ZAKŁAD TECHNOLOGII STRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH DLA FOTONIKI

ZAKŁAD TECHLGII STRUKTUR PÓŁPRZEWDIKWYCH DLA FTIKI Kierownik:prof. dr hab. inż. Anna PITRWSKA e-mail: ania@ite.waw.pl, tel. (-prefiks-22) 548 79 4 Zespół: dr hab. inż. Jerzy Ciosek, e-mail: jciosek@ite.waw.pl, mgr Krystyna Gołaszewska, e-mail: krystyg@ite.waw.pl, dr inż. Marek Guziewicz, e-mail: margu@ite.waw.pl, mgr inż. Paweł Jagodziński, e-mail: jagodzin@ite.waw.pl, dr inż. Eliana Kamińska, e-mail: eliana@ite.waw.pl, mgr inż. Renata Kruszka, e-mail: kruszka@ite.waw.pl mgr inż. Radosław Łukasiewicz, e-mail: rlukasi@ite.waw.pl, dr Ewa Papis-Polakowska, e-mail: papis@ite.waw.pl, dr inż. Tadeusz T. Piotrowski, e-mail: ttpiotr@ite.waw.pl, dr inż. Maciej Piskorski, e-mail: piskorsk@ite.waw.pl, mgr inż. Paweł Skoczylas, e-mail: pskoczy@ite.waw.pl, mgr inż. Artur Szczęsny e-mail: szczesny@ite.waw.pl, mgr Andrian Kuchuk, mgr inż. Lidia Ilka, mgr inż. Ireneusz Wójcik 1. Wprowadzenie W 24 r. Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki realizował następujące projekty badawcze: pracowanie procesów wytwarzania cienkich warstw tlenków i azotków przewodzących dla potrzeb półprzewodnikowych przyrządów fotonowych Etap III (projekt statutowy nr 1.3.35, termin realizacji 31.12.24); Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie Sb i ich zastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (grant promotorski KB nr 4 T1B 39 22, termin realizacji 15.5.24); Tranzystory polowe Al/ nowej generacji dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości (grant KB nr 1359/T11/24/26, termin realizacji 25.4.27); Półprzewodnikowe fotoogniwa Sb/In(Al)AsSb do zastosowań w przyrządach termofotowoltaicznych (grant KB nr 136/T11/24/26, termin realizacji 3.5.27); Wytwarzanie i optymalizacja kontaktu omowego typu p do, DEIS (projekt EC nr G5RD-CT-21-566, termin realizacji 31.3.25); anostrukturalne czujniki fotonowe", APHS (projekt EC nr IST-21-39112, termin realizacji 31.12.25).

2 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki Zakład świadczył również usługi badawcze na zamówienie odbiorców zewnętrznych, m. in. w zakresie opracowania technologii wytwarzania masek Zr na podłożach As i Sb stosowanych do lateralnego wzrostu warstw epitaksjalnych metodą LPE. drębną grupę działalności stanowiły prace recenzenckie na rzecz Komisji Europejskiej w 6. Programie Ramowym, w części Human Resources & Mobility. 2. Wyniki działalności naukowo-badawczej ajważniejszymi zadaniami naukowo-badawczymi w 24 r. było: opracowanie technologii wytwarzania przezroczystych przewodzących warstw Zn typu p, opracowanie technologii wytwarzania przewodzących warstw tlenkowych o strukturze amorficznej z materiałów na bazie rutenu, przeprowadzenie badań stabilności termicznej metalicznych barier antydyfuzyjnych W-Ti-, Ta-- i Ti--. Równolegle prowadzono prace aplikacyjne związane z zastosowaniem opracowywanych struktur cienkowarstwowych w technologii półprzewodnikowych przyrządów opto- i mikroelektronicznych z materiałów na bazie Sb, As i. ieodłącznym elementem działalności było doskonalenie metod litografii i charakteryzacji opracowywanych struktur cienkowarstwowych. 2.1. Technologia i własności cienkich warstw p-zn Bazując na wynikach prac z 23 r. za najbardziej perspektywiczną drogę do uzyskania cienkich warstw Zn typu p uznano metodę utleniania termicznego Zn 3 2 z ewentualnym kodomieszkowaniem chromem. W przyjętym podejściu warstwy Zn 3 2 były wytwarzane techniką reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowego r.f. z targetu Zn w plazmie Ar/ 2 ; dla kodomieszkowania chromem stosowano dodatkowo target Cr. Procesy utleniania Zn 3 2 były prowadzone w standardowym piecu do obróbki termicznej w przepływie tlenu. Celem badań było określenie: wpływu warunków procesu rozpylania katodowego oraz struktury krystalicznej podłoża na mikrostrukturę warstw Zn 3 2 i dalej na własności strukturalne Zn; wpływu zanieczyszczeń wodorem oraz domieszkowania azotem i chromem na własności transportowe p-zn. Jako podłoża stosowano kwarc (struktura amorficzna), szafir (struktura heksagonalna) oraz (struktura heksagonalna, dopasowana sieciowo do Zn) i cienkie, monokrystaliczne warstwy Zn na podłożu. W badaniach mikrostruktury cienkich warstw zastosowano techniki XRD, SIMS, AFM.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 3 trzymane wyniki wskazują, że czynnikiem decydującym o strukturze krystalicznej warstw Zn 3 2 jest skład plazmy, w jakiej odbywa się proces rozpylania katodowego. Przy niskiej zawartości azotu, poniżej 25% 2, otrzymywane warstwy Zn 3 2 zawierają wytrącenia metalicznego Zn. Jednofazowy, polikrystaliczny Zn 3 2 o charakterystycznej dla tego materiału strukturze kubicznej otrzymuje się przy 25% zawartości azotu. W zakresie 5 7% 2 struktura krystaliczna Zn 3 2 jest uporządkowana, o orientacji (1). Dalszy wzrost zawartości 2 sprawia, że warstwy Zn 3 2 stają się drobnokrystaliczne i amorficzne. Ilustrują to przedstawione na rys. 1 wyniki analiz rentgenowskich warstw Zn 3 2. Intensity 7 6 5 4 3 2 1 a) 321 Zn 3 2 d exp = 2.614 A 4 Zn 3 2 d exp = 2.457A P RF =1.9W/cm2, p tot. =1x1-2 mbar, p 2 =2x1-3 mbar Zn 44 Zn 3 2 d exp = 1.727 A Intensity 8 6 4 2 b) 222 Zn 3 2 d exp =2.826A 321 Zn 3 2 d exp = 2.619 A 4 Zn 3 2 d exp = 2.45A P RF =1.9W/cm 2, p tot. =1x1-2 mbar, p 2 =2.5x1-3 mbar 332 Zn 3 2 d exp = 2.89A 44 Zn 3 2 d exp = 1.732A 3 4 5 6 7 2 θ [ deg ] 3 4 5 6 7 2 θ [ deg ] c) d) Intensity 3 25 2 15 1 5 4 Zn 3 2 P RF =1.9W/cm 2, p tot. =1x1-2 mbar, p 2 =5-7x1-3 mbar Intensity 3 P RF =1.9W/cm 2, 25 p tot. =1x1-2 mbar, p 2 =9x1-3 mbar 2 15 1 5 3 4 5 6 7 2 θ [ deg ] 3 4 5 6 7 2 θ [ deg ] Rys. 1. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw Zn 3 2 osadzanych metodą reaktywnego rozpylania katodowego przy różnym stosunku ciśnień 2 /Ar: a) 2% 2 Zn 3 2 + Zn, b) 25% 2 polikrystaliczny Zn 3 2, c) 5% 7% 2 monokrystaliczny, d) 2 > 8% polikrystaliczny/amorficzny Co ciekawe, powyższe zależności były obserwowane niezależnie od rodzaju podłoża, na którym osadzano Zn 3 2. W przeciwieństwie do tego mikrostruktura warstw Zn bardzo silnie zależała zarówno od struktury wyjściowego podłoża, jak i od struktury Zn 3 2. a rys. 2 przedstawiono dyfraktogramy rentgenowskie ilustrujące wpływ wyjściowego podłoża (szafir, kwarc, epi-zn) na mikrostrukturę warstw Zn otrzymywanych w wyniku utleniania monokrystalicznego Zn 3 2 (o strukturze jak na rys. 1c). Jak widać, na podłożach niedopasowanych sieciowo do Zn kwarcu i szafirze otrzymano polikrystaliczny Zn. W przypadku gdy podłożem był

