Układy scalone. typu UCY 7406N. 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: h) wysokiej jakości: lice Y=A

Podobne dokumenty
BN /04. Układy scalone typu UL 1601 N. MIKROUKlADY SCALONE. Kategoria klimatyczna dla układów:

U kłady scalone typu UCY 7407N

N O R M A BRANŻOWA. Diody typu. Sym- b l 1,10-1,85 H 12,00-13,50 b2 0,60-0,75 l - - 3,05 C 0,17-0, , D - 2,60 - N 1,50 - -

NORMA BRANŻOWA. scalone cyfrowe typu UCY 7402N. Układy. 2. Przykład oznaczania układ6w. a) podwy!szonej jakości: układ6w. b) wysokiej jakości: dla

BN /11. U kłady scalone. typu UCY 7404N. r _----oucc

I I ~orem. ! I ~ AncxJ.a dio. . lu, ! I b pota,czona z BN-B /02. Stabilistory typu BZP 650 L, ~ uz ';:; 10 V. ~~' N O R M A ELEMENTY

Układy, scalone 1111 N. typu UL. Kolektor każdego tranzystora układu jest odizolowany od. podłoża złęczem p-n. W celu z~pewnienia normalnej pracy

BN-BO Układy scalone cyfrowe I U-aOn!?! - S2.ot-21. I BN-aoh HI. t-----<>.y

P94 BAY. BN-83 Dio9Y typu: BA VP BAVP 94A. BAVP 95 BAVP 95A >< >< ~ N O R M A ELEMENTY PÓŁPRZEWODNIKOWE

N O R M A BRANŻOWA ..! A - - 5,60 e - 2,54 1 ) - A, - - 7,80 e, 2,00-2,50 A, - - 4,00 e, 1,35-1,75. b, - 1,6 ' ) - j 1,10-1,30

l i I I '~i I I /11 BN-B7 N O R M A ELEMENTY. PÓŁPRZEWODNIKOWE Tranzystory typu BF 245 Oznaczenie obudowy stosowane przez produc.enta - CE 35.

BN UL 1403L I UL 1405L

BRANŻOWA. Trańzystory BF BF I A 10,16-11,43 B 2,29-3,04

S I INSTYTUT TECHNOLOGII ELEK TR O N O W EJ

Tranzystory. typu, BF 240 I BF 241

BRANŻOWA. U kłady scalone. typu UL 1480P. b) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/3 UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 1480P/4

ci>2(ttl)e 6 UCY 74S424N GENERATOR IMPULSÓW ZEGAROWYCH 00 MIKROPROCESORA MCY 7880 N TANK a XTAL1 XTAL2 RESET-E i U 16 3*UCC 15-]]-XTAL1 RESIN C 2

N O R M A BRANŻOWA. Tranzystory typu '''1. Symbol wymiaru. A 4,5-5,2 l 12,5-14,5 - b 0,35-0,55 M 3,6-4,2 - b l - 0,4 - E 3,4-3,6 -

P ob 2. UCY 74S416N UCY 74S426N 4-bitowy nadajni k/odbiornik szyny danych. ib UIN "]lh. 11 DSEN 13 do 3. I! Dl 3. 3 di 2

Ćwiczenie 24 Temat: Układy bramek logicznych pomiar napięcia i prądu. Cel ćwiczenia

Podstaw Elektroniki Cyfrowej Wykonał zespół w składzie (nazwiska i imiona): Dzień tygodnia:

INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

LABORATORIUM TECHNIKA CYFROWA BRAMKI. Rev.1.0

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych. Ćwiczenie 4

Badanie działania bramki NAND wykonanej w technologii TTL oraz układów zbudowanych w oparciu o tę bramkę.

BRANŻOWA N O R M A Podział kondensatorowo Ze względu na sposób mocowama rozróżnia się kondensatory: l

Tranzystorowe wzmacniacze OE OB OC. na tranzystorach bipolarnych

Parametry układów cyfrowych

BN-81. Diody prostownicze NORMA. ELEMENTY Elementy półprzewodnikowe NIKOWE

3. Funktory CMOS cz.1

Tranzystory w pracy impulsowej

Badanie właściwości multipleksera analogowego

INSTRUKCJA DO ĆWICZENIA BADANIE STANDARDOWEJ BRAMKI NAND TTL (UCY 7400)

LABORATORIUM. Technika Cyfrowa. Badanie Bramek Logicznych

BRANŻOWA. typu UL 7741 N. b ) wysokiej jakości: UKŁAD SCALONY ANALOGOWY UL 774lN/3. UKŁAD SCALONY ANALOGOWy UL 7741N/4. jakości Q.

