BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

Podobne dokumenty
N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

BAY P61 BN-83. Diody typu BAVP 61

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

U kłady scalone typu UCY 7407N

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

BN UL 1403L I UL 1405L

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Tranzystory bipolarne. Małosygnałowe parametry tranzystorów.

EUROELEKTRA. Ogólnopolska Olimpiada Wiedzy Elektrycznej i Elektronicznej. Rok szkolny 2012/2013. Zadania dla grupy elektronicznej na zawody II stopnia

N O R M A, BRANŻOWA. Elementy optoelektroniczne /01. , Fototranzystory, Wymagania i badania. i tab!. 2. i tab!. 3. i tab!. 4. s z czegółowego.

BADANIE TRANZYSTORA BIPOLARNEGO

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

Ćwiczenie 10 Temat: Własności tranzystora. Podstawowe własności tranzystora Cel ćwiczenia

Kondensatory elektrolityczne

Temat i cel wykładu. Tranzystory

Ćwiczenie 13. Temat: Wzmacniacz w układzie wspólnej bazy. Cel ćwiczenia

Badanie elementów składowych monolitycznych układów scalonych II

8.10. Podzial tranzystorów bipolarnych i ich zastosowanie

Elementy elektroniczne Wykłady 5,6: Tranzystory bipolarne

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

5. Tranzystor bipolarny

NORMA BRANŻOWA. T ranzystory typu BFP 519, BFP 520 i BFP 521. Symbol wymiaru. ąl b 3 (/JD (/J D 1 F.. 1) Wymiar teoretyczny.

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

Wiadomości podstawowe

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

III. TRANZYSTOR BIPOLARNY

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

Ćwiczenie 2 LABORATORIUM ELEKTRONIKI POLITECHNIKA ŁÓDZKA KATEDRA PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH I OPTOELEKTRONICZNYCH

Tranzystory bipolarne. Właściwości dynamiczne wzmacniaczy w układzie wspólnego emitera.

Badanie charakterystyk elementów półprzewodnikowych

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

Systemy i architektura komputerów

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Laboratorium Elektroniki

Przyrządy półprzewodnikowe część 3

Stabi listory typu '.

INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-100RM

ZAKRES AKREDYTACJI LABORATORIUM BADAWCZEGO Nr AB 295

Ćwiczenie - 3. Parametry i charakterystyki tranzystorów

Wykład VIII TRANZYSTOR BIPOLARNY

WARUNKI TECHNICZNE ODBIORU

Ćwiczenie 7 PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

kierunek: Automatyka i Robotyka Zadania uzupełniające do wykładu i ćwiczeń laboratoryjnych z Elektroniki sem. II

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

NIEZBĘDNY SPRZĘT LABORATORYJNY

Układy zasilania tranzystorów

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

'Układy scalone' wysokiej. Kolektor każdego ' tranzystora układu UL 1l01N oraź" o dołączon~ do potencjału niższego niż każdy potencja! kolektora.

BRANŻOWA. Mikroukłady scalone cyfrowe. Wymagania i badania

Tranzystory bipolarne. Podstawowe układy pracy tranzystorów.

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 2

LDSP-11 LISTWOWY DWUPRZEWODOWY SYGNALIZATOR PRZEKROCZEŃ DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, luty 1999 r.

WZMACNIACZ REGULOWANY Z ROZDZIELACZEM WPA-225R

Politechnika Białostocka

LUMP-8, LUMP-4 LISTWOWY UNIWERSALNY MODUŁ PRZEKAŹNIKOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, lipiec 1997 r.

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

Badanie tranzystora bipolarnego

INSTRUKCJA OBSŁUGI PRZETWORNICA PWB-190M, PWB-190RM

wymiaru A 4,3-5,3 - a - 2,54' ) - - 0b) - - 0,53 - 0D 5,3-5,8-0D, 4;5-4,9 - F - - 1,0 - j 0,92 1,04' ) 1,16 - k 0,51-1,21 - I 12,

PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

Zygmunt Kubiak Instytut Informatyki Politechnika Poznańska

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

CEL ĆWICZENIA: Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z zastosowaniem diod i wzmacniacza operacyjnego

Przepustnice z siłownikiem elektrycznym

Wykład X TRANZYSTOR BIPOLARNY

N O R M A B R A N Z O WA. Tranzystory typu Be 177, Be 17B, Be 179. małej. c'e 22. A 4,32-5,3 - a ) b 2 0,4-0,53 - D 5,3-5,84 -