4 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki Intensity (cps) a) b) 8 6 4 2 2 11 K β 6 Al 2 3 45 5 55 6 2 θ (deg) c) K α 8 Zn 3 2 d=65nm na Al 2 3 utlenianie @ 6 o C.2 Zn 12 Intensity 8 7 6 5 4 3 2 1 1. Zn 3 2 d=65nm na utlenianie @ 6 o C 1.1 K β.2 1.1 Zn 3 2 d=65nm na kwarcu utlenianie @ 6 o C Zn 1.2 4 5 6 7.4 Zn.4 2 θ [ deg ] 11. Intensity 6 4.2 Zn.6 Al 2 3 2 4 45 5 55 6 95 1 2 θ [ deg ] Rys. 2. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw Zn na podłożach z szafiru, kwarcu oraz : a) polikrystaliczny Zn na szafirze, b) polikrystaliczny Zn na kwarcu, c) epitaksjalny Zn na tlenek cynku lub, struktura Zn charakteryzowała się wysokim uporządkowaniem zgodnym z orientacją krystaliczną podłoża. Komplementarne badania morfologii powierzchni technikami mikroskopii optycznej i AFM wykazały, że transformacja strukturalna silnie uporządkowanego kubicznego Zn 3 2 w heksagonalny Zn, zachodząca na niedopasowanym do Zn podłożu, daje w efekcie warstwy polikrystaliczne o jednorodnej morfologii (rys. 3). Jeśli a) b) Rys. 3. Morfologia powierzchni warstwy Zn wytworzonej poprzez utlenianie monokrystalicznego Zn 3 2 na szafirze: a) obraz z mikroskopu optycznego, b) obraz AFM

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 5 zaś proces transformacji przebiega na podłożu dopasowanym sieciowo, to naprężenia wewnętrzne generowane w trakcie przemiany strukturalnej sprawiają, że otrzymany materiał mimo monokrystalicznej struktury charakteryzuje się bardzo niejednorodną topografią (rys. 4). a) b) c) d) Rys. 4. Morfologia powierzchni warstwy Zn podłożu : a) obraz z mikroskopu optycznego, b) d) obrazy AFM cech charakterystycznych jak dziury, wzgórki i obszar płaski a rys. 5 przedstawiono dyfraktogramy rentgenowskie ilustrujące wpływ wyjściowego podłoża (Zn, szafir) na mikrostrukturę warstw Zn otrzymywanych w wyniku utleniania polikrystalicznego Zn 3 2 (o strukturze jak na rys. 1a). a podłożach dopasowanych sieciowo (, Zn) otrzymano monokrystaliczny Zn, podczas gdy warstwy otrzymane na niedopasowanych sieciowo podłożach (kwarc, szafir) charakteryzują się strukturą polikrystaliczną. Intensity (cps) 5 4 3 2 Al 2 3 //Zn sputt. /Zn 3 2 po utlenianiu d = 2.66 A 2 Zn po osadzeniu Zn sputt. d = 2.631 A 2 Intensity (cps) 8 6 4 po osadzeniu 2 Zn 11 Zn 4 Zn 3 2 6 Al 2 3 K β K α Al 2 3 /Zn 3 2 (9% 2 ) po utlenianiu 12 Zn 2 42 43 44 45 2 θ (deg) 45 5 55 6 2 θ (deg) Rys. 5. Dyfraktogramy rentgenowskie warstw Zn otrzymanych z drobnoziarnistego Zn 3 2 na podłożach Zn oraz Al 2 3 Za najważniejszy wynik przeprowadzonych prac badawczych należy uznać zoptymalizowanie parametrów wytwarzania jednorodnych, monokrystalicznych warstw Zn na podłożach. W szczególności wykazano, iż stosując polikrystaliczny/amorficzny Zn 3 2 można uzyskać cienkowarstwowy monokrystaliczny Zn o regularnej morfologii powierzchni. brazy mikroskopowe tego typu warstw przedstawiono na rys. 6. W badaniach nad efektywnością domieszkowania Zn ustalono korelację między własnościami transportowymi warstw Zn a koncentracją aktywnej domieszki, jaką jest azot, oraz koncentracją wodoru. Ilościowe badania składu

6 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki zostały wykonane metodą SIMS z użyciem specjalnie do tego celu wytworzonych wzorców azotu i wodoru w Zn. Pomiary zawartości azotu wykazały jednorodną i powtarzalną koncentrację w utlenionej warstwie na poziomie 3 5 1 2 at./cm 3. Stwierdzono, że warstwy Zn zawierają porównywalną z azotem koncentrację wodoru. a rys. 7 przedstawiono wyniki badań głębokościowych składu Zn 3 2 po osadzeniu i utlenianiu. Stwierdzono, że koncentracja wodoru w Zn zależy od poziomu ciśnienia resztkowego wodoru podczas procesu nanoszenia Zn 3 2. Wprowadzenie specjalnego reżimu technologicznego, polegającego na dodatkowym czyszczeniu komory próżniowej i trawieniu podłoża jonami Ar in situ, pozwoliło na znaczącą redukcję zawartości wodoru w warstwie Zn. Stwierdzono, że zawartość graniczna, powyżej której nie jest możliwe uzyskanie w Zn przewodnictwa dziurowego, wynosi ok. 2 1 2 at./cm 3. a) b) Rys. 6. Morfologia powierzchni warstw Zn wytworzonej poprzez utlenianie drobnokrystalicznego Zn 3 2 na podłożu : a) obraz z mikroskopu optycznego, b) obraz AFM cech charakterystycznych!) ") #) SIMS gnal [ c/s ] 1 8 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 Zn Zn 3 2 65 nm as-deposited substrate 2 1,,2,4,6 Depth [ µm ] 3 ] Concentration of and H [ at/cm 1 23 Zn 1 22 1 21 1 2 1 19 1 18 H standard cleaning Zn 3 2 64nm on ht @ 2 6 C 15 min. 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 1,,2,4,6,8 1, Depth [ µm] SIMS gnal [ c/s ] 3 ] Concentration of and H [ at/cm 1 23 1 22 1 21 1 2 1 19 1 18 H Zn improved cleaning Zn 3 2 on ht @ 2 6 15 min. 1,,2,4,6,8 1, Depth [µm] 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 SIMS gnal [ c/s ] Rys. 7. Profile głębokościowe warstw Zn 3 2 i Zn: a) Zn 3 2 po osadzeniu, b) warstwa Zn zawartość H przed optymalizacją czyszczenia stanowiska i podłoża; c) warstwa Zn zawartość H po optymalizacji procesu oczyszczania Wartości parametrów elektrycznych warstw Zn, otrzymanych z materiału wyjściowego Zn 3 2 osadzonego przy różnej ilości azotu, zestawiono w tab. 1. W świetle tych wyników wydaje się, że rola chromu jako kodomieszki umożliwiającej uzyskanie wyższej koncentracji dziur w p-zn polega na geterowaniu zanieczyszczeń wodorowych.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 7 Tabela 1. Parametry elektryczne utlenionych warstw Zn 3 2 Materiał wyjściowy Utlenianie d Zn [nm] Al 2 3 /Zn 3 2 (3% 2 ) Al 2 3 /Zn 3 2 (5% 2 ) Al 2 3 /Zn 3 2 (8% 2 ) Zn/Zn 3 2 (9% 2 ) Al 2 3 /Zn 3 2 (1% 2 ) 6 o C 15 min. 6 o C 15 min. 6 o C 15 min. 6 o C 3 min. 6 o C 15 min. Typ ρ [Ω cm] Koncentr. [cm 3 ] µ [cm 2 /Vs] 7 p 2,37 2,6 1 17 1, 66 p 1,52 2,3 1 17 17,9 63 p 1,31 2,96 1 17 16, 145 p 3,51 5,4 1 16 35,2 26 p 1,18 6,57 1 17 7,9 Pomiary transmisji warstw p-zn: przedstawione na rys. 8 wykazały dobrą, 8% wartość dla zakresu podczerwieni,7 2,2 µm i słabszą, ok. 6 7 %, dla zakresu widzialnego. Badania fotoluminescencji warstw p-zn: w temperaturze 16 K przeprowadzono we współpracy z Instytutem Fizyki PA. Jak można zauważyć na rys. 9, w widmie fotoluminescencji widoczny jest silny pik odpowiadający energii 3,36 ev oraz emisji z głębokiego poziomu 2,33 ev. Pierwszy pik 3,36 ev przypisuje się ekscytonowi związanemu z domieszką azotową (A o X), a wzbudzenie ok. 2,33 ev, tzw. green band, lukom tlenowym w Zn. 1 9 Zn d=26 nm Zn d=6 nm T=16K, Excitation line 351nm (Argon laser) 3.36 ev Transimission (%) 8 7 6 5 4 3 Intensity [a.u.] Zn 3 2 (9 2 )/Al 2 3, oxidized @ 6 C 2.33 ev 2 1 Zn 3 2 / 2 ht@ 2, 6 C 15min. 4 6 8 12 14 16 18 2 22 Wavelength (nm) 2, 2,5 3, 3,5 E[eV] Rys. 8. Transmisja warstw p-zn: o grubości 26 nm i 6 nm Rys. 9. Fotoluminescencja warstw p-zn: utlenianych w 6 o C