Kolektor (C) tranzystora jest połączony elektrycznie z obudową. A 6,1-6,6 - a - 5,08 1 ) - - o h ,53 - 0D 8,64-9,39 - o Dl 8,01-8,50 -

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego

4. Dane techniczne 4.1. Pomiar częstotliwości Zakres pomiaru Czas pomiaru/otwarcia bramki/

Cyfrowe Elementy Automatyki. Bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, sterowanie wyświetlaczem

Ćw. 8 Bramki logiczne

BADANIE UKŁADÓW CYFROWYCH. CEL: Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych układów cyfrowych serii TTL. PRZEBIEG ĆWICZENIA

Bramki TTL i CMOS 7400, 74S00, 74HC00, 74HCT00, 7403, 74132

płytka montażowa z tranzystorami i rezystorami, pokazana na rysunku 1. płytka montażowa do badania przerzutnika astabilnego U CC T 2 masa

LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

PRZEŁĄCZANIE DIOD I TRANZYSTORÓW

Filtry aktywne filtr środkowoprzepustowy

Kondensatory elektrolityczne

Tranzystory bipolarne. Właściwości wzmacniaczy w układzie wspólnego kolektora.

Ćwiczenie 23. Temat: Własności podstawowych bramek logicznych. Cel ćwiczenia

Filtry aktywne filtr górnoprzepustowy

Agregaty pompowe

Zapoznanie się z podstawowymi strukturami funktorów logicznych realizowanymi w technice RTL (Resistor Transistor Logic) oraz zasadą ich działania.

Instrukcja do ćwiczenia laboratoryjnego nr 7

A-7. Tranzystor unipolarny JFET i jego zastosowania

LABORATORIUM PODSTAWY ELEKTRONIKI Badanie Bramki X-OR

Generatory kwarcowe Generator kwarcowy Colpittsa-Pierce a z tranzystorem bipolarnym

WSTĘP. Budowa bramki NAND TTL, ch-ka przełączania, schemat wewnętrzny, działanie 2

1. Definicja i przeznaczenie przerzutnika monostabilnego.

I I I. .~,2f~ BN-B8 BDP 392, BDP 394, BDP ,.J,, vw~ N O R M A ',... IBN 88! i. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczególo:

Ćwiczenie 26. Temat: Układ z bramkami NAND i bramki AOI..

Ćwiczenie 25 Temat: Interfejs między bramkami logicznymi i kombinacyjne układy logiczne. Układ z bramkami NOR. Cel ćwiczenia

N O R M A BRANŻOWA. aluminiowe biegunowe. Odmiany 02/T i 02/T-S Pojemność znamionowa (wielkość) łączników 2 i 3.

Bramki logiczne. 2. Cele ćwiczenia Badanie charakterystyk przejściowych inwertera. tranzystorowego, bramki 7400 i bramki

Laboratorium Analogowych Układów Elektronicznych Laboratorium 6

t- - - ~ =t -- ł- ~, =t - -~ BN-78 kwadratowym i okrągłym Wy p osa że n i e tokarek rewofwerowych NORMA B RA N ŻO W A

Nanoeletronika. Temat projektu: Wysokoomowa i o małej pojemności sonda o dużym paśmie przenoszenia (DC-200MHz lub 1MHz-200MHz). ang.

TRANZYSTOROWY UKŁAD RÓŻNICOWY (DN 031A)

Technika Cyfrowa 2 wykład 4: FPGA odsłona druga technologie i rodziny układów logicznych

PL B1. AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE, Kraków, PL BUP 14/12

S. Przykład oznaczenia kołn i erza wzmacn i a j~ ce g o odm i a. ny A na ciś nienie nominalne p nom = 0,63 MPa. 6), o średnicy nomi nalnej DN 60 mm:

Państwowa WyŜsza Szkoła Zawodowa w Pile Studia Stacjonarne i niestacjonarne PODSTAWY ELEKTRONIKI rok akademicki 2008/2009

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

Podstawy Elektroniki dla Tele-Informatyki. Tranzystory unipolarne MOS

LUZS-12 LISTWOWY UNIWERSALNY ZASILACZ SIECIOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 1999 r.

