Zdobycze Fizyki Ciała Stałego Tranzystor grudzień 1947 Bardeen, Bratain, Schockley Procesor Intel i7-3770k 2012 Procesor Intel i7-3770k Ivy Bridge (2012) 160 mm 2 technologia 22 nm 1,4 miliarda tranzystorów!!!! 3 X 2013 13 160 mm 2 1,4 miliarda tranzystorów!!!! technologia 22 nm 3 X 2013 14 PRZEWODNIKI metale, stopy metali - materiały przewodowe, warstwy grube i cienkie NADPRZEWODNIKI = 0 Klasyfikacja materiałów ze względu na przewodnictwo elektryczne kryterium rezystywność ρ lub szerokość pasma zabronionego W g PÓŁPRZEWODNIKI krzem, german, arsenek galu - podzespoły elektroniczne W g DIELEKTRYKI powietrze, szkło, guma, tworzywa sztuczne - izolacja, obudowy urządzeń 3 X 2013 15 DIAMAGNETYKI μ r < 1 np. złoto, miedź, grafit Klasyfikacja materiałów ze względu na właściwości magnetyczne kryterium przenikalność magnetyczna względna μ r (miara zdolności do magnesowania) i zachowanie w zewnętrznym polu magnetycznym PARAMAGNETYKI μ r > 1 np. aluminium, sód FERROMAGNETYKI i FERRIMAGNETYKI μ r >> 1 żelazo, nikiel, kobalt stopy: np. stal, stopy żelazowo-niklowe spieki (ferryty) zastosowanie: obwody magnetyczne np. transformatorów, magnesy trwałe, zapis informacji 3 X 2013 16 Budowa ciał stałych Z czego wynikają zróżnicowane właściwości ciał stałych? Powstawanie ciał stałych Rodzaje budowy ciał stałych Ciała krystaliczne (monokryształy, polikrystaliczne) Ciała amorficzne Polimery Kompozyty (ciała o budowie złożonej) 3 X 2013 17 3 X 2013 18 3

Budowa ciał stałych Budowa ciał stałych - wiązania Ciała stałe krystaliczne Atomy rozmieszczone w ściśle określony sposób w całej objętości monokryształu. Ciała stałe powstają z cieczy poprzez zestalanie, najczęściej w wyniku procesu krystalizacji. Ciała stałe amorficzne Brak porządku geometrycznego poza obszarem najbliższych sąsiadów Ciała stałe amorficzne powstają poprzez zwiększenie lepkości cieczy przy obniżaniu temperatury. Siły odpychające - bliskiego zasięgu Wynikają z: 1 0 - zasady nieoznaczoności; 2 0 kwantowej natury atomów Siły przyciągające - dalekiego zasięgu Wynikają z oddziaływania elektromagnetycznego U min U R O R 3 X 2013 19 3 X 2013 20 Budowa ciał stałych - wiązania Budowa ciał stałych - struktura krystaliczna Wiązanie jonowe Kryształy jonowe Wiązanie kowalencyjne Wiązanie metaliczne T Na + Cl - Wiązania van der Waalsa 14 typów sieci krystalicznych 7 układów krystalograficznych, zbudowanych na figurach geometrycznych - komórki prymitywne. siły Van der Waalsa 3 X 2013 21 7 dodatkowych układów krystalograficznych, poprzez umieszczenie dodatkowych węzłów sieci na przecięciu się przekątnych głównych komórki prymitywnej lub na przecięciu się przekątnych ścian bocznych. 3 X 2013 22 Struktura krystaliczna - defekty Właściwości rzeczywistych ciał stałych silnie zależą od różnorodnych odstępstw od idealnej budowy, czyli defektów struktury Defekty liniowe kryształów Dyslokacja krawędziowa (liniowa) Defekty punktowe defekt Schottky ego atom międzywęzłowy defekt Frenkla Dla miedzi w pobliżu temperatury topnienia (1356 K) domieszki substytucyjne i międzywęzłowe Istnienie dyslokacji tłumaczy, dlaczego obserwowane wytrzymałości mechaniczne materiałów są 10 3-10 4 razy mniejsze od teoretycznych (materiałów bez defektów). 3 X 2013 1 atom na ok. 1300 nie jest na swoim miejscu 3 X 2013 24 23 4

Defekty przestrzenne kryształów Dyslokacja śrubowa Błędy ułożenia Ciała niekrystaliczne - polimery Polimery materiały organiczne zbudowane ze związków węgla, wodoru i pierwiastkow niemetalicznych Cechy polimerów Granice ziaren 3 X 2013 25 Mery silnie powiązane w długie łańcuchy, dzięki skłonności do uwspólniania par elektronów (silne wiązania kowalencyjne) Elastomery - niewielki stopień usieciowania duża podatność na odkształcenia nietrwałe (guma) Termoplasty Termoutwardzalne (duże możliwości modyfikacji właściwości) 3 X 2013 26 Ciała niekrystaliczne - polimery atom C atom H 3 X 2013 27 3 X 2013 28 W pojedynczym atomie - dyskretne, skwantowane wartości energii elektronów. Jeżeli atomy znajdują się w dużej odległości - w każdym z nich takie same poziomy energii potencjalnej elektronów. Na Na V= 0 V 2s 2 1s 1 3s 1 3s 1 2p 6 2p 6 x> > a 3 X 2013 29 2s 2 1s 1 V Zbliżanie atomów na odległość (rzędu stałej sieci krystalicznej) powoduje rozszczepienie poziomów energetycznych na szereg podpoziomów, nieznacznie od siebie odległych (zakaz Pauliego). Na Na Na Na V x= a Różnice pomiędzy podpoziomami: 10-23 ev, czyli prawie ciągłe widmo energii w granicach pasma. 2s 1s Pasma energii dozwolonej oddzielone są pasmami zabronionymi 3 X 2013 30 3s 2p 5

Właściwości elektryczne ciał są określone przez wzajemne usytuowanie pasma walencyjnego i pasma przewodnictwa E 0 Elektrony w sieci krystalicznej Pasma przewodnictwa Pasma walencyjne Pasma zabronione Pasma wewnętrzne (całkowicie zapełnione) dielektryk przewodnik półprzewodnik 3 X 2013 31 3 X 2013 32 Surowce- materiał- układurządzenie TECHNOLOGIA 3 X 2013 33 6