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

Tranzystory polowe. Podział. Tranzystor PNFET (JFET) Kanał N. Kanał P. Drain. Gate. Gate. Source. Tranzystor polowy (FET) Z izolowaną bramką (IGFET)

Tranzystor bipolarny

INSTRUKCJA OBSŁUGI ZASILACZ PWS-500M, PWS-500RM

POLITECHNIKA ŁÓDZKA INSTYTUT FIZYKI. Temperaturowa zależność statycznych i dynamicznych charakterystyk złącza p-n

AKTYWNY ROZDZIELACZ SYGNAŁÓW ARS-113Z

1. Zarys właściwości półprzewodników 2. Zjawiska kontaktowe 3. Diody 4. Tranzystory bipolarne

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.

Woltomierz analogowy AC/DC [ BAP_ doc ]

TECH-AGRO B ę d z i n

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

Przetworniki ciśnienia do zastosowań ogólnych typu MBS 1700 i MBS 1750

Tranzystory. 1. Tranzystory bipolarne 2. Tranzystory unipolarne. unipolarne. bipolarny

Instrukcja obsługi kalibratora napięcia i prądu pętli

Właściwości tranzystora MOSFET jako przyrządu (klucza) mocy

Politechnika Białostocka

Politechnika Białostocka

Transkrypt:

UKD 6213823 ELEMENTY PÓŁPRZEWODNKOWE N ORMA Trańzystory BF 458 BRANŻOWA typu. BF 457. BF 459. BN-83 3375-31/07 Grupa katalogowa 1923 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są krzemowe planarne tranzystory n-p-n średniej mocy wielkiej częstotliwości typu BF 457 BF 458 BF 459 Vi obudowie plastykowej do zastosowań powszechn~go użytku oraz w urządzeniach w których wymaga się zastosowania elementów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory są przeznaczone do pracy we wzmacniaczach dużych sygnałów wielkiej częstotliwości oraz w stopniach wyjściowych wzmacniaczy wizyjnych odbiorników TV czarno-białej i kolorowej. Kategoria klimatyczna - wg PN-73fE-04550/00 dla tranzystorów: - standardowej jakości (poziom jakości ) 40/125/04 - wysokiej jakości (poziom jakości ) 40/125121 - bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) -. 40/125/56. 2. Przykład oznaczenia tranzystorów a) standardowej jakości: TRANZYSTOR BF 458 BN-83/3375-31/07 b) wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 458/3 BN-83/3375-31/07 c) bardzo wysokiej jakości: TRANZYSTOR BF 458/4 BN-83/ 3375-31/07 3. Cechowanie tranzystorów powinno zawierać następujące dane: a) nazwę producenta lub znak fabryczny' b) oznaczenie typu c) oznakowanie dodatkowe dla tranzystorów wysokiej i bardzo wysokiej jakości. Tranzystory wysokiej" jakości powinny być znakowane cyfrą 3 a tranzystory. bardzo wysokiej jakości cyfrą 4 umieszczoną po' oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń tranzystora - wg rysunku i tabl. l. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE 39. Symbol wymaru 8 D d -..... -~~ ~ -.l i -.!: E C B e 't lfi-3l331f31/011. Tablica 1. Wymiary obudowy CE 39 Wymiar mm. mm typ max A 16-1143 B 229-304 b 064-088 c 039 05 063 D 712-836 d - 12 - e. 4 23 254 J 1512 155 1663 lt - - 0p 254-330 s 3.31 375 444 5. Badania w grupie A B C i D - wg BN-801 3375-31/00 p. 5.1. 6. Wymagania szczegółowe do badań grupy A B C id a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów (21 p. J. b wg rysunku i tab!. b Zgłoszona przez Naukowo-Produkcyjne Centrum PółprzeWOdników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-Rozwojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn dnia 29 grudnia 1983 r. jako norma obowiązująca od dnia 1 stycznia 1986 r. (Dz. Norm. i Miar nr 11 / 1985 poz. 21) WYOAWNCTWA NORMALZACYJNE.ALFA" 1985. Druk. Wyd. Norm. W-wa. Ark. wyd. 1.00 Nakł. 2700 + 55 Zam. 32911/85 Cena zł 18.00