TECH-AGRO B ę d z i n

Zbudować 2wejściową bramkę (narysować schemat): a) NANDCMOS, b) NORCMOS, napisać jej tabelkę prawdy i wyjaśnić działanie przy pomocy charakterystyk

4. Funktory CMOS cz.2

Badanie układów średniej skali integracji - ćwiczenie Cel ćwiczenia. 2. Wykaz przyrządów i elementów: 3. Przedmiot badań

ĆWICZENIE NR 1 TEMAT: Wyznaczanie parametrów i charakterystyk wzmacniacza z tranzystorem unipolarnym

LABORATORIUM TECHNIKI IMPULSOWEJ I CYFROWEJ (studia zaoczne) Układy uzależnień czasowych 74121, 74123

WZMACNIACZ NAPIĘCIOWY RC

Podstawowe układy pracy tranzystora bipolarnego

LUPS-11ME LISTWOWY UNIWERSALNY PRZETWORNIK SYGNAŁOWY DOKUMENTACJA TECHNICZNO-RUCHOWA. Wrocław, kwiecień 2003 r.

CHARAKTERYSTYKI BRAMEK CYFROWYCH TTL

ĆWICZENIE 15 BADANIE WZMACNIACZY MOCY MAŁEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

Podstawowe układy cyfrowe

Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa

PODSTAWY ELEKTRONIKI I TECHNIKI CYFROWEJ

MULTIMETR CYFROWY TES 2360 #02970 INSTRUKCJA OBSŁUGI

Dokumentacja Techniczno-Ruchowa separatora sygnałów dwustanowych ES-07

LABORATORIUM BADAWCZE ELTEST WARSZAWA, ul. Ratuszowa 11 Sprawozdanie Nr QG0131P , Strona 2 Stron 9

BN /08. Tranzystory. typu Be 307, Be 308, Be Wersja I. Wersja II N O R M A . ELEMENTY

BADANIE PRZERZUTNIKÓW ASTABILNEGO, MONOSTABILNEGO I BISTABILNEGO

Wydział Elektryczny. Temat i plan wykładu. Politechnika Białostocka. Wzmacniacze

Zaprojektowanie i zbadanie dyskryminatora amplitudy impulsów i generatora impulsów prostokątnych (inaczej multiwibrator astabilny).

Podstawowe zastosowania wzmacniaczy operacyjnych wzmacniacz odwracający i nieodwracający

NORMA BRANŻOWA. Lampy elektronouje. typu EY88 i PY88 BN -68/

P-1a. Dyskryminator progowy z histerezą

LABORATORIUM ELEKTRONIKA I ENERGOELEKTRONIKA BADANIE GENERATORÓW PRZEBIEGÓW PROSTOKĄTNYCH I GENERATORÓW VCO

Transkrypt:

UKD 621.38.049.77 N O R M A.- B R A N L OWA MKROUKŁADY Układy scalone SCALONE typu UCY 7406N - " BN-83 3375-52/12 Grupa katalogowa 1925 1. Przedmiot normy. Przedmiotem normy są szczegółowe wymagania dotyczące monolitycznych bipolarnych układów scalonych cyfrowych TTL typu UCY 7406N pełniących funkcję sześciokrotnego inwertera z wysokonapięciowym (30 V) otwartym obwodem kolektora tranzystora wyjściowego przeznaczonych do pracy w elektronicznych urządzeniach profesjonalnych oraz urządzeniach wymagających zastosowania układów o wysokiej i bardzo wysokiej jakości zgodnie z PN-78/T-O 1615. Kategoria klimatyczna dla układów: - podwyższonej jakości (poziom jakości ) - 001070/ l O - wysokiej jakości (po.ziom jakości ) - 001 070121 - bardzo wysokiej jakości (poziom jakości V) 00/070/56. Schemat elektryczny pojedynczej bramki układu wg rys. l. Schemat logiczny i ro z kład wyprowadzeń układu - wg rys. 2. Układy scalone 2-go stopnia (l-s2) - wg PN-78/ T-01615. A 16k.R 1 Rys.. Schemat elektryczny (jednego inwcrtcc3 ) Y=A lice y o Masa o 6A SA SY 4A 4Y 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y!1asa 18N=83/3375 52/12 21 Rys. 2. Schemat logiczny i układ wyprowadzeń (widok z góry) 2. Przykład oznaczeń układów a) podwyższonej j.akości: UKŁAD SCALONY CYFROWY UCY 7406N h) wysokiej jakości: BN-83/3375-52/ 12 UKŁA D SCALONY CYFROWY UCY 7406N/ 3 BN-83/3375-52/12 c) bardzo wysokiej jakości: UKŁA D SCALONY CYFROWY UCY 7406N/4 BN-83/ 3375-52/ t2 3. Cechowanie układów powinno zawie rać następujące dane: a) znak lub nazwę producenta b) oznaczenie typu c) oznaczenie wyprowadzeń (znak odniesienia dla identyfikacji numerów wyprowadzeń zgodnie z PN-731 T-01602) d) datę produkcji dla wyrobów mających nadany znak jakości Q. Ponadto układ y wysokiej jakoś c i powinny być znakowane cyfrą 3 a ukła d y bardzo wysokiej jako śc i cyfrą 4 umieszczoną po oznaczeniu typu. 4. Wymiary i oznaczenie wyprowadzeń układu - wg rys. 3 i tab. 1. Mikroukład kompletny A49B wg PN-73/T-01603/ 16. Oznaczenie obudowy stosowane przez producenta - CE70. Zgłoszona przez!\laukowo-produkcyjne CentriJm Półprzewodników Ustanowiona przez Dyrektora Ośrodka Badawczo-R".<wojowego Podstaw Technologii i Konstrukcji Maszyn TEKOMA dnia 29 grudnia 1983 r. jako norma obowiązu jąca od dnia 1 lipca 1987 r. (Dz. Norm. i Miar nr 16/ 1986 poz. 33) WYDAWNCTWA NORMALZACYJNE "ALFA" 1987. Druk. Wyd. Norm. W-w. Ark.wyd. 110 Nakł. 2300 + 40 Zam. 60/87 Cena zł 2700

