Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych

Wielkość: px
Rozpocząć pokaz od strony:

Download "Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych"

Transkrypt

1 Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Projekt realizowany w ramach programu LIDER finansowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju Marcin Sarzyński, NL-2 Najważniejsze informacje o NCBiR i o przyznanym projekcie Cele naukowo-technologiczne projektu Podsumowanie

2 Narodowe Centrum Badań i Rozwoju - Narodowe Centrum Badań i Rozwoju jest agencją wykonawczą w rozumieniu ustawy z dnia 27 sierpnia 2009 r. o finansach publicznych (Dz. U. Nr 157, poz oraz z 2010 r. Nr 28, poz. 146), powołaną do realizacji zadań z zakresu polityki naukowej, naukowotechnicznej i innowacyjnej państwa. Podlega MNiSW Misja Centrum: Wsparcie polskich jednostek naukowych oraz przedsiębiorstw w rozwijaniu ich zdolności do tworzenia i wykorzystywania rozwiązań opartych na wynikach badań naukowych w celu nadania impulsu rozwojowego gospodarce i z korzyścią dla społeczeństwa. Różne programy finansowania badań niezależne od konkursów MNiSW Aktualny dyrektor - prof. Krzysztof Jan Kurzydłowski Poprzedni dyrektor - Prof. Bogusław Smólski

3 Nasz projekt w ramach programu LIDER NCBiR Finansowanie Sprawozdania TopGaN Raporty Wdrożenia Jednostka Goszcząca - IWC PAN - Badania naukowe - Opracowanie technologii LIDER M. S. Zespół: 1. A. N - S 2. R. Cz. 3. J. P. 4. G. S. Zaplecze naukowo - badawcze Jednostki Materiały Konferencje Upowszechnianie wyników Usługi obce

4 Nasz projekt - najważniejsze informacje Kierownik Epitaksja Epitaksja Tytuł projektu: Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych Czas realizacji i kwota finansowania: 3 lata, PLN Selekcja: Finansowanie uzyskało 36 na 118 wniosków Najlepszy wniosek - 1 miejsce pkt. na 200 Nasz wniosek - 7 miejsce pkt. na 200 Najgorszy wniosek - 36 miejsce pkt. Processing Pomiary optyczne Komitet Doradczy

5 Budowa wewnętrzna modułu laserowego

6 Wewnętrzna budowa diody laserowej Badania w ramach projektu LIDER

7 Technologia planarna wytwarzania diod Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Alternatywna technika - MBE

8 Przewodni temat naszago projektu - Techniki lateralnego kształtowania struktur Tytuł projektu: Kształtowanie przestrzenne struktur AlGaInN jako klucz do nowych generacji przyrządów optoelektronicznych AlN AlN Struktury z maską AlN - eliminacja pękania - eliminacja wnikania promieniowania do podłoża SiO2 Struktury na mikropowierzchniach semipolarnych - Eliminacja wpływu pól piezoelektrycznych Struktury na podłożach o zmiennej dezorientacji - wielokolorowe matryce laserowe - eliminacja efektu przegrzewania się zwierciadeł

9 Dezorientacja (odorientowanie, miscut)

10 Motywacja badań dezorientacji Niepowtarzalne własności elektryczne i optyczne laserów

11 Wpływ dezorientacji na morfologię warstw MOVPE dez~0 dez=0.5 st. 1. Przy małej dezorientacji podłoża podczas wzrostu warstwy GaN powstają piramidalne defekty. W efekcie dezorientacja podłoża staje się przypadkowa

12 Wpływ dezorientacji na wbudowywanie się indu deg Intensity (arb. units) deg Layers at 10K 970 n1695 n1654 n2013 n1850 n1871 3,2 3,1 MBE p1215 3,0 Energy [ev ] 300/ / / / / /730 2,9 2,8 2,7 2,6 2, In [%] Emission wavelength (nm) 2. Zawartość indu w warstwie InGaN maleje z dezorientacją podłoża pomimo identycznych warunków wzrostu. Długość fali emisji także maleje.

13 Wpływ dezorientacji na koncentrację dziur 3. Koncentracja dziur w GaN:Mg rośnie wraz z dezorientacją podłoża pomimo stałej zawartości magnezu.

14 Podłoża o stałej dezorientacji Po kilku latach badań na całej powierzchni podłoża mamy: - Dobrą morfologię - Stałą zawartość indu - Stałą koncentrację dziur Dobre lasery!

15 Podłoża GaN o lokalnie zmiennej dezorientacji Dzięki wykorzystaniu urządzenia do bezpośredniego naświetlania fotorezystu wiązką laserową możemy otrzymywać warstwy fotorezystu o zmiennej grubości. Dzięki trawieniu jonowemu zmienna grubość fotorezystu odwzorowuje się w powierzchni GaN

16 Podłoża GaN o zmiennej dezorientacji - technologia 1

17 Katodoluminescencja A. Reszka, B. Kowalski (IFPAN) λ=390 nm λ=420 nm

18 Przygotowanie powierzchni do epitaksji - Trawienie m-ch (J. Pawłowska, G. Kamler, J. Weyher) - Mycie w piranii

19 Kierunek ondulacji podłoża a kierunek pasków laserowych m - [1-100] a - [11-20] NAM - lasery z obniżoną zawartością indu przy zwierciadłach MLDA - wielokolorowe matryce laserowe w których każdy pasek leży w obszarze o nieco innej zawartości indu