2 BN-83/3375-31/07 b) badania podgrupy A2 - 'sprawdzenie podstawowych parametrów elektrycznych wg tabl. 2 c) badania podgrupy A3 - sprawdzenie drugorzędnych parametrów elektrycznych wgtabl. 3 d) badania podgrupy A4 - sprawdzenie parametrów elektrycznych w lamb = 125 C (poziom i V) wg tabl. 4 e) badania podgrupy B i C - sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń: próba Ub metoda 3 5N 3 cykle; próba Ual 5 N... sprawdzenie. szczelnośc: próba Q poziom nieszczelności 665. """"6 Pa. dm 3 /s t) badania podgrupy B3 i C9 - sprawdzenie wytrzymałości na spadki swobodne: położenie tranzystora w czasie spadania wyprowadzeniami do góry g) badania podgrupy B4 i C4 - sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę h) badania podgrupy B5 i C5 - sprawdzenie wytrzymałości na nagłe zmiany temperatury: TA = -55 C T B = 155 C (poziom i V) i) badania podgrupy B6 i C6 - sprawdzenie odporności na narażenia elektryczne: układ OB wg PN-781 T-O515 tabl. 7 lamb = 25 C; le = 12 ma UeE = 0 V dla BF 457; le ~ 7 ma UeE = 170 V dla BF 458 c = 6 ma UCE = 0 V dla BF 459 j) badania podgrupy C2 - sprawdzenie parametrów elektrycznych ' wg tabl. 3 k) badania podgrupy C3 - sprawdzenie masy wyrobu: 07 g ) badania podgrupy C4 - sprawdzenie wytrzymałości na przyspieszenia stałe: kierunek probierczy - obydwa kierunki wzdłuż osi wyprowaclzeń mocowanie za obudowę - sprawdzenie wytrzymałości na wibracje o stałej częstotliwości (poziom ) oraz o zmiennej częstotliwości. (poziom i V). mocowanie za obudowę - sprawdzenie wytrzymałości na udary wielokrotne: mocowanie za obudowę m) badania podgrupy C5 - AQL 40; temperatura kąpieli lutowniczej 235 C n) "badania podgrupy C7 - sprawdzenie wytrzymałości na ' zimno - 55 C o) badania podgrupy C8 - sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco (poziom i V) 155 C p) badania podgrupy CO - sprawdzenie wymiarów o p. /. b wg rysunku i tabl. r) badania 'podgrupy D -- sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmosferyczne: temperatury narażenia 25 C s) badanię podgrupy D4 - sprawdzenie wytrzyma Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A2 (poziom i V) Oznaczenie literowe łości na pleśń - po '. badaniu brak porostu pleśni ~ t) badanie podgrupy D5 - sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną: położenie tranzystora dowolne u) badanie podgrupy D2 - sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki: alkohol etylowy aceton w) badanie podgrupy D3 -' sprawdzenie palności: bral palności zew:lętrznej z) parametry elektryczne sprawdzam; w czasie i po badaniach grupy B C D wg tab\. 5. Metoda Wartości gramczne pomaru Jed- Warunki pomaru BF 457 BF458 BF 459 wg PN-741 T-01504 mm max mm max mm max 2 3 4 5 6 ' 7 8 9 U(BR)CEO ) ark. 07 l e = ma B = O 160-250 - 300-2 U(BRCBO ark. 04 le = 0 /la E = O V 160 - '250-300 - 3 U(BREBQ ark. 04 e.= 0 ~A c = O 5-5 -- 5 - UCB = 0 V - 50 - - - - 4 cllo ark. 05 e=o UcB =0V na - -... 50 - - UeB= 250 V - - - - - 50 5 h21e1 l ark. 08 le = 30 ma UCE = 1'0 V - 25-25 - 25 - Pomiar impulsowy p ~ 300 ls; {) ~ 2%.