8 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 2.2. Technologia i własności cienkowarstwowych barier dyfuzyjnych dla metalizacji na bazie złota Złoto oraz jego stopy i struktury warstwowe na bazie Au są najczęściej stosowanymi materiałami w technologii metalizacji przyrządów półprzewodnikowych III-V. Wykorzystywane są zarówno w technologii warstw kontaktowych (kontakty omowe), jak i warstw montażowych (doprowadzenia elektryczne). W szczególności badania przeprowadzone w poprzednim etapie projektu DEIS wykazały, że kontakty Pd mają najlepsze własności elektryczne (najniższe wartości rezystywności), jeśli chodzi o kontakty omowe do obszaru typu p lasera /Al/ /In. Zalety i wady metalizacji na bazie złota są nierozłącznie związane z metalurgią układu Au/półprzewodnik A III -B V i aktywowanymi termicznie reakcjami zachodzącymi w tych układach. Mają one m. in. negatywny wpływ na długoczasową stabilność mikrostruktury kontaktów i ich własności elektryczne. Powszechne jest przekonanie, że rozwiązaniem problemu ograniczonej stabilności termicznej metalizacji na bazie Au jest wprowadzenie do nich cienkowarstwowych barier antydyfuzyjnych. Cienkowarstwowe materiały barierowe muszą spełniać warunki wysokiej stabilności termicznej, wysokiego przewodnictwa elektrycznego, odporności na korozję, kompatybilności z procesem wytwarzania struktur przyrządowych. ajnowsze badania w tym zakresie sugerują, że materiały barierowe powinny się charakteryzować strukturą amorficzną, wolną od łatwej dyfuzji (np. po granicach ziaren). Przedmiotem badań szczegółowych były dwa układy materiałowe: cienkowarstwowe przewodzące azotki metali przejściowych, w tym warstwy układów Ta--, Ti-- i Ti-W-, oraz cienkowarstwowe przewodzące tlenki na bazie rutenu, w tym warstwy układów Ru- and Ru--. 2.2.1. Cienkowarstwowe przewodzące azotki metali przejściowych Cienkie warstwy Ta--, Ti-- i W-Ti- były wytwarzane metodą reaktywnego magnetronowego rozpylania katodowe w plazmie Ar/ 2 przy użyciu targetów Ta 5 3, Ti 5 3 i Ti(1%)W(9%). sadzanie warstw Ta-- i Ti-- prowadzono w urządzeniu Leybold L56, a warstw W-Ti- w sputronie Leybold Z55. Duża część prac była wykonywana z użyciem podłoży (1)As, końcowe eksperymenty prowadzono stosując podłoża. Charakteryzacja wytworzonych warstw obejmowała pomiary oporności elektrycznej (metodą czterech sond), naprężeń (Tencor FLX 232), składu chemicznego (RBS i SIMS), struktury krystalicznej i morfologii powierzchni (XRD, AFM). W celu określenia stabilności termicznej wytwarzane warstwy były poddawane procesom wygrzewania w atmosferze Ar w temperaturze 4 o C.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 9 Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw Ta-- Wpływ parametrów osadzania (moc RF, zawartość 2 w plazmie) na podstawowe własności warstw Ta-- (skład chemiczny, rezystywność, naprężenia) ilustrują zależności przedstawione na rys. 1. trzymane wyniki, uzupełnione analizami XRD (rys. 11), wskazują, że skład gazu procesowego (zawartości 2 w plazmie) ma zasadniczy wpływ na skład chemiczny i strukturę krystaliczną warstw Ta--. W szczególności dowodzą, że optymalizując parametry procesu osadzania można otrzymać przewodzące warstwy o strukturze amorficznej. a) b) c) Layer composition [ at% ].7.6.5.4.3.2.1. P = 2 W f Ar = 1 sccm 5 1 15 2 2 flow [ sccm ] Ta Resistivity [ Ωcm ] 1-1 1-2 1-3 1-4 P = 2 W f Ar = 1 sccm Ta.67.33 Ta.34.25.41 5 1 15 2 2 flow [ sccm ] d) e) f) Strain [ GPa ]. -.5-1. -1.5-2. Ta.67.33 Ta.34.25.41 Ta.4.24.36 P = 2 W f Ar = 1 sccm 5 1 15 2 2 flow [ sccm ] Layer composition [ at% ].6.5.4.3.2.1 Ta 1 12 14 16 18 2 RF power [ W ] f 2 = 8 sccm f Ar = 1 sccm Resistivity [ Ωcm ] 1-1 1-2 1-3 1-4 Ta.29.22.49 f 2 = 8 sccm f Ar = 1 sccm Ta.38.2.42 Ta.4.24.36 1 12 14 16 18 2 RF power [ W ] Strain [ GPa ]. -.5-1. -1.5-2. Ta.29.22.49 Ta.4.24.36 f 2 = 8 sccm f Ar = 1 sccm Ta.38.22.42 1 12 14 16 18 2 RF power [ W ] Rys. 1. Zależność składu (a, b), rezystywności (c, d) i naprężeń (e, f) warstwy Ta-- od prze- pływu 2 oraz mocy RF a) c) 2 15 As(4) 8 P RF = 2 W Ta.28.22.5 f 2 = 2 sccm Counts 5 As(2) As/Ta.67.33 (1 nm) Counts 6 4 Ta.33.23.44 f 2 = 12 sccm Ta.34.25.41 f 2 = 1 sccm Ta.4.24.36 f 2 = 8 sccm Ta.53.2.27 f 2 = 5 sccm 2 3 4 5 6 7 8 2 Ta.58.21.21 f 2 = 2 sccm b) 2 2Θ [ deg ] Ta.67.33 35 4 45 5 2Θ [ deg ] Counts 15 5 As(2) As(4) As/Ta.34.25.41 (1 nm) 2 3 4 5 6 7 8 2Θ [ deg ] Rys. 11. Wpływ parametrów rozpylania katodowego (P = 2 W, f 2 = 2 2 sccm) na mikrostrukturę warstw Ti--: a), b) widma XRD warstw As/Ta,67,33 i As/Ta,34,25,41, c) fragment widma XRD ilustrujący zmianę struktury warstwy Ta-- ze wzrostem zawartości azotu

1 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki Wpływ obróbki termicznej na mikrostrukturę i własności elektryczne warstw Ta-- ilustrują zależności przedstawione na rys. 12 17 oraz w tab. 2. Tabela 2. Wpływ procesów termicznych na skład warstw As/Ti x 1-x-y y Metalizacja d = 1 nm Parametry procesu obróbki termicznej 6 o C, 5 min. 8 o C, 5 min. o C, 5min. As/Ta,67,33 Ta,67,33 Ta 5 3 + Ta 2 Ta 5 3 + Ta 2 As/Ta,34,25,41 Ta,34,25,41 Ta,34.,5.41 Ta 5 3 + Ta,2,8 Counts 2 2 T = 8 C T = 6 C Ta - Ta - 5 3 2 Counts 2 2 T = C T = 9 C - Ta.2.8 - Ta 5 3 2 As(2) as deposited As/Ta.67.33 (1 nm) 2 3 4 5 6 7 8 2Θ [ deg ] As(4) 2 As (2) as deposited As/Ta.34.25.41 (1nm) 2 3 4 5 6 7 8 2Θ [deg ] As (4) Rys. 12. Wpływ temperatury wygrzewania na mikrostrukturę warstw: a) As/Ta,67,33, b) As/ /Ta,34,25, 41 a) Ta.67 c).33 Ta.4.24 e).36 Ta.34.25.41 X.2 µm/div rms =.47 nm Z 1 nm/div rms =.35 nm rms =.36 nm X 1 µm/div Z 1 nm/div X.2 µm/div Z 5 nm/div b) d) f) T = 7 o C rms = 4.4 nm X.2 µm/div Z 4 nm/div T = 9 o C rms =.6 nm T = 9 o C rms =.46 nm Rys. 13. brazy AFM powierzchni warstw Ta--:Ta,67,33 po osadzeniu (a) i wygrzewaniu w T = = 7 o C, t = 5 min. (b); Ta,4,24,36 po osadzeniu (c) i wygrzewaniu w T = 9 o C, t = 5 min. (d); Ta,34,25,41 po osadzeniu (e) i wygrzewaniu w T = 9 o C, t = 5 min. (f)