20 Nieabsorbujące zwierciadła laserowe wykonane metodą zmiennej dezorientacji podłoża Monochromatyczny obraz CL przy 435 nm Skan liniowy CL 435 nm 390 nm A. Reszka B. Kowalski (IFPAN)

21 Nieabsorbujące zwierciadła laserowe wykonane metodą zmiennej dezorientacji podłoża

22 Dioda laserowa z nieabsorbującymi zwierciadłami Udało się uzyskać laserowanie lecz parametry elektryczne nie są jeszcze zadowalające: Ith=11 ka/cm2 Uth=12 V (5 ka/cm2) (4-6 V) Wniosek patentowy

23 Diody laserowe a monolityczne matryce laserowe Diody laserowe z jednym paskiem Cechy matryc: - duża moc optyczna - możliwość zastosowania w maszynach drukarskich Matryce dwupaskowe Adresowanie indywidualne lub wspólne Matryce 10-cio paskowe

24 Akcja laserowa przy pobudzeniu optycznym Optical lasing Długość fali laserowania zależy od miejsca pobudzenia Jeśli obszar pobudzany jest szeroki to mamy laserowanie na dwóch długościach fali jednocześnie

25 Pomiar rentgenowski J. Domagała (IFPAN) Bardzo wąska wiązka promieni X - szerokość oświetlonego obszaru 80 µm Odległość pomiędzy zboczami 600 µm Szer. zbocza 80 µm Szer. plateau 440 µm Struktura: 5 QW Zawartość indu w studni: Na plateau: 10.4% Na zboczu: 9.8 %

26 Dwukolorowe matryce diod laserowych

27 Dwukolorowe matryce diod laserowych Uzyskano laserowanie z pompowaniem elektrycznym Pasek na plateau Pasek na zboczu Emisja spontaniczna λ=419 nm λ=405 nm Laserowanie λ=414 nm λ=401 nm Praca impulsowa, adresowanie indywidualne Ith=7kA/cm2, Uth=10V Zgłoszono wniosek patentowy

28 Inne zastosowania lokalnie zmiennej dezorientacji podłoża 1. Nieabsorbujące zwiercadła 2. Wielokolorowe matryce 3. Poszerzony gain 4. Ograniczenie pękania AlGaN (wysłano artykuł do Physica Status Solidi) 5. Poprawa wydajności rekombinacji promienistej 6. Redukcja symetrii komórki elementarnej - nowe efekty fizyczne

29 Podsumowanie 1. Przyznano grant w ramach programu LIDER finansowanego przez NCBiR 2. Czas realizacji 3 lata, kwota finansowania PLN 3. Podpisanie umowy (prawdopodobnie) w połowie czerwca 2011 r. 4. Pierwsza zaliczka - do miesiąca po podpisaniu umowy 5. Zespół: cztery osoby + kierownik 6. Tematyka - lateralne kształtowanie struktur diod laserowych 7. Najciekawsze podzadanie (jedno z 3) wykorzystanie lokalnie zmiennej dezorientacji podłoża do wytworzenia wielokolorowych matryc laserowych

30 Literatura [1]. M. Sarzyński et al., Appl. Phys. Lett. 88, (2006). [2] M. Sarzyński et al., Appl. Phys. Lett. 91, (2007). [3] M. Kryśko, et al., Appl. Phys. Lett. 91, (2007). [4] T. Suski et al., Appl. Phys. Lett. 93, (2008). [5] P. Perlin et al., Phys. Stat. Sol. A 206, (2009). [6] M. Krysko et al., Rapid Res. Lett. 4, (2010). [7] T. Suski et al., J. Appl. Phys. 108, (2010). [8] M. Leszczynski et al. J. Crystal Growth 318, (2011). International Patent Pending No. PCT/PL2010/ (2010).

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu

Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Azotkowe diody laserowe na podłożach GaN o zmiennym zorientowaniu Marcin Sarzyński Badania finansuje narodowe centrum Badań i Rozwoju Program Lider Instytut Wysokich Cisnień PAN Siedziba 1. Diody laserowe

Bardziej szczegółowo

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych.

Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych ( nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. Opracowanie nowych koncepcji emiterów azotkowych (380 520 nm) w celu ich wykorzystania w sensorach chemicznych, biologicznych i medycznych. (zadanie 14) Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN 1 Do

Bardziej szczegółowo

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza

Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Poprawa charakterystyk promieniowania diod laserowych dużej mocy poprzez zastosowanie struktur periodycznych w płaszczyźnie złącza Grzegorz Sobczak, Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Joanna Kalbarczyk,

Bardziej szczegółowo

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun

Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja. InTechFun Z.R. Żytkiewicz IF PAN I Konferencja Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun 9 kwietnia 2010 r., Warszawa

Bardziej szczegółowo

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM

V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM V Konferencja Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie PROGRAM Kwantowe Nanostruktury Półprzewodnikowe do Zastosowań w Biologii i Medycynie Rozwój i Komercjalizacja

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL PL 221135 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 221135 (13) B1 Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 399454 (22) Data zgłoszenia: 06.06.2012 (51) Int.Cl.

