Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska

Zasilanie urzdze elektronicznych laboratorium VII semestr Elektronika Morska wiczenie 1. Wyznaczanie charakterystyk dławikowej przetwornicy buck przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego wiczenia jest zbadanie wpływu właciwoci modelu elementu przełczajcego ma charakterystyki dławikowej przetwornicy Buck. Obliczenia bd zrealizowane przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych w programie SPICE. Aby zrealizowa tak postawiony cel, naley wykona nastpujce zadania czstkowe. 1. Uruchomi program Schematics. 2. Narysowa, pokazany na rys.1, schemat symulacyjny przetwornicy Buck, zawierajcy przełcznik sterowany napiciem S1. ródło napiciowe V1 typu VPULSE ma nastpujce wartoci parametrów: V1 = 0, V2 = 10 V, TD = 0, TR = 30 ns, TF = 30 ns, PW = d*10 µs, PER = 10 µs. Z kolei, przełcznik sterowany napiciem S1 ma nastpujce parametry: VOFF = 0,5 V, VON = 7 V, RON = 1 mω, ROFF = 1 MΩ. Rys..1. Schemat symulacyjny przetwornicy buck z przełcznikiem sterowanym napiciem 3. Przeprowadzi cykl analiz stanów przejciowych badanego układu przyjmujc warto parametru Final time = 4 ms oraz No-print delay = 3 ms. Zakres ten gwarantuje uzyskanie stanu ustalonego w rozwaanym układzie. Wykorzystujc analiz parametryczn naley zmienia warto parametru d w zakresie od 0,05 do 0,95 z krokiem 0,1. 4. W oparciu o uzyskane wyniki w stanie ustalonym wyznaczy zaleno napicia wyjciowego U wy oraz sprawnoci energetycznej η badanej przetwornicy od współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego d. Warto napicia wyjciowego naley odczyta bezporednio z programu PROBE, natomiast warto sprawnoci naley odczyta z tego programu wprowadzajc w oknie dialogowym Add Trace formuł avg(v(wy)*i(r1))/avg(v(we)*i(v2)). Odczytane wartoci napicia wyjciowego i sprawnoci naley wprowadzi do programu EXCEL i wykreli zaleznoci wymienionych wielkoci od współczynnika wypełnienia d. 5. Narysowa, pokazany na rys.2, schemat symulacyjny przetwornicy Buck, zawierajcy tranzystor MOS typu IRF150. ródło napiciowe V1 typu VPULSE ma identyczne wartoci parametrów jak podane w punkcie 2. 6. Przeprowadzi cykl analiz stanów przejciowych badanego układu przyjmujc warto parametru Final time = 4 ms oraz No-print delay = 3 ms. Wykorzystujc analiz parametryczn naley zmienia warto parametru d w zakresie od 0,05 do 0,95 z krokiem 0,1. 7. W oparciu o uzyskane wyniki w stanie ustalonym wyznaczy zaleno napicia wyjciowego U wy oraz sprawnoci energetycznej η badanej przetwornicy od współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego d. Odczytane wartoci napicia wyjciowego i sprawnoci naley wprowadzi do programu EXCEL i wykreli zalenoci wymienionych wielkoci od współczynnika wypełnienia d. Porówna uzyskane charakterystyki z wynikami wyznaczonymi w punkcie 4 oraz z charakterystykami odpowiadajcymi elementom idealnym, tzn. U = d U. wy we 1

Rys.2. Schemat symulacyjny przetwornicy buck z tranzystorem MOS 8. Zaobserwowa i skomentowa czasowe przebiegi prdów cewki, tranzystora i diody. 9. Dla układu z rys.11.2 wyznaczy zaleno napicia wyjciowego oraz sprawnoci energetycznej rozwaanej przetwornicy od rezystancji obcienia przy współczynniku wypełnienia sygnału sterujcego d = 0,5. Przyj zakres zmian rezystancji R1 od 1 Ω do 1 kω i logarytmiczny sposób przemiatania wartoci tej rezystancji wybierajc po 4 wartoci w kadej dekadzie. 