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 11 a) b) c) 1 7 1 7 1 7 1 6 As 1 6 As 1 6 As Counts [ c/s ] 1 5 1 4 Ta 1 3 As/Ta.67.33 as deposited Counts [ c/s ] 1 5 1 4 1 3 Ta As/Ta.67.33 6 o C, 5 min, Ar Counts [ c/s ] 1 5 1 4 1 3 Ta As/Ta.67.33 7 o C, 5 min, Ar 1 2 1 2 1 2 1 1 1 1 1 1 1 5 1 15 2 25 Time [ s ] 1 5 1 15 2 25 Time [ s ] 1 5 1 15 2 25 Time [ s ] d) e) f) 1 6 1 5 1 4 Ta As/Ta.4.24.36 as deposited 1 6 1 5 1 4 Ta As/Ta.4.24.36 7 o C, 5 min, Ar 1 6 1 5 1 4 Ta As/Ta.4.24.36 8 o C, 5 min, Ar Counts [ c/s ] 1 3 1 2 Counts [ c/s ] 1 3 1 2 Counts [ c/s ] 1 3 1 2 1 1 1 1 1 1 1 5 1 15 2 25 Time [ s ] 1 5 1 15 2 25 Time [ s ] 1 5 1 15 2 25 Time [ s ] g) h) i) Counts [ c/s ] 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 1 Ta As/Ta.34.25.41 as deposited 5 1 15 2 25 Time [ s ] Counts [ c/s ] 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 1 As/Ta.34.25.41 9 o C, 5 min, Ar Ta 5 1 15 2 25 Time [ s ] Counts [ c/s ] 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 1 1 1 Ta As/Ta.34.25.41 o C, 5 min, Ar 1 2 3 4 5 Rys. 14. Profile SIMS warstw Ta--:Ta,67,33 po osadzeniu (a) i po wygrzewaniu w T = 6 o C (b), T = 7 o C (c); Ta,4,24,36 po osadzeniu (d) i po wygrzewaniu w T = 7 o C (e), T = 8 o C (f); Ta,34 S,25,41 po osadzeniu (g) i po wygrzewaniu w T = 9 o C (h), T = o C (i) Time [ s ] Resistance [ Ω/sq. ] 16 14 12 1 8 6 4 2 As As/Ta.67.33 As/Ta.53.2.27 As/Ta.4.24.36 As/Ta.34.25.41 d Au = 9 nm d Ta-- = 1 nm 4 5 6 7 8 Annealing temperature [ o C ] Rys. 15. Wpływ temperatury wygrzewania na rezystywność kontaktów As/Ta--

12 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki a) b) Backscattering yield [ a.u. ] 1.x1 4 8.x1 3 6.x1 3 4.x1 3 2.x1 3 Energy [ MeV ].7 1.1 1.5 1.9 As/Ta.53.2.27 (11nm)(9nm) Au as deposited Ta Ar, T = 8 C, t = 5 min. As Backscattering yield [ a.u. ] Energy [ MeV ].7 1.1 1.5 1.x1 4 1.9 As/Ta.34.25.41 (11 nm)(9nm) Au 8.x1 3 6.x1 3 4.x1 3 2.x1 3 as deposited Ar, T = 8 C, t = 5 min. Ta As. 15 2 25 3 35 4 45 Channel. 15 2 25 3 35 4 45 Channel Rys. 16. Widma RBS kontaktów As/Ta,53,2,27 (a) i As/Ta,34,25,41 (b) przed i po wygrzewaniu w Ar, T = 8 o C, t = 5 min. a) b) Rys. 17. Zdjęcia TEM kontaktu Au/Ta,34,25,41 / przed (a) i po (b) wygrzewaniu w Ar, T = 8 o C, t = 5 min. Podsumowując otrzymane wyniki należy podkreślić, iż cienkie warstwy o składzie Ta,34,25,41 i grubości 1 nm stanowią znakomitą warstwę barierową, odporną na działanie podwyższonych aż do 8 o C temperatur. Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw Ti-- Wpływ parametrów osadzania na rezystywność i własności barierowe warstw Ti-- jest przedstawiony na rys. 18. trzymane wyniki wskazują, że cienkie a) b) Resistivity [ Ωcm ] 1-1 1-2 1-3 P = 45 W f Ar = 15 sccm Ti.58.42 Ti.27.2.53 Resistance [ Ω/sq. ] 1 As/Ti.34.26.4 As/Ti.3.22.48 As/Ti.27.2.53 As/Ti.26.19.55 1 As/Ti.26.18.57 d Ti-- = 17 nm d Au = 5 nm 1 Ti.3.22.48 1-4 5 1 15 2 flow [ sccm ].1 4 5 6 7 8 Annealing temperature [ C ] Rys. 18. Wpływ parametrów procesu osadzania na rezystywność warstw Ti-- (a) i wygrzewania na rezystywność kontaktów As/Ti-- (b)

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 13 warstwyti,27,2,53 spełniają wymogi wysokiego przewodnictwa i stabilności termicznej w temperaturze do 8 o C. Wytwarzanie i własności barierowe cienkich warstw W-Ti- Wpływ parametrów osadzania na rezystywność, mikrostrukturę i własności barierowe warstw W-Ti- jest przedstawiony na rys. 19 22. trzymane wyniki wskazują, że optymalizując parametry procesu osadzania można otrzymać przewodzące warstwy o strukturze amorficznej. Ich własności barierowe są jednakże gorsze w porównaniu z warstwami Ta-- i Ti--. ajlepsze pod tym względem warstwy W,65 Ti,17,18 wykazują odporność na działanie podwyższonych temperatur nie przekraczających 75 o C. 4.5x1 3 (111)β-W 2 (2)Ti Intensity [ a.u. ] 4.x1 3 3.5x1 3 3.x1 3 2.5x1 3 2.x1 3 1.5x1 3 1.x1 3 5.x1 2 (111)Ti (11)W (2)β-W 2 W.34 Ti.11.55 W.36 Ti.11.53 W.4 Ti.11.49 W.42 Ti.12.46 W.45 Ti.13.42 W.51 Ti.13.36 W.56 Ti.14.3 W.65 Ti.17.18 W.69 Ti.19.12 W..78 Ti.22 35 4 45 5 55 6 2Θ [deg] Rys. 19. Dyfraktogramy XRD warstw W-Ti- a) b) c) d) Rys. 2. brazy AFM powierzchni warstw W-Ti-: a) W,78 Ti,22, b) W,65 Ti,17,18, c) W,42 Ti,12,46, d) W,34 Ti,11,55