2 BN-83/3375-52/12 _L l : : l! :!! J r----~vh:!h 1 ~ 'ł- 'H '~...... '-- -- -- -- j b 1rNt~1 c M - L--.----r' ' -+-_.t---t-.... ' ' i! i i j. i BN - 8373315-52712-31 Rys. 3. Obudowa CE70 Tablica 1. Wymiary obudowy CE70 Wymiary mm Symbol Kąt wymiaru min nom max w stopniach A - - 510 - A 051 - - - b 038-059 - c 020-036 - ~ D - - 2032 - e - 254 - - B - - 177 - e - 762 - - L 254-450 - ME - - 830 - z - - 254-8 - - -.;- 15 E - 635 - - 5. Badania w grupie A B C i D - wg BN-801 3375-52/00 p. 5.1. 6. Wymagania szczegółowe do badań grupy A B C i D a) badania podgrupy Al - sprawdzenie wymiarów: A D i b wg rys. 3 i tab!. l b) badania podgrupy A2 i A3 wg tab!. 2 c) badania podgrupy B C i D wg tab!. 3 d) parametry elektryczne sprawdzane w czasie l po badaniu grupy B C i D wg tab!. 4 e) dodatkowe wymagania dla pomiaru parametrów elektrycznych wg rys. 4 -;- 10. U Uec ln -8373315""52712=11 Pomiar U OL lt Rys. 4. Ucc - Wyjscie Ur otwarte - BN-Ol 3315-52112-5 Pomiar - ll Rys. 5. -:»---0 Wyjscie otwarte Bff83/331$-52Z1Z- 61 Pomiar l/h Rys. 6.

BN-83/3175-52/12 3 lor U - U. o - dla typu PLH i PHL wg rys. 10 parametry impulsu wejściowego : amplituda Ug = 35 V poziom podstawy O V czas trwania... = 500 ns częstotliwość powtarzania fg = l MHz czas narastania = 10 ns czas opadania 11= 5 ns impedancja wyjściowa generatora Zo = 50 n. wartość C L uwzględnia pojemność sondy i pojemności montażu; każda bramka jest testowana oddzielnie Pomiar lor Rys. 7. WljjScit >O-o() otwarte 8WSl- 3315-52712-81 Sygnał wejściowy jest podany na wszystkie inwertery jednocześnie Pomiar l ee Rys. 8. >0---0 Wyjscie otwarte BN- 837337$- $2/12-91 Wejscie ~-t- " i" tf 1 _----~...L - - - - - 3.5V 1- -1-2.7V t5v 7 t w 1'" O V -----"----.ł : tph. l tp/.h - ~ ł-~ H Wyjście ~\"S_V --J115V L i OV Pomiar -Ul Rys. 9. Rys. 10