Bardziej szczegółowo

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski

Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie. Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? e πε. E = n. Sebastian Maćkowski Co to jest kropka kwantowa? Kropki kwantowe - część I otrzymywanie Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Co to jest ekscyton? Co to jest ekscyton? h 2 2 2 e πε m* 4 0ε s Φ

Bardziej szczegółowo

Materiały w optoelektronice

Materiały w optoelektronice Materiały w optoelektronice Materiał Typ Podłoże Urządzenie Długość fali (mm) Si SiC Ge GaAs AlGaAs GaInP GaAlInP GaP GaAsP InP InGaAs InGaAsP InAlAs InAlGaAs GaSb/GaAlSb CdHgTe ZnSe ZnS IV IV IV III-V

Bardziej szczegółowo

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga

Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Rezonatory ze zwierciadłem Bragga Siatki dyfrakcyjne stanowiące zwierciadła laserowe (zwierciadła Bragga) są powszechnie stosowane w laserach VCSEL, ale i w laserach z rezonatorem prostopadłym do płaszczyzny

Bardziej szczegółowo

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych

InTechFun. Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych InTechFun Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Zbigniew R. Żytkiewicz IF

Bardziej szczegółowo

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych

Wytwarzanie niskowymiarowych struktur półprzewodnikowych Większość struktur niskowymiarowych wytwarzanych jest za pomocą technik epitaksjalnych. Najczęściej wykorzystywane metody wzrostu: - epitaksja z wiązki molekularnej (MBE Molecular Beam Epitaxy) - epitaksja

Bardziej szczegółowo

Fizyka i technologia wzrostu kryształów

Fizyka i technologia wzrostu kryształów Fizyka i technologia wzrostu kryształów Wykład.2 Epitaksja warstw półprzewodnikowych Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88

Bardziej szczegółowo

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu

ROZDZIAŁ 4. Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 39 ROZDZIAŁ 4 Polskie diody laserowe do wysokoczułych sensorów ditlenku azotu 4.1. Wstęp Związki (GaAlIn)N są drugą, co do ważności komercyjnej, grupą półprzewodników (za Si-Ge, ale znacznie przed (GaAlIn)(AsP)).

Bardziej szczegółowo

!!!DEL są źródłami światła niespójnego.

!!!DEL są źródłami światła niespójnego. Dioda elektroluminescencyjna DEL Element czynny DEL to złącze p-n. Gdy zostanie ono spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to w obszarze typu p, w warstwie o grubości rzędu 1µm, wytwarza się stan inwersji

Bardziej szczegółowo

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski

Studnia kwantowa. Optyka nanostruktur. Studnia kwantowa. Gęstość stanów. Sebastian Maćkowski Studnia kwantowa Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Studnia kwantowa

Bardziej szczegółowo

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER

CHARAKTERYSTYKA WIĄZKI GENEROWANEJ PRZEZ LASER CHARATERYSTYA WIĄZI GENEROWANEJ PRZEZ LASER ształt wiązki lasera i jej widmo są rezultatem interferencji promieniowania we wnęce rezonansowej. W wyniku tego procesu powstają charakterystyczne rozkłady

Bardziej szczegółowo

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk

Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Charakteryzacja właściwości elektronowych i optycznych struktur AlGaN GaN Dagmara Pundyk Promotor: dr hab. inż. Bogusława Adamowicz, prof. Pol. Śl. Zadania pracy Pomiary transmisji i odbicia optycznego

Bardziej szczegółowo

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN

Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne. Michał Leszczyński. Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Wzrost kryształów objętościowych i warstw epitaksjalnych- informacje wstępne Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS i TopGaN Plan wykładu Laboratoria wzrostu kryształów w Warszawie Po

Bardziej szczegółowo

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC

Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC Wpływ defektów punktowych i liniowych na własności węglika krzemu SiC J. Łażewski, M. Sternik, P.T. Jochym, P. Piekarz politypy węglika krzemu SiC >250 politypów, najbardziej stabilne: 3C, 2H, 4H i 6H

Bardziej szczegółowo

VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ,

VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ, VII KONFERENCJA NAUKOWA TECHNOLOGIA ELEKTRONOWA ELTE 2000 POLANICA ZDRÓJ, 18-22.09.2000 TECHNOLOGIA NANOSTRUKTUR PÓŁPRZEWODNIKOWYCH W ZASTOSOWANIU DO WYTWARZANIA PRZYRZĄDÓW FOTONICZNYCH Maciej Bugajski

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa, ul Sokołowska 29/37 tel: 88 80 244 e-mail: stach@unipress.waw.pl,

Bardziej szczegółowo

W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych

W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych W stronę plazmonowego wzmocnienia efektów magnetooptycznych Joanna Papierska J. Suffczyński, M. Koperski, P. Nowicki, B. Witkowski, M. Godlewski, A. Navarro-Quezada, A. Bonanni Warsztaty NanoWorld 2011,

Bardziej szczegółowo

Materiały fotoniczne

Materiały fotoniczne Materiały fotoniczne Półprzewodniki Ferroelektryki Mat. organiczne III-V, II-VI, III-N - źródła III-V (λ=0.65 i 1.55) II-IV, III-N niebieskie/zielone/uv - detektory - modulatory Supersieci, studnie Kwantowe,