14 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki Resistance [ Ω/sq. ] As/W.78 Ti.22 As/W.69 Ti.19 12 As/W.65 Ti.17 18 1 As/W.56 Ti.14 3 As/W.4 Ti.11 49 As/W.36 Ti.11 53 1 As/W.34 Ti.11 55 d W-Ti- = 1 nm d 1 Au = 9 nm.1 55 6 65 7 75 8 Annealing temperature [ C ] Rys. 21. Wpływ wygrzewania na własności barierowe warstw W-Ti- a) b) Backscattering yield [a.u.] 1.5x1 4 1.25x1 4 1.x1 4 7.5x1 3 5.x1 3 As/W.78 Ti.22 (1nm)(2nm) as-deposited 6 o C, 5 min, Ar 7 o C, 5 min, Ar 2.5x1 3 As. 15 2 25 3 35 4 Channel W 2MeV He + c) d) Backscattering yield [a.u.] 1.4x1 4 1.2x1 4 1.x1 4 8.x1 3 6.x1 3 4.x1 3 2.x1 3 As/W.56 Ti.14.3 (1nm)(2nm) as-deposited 75 o C, 5 min, Ar 8 o C, 5 min, Ar As. 3 4 5 6 7 8 9 Channel W Au 2MeV He + Au Backscattering yield [a.u.] Backscattering yield [a.u.] 1.25x1 4 1.x1 4 7.5x1 3 5.x1 3 2.5x1 3. 2.x1 4 1.75x1 4 1.5x1 4 1.25x1 4 1.x1 4 7.5x1 3 5.x1 3 2.5x1 3 As/W.65 Ti.17.18 (1nm)(2nm) as-deposited 75 o C, 5 min, Ar 8 o C, 5 min, Ar As 15 2 25 3 35 4 Channel W As/W.36 Ti.11.53 (1nm)(2nm) as-deposited 65 o C, 5 min, Ar 7 o C, 5 min, Ar As 2MeV He +. 15 2 25 3 35 4 45 Channel W Au 2MeV He + Rys. 22. Widma RBS kontaktów As/W,78 Ti,22 (a); As/W,65 Ti,17,18 (b); As/ W,56 Ti,14,3 (c) i As/W, 36 Ti,11,53 (d) przed i po wygrzewaniu w Ar Au 2.2.2. Cienkowarstwowe tlenki przewodzące na bazie rutenu Cienkie warstwy Ru- i Ru-- były wytwarzane metodą magnetronowego rozpylania katodowego w plaźmie Ar/ 2 przy użyciu targetów Ru i Ru 1 1. Procesy osadzania były prowadzone w urządzeniu Leybold Z4 w modzie DC. Materiałem podłożowym był kwarc, szafir, krzem i epi-. Zasadniczym zadaniem prowadzonych prac było ustalenie korelacji pomiędzy parametrami procesu osadzania a własnościami elektrycznymi i strukturą krystaliczną otrzymywanych warstw.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 15 Wpływ zawartości tlenu w procesie rozpylania katodowego na rezystywność i skład chemiczny warstw Ru- i Ru-- ilustrują rys. 23 i 24. Komplementarne wyniki badań rentgenowskich wykazały, że warstwy Ri 2 charakteryzują się strukturą nanokrystaliczną, a warstwy Ru 4 cechuje struktura amorficzna. 1 1-1 Resistivity [Ωcm] 1-2 1-3 1-4 Ru-- d = 5 nm Ru- d = 5 nm 1-5 1 2 3 4 5 2 partial pressure [%] Rys. 23. Zależność rezystywności warstw Ru- i Ru- w funkcji względnego ciśnienia tlenu podczas rozpylania katodowego z targetu Ru i Ru Badania stabilności termicznej warstw Ru- 2 / i Ru 4 / (rys. 25, 26) wykazały, że pierwsze z nich charakteryzują się odpornością na działanie temperatur do 8 o C, drugie zaś cechuje stabilność termiczna aż do 9 o C. 4 a) b) Yield 3 2 ptimisation of reactive sputtering of Ru 2 1% Ar 8% Ar + 2% 2 5% Ar + 5% 2 substrate: Ru Atomic concentration [%at.] 1,,8,6,4,2 Ru- d = 5 nm P DC = 1 W p = 1x1-2 mbar xygen Ruthenium 1 2 3 4 5 6 7 8 Channel 25 c) ptimisation of reactive sputtering of Ru-- d) 1% Ar Ru 2 98% Ar + 2% 2 96% Ar + 4% 2 9% Ar + 1% 15 2 8% Ar + 2% 2 Substrate: Yield 5 1 2 3 4 5 6 7 8 Channel Atomic concentration [%at.], 1 2 3 4 5 2 partial pressure [%],7,6,5,4,3,2,1 xygen Ru-- d = 5 nm P DC = 1 W p = 5x1-3 mbar licon Ruthenium, 5 1 15 2 2 partial pressure [%] Rys. 24. Widma RBS i skład atomowy warstw Ru- (a, b) i Ru-- (c, d) osadzonych na

16 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki a) SIMS gnal [ c/s ] 1 8 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 Ru/ as-deposited Ru c) SIMS gnal [ c/s ] 1 8 Ru 2 / as-deposited 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 Ru e) SIMS gnal [ c/s ] 1 7 Ru 4 / as-deposited 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 Ru 1 1 1 1 1 1 b) SIMS gnal [ c/s ] 1 5 1 15 Depth [ nm ] 1 8 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 Ru/ 8 C, 2, 1 min. Ru 1 5 1 15 Depth [ nm ] d) f) SIMS gnal [ c/s ] 1 8 Ru 2 / 8 C, 2, 1 min. 1 7 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 Ru SIMS gnal [ c/s ] 1 5 1 15 1 6 1 5 1 4 1 3 1 2 Depth [ nm ] 1 7 Ru 4 / 9 C, 2, 1 min. Ru 1 1 1 1 1 1 1 5 1 15 Depth [ nm ] 1 5 1 15 Depth [ nm ] 1 5 1 15 Depth [ nm ] Rys. 25. Profile SIMS warstw na bazie Ru osadzonych na przed i po wygrzewaniu w azocie przez 1 min.: a), d) warstwa Ru; b), e) warstwa Ru 2 ; c), f) warstwa Ru 4 1-1 Annealing @ 2, 1 min. Resistivity [Ωcm] 1-2 1-3 1-4 Ru 4 Ru 2 1-5 Ru 1-6 2 4 6 8 Temperature [ o C] Rys. 26. Zależność rezystywności warstw Ru, Ru 2 i Ru 4 od temperatury ich wygrzewania 2.3. Cienkie warstwy Cd, Zn i Ru jako przezroczyste elektrody kontaktowe dla struktur półprzewodnikowych na bazie Sb pracujących w zakresie średniej podczerwieni ajpopularniejszym materiałem na przezroczyste elektrody kontaktowe w przyrządach optoelektronicznych pracujących w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni jest tlenek indowo-cynowy (IT). Użycie IT dla średniej podczerwieni napotyka na znaczne ograniczenia ze względu na wzrastające w tym zakresie

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 17 widmowym wartości odbicia i absorpcji. Tak więc dla półprzewodników na bazie Sb konieczne jest poszukiwanie innych tlenków przewodzących. Biorąc po uwagę dotychczasowe doświadczenia, przeprowadzono badania czterech materiałów przewodzących: tlenku kadmu, tlenku cynku, tlenku cyny oraz tlenku rutenowo-krzemowego. Badane TC były osadzane na podłożach p-sb (p = 3 1 17 cm 3 ), domieszkowanych germanem p-al,3,7 As,3 Sb,97, oraz dodatkowo do badań optycznych na podłożach kwarcowych. Warstwy Cd-, Sn- i Ru-- były nakładane metodą reaktywnego rozpylania katodowego z targetów Cd, Sn i Ru w atmosferze będącej mieszaniną argonu i tlenu. Zn osadzano metodą RF sputteringu w atmosferze argonowej stosując target Zn. ptymalizacja warunków osadzania (stosunek przepływu Ar/ 2, moc RF, ciśnienie w komorze procesowej) była prowadzona pod kątem uzyskania jak najwyższych wartości transmisji optycznej i przewodnictwa elektrycznego. Charakteryzację tlenków przewodzących prowadzono wykonując pomiary rezystancji warstw tlenkowych (sonda czteroostrzowa), szybkości ich nakładania (pomiar grubości wykonywano za pomocą profilometru Tencor α-step 2), transmisji widmowej (spektrofotometr Perkin Elmer Lambda 9 w Zakladzie Fizyki i Technologii Struktur iskowymiarowych) oraz pomiary elipsometryczne (elipsometr spektroskopowy VASE w Zakładzie Badania Struktur MS) pozwalające na wyznaczenie zależności widmowych współczynnika załamania i współczynnika ekstynkcji. a podstawie pomiarów transmisji wyznaczano także szerokość przerwy zabronionej badanych tlenków. Rezystancję właściwą kontaktów omowych wyznaczano metodą c-tlm w układzie ze źródłem pomiarowym Keithey SourceMeter 24. Skład warstw osadzanych reaktywnie określano metodą RBS (wiązka 4 He + o energii 2 MeV) stosując do interpretacji wyników program symulacyjny RUMP. Morfologię powierzchni TC badano techniką AFM (Digital Instruments anoscope IIIa). W tab. 3 podano optymalne parametry procesów wytwarzania oraz podstawowe charakterystyki uzyskanych TC. Tlenki kadmu, cynku i rutenowo-krzemowy tworzą zarówno z podłożami Sb, jak i AlAsSb typu p kontakt omowy bezpośrednio po nałożeniu i nie wymagają dodatkowej obróbki termicznej (rys. 27). W przeciwieństwie do nich tlenek cyny nie daje z p-sb kontaktu omowego nawet po wygrzewaniu. Wartości rezystancji właściwej wyznaczone metodą c-tlm wynoszą od 5 1 4 Ω cm 2 dla kontaktu p-sb/cd do 12 1 2 Ω cm 2 dla p-sb/ru 2. Wyższe wartości rezystywności dla AlAsSb wynikają z niższego poziomu domieszkowania warstwy poczwórnej. Analizując parametry elektryczne, można powiedzieć, że najbardziej obiecującymi materiałami są tlenek cynku i tlenek kadmu. Rysunek 28 przedstawia zależności widmowe transmisji warstw badanych tlenków przewodzących o grubości 1 nm osadzonych na podłożach kwarcowych. W zakresie widmowym 18 24 nm najwyższą wartość transmisji ob-