BN-83/3375-317 3 2 3 4 5 6 7 8 9 li U 11 CEsal ark. 06 fc = 30 ma B= 6 ma V. - - - 2 h ark. 24 c = 15mAUCE= OVfp= MHz MHz 40-40 - 40-3 CCO ark. 22 UCB. 30Vh=0 fp= MHz pf - 6-6 - 6 Pomiar impulsowy ' ~ 300 ~s; /j ~ 2%. Oznaczenie literowe Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A4 (poziom i V) 2 3 4 5 6 7 8 9 U CB = 0Vh=0lamb= 0 C 15 ~ - - - -.- CBo ark. 05 UCB= 0 V Je= O tamb = 0 C J.1A - - - 15 - - UCB = 250 V h = O tamb --:- 0 C - - - - - 15 Tablica 3. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniu podgrupy A3 i e2 (poziom i V) Metoda Wartości gramczne Oznaczenie pomaru Jedliterowe Warunki pomaru BF 457 BF 458 BF 459 wg PN-74/. T-01504 mm max mm max mm max Metoda Wartości gramcz1'le pomaru Jed- Warunki pomaru BF 457 BF 458 BF 459 wg PN-74/ T-Ol 504 mm max mm max mm max Tablica 5. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie i po badaniach grupy B C D (p. i V) Oznacze- Metoda Wartości gramczne nie litero- pomaru Podgrupa Jed t--b_f---45_7-+_b_ ' F""T'-45_8-r_B_F_v-4_59--t Warunki pomaru we. para- wg PN-74/ badali metru T-O 1504 mm max mm max mm max ~~------~--------~--------------~~---------+----~--~--~--+---r--4--~ 2 3 4 5 678 9 11 12 r-~-------~---------~---------------~------------+----~--;---+---+---~--~~~ 2 CBO ark. 05 ark. 08 ) W Ci:asie badania. U CB = 0 V h = O Bl B3 B4 -- 50 U CB = 0 V li == O U CB = 250 V E = O 05 C C2 e3 C4 C5 C7 C9 Ol) r---------- -------r~--------- U CB = 0 V h = O UCB = 0 V h= O U CD = 250 V h = O U CB = 0 V fe = O U CB = 0 V h = O U CB = 250 V h = O JC= 30 ma UCE= V B6 C6 e8 B B3 B4 B5 C C2. C3 C4 C5 C7 C9 D) B6 C6 C8 r------- - - 2) Pomiar impulsowy; t p ~ 300 ~S; ~ ~ 2%. ~) W czase badania odporności na suche gorąco tamb = 125 C. 4) W czasie badania odporności na zmno. 7. Pozostałe postanowienia -- wg BN-80/3375-3 loo. na 250!. - 50 50 250 ~--+---+---4---4--._.+---~ 250 25 25 25 nformacje dodatkowe KONEC

4 nformacje dodatkowe do BN-83/337S-31/07 NFORMACJE DODATKOWE l. imtyt1eja opt'1co"jmca -.ę...:. Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa ul. Komarowa S. 1. Nona ~ PN-73/E-04550/00 Wyroby elektrote<;hniczne. Próby środowiskowe. Postanowienia ogólne PN-74/T-O504/04 Tranzystory. Pomiar napięć i U(M)UO przebicia U1U1CW PN-74/T -01504/05 Tranzystory. Pomiar prądów wstecznych cwi no PN-74/T-O504/06 Tranzystory. Pomiar napięć nasycenia Uel 'Ol i U... metodą impulsową PN-74/T-O504/07 Tranzystory. Pomiar napięcia przebicia U(aJtCEO U(gteG. U(BteD U( )C~ metodą impulsową PN-74/T-O504/08 Tranzystory. Pomiar "m metodą impulsową PN-74/T-OS04/22 Tranzystory. Pomiar pojemności Cc.o i Cno PN-74/T-OS04/24 Tranzystory. Pomiar modułu 1"111 w zakresie w.cz. i częstotliwości /r PN-78/T-01515 Elementy półprzewodnikowe. Ogólne wymagania i badania BN-80/3375-3 1/00 Elementy półprzewodnikowe. Tranzystory małej mocy wielkiej częstotliwości. Wymagania i badania 3. Symbol.we KTM BF 457-11562233000 BF 458-11562233001 BF 459-1156223303002 4. Wartoki dopuszczalne - wg tabl. 1- oraz rys. - 1-2. T.bUca -l - Oznaczenie -. Nazwa led- - Wartości dopuszczalne BF 457 BF 458 BF 459 2 3 4 5 6 7 Ue.o Napięcie kolektor-baza ( 160 250 300 2 UCBO Napięcie kolektor-emiter V 160 250 300 3 U.. o Napięcie emiter-baza 5 4 le Prąd kolektora 0 S. Prąd bazy ma 50 6 lem Maksymalny prąd kolektora 300 7 PO Całkowita moc wejściowa "mb ~ 25 C stała lub średnia na wszystkich elektrodach przy tc"u ~ 45 C W 12 8 l} Temperatura złącza 150 9 t "mb ts/ Temperatura otoczenia w czasie pracy Temperatura przechowywania -55 155 OC -40 125 ot 1~~ 1'J:."lll1V lit "57. r.8 ~f[ 7.: \ - / 1V' \ i'- 8~ "" 1.1V1~ \~ 'v \ ~. 5 ~.. ' : ~' 1\ l' ; 'li.. 2 '~ 1.2 ę...'_ -- - O 2S 30 45 60 )(J 1 150 'amb t~ Rłhj-a< ~ocw Rłhj - C S C/W BN- 1379'lS-31/t1} 1-11 C ma 11lfR333i5-31/O"EF%1 Rys. 1-. Zależność temperaturowa całkowitej mocy wejściowej P/ol =.f{tomh) Rys. 1-2. Obszar bezpiecznej pracy