10. W układzie z rys.11.2 zmieni wartoci parametrów ródła napiciowego V1 typu VPULSE na nastpujce: V1 = 0, V2 = 10 V, TD = 0, TR = 30 ns, TF = 30 ns, PW = d*1 µs, PER = 1 µs. Powtórzy obliczenia z punktu 6 i porówna uzyskane wyniki z wynikami uzyskanymi w punkcie 7. Jak wpływa wzrost czstotliwoci kluczowania na czas trwania oblicze oraz na warto napicia wyjciowego i sprawnoci energetycznej? wiczenie 2. Wyznaczanie charakterystyk transformatorowych przetwornic dc-dc przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych Celem niniejszego wiczenia jest wyznaczenie charakterystyk transformatorowej obcowzbudnej przetwornicy półmostkowej oraz samowzbudnej przewornicy jednotranzystorowej. Obliczenia bd zrealizowane przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych w programie SPICE. Aby zrealizowa tak postawiony cel, naley wykona nastpujce zadania czstkowe. 1. Uruchomi program Schematics. 2. Narysowa, pokazany na rys.1, schemat symulacyjny przetwornicy półmostkowej. ródła napiciowe V1 oraz V4 typu VPULSE ma nastpujce wartoci parametrów: V1 = 0, V2 = 10 V, TD = 0, TR = 30 ns, TF = 30 ns, PW = d*10 µs, PER = 10 µs. Z kolei, ródła napiciowe V2 i V5 maj identyczne parametry jak ródła V1 i V2 z wyjtkiej parametru TD = 5 µs. Rys.1. Schemat symulacyjny przetwornicy półmostkowej 2

3. Przeprowadzi cykl analiz stanów przejciowych badanego układu przyjmujc warto parametru Final time = 10 ms oraz No-print delay = 9 ms. Zakres ten gwarantuje uzyskanie stanu ustalonego w układzie. Wykorzystujc analiz parametryczn naley zmienia warto parametru d w zakresie od 0,05 do 0,95 z krokiem 0,1. 4. W oparciu o uzyskane wyniki w stanie ustalonym wyznaczy zaleno napicia wyjciowego U wy, wartoci midzyszczytowej napicia ttnie na wyjciu oraz sprawnoci energetycznej η badanej przetwornicy od współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego d. Warto napicia wyjciowego naley odczyta bezporednio z programu PROBE. Warto midzyszczytow napicia ttnie naley odczyta z czasowych przebiegów napicia wyjciowego, posługujc si kursorami. Ze wzgldu na mała warto rozwaanego parametru naley powiksza uzyskane przebiegi czasowe napicia wyjciowego tak długo, a wyranie bd widoczne oscylacje na tym przebiegu. Warto sprawnoci naley odczyta z tego programu PROBE wprowadzajc w oknie dialogowym Add Trace formuł avg(v(wyjscie)*i(r3))/avg(v(wejscie)*i(v3)). Odczytane wartoci napicia wyjciowego, wartoci midzyszczytowej napicia ttnie i sprawnoci naley wprowadzi do programu EXCEL i wykreli zalenoci wymienionych wielkoci od współczynnika wypełnienia d. 5. Skomentowa kształt wykresów uzyskanych w punkcie 4. W szczególnoci zwróci uwag na zakres d > 0,5. 6. Dla wybranej wartoci współczynnika d porówna na wspólnym wykresie czasowe przebiegi prdów drenu wszystkich tranzystorów MOS. Skomentowa uzyskane przebiegi. 7. Sparametryzowa warto indukcyjnoci L1 uzwojenia pierwotnego transformatora i wykonujc odpowiednie analizy stanów przejciowych wyznaczy zaleno napicia wyjciowego rozwaanej przetwornicy od indukcyjnoci L1 przy d=0,4. Przyj zakres zmian L1 od 10 µh do 1 mh oraz logarytmiczny sposób przemiatania wartoci tej indukcyjnoci i uwzgldni po 3 wartoci w kadej dekadzie. Wykona wykres uzyskanej zalenoci w programie EXCEL. 8. Narysowa schemat układu jednotranzystorowej przetwornicy samowzbudnej przedstawionej na rys.2. Rys.2. Schemat symulacyjny jednotranzystorowej przetwornicy samowzbudnej 9. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu a do uzyskania stanu ustalonego. Wydajno ródła napiciowego V2 jest opisana uskokiem napicia o wysokoci 12V. Zaobserwowa czasowe przebiegi napicia wyjciowego, napicia na bazie tranzystora oraz prdów poszczególnych uzwoje transformatora. Okreli czstotliwo oscylacji w układzie i czas ustalania si napicia wyjciowego. 10. Sparametryzowa rezystancj rezystora R1, wykona cykl analiz stanów przejciowych i wyznaczy zaleno napicia wyjciowego przetwornicy oraz czstotliwoci pracy przetwornicy od rezystancji obcienia. Przyj logarytmiczne przemiatanie wartoci rozwaanej rezystancji w zakresie od 100 Ω do 10 kω przy 3 wartociach rezystancji w kadej dekadzie. Wykreli uzyskane zalenoci w programie EXCEL. Skomentowa uzyskane wyniki oblicze. 11. Poprzez odwracanie symboli cewek reprezentujcych poszczególne uzwojenia transformatora (przy 3