18 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki Tabela 3. Parametry procesu wytwarzania oraz własności tlenków przewodzących i kontaktów TC/półprzewodnik TC Cd Zn Ru Sn 2 Warunki osadzania sputeringowego DC P = 5 W p = 1 1 2 mbar 1% 2 9%Ar RF I c = 16 ma p Ar = 2 1 3 mbar DC P = 1 W p = 5 1 3 mbar 2% 2 8%Ar DC P = 75 W p = 1 1 2 mbar 2% 2 8%Ar Przerwa zabroniona [ev] Rezystywność TC [Ω cm] Rezystyw. kontaktu TC/Sb [Ω cm 2 Rezystywność kontaktu TC/AlAsSb [Ω cm 2 ] 2,4 5 1 4 3,4 1 4 5 1 3 3,3 2 1 3 2,4 1 4 1,3 1 3 1 1 2 1,5 1 3 3,6 4 1 3 Ω 2 15 1 p-sb/zn p-sb/cd p-sb/ru 4 p-sb/sn 2 Prąd (ma) 5-5 -1-15 -2-2. -1.5-1. -.5..5 1. 1.5 2. apięcie (V) Rys. 27. Charakterystyki prądowo-napięciowe struktur p-sb/tc serwuje się dla Zn (na poziomie 9%) oraz Ru 4 (85%), nieco niższe wartości dla Cd i Sn 2 (ok. 75%). Jak widać, tlenki te spełniają kryterium dobrej przezroczystości w wymaganym zakresie długości fali. Dla porównania pokazana została również transmisja warstwy IT, która dla λ = 24 nm spada do wartości 5%. Morfologię powierzchni analizowanych tlenków osadzonych na podłożu Sb pokazano na rys. 29.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 19 Transmisja (%) 1 9 8 7 6 5 4 3 2 1 3 6 9 12 15 18 21 24 Długość fali (nm) d = 1 nm Zn Ru 4 Sn 2 Cd Rys. 28. Widmowa zależność transmisji warstw Zn, Ru 4, Sn 2, Cd i IT IT Zn Ru 4 RMS = 12.5 nm RMS = 1.1 nm Cd Sn 2 RMS = 2.7 nm RMS = 24.7 nm Rys. 29. brazy AFM powierzchni Zn, Ru 4, Cd i Sn 2 osadzonych sputteringowo na podłożu Sb 3. Współpraca międzynarodowa W ramach 6. Programu Ramowego Zakład uczestniczył w realizacji dwóch projektów europejskich współpracując z następującymi ośrodkami zagranicznymi: DEIS ACRE AB, Szwecja; Linköping University, Linköping, Szwecja; Centrum Badań Wysokociśnieniowych UIPRESS PA, Warszawa; kmetic, Finlandia; Universität Bremen, Brema, iemcy;

2 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki SRAM-pto Semiconductors GmbH, iemcy; Instytut Fizyki PA, Warszawa. APHS ational Research Foundation, Ateny, Grecja; THALES, Paryż, Francja; Jenasensoric E.V., Jena, iemcy; Cybernetix, Marsylia, Francja; 3D Digital Design & Development Ltd, Broxbourne, Wielka Brytania; Foundation for Research and Technology Hellas, Iraklion, Grecja; The Weizmann Institute of Science, Rehovot, Izrael; Universite de Droit, d Economie et des Sciences d Aix-Marseille, Marsylia, Francja; Universita Degli Studi di Lecce, Włochy; Institutul ational de Cercetare Dezvoltare Pentru Fizica Laserilor, Plasmei si Radiatiei, Bukareszt, Rumunia; Centre ational de la Recherche Scientifique, Paryż, Francja. Publikacje 24 [P1] ATV A. V., GAVRILEK V. I., DEMIDV E. V., MRZV S. V., DUBIV A. A., LUSA- KVSKI J., KAP W., DYAKVA., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., SHUR M. S.: Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-zed As/AlAs Field-Effect Transistors with Two-Dimensional Electron s. Phys. Solid State 24 vol. 46 nr 1 s. 146 149. [P2] ATV A. V., GAVRILEK V. I., DEMIDV E. V., MRZV S. V., DUBIV A. A., LUSA- KVSKI J., KAP W., DYAKVA., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., SHUR M. S.: Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-zed As/AlAs Field-Effect Transistors with Two-Dimensional Electron s. Fizika Tverdovo Teła 24 vol. 46 s. 146 149 (ros.). [P3] DEEMERCK J., BTTCHER T., FIGGE S., EIFIELDT S., KRGER R., HMMEL D., KAMIŃSKA E., WIATRSZAK W., PITRWSKA A.: The Role of Sub-Contact Layers in the ptimization of Low- Resistivity Contacts to p-type. phys. stat. sol. (c) 24 vol. 1 nr 1 s. 2537 254. [P4] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., RATUSZA A., SPRIGHLZ G., BAUER G.: Ballistic Transport in PbTe-Based anostructures. Physica E 24 vol. 2 nr 3 4 s. 236 245. [P5] DBSZ D., ZYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., PITRWSKI T. T.: Properties of Zr Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral vergrowth of Compound Semiconductors. Cryst. Res. Technol. (w druku). [P6] GRABECKI G., WRÓBEL J., FRC K., ALESZKIEWICZ M., GUZIEWICZ M., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., SHTRIKMA H., DIETL T.: Unidirectional Transmission of Electrons in a Magnetic Field Gradient. Physica E 24 vol. 21 nr 2 4 s. 451 455. [P7] GUZIEWICZ E., GDLEWSKI M., KPALK K., LUSAKWSKA E., DYWSKA E., GUZIEWICZ M., GDLEWSKI M. M., PHILLIPS M.: Atomic Layer Deposition of Thin Films of ZnSe Structural and ptical Characterization. Thin Solid Films 24 vol. 446 nr 2 s. 172 177.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 21 [P8] GUZIEWICZ E., KPALK K., SADWSKI J., GUZIEWICZ M., GLACKI Z.: Electronic Structure of Zn(Mn) Surface Alloy a Resonant Photoemission Study. Mat. Res. Soc. Proc. 24 vol. 786 s. E6.4.1-6. [P9] GUZIEWICZ E., KPALK K., SADWSKI J., GUZIEWICZ M., GLACKI Z., KASKI J., ILVER L.: Mn on the Surface of Zn(1) - a Resonant Photoemisson Study. Physica Scripta 24 (w druku). [P1] JARSZYŃSKI J., ADREARCZYK T., KARCZEWSKI G., WRÓBEL J., WJTWICZ T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., PPVIC D., DIETL T.: Quantum Hall Ferromagnetism in II-VI Based Alloys. phys. stat. sol. (b) 24 vol. 241 nr 3 s. 712 717. [P11] JARSZYŃSKI J., ADREARCZYK T., WRÓBEL J., KARCZEWSKI G., WJTWICZ T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., PPVIC D., DIETL T.: Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically- Doped Quantum Wells. Physica E 24 vol. 22 nr 1 3 s. 76 81. [P12] KAMIŃSKA E., GŁASZEWSKA K., PITRWSKA A., KUCHUK A., KRUSZKA R., PAPIS E., SZELCH R., JAUS P., GTSZALK T., BARCZ A., WAWR A: Study of Long-Term Stability of hmic Contacts to. phys. stat. sol. (c) 24 vol. 1 nr 2 s. 219 222. [P13] KAMIŃSKA E., KSSUT J., PITRWSKA A., PRZEŹDZIECKA E., DBRWLSKI W., DYWSKA E., BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIEŁA R., ALESZKIEWICZ M., JAIK E., KWALCZYK E.: Transparent p-type Zn by xidation of Zn-Based Compounds. ICPS-27 Proc. (zgł. do druku). [P14] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., KRUSZKA R., KUCHUK A., SZADE J., WIIARSKI A., JASISKI J., LILIETAL-WEBER Z.: Zn- Tunnel Junction for Transparent hmic Contacts to p-. J. Alloys a. Compounds 24 vol. 371 nr 1 2 s. 129 132. [P15] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., SZCZĘSY A., KWALCZYK E., JAGDZIŃSKI P., GUZIEWICZ M., KUDŁA A., BARCZ A., JAKIEŁA R.: Thermally Stable Transparent Ru-- Schottky Contacts for n-type and Al. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku). [P16] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., KSSUT J., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., GŁASZEWSKA K., BARCZ A., JAKIELA R., DYWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: P-Type in Zn: by Codoping with Cr. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 24 vol. 786 s. E6.1.1-6. [P17] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., KSSUT J., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., GŁASZEWSKA K., BARCZ A., JAKIELA R., DYWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: p-type Conducting Zn: Fabrication and Characterisation. phys. stat. sol. (c) 24 (zgł. do druku). [P18] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., SZCZĘSY A., ŁUKASIEWICZ R., KUCHUK A., GŁASZEWSKA K., KRUSZKA R., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYWSKA E., STERT A., TURS A.: Thermally Stable Ru-- te Electrode for Al/ HEMT. phys. stat. sol. (c) (w druku). [P19] KAIEWSKA M., SADWSKI J., GUZIEWICZ M.: DLTS Study of Deep Centers Created by Ar-Ion Bombardment in n- and p-type MBE AIAs. Europ. Phys. J. Appl. Phys. 24 vol. 27 s. 213 217. [P2] KRBUTYAK D. V., KLAD K V. P., KRYLYUK S. G., LITVCHEK V. G., SHALIMV A. V., KUCHUK A.: Influence of Layer Deformation on Thermal Quenching of Exciton Photoluminescence in Short-Period As/AlAs Superlattices. Semicond. Sci. a. Technol. 24 vol. 19 s. 475 479. [P21] KUCHUK A., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., DYWSKA E., LYTVY. S., WICKI L., RATAJCZAK R.: Amorphous Ta-- Diffusion Barriers on As. Thin Solid Films 24 vol. 459 nr 1 2 s. 292 296. [P22] KUCHUK A., CISEK J., PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., WAWR A., LYTVY. S., WICKI L., RATAJCZAK R.: Barrier Properties of Ta-- Films in Ag-and Au-Containing Metallization. Vacuum 24 vol. 74 nr 2 s. 195 199.