Bardziej szczegółowo

Lasery półprzewodnikowe historia

Lasery półprzewodnikowe historia Lasery półprzewodnikowe historia GaAs typu p GaAs typu n zasilanie prądem 1962 homozłącze w pokojowej temperaturze progowy prąd - dziesiątki ka/cm 2 bez zastosowania AlGaAs p AlGaAs n Cienka warstwa GaAs

Bardziej szczegółowo

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Diody elektroluminescencyjne na bazie z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi Krystyna Gołaszewska Renata Kruszka Marcin Myśliwiec Marek Ekielski Wojciech Jung Tadeusz Piotrowski Marcin Juchniewicz

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Epitaksja z fazy gazowej Michał Leszczyński Wykład 2 godz./tydzień wtorek 9.00 11.00 Interdyscyplinarne Centrum Modelowania UW, Siedziba A, Sala

Bardziej szczegółowo

Wzmacniacze optyczne

Wzmacniacze optyczne Wzmacniacze optyczne Wzmocnienie sygnału optycznego bez konwersji na sygnał elektryczny. Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim.

Bardziej szczegółowo

Wprowadzenie do optyki nieliniowej

Wprowadzenie do optyki nieliniowej Wprowadzenie do optyki nieliniowej Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone pod warunkiem podania

Bardziej szczegółowo

Fotolitografia. xlab.me..me.berkeley.

Fotolitografia.  xlab.me..me.berkeley. Fotolitografia http://xlab xlab.me..me.berkeley.edu/ http://nanopatentsandinnovations.blogspot.com/2010/03/flyingplasmonic-lens-at-near-field-for.html Fotolitografia Przygotowanie powierzchni Nałożenie

Bardziej szczegółowo

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1

Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów. USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów USF_3 Technologia_A M.Kujawińska, T.Kozacki, M.Jóżwik 3-1 Elementy technologii mikroelementów i mikrosystemów Typowe wymagania klasy czystości: 1000/100

Bardziej szczegółowo

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski

Wzrost pseudomorficzny. Optyka nanostruktur. Mody wzrostu. Ekscyton. Sebastian Maćkowski Wzrost pseudomorficzny Optyka nanostruktur Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 naprężenie

Bardziej szczegółowo

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński

Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Ekspansja plazmy i wpływ atmosfery reaktywnej na osadzanie cienkich warstw hydroksyapatytu. Marcin Jedyński Metoda PLD (Pulsed Laser Deposition) PLD jest nowoczesną metodą inżynierii powierzchni, umożliwiającą

Bardziej szczegółowo

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe

6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe 6. Emisja światła, diody LED i lasery polprzewodnikowe Typy rekombinacji Rekombinacja promienista Diody LED Lasery półprzewodnikowe Struktury niskowymiarowe OLEDy 1 Promieniowanie termiczne Rozkład Plancka

Bardziej szczegółowo

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5)

Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Wojciech Niwiński 30.03.2004 Bartosz Lassak Wojciech Zatorski gr.7lab Sprzęganie światłowodu z półprzewodnikowymi źródłami światła (stanowisko nr 5) Zadanie laboratoryjne miało na celu zaobserwowanie różnic

Bardziej szczegółowo

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04

PL B1. Politechnika Wrocławska,Wrocław,PL BUP 02/04 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 203033 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 355071 (51) Int.Cl. H01S 5/343 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22)

Bardziej szczegółowo

Wzbudzony stan energetyczny atomu

Wzbudzony stan energetyczny atomu LASERY Wzbudzony stan energetyczny atomu Z III postulatu Bohra kj E k E h j Emisja spontaniczna Atom absorbuje tylko określone kwanty energii przechodząc ze stanu podstawowego do wzbudzonego. Zaabsorbowana

Bardziej szczegółowo

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH, Warszawa, PL

PL B1. INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ, Warszawa, PL INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH, Warszawa, PL PL 217755 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 217755 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 387290 (51) Int.Cl. H01S 5/125 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska

Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Fizyka, technologia oraz modelowanie wzrostu kryształów Dyfrakcja i Reflektometria Rentgenowska Michał Leszczyński Stanisław Krukowski i Michał Leszczyński Instytut Wysokich Ciśnień PAN 01-142 Warszawa,

Bardziej szczegółowo

Spektrometr XRF THICK 800A

Spektrometr XRF THICK 800A Spektrometr XRF THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK GALWANIZNYCH THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu. Zaprojektowany do pomiaru grubości warstw

Bardziej szczegółowo

THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK. THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu.

THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK. THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu. THICK 800A DO POMIARU GRUBOŚCI POWŁOK THICK 800A spektrometr XRF do szybkich, nieniszczących pomiarów grubości powłok i ich składu. Zoptymalizowany do pomiaru grubości warstw Detektor Si-PIN o rozdzielczości

Bardziej szczegółowo

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24)

n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A / B 2 1 hν exp( ) 1 kt (24) n n 1 2 = exp( ε ε ) 1 / kt = exp( hν / kt) (23) 2 to wzór (22) przejdzie w następującą równość: ρ (ν) = B B A 1 2 / B hν exp( ) 1 kt (24) Powyższe równanie określające gęstość widmową energii promieniowania

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe

Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Zagrożenia powodowane przez promieniowanie laserowe Laser, Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation, wzmacniacz kwantowy dla światła,

Bardziej szczegółowo

Technologia wzrostu epitaksjalnego struktur azotkowych oraz badanie własności optycznych i elektrycznych niebieskich diod LED i LD

Technologia wzrostu epitaksjalnego struktur azotkowych oraz badanie własności optycznych i elektrycznych niebieskich diod LED i LD SPRAWOZDANIE Z PRAKTYKI STUDENCKIEJ Warszawa, lipiec 2006 Technologia wzrostu epitaksjalnego struktur azotkowych oraz badanie własności optycznych i elektrycznych niebieskich diod LED i LD Justyna Szeszko

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14

Bardziej szczegółowo

Możliwości finansowania innowacyjnych projektów przez NCBR

Możliwości finansowania innowacyjnych projektów przez NCBR Możliwości finansowania innowacyjnych projektów przez NCBR MISJA NCBR Wsparcie polskich jednostek naukowych oraz przedsiębiorstw w rozwijaniu ich zdolności do tworzenia i wykorzystywania rozwiązań opartych

Bardziej szczegółowo

Repeta z wykładu nr 11. Detekcja światła. Fluorescencja. Eksperyment optyczny. Sebastian Maćkowski

Repeta z wykładu nr 11. Detekcja światła. Fluorescencja. Eksperyment optyczny. Sebastian Maćkowski Repeta z wykładu nr 11 Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 CCD (urządzenie

Bardziej szczegółowo

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp

PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp PODSTAWY FIZYKI LASERÓW Wstęp LASER Light Amplification by Stimulation Emission of Radiation Składa się z: 1. ośrodka czynnego. układu pompującego 3.Rezonator optyczny - wnęka rezonansowa Generatory: liniowe

Bardziej szczegółowo

Mechanizmy degradacji półprzewodnikowych diod laserowych na azotku galu

Mechanizmy degradacji półprzewodnikowych diod laserowych na azotku galu Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk mgr inż. Łucja Marona Mechanizmy degradacji półprzewodnikowych diod laserowych na azotku galu Praca wykonana pod kierunkiem Doc. dr hab. Piotra Perlina W Instytucie

Bardziej szczegółowo

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki Politechnika Wrocławska Wydział Podstawowych Problemów Techniki specjalność FOTONIKA 3,5-letnie studia stacjonarne I stopnia (studia inżynierskie) FIZYKA TECHNICZNA Charakterystyka wykształcenia: - dobre

Bardziej szczegółowo

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów

Lasery. Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Własności światła laserowego Zasada działania Rodzaje laserów Lasery Laser - nazwa utworzona jako akronim od Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - wzmocnienie światła poprzez

Bardziej szczegółowo

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja

Rekapitulacja. Detekcja światła. Rekapitulacja. Rekapitulacja Rekapitulacja Detekcja światła Sebastian Maćkowski Instytut Fizyki Uniwersytet Mikołaja Kopernika Adres poczty elektronicznej: mackowski@fizyka.umk.pl Biuro: 365, telefon: 611-3250 Konsultacje: czwartek

Bardziej szczegółowo

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita

Niezwykłe światło. ultrakrótkie impulsy laserowe. Piotr Fita Niezwykłe światło ultrakrótkie impulsy laserowe Laboratorium Procesów Ultraszybkich Zakład Optyki Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego Światło Fala elektromagnetyczna Dla światła widzialnego długość

Bardziej szczegółowo

Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów

Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów Wysokowydajne falowodowe źródło skorelowanych par fotonów Michał Karpioski * Konrad Banaszek, Czesław Radzewicz * * Instytut Fizyki Doświadczalnej, Instytut Fizyki Teoretycznej Wydział Fizyki Uniwersytet

Bardziej szczegółowo

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13

PL B1. WOJSKOWY INSTYTUT MEDYCYNY LOTNICZEJ, Warszawa, PL BUP 23/13 PL 222455 B1 RZECZPOSPOLITA POLSKA (12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222455 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 399143 (51) Int.Cl. H02M 5/00 (2006.01) Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej (22) Data zgłoszenia:

Bardziej szczegółowo

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI

LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI LABORATORIUM OPTOELEKTRONIKI ĆWICZENIE 1 ŹRÓDŁA ŚWIATŁA Gdańsk 2001 r. ĆWICZENIE 1: ŹRÓDŁA ŚWIATŁA 2 1. Wstęp Zasada działania półprzewodnikowych źródeł światła (LED-ów i diod laserowych LD) jest bardzo

Bardziej szczegółowo

Promieniowanie rentgenowskie. Podstawowe pojęcia krystalograficzne

Promieniowanie rentgenowskie. Podstawowe pojęcia krystalograficzne Promieniowanie rentgenowskie Podstawowe pojęcia krystalograficzne Krystalografia - podstawowe pojęcia Komórka elementarna (zasadnicza): najmniejszy, charakterystyczny fragment sieci przestrzennej (lub

Bardziej szczegółowo

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej.