wykorzystaniu komendy Ctrl-R) zbada znaczenie kierunku nawijania cewek na poprawno działania analizowanej przetwornicy. Skomentowa uzyskane wyniki. wiczenie 3. Wyznaczanie charakterystyk stałoprdowych i czstotliwociowych przetwornicy dławikowej przy wykorzystaniu modeli urednionych Celem niniejszego wiczenia jest wyznaczenie charakterystyk stałoprdowych i czstotliwociowych dławikowej przetwornicy boost. Obliczenia bd zrealizowane przy wykorzystaniu analizy stałoprdowej (DC) oraz analizy czstotliwociowej (AC) w programie SPICE. Aby zrealizowa tak postawiony cel, naley wykona nastpujce zadania czstkowe. 1. Uruchomi program Schematics. 2. Narysowa, pokazany na rys.1, schemat symulacyjny urednionego modelu przetwornicy boost. Rys.1. Schemat symulacyjny urednionego modelu przetwornicy boost 3. Przeprowadzi analiz stałoprdow badanej przetwornicy wykorzystujc w charakterze zmiennej przemiatanej parametr d_dc majcy sens współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego. Przyj zakres zmian parametru d_dc od 0,01 do 0,99 z krokiem oblicze równym 0,01. W oparciu o uzyskane wyniki oblicze wyznaczy zalenoci napicia wyjciowego oraz sprawnoci energetycznej przetwornicy boost od współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego d_dc przy rónych rezystancjach obcienia Robc. Przyj logarytmiczne zmiany parametru Robc w zakresie od 1 do 100 Ω wybierajc po 3 wartoci w kadej dekadzie. Porówna uzyskane wartoci napicia wyjciowego z wartociami tego napicia uzyskiwanymi dla idealnej przetwornicy boost ze wzoru U = U 1 d _ dc. wy we ( ) 4. Wyznaczy zaleno napicia wyjciowego i sprawnoci energetycznej przetwornicy boost od rezystancji włczenia tranzystora RON przyjmujcej wartoci tego parametru z przedziału od 1 mω do 1 Ω (przyj po 5 wartoci w kadej dekadzie) przy 3 wartociach rezystancji obcienia równych kolejno 1 Ω, 10 Ω oraz 1 kω. W jakim zakresie uzyskane wyniki oblicze s niefizyczne? Dlaczego? 5. Przeprowadzi analize czstotliwociow (AC) rozwaanego układu. W oparciu o wyniki tej analizy wyznaczy charakterystyki amplitudowe i fazowe rozwaanej przetwornicy przy 3 wartociach rezystancji obcienia równych kolejno 1 Ω, 10 Ω oraz 1 kω. Rozway zakres zmian czstotliwoci od 1 Hz do 1 MHz (logarytmiczne przemiatanie czstotliwoci). W celu wyznaczenia rozwaanych charakterystyk naley najpierw ustali warto parametru Uwe_ac = 1V i wykona analiz AC. Wówczas uzyskane przebiegi bd odpowiadały transmitancji K vg. Nastpnie naley powróci do wartoci parametru Uwe_ac = 0 oraz ustawi warto parametru d_ac = 1, a nastpnie wykona analiz AC. Wówczas uzyskane przebiegi bd odpowiadały transmitancji K vd. Skomentowa uzyskane charakterystyki czstotliwociowe. 6. Zbada wpływ rezystancji RON na przebieg charakterystyk czstotliwociowych rozwaanych w punkcie 5 dla rezystancji obcienia Robc = 10 Ω. 4

wiczenie 4. Wyznaczanie charakterystyk przetwornic dc-dc przy uwzgldnieniu samonagrzewania Celem niniejszego wiczenia jest zilustrowanie wpływu samonagrzewania na charakterystyki półprzewodnikowych elementów kluczujcych oraz na charakterystyk dławikowej przetwornicy boost w stanie ustalonym. Obliczenia bd zrealizowane przy wykorzystaniu analizy stałoprdowej oraz analizy stanów przejciowych w programie SPICE. Aby zrealizowa tak postawiony cel, naley wykona nastpujce zadania czstkowe. 1. Uruchomi program Schematics. 