22 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki [P23] KUCHUK A., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., JAKIELA R., LYTVY. S., KLADK V. P., KRCHVYI A. A., SADCHA. V.: The Study of Thermal Stability of Ta- Films on the As Substrate. Phys. a. Chem. of Solid State 24 vol. 5 nr 1 s. 85 89 (ukr.). [P24] KUCHUK A., KLADK V. P., MACHULI V. F., PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., GŁASZEWSKA K., RATAJCZAK R., MIIKAYEV R.: Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti- Thin Films. Rev. Adv. Mater. Sci. 24 vol. 8 s. 22 26. [P25] LUSAKWSKI J., KAP W., DYAKVA., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., SHUR M. S., SMIRV D., GAVRILEK V. I., ATV A. V., MRZV S. V.: Magnetotransport Characterization of THz Detectors Based on Plasma scillations in Submicron Field-Effect Transistors. Phys. Solid State 24 vol. 46 nr 1 s. 138 145. [P26] LUSAKWSKI J., KAP W., DYAKVA., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., SHUR M. S., SMIRV D., GAVRILEK V. I., ATV A. V., MRZV S. V.: Magnetotransport Characterization of THz Detectors Based on Plasma scillations in Submicron Field-Effect Transistors. Fizika Tverdovo Teła 24 vol. 46 s. 138 145. [P27] MYCIELSKI A., SZADKWSKI A., KWALCZYK L., WITKWSKA B., JAKIELA R., BARCZ A., ALESHEVYCH P., SZUSZKIEWICZ W., SUCHCKI A., LUSAKWSKA E., KAMIŃSKA E., DBRWLSKI W.: Zn and Zn:Mn Crystals btained with the Chemical Vapour Transport Method. phys. stat. sol. (c) 24 vol.1 nr 4 s. 884 887. [P28] MYCIELSKI A., KWALCZYK L., SZADKWSKI A., CHWALISZ B., WYSMLEK A., STEPIEWSKI R., BARAWSKI J. M., PTEMSKI M., BARCZ A., WITKWSKA B., KAMIŃSKA E.: The Chemical Vapour Transport Growth of Zn ngle Crystals. J. Alloys a. Compounds 24 vol. 371 nr 1 2 s. 15 152. [P29] PAPIS E., PITRWSKA A., PITRWSKI T. T., GŁASZEWSKA K., ILKA L., KRUSZKA R., RA- TAJCZAK J., KĄTCKI J., WRÓBEL J., ALESZKIEWICZ M., ŁUKASIEWICZ R.: Fabrication of Sb Microlenses by Photo and E-Beam Lithography and Dry Etching. Solid St. Phenom. 24 vol. 99 1 s. 83 88. [P3] PITRWSKA A., PAPIS E., GŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., KAMIŃSKA E., PITRWSKI T. T., KRUSZKA R., KUDŁA A., RUTKWSKI J., SZADE J., WIIARSKI A., WAWR A., ALESZKIEWICZ M.: Improved Performance of Sb-Based MIR Photodetectors Through Electrochemical Passivation in Sulphur Containing Solutions. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (w druku). [P31] PISKRSKI M., PITRWSKA A., PITRWSKI T. T., GŁASZEWSKA K., PAPIS E., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWR A.: LPE Growth and Characterisation of InAsSb and AlAsSb Quaternary Layers on (1) Sb Substrates. Thin Solid Films 24 vol. 459 nr 1 2 s. 2 6. [P32] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYWSKA E., JAIK E., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., ALESZKIEWICZ M., KSSUT J.: Preparation and Characterization of Hexagonal MnTe and Zn Layers. phys. stat. sol. (c) 24 (zgł. do druku). [P33] WRZESIŃSKA H., ILKA L., WAWER D., HEJDUK K., KUDŁA A., BUGAJSKI M., LUSAKWSKA E.: Investigation of Indium Tin xide (IT) Films for the VCSEL Laser with Dielectric Bragg Reflectors. phys. stat. sol. (c) 24 vol. 1 nr 2 s. 396 4.

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 23 Konferencje 24 [K1] CISEK J., PASZKWICZ W., KUBICKI J., PAKWSKI P., PRZESŁAWSKI T., ZARASKA W.: Modification of Cu-Al- Film Microstructure During Post-Deposition Annealing. 4 th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 16 2.5.24 (kom.). [K2] CISEK J., PASZKWICZ W., KUBICKI J., PITRWSKA A., KUDŁA A., PRZESŁAWSKI T., PAKWSKI P., MIIKAYEV R.: Phase Relationships in Annealed Cu-Al- Layers. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K3] DBSZ D., ZYTKIEWICZ Z. R., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., PITRWSKI T. T.: Properties of Zr Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral vergrowth of Compound Semiconductors. 4 th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 16 2.5.24 (plakat). [K4] GŁASZEWSKA K., PAPIS E., PITRWSKA A., PITRWSKI T. T., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R., ŁUKASIEWICZ R., RUTKWSKI J., SZADE J., WIIARSKI A., WAWR A.: The Effect of Sulphur Passivation Treatment on Sb/InSb/AlSb Photovoltaic Detector Parameters. 4 th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 16 2.5.24 (plakat). [K5] GŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KWALCZYK E., KRUSZKA R., ŁUKASIEWICZ R., PAPIS E., PITRWSKA A., PITRWSKI T. T., SKCZYLAS P., BARCZ A., JAKIELA R.: Transparent Conducting xides as hmic Contacts for Sb-Based Thermophotovoltaic Cells. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K6] GRABECKI G., WRÓBEL J., DIETL T., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., SPRIGHLZ G., BAUER G.: Conductance Quantization in anostructures of arrow PbTe Quantum Wells. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.5 4.6.24 (plakat). [K7] GRABECKI G., WRÓBEL J., BASTJA M., MICHALUK E., FRC K., ALESZKIEWICZ M., PAPIS E., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., SPRIGHLZ G., BAUER G., DIETL T.: Andreev Reflection by In/PbTe Interface. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń- Jaszowiec, 29.5 4.6.24 (kom.). [K8] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., KSSUT J., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., GŁASZEWSKA K., BARCZ A., JAKIELA R., DYWSKA E., PRZEZDZIECKA E., WAWER D.: Formation Process and Properties of p-type Zn Thin Films. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.5 4.6.24 (plakat). [K9] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., KUCHUK A., ŁUKASIEWICZ R., SZCZĘSY A., WIATRSZAK M., BARCZ A., DYWSKA E., JAKIELA R., STERT A., TURS A.: Capabilities of Ruthenium-Based Contacts to. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.5 4.6.24 (plakat). [K1] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., KSSUT J., PRZEZDZIECKA E., GŁASZEWSKA K., DYWSKA E., DBRWLSKA W., BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIELA R., JAIK E., WAWER D.: Properties of Transparent p-type Zn Films Grown by xidation of Zn-Based Compounds. 8 th Int. Conf. on anometer-scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.6 2.7.24 (kom.). [K11] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., KUCHUK A., ŁUKASIEWICZ R., KWALCZYK E., BARCZ A., DYWSKA E., JAKIELA R., STERT A., TURS A., SZCZĘSY A., WIATRSZAK M.: Thermally Stable Transparent Ru-- Schottky Contacts for n-type and Al x 1-x. 24 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.11 3.12.24 (plakat). [K12] KAMIŃSKA E., KSSUT J., PITRWSKA A., PRZEŹDZIECKA E., DBRWLSKI W., DYWSKA E., BUTKUTE R., BARCZ A., JAKIEŁA R., ALESZKIEWICZ M., JAIK E., KWALCZYK E.: Transparent