Badanie uporządkowania magnetycznego w ultracienkich warstwach kobaltu w pobliżu reorientacji spinowej. Tel.: +48-85 7457229, Fax: +48-85 7457223 Zakład Fizyki Magnetyków Uniwersytet w Białymstoku Ul.Lipowa 41, 15-424 Białystok E-mail: vstef@uwb.edu.pl http://physics.uwb.edu.pl/zfm Praca magisterska Badanie

Bardziej szczegółowo

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju NCBR w krajowym systemie finansowania nauki

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju NCBR w krajowym systemie finansowania nauki Narodowe Centrum Badań i Rozwoju NCBR w krajowym systemie finansowania nauki dr inż. Małgorzata Skibska Zielińska malgorzata.skibska@ncbir.pl tel. kom.515061557 0 Plan prezentacji 1. Podstawowe informacje

Bardziej szczegółowo

Pomiar prędkości obrotowej

Pomiar prędkości obrotowej 2.3.2. Pomiar prędkości obrotowej Metody: Kontaktowe mechaniczne (prądniczki tachometryczne różnych typów), Bezkontaktowe: optyczne (światło widzialne, podczerwień, laser), elektromagnetyczne (indukcyjne,

Bardziej szczegółowo

Optyka. Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat. Dyfrakcja. Laser. Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018

Optyka. Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat. Dyfrakcja. Laser. Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018 Optyka Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat Dyfrakcja. Laser Uniwersytet Rzeszowski, 17 stycznia 2018 Wykład XII Krzysztof Golec-Biernat Optyka 1 / 23 Plan Dyfrakcja na jednej i dwóch szczelinach Dyfrakcja

Bardziej szczegółowo

Ogólne cechy ośrodków laserowych

Ogólne cechy ośrodków laserowych Ogólne cechy ośrodków laserowych Gazowe Cieczowe Na ciele stałym Naturalna jednorodność Duże długości rezonatora Małe wzmocnienia na jednostkę długości ośrodka czynnego Pompowanie prądem (wzdłużne i poprzeczne)

Bardziej szczegółowo

Tom Numer 2 (307) Strony

Tom Numer 2 (307) Strony Tom 64 2015 Numer 2 (307) Strony 211 220 Stanisław Krukowski 1,2, Izabella Grzegory1, Michał Boćkowski 1, Tadeusz Suski 1, Michał Leszczyński 1, Piotr Perlin 1, Czesław Skierbiszewski 1, Sylwester Porowski

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych

Skalowanie układów scalonych Skalowanie układów scalonych Technologia mikroelektroniczna Charakterystyczne parametry najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Technologia planarna

Technologia planarna Technologia planarna Wszystkie końcówki elementów wyprowadzone na jedną, płaską powierzchnię płytki półprzewodnikowej Technologia krzemowa a) c) b) d) Wytwarzanie masek (a,b) Wytwarzanie płytek krzemowych

Bardziej szczegółowo

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy

Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Źródła światła w technice światłowodowej - podstawy Prezentacja zawiera kopie folii omawianych na wykładzie. Niniejsze opracowanie chronione jest prawem autorskim. Wykorzystanie niekomercyjne dozwolone

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 3 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2013/14

Bardziej szczegółowo

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style

Skalowanie układów scalonych Click to edit Master title style Skalowanie układów scalonych Charakterystyczne parametry Technologia mikroelektroniczna najmniejszy realizowalny rozmiar (ang. feature size), liczba bramek (układów) na jednej płytce, wydzielana moc, maksymalna

Bardziej szczegółowo

Możliwości finansowania współpracy przemysł - nauka w zakresie prac badawczo - rozwojowych

Możliwości finansowania współpracy przemysł - nauka w zakresie prac badawczo - rozwojowych Seminarium Nowoczesne Materiały i Technologie dla elektroenergetyki Kraków, 26 września 2014r. Możliwości finansowania współpracy przemysł - nauka w zakresie prac badawczo - rozwojowych dr inż. Grzegorz

Bardziej szczegółowo

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO

Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Marek Lipiński WPŁYW WŁAŚCIWOŚCI FIZYCZNYCH WARSTW I OBSZARÓW PRZYPOWIERZCHNIOWYCH NA PARAMETRY UŻYTKOWE KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego

Bardziej szczegółowo

Metody Optyczne w Technice. Wykład 5 Interferometria laserowa

Metody Optyczne w Technice. Wykład 5 Interferometria laserowa Metody Optyczne w Technice Wykład 5 nterferometria laserowa Promieniowanie laserowe Wiązka monochromatyczna Duża koherencja przestrzenna i czasowa Niewielka rozbieżność wiązki Duża moc Największa możliwa

Bardziej szczegółowo

Ekscyton w morzu dziur

Ekscyton w morzu dziur Ekscyton w morzu dziur P. Kossacki, P. Płochocka, W. Maślana, A. Golnik, C. Radzewicz and J.A. Gaj Institute of Experimental Physics, Warsaw University S. Tatarenko, J. Cibert Laboratoire de Spectrométrie

Bardziej szczegółowo

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Magdalena MARCINIAK, Patrycja ŚPIEWAK, Marta WIĘCKOWSKA, Robert Piotr SARZAŁA Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka doi:10.15199/48.2015.09.33 Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL Streszczenie.