2. Narysowa schemat układu do wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk wyjciowych tranzystora MOS pokazany na rys.1. Na schemacie tym parametry oznaczaj odpowiednio ALFU temperaturowy współczynnik zmian napicia wejciowego, TWR temperaturowy współczynnik zmian rezystancji włczenia tranzystora, Ta temperatur otoczenia, T0 temperatur odniesienia, Rth rezystancj termiczn. Rys.1. Schemat symulacyjny układu do wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk tranzystora MOS 3. Przeprowadzi analiz stałoprdow rozwaanego układu przemiatajc warto prdu ródła prdowego I1 w zakresie od 0 do 5A z krokiem 10mA przy dwóch wartociach rezystancji termicznej Rth równych 50 K/W (charakterystyka nieizotermiczna) oraz 1 pk/w (charakterystyka izotermiczna). W analizie nie mona ze wzgldów formalnych przyj wartoci Rth = 0. 4. Wykreli na wspólnym wykresie izotermiczne oraz nieizotermiczne charakterystyki wyjciowe rozwaanego tranzystora (zalenoci V(d1)=f(I1)) oraz zalenoci temperatury wntrza tranzystora V(Tj) od prdu drenu I1. 5. Narysowa, pokazany na rys.2, schemat symulacyjny układu do wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk przetwornicy boost przy wykorzystaniu metody analizy stanów przejciowych. ródło napiciowe V4 typu VPULSE ma nastpujce wartoci parametrów: V1 = 0, V2 = 10 V, TD = 0, TR = 20 ns, TF = 20 ns, PW = d*10 µs, PER = 10 µs. 6. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu przyjmujc warto Final time = 6 ms przy wartociach współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego d z zakresu od 0,05 do 0,95 wybieranych z krokiem 0,1. Obliczenia naley wykona przy podanych na schemacie wartociach rezystancji termicznych tranzystora Rtht i diody Rthd (std uzyska si charakterystyki nieizotermiczne), a nastpnie przy Rtht = Rthd = 1 pk/w (std uzyska si charakterystyki izotermiczne). 7. Na podstawie wyników uzyskanych z oblicze zrealizowanych w punkcie 6 wykresli na wspólnym wykresie w programie EXCEL zalenoci napicia wyjciowego i sprawnoci energetycznej badanej przetwornicy oraz temperatury wntrza tranzystora (napicie w wle tjt) i diody (napicie w wle tjd) od współczynnika wypełnienia d. Skomentowa wpływ samonagrzewania na napicie wyjciowe i sprawno przetwornicy. Przy jakiej wartoci współczynnika wypełnienia sygnału sterujcego nastpiłoby uszkodzenie rzeczywistego układu? 8. Narysowa, pokazany na rys.3, schemat symulacyjny układu do wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk przetwornicy boost przy wykorzystaniu metody modeli urednionych. 5

Rys.2. Schemat symulacyjny układu do wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk przetwornicy boost Rys.3. Schemat symulacyjny układu do wyznaczania nieizotermicznych charakterystyk przetwornicy boost przy wykorzystaniu modeli urednionych 9. Przeprowadzi analiz stałoprdow rozwaanego układu przemiatajc warto parametru d w zakresie od 0,01 do 0,97 z krokiem 0,01. Analizy przeprowadzi dla 3 wartoci rezystancji obcienia Robc równych kolejno 100, 10 oraz 5 Ω. Na podstawie uzyskanych wyników wykreli zalenoci napicia wyjciowego przetwornicy, jej sprawnoci energetycznej oraz temperatur wntrza tranzystora (napicie w wle tjt) oraz diody (napicie w wle tjd) od współczynnika wypełnienia sygnału sterujacego d. Jak spadek rezystancji obcienia wpływa na rozwaane charakterystyki? wiczenie 5. Wyznaczanie charakterystyk stabilizatorów impulsowych Celem niniejszego wiczenia jest wyznaczenie charakterystyk stabilizatorów impulsowych zawierajcych sterownik PWM oraz dławikow przetwornic dc-dc. Obliczenia bd zrealizowane przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych w programie SPICE. Aby zrealizowa tak postawiony cel, naley wykona nastpujce zadania czstkowe. 6