nformacje dodatkowe do BN-83/3375-317 5 5. Dane charakterystyczae - wg tab!. 1-2 i 1-3 oraz rys. 1-3 -:- 1-8. Tablica 1-2 Typ Oznaczenie Warunki Jed- Nazwa pomaru BF 457 BF 458 BF 459 mm typ max mm typ max mm typ max 1 2 3 4 5 6 '7 8 9 lt 12 l3 14 l U(SRCSO Napięcie przebi- cia kolektor-baza Jc= 0 la Js=O Jc= ma Js=O 160 - - 250 - - 300 - - 2 U(SRCE0 11 cia kolektor-emi- V 160 - - 250 - - 300 - - tcr 3 U(SRESO Napięcie przebi- cia emiter-baza J E = 0 la Jc=O - - - - - - 5 5 5 U cs= 0 V - - 50 - - - - - - Prąd zerowy 4 Jcso kolektora U cs= 0 V na - - - - - 50 - - - Napięcie Napięcie przebi- nasy- U cs= 250 V - - - - - - - - 50 Jc=30 ma Js=6 ma 5 U CE sal ceola kolektor- V - 05 l - 05 l - 05 1 6 h21e -emiter Statyczny wsp6łczynnik wzmoc- go U CE= V Jc=30 ma Pojemność złą- U cs=30 V 7 Ccso - cza kolektora f= l MHz ~ - 25 40-25 40-25 40 - pf - 45 - - 45 - - 45 - U CE= 1O.V Częstotliwość 8 fr Jc= 15 ma MHz 40 90 40 90 40 90 graolczna f= MHz 9 UCEK(HF) ) Pomiar impulsowy t p ~ 300 ls; fj ~ 2%.. - - nienia prądowe- Ndpięcie kolan- kowe (tab\. Jc=60 ma tj= 0 C ' V 30 30 30 f= MHz 1-3) - - - - - Tablica 1-3 Nazwa Określenia Oznaczenie Napięcie ko- lankowe przy wielkiej częstotliwości h 21e '}'. 0 ~---- - 80 ~----! l O UCEe. 50 U Ct 17 UCEK(HF) wartość napęca kolektor-emiter przy której moduł małosygnałowego współczynnika wzmocnienia prądowcgo h 211 maleje do 80% swojej wartości osiągniętej przy UCE = 50 V

6 nformacje dodatkowe do BN-83/337S-31/07» f1) 70 60 50 40 3{) J c ma r- ~ ~~ SJ 457. 458459 t-j \'l.~~ "y " "* 'V j i't _ ".; a@lta... i-'" V 1..J..u~ 1/... L 1 400pA 1~~2boJ/A l--... tamh= 2 )"{; o 30 40U cc V lli-bl/331$-311-1-31 15 k 1 BF 457 458 459-1 UCE~V t am b=25"c 'iiii fe ma) 1&W3375-31/07- t-61 Rys. 1-6. Względny współczynnik statyczny wzmocnienia prądowego w funkcji prądu kolek tora hm = filc) fr HHz 0 8F 457 458 459 Rys. 1-3. Charakterystyka wyjściowa CCJ pf 12 1\ BF'l 17. 'r.i8 'ł! ig 8 "\. (=1f1Hz_ - r-... l$.- ~amb= 25"(; - 6 r... "'" "o 5 15 2OU" V BN-831337S- 31701- roju Rys. 1-4. Pojemność kolektor-baza w funkcji napięcia kolektor-baza Ce.o = fiu. ) 700 6 U" mv 8F 457 458 459 500 0.1 1 / LtE- V tamb=2s"c fe ma N-i37317$ - 31/01" 1-51 m 1W-831337S-3Vo7-t-11 Rys. 1-7. Częstotliwość graniczna w funkcji prądu kolektora/t =.lud U CE - pan:metr 30 ' -.... ~ T i o 4 8 121624 2BUa \' 7 7 i.-'" L. /j=1{1j C- - : BN-S3Dł 31/01-1-81! Rys. 1-8. Moduł małusygnałowego współczynnika wzmocnienia prą- Rys. )-5. Napięcie baza-emiter w funkcji prądu kolektora U'E = fil) dowego w funkcji napięcia kolektor-emiter h21j = frucf)