Bardziej szczegółowo

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska

Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski. Jarosław Rochowicz. Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Promotor: prof. nadzw. dr hab. Jerzy Ratajski Jarosław Rochowicz Wydział Mechaniczny Politechnika Koszalińska Praca magisterska Wpływ napięcia podłoża na właściwości mechaniczne powłok CrCN nanoszonych

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 7 wykład: Piotr Fita pokazy: Jacek Szczytko ćwiczenia: Aneta Drabińska, Paweł Kowalczyk, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet

Bardziej szczegółowo

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa

Organiczne ogniwa słonecznes. Ogniwa półprzewodnikowe. p przewodnikowe zasada ania. Charakterystyki fotoogniwa j Elektronika plastikowa i organiczna Organiczne ogniwa słonecznes Ogniwa półprzewodnikowe p przewodnikowe zasada działania ania Charakterystyki fotoogniwa współczynnik wypełnienia, wydajność Moc w obwodzie

Bardziej szczegółowo

UMO-2011/01/B/ST7/06234

UMO-2011/01/B/ST7/06234 Załącznik nr 4 do sprawozdania merytorycznego z realizacji projektu badawczego Szybka nieliniowość fotorefrakcyjna w światłowodach półprzewodnikowych do zastosowań w elementach optoelektroniki zintegrowanej

Bardziej szczegółowo

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób:

Ponadto, jeśli fala charakteryzuje się sferycznym czołem falowym, powyższy wzór można zapisać w następujący sposób: Zastosowanie laserów w Obrazowaniu Medycznym Spis treści 1 Powtórka z fizyki Zjawisko Interferencji 1.1 Koherencja czasowa i przestrzenna 1.2 Droga i czas koherencji 2 Lasery 2.1 Emisja Spontaniczna 2.2

Bardziej szczegółowo

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej

Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Wstęp do Optyki i Fizyki Materii Skondensowanej Część I: Optyka, wykład 8 wykład: Piotr Fita pokazy: Andrzej Wysmołek ćwiczenia: Anna Grochola, Barbara Piętka Wydział Fizyki Uniwersytet Warszawski 2014/15

Bardziej szczegółowo

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P

Struktura CMOS PMOS NMOS. metal I. metal II. warstwy izolacyjne (CVD) kontakt PWELL NWELL. tlenek polowy (utlenianie podłoża) podłoże P Struktura CMOS NMOS metal II metal I PMOS przelotka (VIA) warstwy izolacyjne (CVD) kontakt tlenek polowy (utlenianie podłoża) PWELL podłoże P NWELL obszary słabo domieszkowanego drenu i źródła Physical

Bardziej szczegółowo

Nanostruktury i nanotechnologie

Nanostruktury i nanotechnologie Nanostruktury i nanotechnologie Heterozłącza Efekty kwantowe Nanotechnologie Z. Postawa, "Fizyka powierzchni i nanostruktury" 1 Termin oddania referatów do 19 I 004 Zaliczenie: 1 I 004 Z. Postawa, "Fizyka

Bardziej szczegółowo

VI. Elementy techniki, lasery

VI. Elementy techniki, lasery Światłowody VI. Elementy techniki, lasery BERNARD ZIĘTEK http://www.fizyka.umk.pl www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet a) Sprzęgacze czołowe 1. Sprzęgacze światłowodowe (czołowe, boczne, stałe, rozłączalne) Złącza,

Bardziej szczegółowo

Lista projektów rekomendowanych do dofinansowania. Zakup i wdrożenie nowej technologii produkcji elementów z polimerobetonu

Lista projektów rekomendowanych do dofinansowania. Zakup i wdrożenie nowej technologii produkcji elementów z polimerobetonu LISTA RANKINGOWA PROJEKTÓW NR: 4.3/63/2013 PROGRAM OPERACYJNY INNOWACYJNA GOSPODARKA, LATA 2007-2013 DZIAŁANIE 4.3 Kredyt technologiczny W ramach naboru: 22-23 października 2012 r. Lista projektów rekomendowanych

Bardziej szczegółowo

Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi

Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi Trzy rodzaje przejść elektronowych między poziomami energetycznymi absorpcja elektron przechodzi na wyższy poziom energetyczny dzięki pochłonięciu kwantu o energii równej różnicy energetycznej poziomów

Bardziej szczegółowo

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe

Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Wykład 4 29 kwietnia 2015 Informatyka kwantowa i jej fizyczne podstawy Rezonans spinowy, bramki dwu-kubitowe Łukasz Cywiński lcyw@ifpan.edu.pl http://info.ifpan.edu.pl/~lcyw/ Dobra lektura: Michel Le Bellac

Bardziej szczegółowo

RAPORT OKRESOWY (PÓŁROCZNY/ROCZNY)* NR z realizacji projektu pt.