1. Skopiowa do katalogu C:\MSIMEV_8\UserLib nastpujce pliki: PWMVM.slb, PWMCM.slb oraz POWER456.lib. 2. Uruchomi program Schematics. 3. Uywajc polecenia Analisis\Library and included files dołczy bibliotek POWER456.LIB do programu Schematics. 4. Uywajc polecenia Options\Editor configuration dołczy biblioteki PWMVM.slb oraz PWMCM.slb do listy bibliotek symboli programu Schematics. 5. Narysowa układ testowy modelu sterownika PWM o sprzeniu napiciowym, pokazany na rys.1. Rys.1. Schemat układu testowego sterownika PWMVM 6. W celu wyznaczenia charakterystyki regulacji rozwaanego sterownika, przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu dla napicia V1 zmienianego w zakresie od 0,5 V do 4 V z krokiem 0,5 V. Zakres analizy stanów przejciowych powinien by równy podwojonej wartoci okresu sygnału wyjciowego sterownika, ustalonej za pomoc wartoci parametru PERIOD jego modelu. Warto tego parametru mona odczyta edytujc model sterownika poleceniem Edit/Model. 7. Na podstawie przeprowadzonych oblicze wyznaczy i wykreli w programie EXCEL zaleno współczynnika wypełnienia sygnału wyjciowego sterownika (na wyjciu OUT) od napicia V1. Niezbdn do wykonania wykresu warto czasu trwania impulsu naley odczyta przy napiciu wyjciowym odpowiadajcym połowie jego wartoci maksymalnej. Na podstawie uzyskanego wykresu okreli zakres moliwych do uzyskania wartoci współczynnika wypełnienia sygnału wyjciowego sterownika. 8. Narysowa, pokazany na rys.2, schemat symulacyjny stabilizatora impulsowego zawierajcego sterownik PWM o sprzeniu napiciowym i przetwornic buck. Rys.2. Schemat symulacyjny stabilizatora impulsowego ze sterownikiem PWM o sprzeniu napiciowym i przetwornic buck 9. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu a do osignicia stanu ustalonego przy wartociach napicia wejciowego wybieranych z zakresu od 5 do 65 V z krokiem 10 V. W oparciu o uzyskane wyniki oblicze sporzdzi w programie EXCEL wykresy zalenoci napicia wyjciowego i sprawnoci energetycznej badanego układu od napicia wejciowego. Skomentowa uzyskane wyniki. Dlaczego układ stabilizuje napicie wyjciowe tylko w ograniczonym zakresie zmian napicia wejciowego? 10. Narysowa układ testowy modelu sterownika PWM o sprzeniu prdowym, pokazany na rys.3. Przyj nastpujce wartoci parametrów ródła napiciowego V5 typu VPULSE: V1 = 0, V2 = 7

ISMAX, TD = 0, TR = 4,9 µs, TF = 0,1 µs, PW = 1 ns, PER = 5 µs. Podane wartoci parametrów zapewniaj uzyskanie przebiegu piłokształtnego na wejciu SENSE sterownika. Rys.3. Schemat układu testowego sterownika PWMCM 11. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu dla napicia V1 zmienianego w zakresie od 0,1 V do 3,6 V przy wartoci parametru ISMAX = 0,5. Zakres analizy stanów przejciowych powinien by równy podwojonej wartoci okresu sygnału wyjciowego sterownika, ustalonej za pomoc wartoci parametru PERIOD jego modelu. 12. W programie EXCEL sporzdzi wykres zalenoci współczynnika wypełnienia sygnału wyjciowego sterownika od napicia V1. Niezbdn do wykonania wykresu warto czasu trwania impulsu naley odczyta przy napiciu wyjciowym odpowiadajcym połowie jego wartoci maksymalnej. 13. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu dla parametru ISMAX zmienianego w zakresie od 0,1 V do 1.2 V przy napiciu V1 = 2 V. Zakres analizy stanów przejciowych powinien by równy podwojonej wartoci okresu sygnału wyjciowego sterownika, ustalonej za pomoc wartoci parametru PERIOD jego modelu. 14. W programie EXCEL sporzdzi wykres zalenoci współczynnika wypełnienia sygnału wyjciowego sterownika od parametru IMAX. Niezbdn do wykonania wykresu warto czasu trwania impulsu naley odczyta przy napiciu wyjciowym odpowiadajcym połowie jego wartoci maksymalnej. 15. Narysowa, przedstawiony na rys.4, układ stabilizatora napicia z przetwornic buck i sterownikiem PWMCM. Rys.4. Schemat symulacyjny stabilizatora impulsowego ze sterownikiem PWM o sprzeniu prdowym i przetwornic buck 16. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu a do osignicia stanu ustalonego przy wartoci parametru rez równych kolejno 1, 1,5, 2,2, 3,3, 4,7, 6,8, 10 Ω. 17. Wykona w programie EXCEL wykresy zalenoci napicia wyjciowego Uwy oraz sprawnoci energetycznej przetwornicy od rezystancji obcienia. Skomentowa uzyskane wyniki. 8