24 Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki p-type Zn by xidation of Zn-Based Compounds. 27 th Conf. on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, Arizona, USA, 26 3.7.24 (plakat). [K13] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., SZCZĘSY A., ŁUKASIEWICZ R., KUCHUK A., GŁASZEWSKA K., KRUSZKA R., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYWSKA E., STERT A., TURS A.: Thermally Stable Ru-- te Electrode for Al/ HEMT. Cells. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K14] KAMIŃSKA E., PITRWSKA A., KSSUT J., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., GŁASZEWSKA K., BARCZ A., JAKIEŁA R., DYWSKA E., PRZEŹDZIECKA E., WAWER D.: p-type Conducting Zn; Fabrication and Characterisation. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (kom.). [K15] KREGER R., DEEMARCK J., FIGGE S., BETTCHER T., HMMEL D., KAMIŃSKA E., PITRWSKA A.: Microstructure of Highly p-type Doped Sub-Contact Layers for Low- Resistivity Contacts. 24 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.11 3.12.24 (plakat). [K16] KUCHUK A., PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., GŁASZEWSKA K., PITRWSKI T.T., KRUSZKA R., MIIKAYEV R.A., LYTVY. S., TURS A.: Barrier Properties of Reactively Sputter-Deposited W- Ti- Thin Films on As. 8 th Int. Conf. on anometer-scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.6 2.7.24 (plakat). [K17] KUCHUK A., KLADK V. P., PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., GŁASZEWSKA K., MACHULI V. F., MIIKAYEV R., RATAJCZAK R.: Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti- Thin Films. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K18] KUCHUK A., KLADK V. P., MACHULI V.F., PITRWSKA A., MIIKAYEV R., LYTVY. S.: Structural Analysis of Reactively Sputtered W-Ti- Thin Films. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K19] MAASIS G., TSIGARA A., AYFATIS G., MADAMPULS., MUSDIS G., GATSULI K., PISPAS S., VAIS., PERRE A., DATTA R., CISEK J., GŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R., PITRWSKA K., CURIS S.: anocomposite Photonic Sensors: First Approach by the anophos Initiative. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K2] PAPIS E., PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., PITRWSKI T. T., GŁASZEWSKA K., ILKA L., KRUSZKA R., RATAJCZAK J., KĄTCKI J., WRÓBEL J., ALESZKIEWICZ M., ŁUKASIEWICZ R.: Sb Microlenses Fabricated by Photo and E-Beam Lithography and Dry Etching. 4 th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 16 2.5.24 (plakat). [K21] PAPIS E., PITRWSKA A., PITRWSKI T. T., GŁASZEWSKA K., KAMIŃSKA E., KRUSZKA R., ŁUKASIEWICZ R., KUDŁA A., RUTKWSKI J., SZADE J., WIIARSKI A., WAWR A.: Sulphur Passivation of Sb Surface and Sb-Based MIR Photodetector Heterostructures. 8 th Int. Conf. on anometer-scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.6 2.7.24 (plakat). [K22] PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., GŁASZEWSKA K., WIATRSZAK M., PITRWSKI T. T., BARCZ A., DEEMARCK J., FIGGE S., BTTCHER T., HMMEL D.: hmic Contacts Study for - Based Laser Diodes. 4 th Int. Conf. on Solid State Crystals: Material Science and Applications, Zakopane, 16 2.5.24 (plakat). [K23] PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., GŁASZEWSKA K., WIATRSZAK M., PITRWSKI T. T., BARCZ A., DEEMARCK J., FIGGE S., BTTCHER T., HMMEL D.: Application of Ta-- Thin Film Diffusion Barrier in PdAu Metalization to p-type. 8 th Int. Conf. on anometer-scale Science and Technology, Wenecja, Włochy, 28.6 2.7.24 (plakat). [K24] PITRWSKA A., PAPIS E., GŁASZEWSKA K., ŁUKASIEWICZ R., PITRWSKI T.T., KRUSZKA R., KUDŁA A., RUTKWSKI J., SZADE J., WIIARSKI A., ALESZKIEWICZ M.: Improved Performance of Sb-Based MIR Photodetectors trough Electrochemical Passivation in Sulphur Containing Solutions. 24 MRS Fall Meet., Boston, USA, 29.11 3.12.24 (kom.)

Zakład Technologii Struktur Półprzewodnikowych dla Fotoniki 25 [K25] PITRWSKA A., KAMIŃSKA E., KUCHUK A., GŁASZEWSKA K., WIATRSZAK M., ŁUKASIEWICZ R., PITRWSKI T. T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., JAKIELA R., TURS A., STERT A., DEEMARCK J., FIGGE S., BTTCHER T., HMMEL D.:Ta, Ti and TiW Diffusion Barriers for Metallization Systems to. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K26] PISKRSKI M., PITRWSKA A., GŁASZEWSKA K., PITRWSKI T. T., JUG W., PRZESŁAWSKI T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWR A.: Sn and Te Doped InAsSb Quaternary Layers for TPV Applications. 8 th Int. Conf. on anometer-scale Science and Technol- ogy, Wenecja, Włochy, 28.6 2.7.24 (plakat). [K27] PISKRSKI M., PITRWSKI T. T., GŁASZEWSKA K., SKCZYLAS P., PITRWSKA A., JUG W., PRZESŁAWSKI T., KĄTCKI J., RATAJCZAK J., BARCZ A., WAWR A.: Luttice Matched InAsSb/ /Sb Heterostructures for Thermophotovoltaic Cells. 6 th Int. Conf. on Mid-Infrared ptoelectronics Materials and Devices, MIMD-VI, 28.6 2.7.24 St. Petersburg, Rosja (plakat). [K28] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYWSKA E., JAIK E., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., KSSUT J.: In Search for Magnetism in II-VI Materials. XXXIII Int. School on the Physics of Semiconducting Compounds, Ustroń-Jaszowiec, 29.5 4.6.24 (plakat). [K29] PRZEŹDZIECKA E., KAMIŃSKA E., DYWSKA E., JAIK E., BUTKUTE R., DBRWLSKI W., SAWICKI M., KEPA H., JAKIELA R., ALESZKIEWICZ M., KSSUT J.: Preparation and Characterization of Hexagonal MnTe and Zn Layers. E-MRS Fall Meet. 24, Warszawa, 6 1.9.24 (plakat). [K3] SCHACKI M., ŁUKASIEWICZ R., SZMIDT J., RZDKIEWICZ W., LEŚK M., WIATRSZAK M.: Thermal xidation and itridation of 4H-C for MS and MIS Power Devices. VIII Konf. auk. Technologia Elektronowa ELTE 24, Stare Jabłonki, 19 22.4.24 (plakat, abstr. s. 14 141). [K31] SZCZĘSY A., KAMIŃSKA E., SZMIDT J.: The Material for High Power Microwave Devices (HEMT) Working in Extreme Conditions. VIII Konf. auk. Technologia Elektronowa ELTE 24, Stare Jabłonki, 19 22.4.24 (plakat, abstr. s. 146 147).