RAPORT OKRESOWY (PÓŁROCZNY/ROCZNY)* NR z realizacji projektu pt. RAPORT OKRESOWY (PÓŁROCZNY/ROCZNY)* NR z realizacji projektu pt. w ramach Programu KadTech ZA OKRES OD DO 1. DANE BENEFICJENTA Nazwa Przedsiębiorstwa Adres Telefon Fax 2. DANE O PROJEKCIE Tytuł projektu

Bardziej szczegółowo

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane. Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Metody optyczne w badaniach półprzewodników Przykładami różnymi zilustrowane Piotr Perlin Instytut Wysokich Ciśnień PAN Jak i czym scharakteryzować kryształ półprzewodnika Struktura dyfrakcja rentgenowska

Bardziej szczegółowo

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet

II. WYBRANE LASERY. BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet II. WYBRANE LASERY BERNARD ZIĘTEK IF UMK www.fizyka.umk.pl/~ /~bezet Laser gazowy Laser He-Ne, Mechanizm wzbudzenia Bernard Ziętek IF UMK Toruń 2 Model Bernard Ziętek IF UMK Toruń 3 Rozwiązania stacjonarne

Bardziej szczegółowo

Pracownia Optyki Nieliniowej

Pracownia Optyki Nieliniowej Skład osobowy: www.if.pw.edu.pl/~nlo Kierownik pracowni: Prof. dr hab. inż. Mirosław Karpierz Kierownik laboratorium Dr inż. Urszula Laudyn Dr inż. Michał Kwaśny Dr inż. Filip Sala Dr inż. Paweł Jung Doktoranci:

Bardziej szczegółowo

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK

LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK LASERY NA CIELE STAŁYM BERNARD ZIĘTEK TEK Lasery na ciele stałym lasery, których ośrodek czynny jest: -kryształem i ciałem amorficznym (również proszkiem), - dielektrykiem i półprzewodnikiem. 2 Podział

Bardziej szczegółowo

2013 02 27 2 1. Jakie warstwy zostały wyhodowane w celu uzyskania 2DEG? (szkic?) 2. Gdzie było domieszkowanie? Dlaczego jako domieszek użyto w próbce atomy krzemu? 3. Jaki kształt miała próbka? 4. W jaki

Bardziej szczegółowo

National Centre for Research and Development

National Centre for Research and Development April 12-14, 2011 Bialowieza, Poland National Centre for Research and Development Jerzy Tokarski EUREKA Initiative Forum is co-financed by European Union from European Social Fund Jerzy Tokarski Biuro

Bardziej szczegółowo

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju. Dla Młodych Naukowców

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju. Dla Młodych Naukowców Narodowe Centrum Badań i Rozwoju Dla Młodych Naukowców NARODOWE CENTRUM BADAŃ I ROZWOJU - agencja wykonawcza Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego. Jest to platforma skutecznego dialogu między środowiskiem

Bardziej szczegółowo

WPŁYW TRAWIENIA PODŁOŻY 4H-SiC NA EPITAKSJĘ GaN

WPŁYW TRAWIENIA PODŁOŻY 4H-SiC NA EPITAKSJĘ GaN P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński,... PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 36-2008 NR 4 WPŁYW TRAWIENIA PODŁOŻY 4H-SiC NA EPITAKSJĘ GaN Piotr Caban 1,2, Kinga Kościewicz 1,3, Włodzimierz Strupiński

Bardziej szczegółowo

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak

Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak Laserowe technologie wielowiązkowe oraz dynamiczne formowanie wiązki 25 październik 2017 Grzegorz Chrobak Nasdaq: IPG Photonics(IPGP) Zasada działania laserów włóknowych Modułowość laserów włóknowych IPG

Bardziej szczegółowo

EPITAKSJA MOVPE AZOTKOW III GRUPY UKŁADU OKRESOWEGO - GŁÓWNE PROBLEMY TECHNOLOGICZNE

EPITAKSJA MOVPE AZOTKOW III GRUPY UKŁADU OKRESOWEGO - GŁÓWNE PROBLEMY TECHNOLOGICZNE PL ISSN 0209-0058 MATERIAŁY ELEKTRONICZNE T. 31-2003 NR 3/4 EPITAKSJA MOVPE AZOTKOW III GRUPY UKŁADU OKRESOWEGO - GŁÓWNE PROBLEMY TECHNOLOGICZNE Ewa Dumiszewska', Dariusz Lenkiewicz', Włodzimierz Strupiński',

Bardziej szczegółowo

Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18

Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów. Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Źródła światła: Lampy (termiczne) na ogół wymagają filtrów Wojciech Gawlik, Metody Optyczne w Medycynie 2010/11 - wykł. 3 1/18 Lampy: a) szerokopasmowe, rozkład Plancka 2hc I( λ) = 5 λ 2 e 1 hc λk T B

Bardziej szczegółowo

Więcej niż agencja badawcza. Inteligentny rozwój w oparciu o międzynarodowe programy wsparcia B+R koordynowane przez NCBiR. Agnieszka Kowalska

Więcej niż agencja badawcza. Inteligentny rozwój w oparciu o międzynarodowe programy wsparcia B+R koordynowane przez NCBiR. Agnieszka Kowalska Więcej niż agencja badawcza Inteligentny rozwój w oparciu o międzynarodowe programy wsparcia B+R koordynowane przez NCBiR Agnieszka Kowalska DYREKTOR DZIAŁU WSPÓŁPRACY MIĘDZYNARODOWEJ DEPARTAMENT TRANSFERU

Bardziej szczegółowo

Programy Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego wspierające przedsiębiorczość akademicką oraz transfer technologii

Programy Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego wspierające przedsiębiorczość akademicką oraz transfer technologii Programy Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego wspierające przedsiębiorczość akademicką oraz transfer technologii Marta Pytlarczyk Zastępca Dyrektora Departament Wdrożeń i Innowacji IniTech projekt rozporządzenia

Bardziej szczegółowo