wiczenie 6. Wyznaczanie charakterystyk przetwornic z mikk komutacj Celem niniejszego wiczenia jest wyznaczenie charakterystyk dławikowych przetwornic dc-dc, w których zachodzi tzw. mikka komutacja. Rozwaane s dwie quasi-rezonasowe przetwornice dc-dc: obniajca napicie przetwornica ZVS oraz obniajca napicie przetwornica ZCS. Obliczenia bd zrealizowane przy wykorzystaniu analizy stanów przejciowych w programie SPICE. Aby zrealizowa tak postawiony cel, naley wykona nastpujce zadania czstkowe. 1. Uruchomi program Schematics. 2. Narysowa schemat symulacyjny przetwornicy obniajcej ZVS, pokazany na rys.1. ródło sygnału sterujcego V1 typu VPULSE opisane jest nastpujcymi parametrami: V1 = 0, V2 = 10 V, TD = 0, TR = 30 ns, TF = 30 ns, PW = 1/f 0,5/fr, PER = 1/f. Parametr f oznacza czstotliwo sygnału sterujcego, za fr czstotliwo drga własnych obwodu rezonansowego Lr-Cr. Rys.1. Schemat symulacyjny przetwornicy buck ZVS 3. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu a do uzyskanania stanu ustalonego przy rónych wartociach czstotliwoci kluczowania f z zakresu od 20 do 500 khz, wybierajc po 5 wartoci w kadej dekadzie. Przyj final time = 4 ms. W celu dokładnego zobrazowania kształtów przebiegów napi i prdów narzuci maksymaln długo czasowego kroku oblicze przez zadanie parametru analizy Step Ceiling = 30 ns. 4. Na podstawie uzyskanych wyników oblicze wykreli zaleno napicia wyjciowego i sprawnoci energetycznej badanej przetwornicy od czstotliwoci sygnału sterujcego. 5. Wyznaczy czasowe przebiegi napicia midzy drenem a ródłem tranzystora oraz przebiegi mocy traconej w tranzystorze przy rozwaanych wartociach czstotliwoci f. Wyznaczy, przy wykorzystaniu funkcji AVG(), warto redni mocy traconej w tranzystorze P av przy rozwaanych wartociach f. Skomentowa wpływ czstotliwoci na uzyskan zaleno P av (f) oraz na kształt czasowych przebiegów napicia midzy drenem a ródłem tranzystora. 6. Narysowa schemat symulacyjny przetwornicy obniajcej ZCS, pokazany na rys.2. ródło sygnału sterujcego V1 typu VPULSE opisane jest nastpujcymi parametrami: V1 = 0, V2 = 10 V, TD = 0, TR = 30 ns, TF = 30 ns, PW = 0,5/fr, PER = 1/f. Parametr f oznacza czstotliwo sygnału sterujcego, za fr czstotliwo drga własnych obwodu rezonansowego Lr-Cr. Rys.2. Schemat symulacyjny przetwornicy buck ZCS 9

7. Przeprowadzi analiz stanów przejciowych rozwaanego układu a do uzyskanania stanu ustalonego przy rónych wartociach czstotliwoci kluczowania f z zakresu od 20 do 500 khz, wybierajc po 5 wartoci w kadej dekadzie. Przyj final time = 4 ms. W celu dokładnego zobrazowania kształtów przebiegów napi i prdów narzuci maksymaln długo czasowego kroku oblicze przez zadanie parametru analizy Step Ceiling = 30 ns. 8. Na podstawie uzyskanych wyników oblicze wykreli zaleno napicia wyjciowego i sprawnoci energetycznej badanej przetwornicy od czstotliwoci sygnału sterujcego. 9. Wyznaczy czasowe przebiegi prdu drenu tranzystora oraz przebiegi mocy traconej w tranzystorze przy rozwaanych wartociach czstotliwoci f. Wyznaczy, przy wykorzystaniu funkcji AVG(), warto redni mocy traconej w tranzystorze P av przy rozwaanych wartociach f. Skomentowa wpływ czstotliwoci na uzyskan zaleno P av (f) oraz na kształt czasowych przebiegów prdu drenu. 10