4 BN-83/ 3375-52/12 ~. POL- Frllpa! adań Rodzaj badania.'" --_.~- - 1--"--- Tablica 2. Parametry elektryczne sprawdzane w badaniach podgrupy A2 Kontrolowany parametr Metoda pomiaru wg BN-74/337S-24 Warunki pomiaru A3 Jednostka mm Warto ści granczne 2 3 4 5 6 7 8 1\2' 1 Sprawdzanie pod Um ark. oraz U ec = 475 V' na każdą bramkę po V - 04 J " ' l'wvd; '... ' 1" 1- ; '. '." " ~ wg p. 6 rys. 4 kolei UJ = 20 V na wejścia Ul = 20 V;!' rfl... ' l. t.'~w \..1 " li kry""'.. L.. OL = 16 ma z wyjści a mierzonego j i u' (d ark. oraz Uee = 475 V; UJ = 20 V na wejścia V - 07 wg p. 6 rys. 4 l al = 40 ma z wyjścia mierzonego -fl ark. 03 oraz Uee = 525 V' UJ = 04 V na wejście ma -16 ~'"T i )! J//( wg p. 6 rys. 5 mierzone; na pozostaie wejścia 45 V ark. 04 oraz Uee = 525 V' UJ = 24 V na wejście JJ.A - 40 wg p. 6 rys. 6 merzone; na pozostałe wejścia O V a rk. 04 oraz Uec = 525 V' UJ = 55 V na wejście ma - ' 1(2) l wg p. 6 rys. 6 mierzone; na pozostałe wejścia O V l '- l l ~ J OR ark. 06 oraz Ucc = 475 V; UJ = 08 V na wejście JJ.A - 250 wg p. 6 rys. 7 mierzone Uo = 30 V na wyjście mie-! ; rzone._--- --- ~... ' ~ - i leell ark. Ol oraz Uec = 525 V' Ul = O V na wszystkie ma - 48 ~! wg p. 6 ;:"y s. 8 wejścia układu jednocześnie i 1- lec/. ark. Ol o'raz Uec = 525 V; UJ = 50 V na wszystkie ma - 51. wg p Ó rys 8 wejścia układw jed~locześ n ie -UJ ark 20 oraz Ucc = 475 V; -!J/. = 12 ma z każdego V - 15 wg rys. 9 wejścia mierzonego po kolei; na pozosta ł e wejścia O V lamb = 25 C nl ark 16 oraz Uee = 5 V RL = 110 n C L = 15 pf ns - 26 wg rys. 10 l amh = +25 C; k aż de wejście sterowane (PUl ns - po kolei sygnałem impulsowym na pozostałe wej śc i a 24 V.'\:1 Sprawdzenie typu. Un stan 'niski wg równania 10- Uee = 5 V; U L = O V; UH = 50 V; V - 04 układ u UOll glcznego rys. wyjścia połączone 7~ Uee przez re zystan wysoki V 24 - stor 3.9 kfl max 15 Tablica 3. Wymagania szczegółowe do badań grupy B C D Lp Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe 2 3 B. C Sprawdzenie wytrzymałości mechanicznej wyprowadzeń próba Ub. metoda 2; 25 N [---1-----.. --:----+-----------------+-----------------1 i " n 1 Ci) Sn r '.wd7> oic wytrzymałości na spadki swobodne położenie układu w czasie spadania: wyprowa-! i... l'.... dzeniami do góry!--.--}---.----.----..--- ----.----------------~------------------ i -! ri C4 Sprawdzenie wytrzymałości na udary \.\ficlokrotne ;-'-'X~'Vlallle sztywno za wyprowadzenia w odległ! loś'.. mm od dol nej pła szcz yzny obudowy i - - ;..---.. -- ------t------------------------... ----l----. " ~ l" j'"' (''' SDrawdze J'e t l ' ~ '! '... - l;.1: C! j. - - n wy rzyma OSCl ~: i nr1p' ~ : :;: ;- j~! ny cn'l- l -: A -_. ~-~;o C ~._.. :. ~~(!j()1l1 i".~.~);( :i li! liv) peratury _.._ -.... +~: _ 5 B6. C6 Sprawdzenie odpo rności na 1i<1l''::C111a elektryczne metoda.b:::da nia..\ {:nh = 70 C. badaną pr óbkę. pcjzdlc na dwe CZęSC bat!cjc w warunkach: [ - O V na wszystkie wejścia wyjścia otwarte. zasilanie układu 5 V t i " - 5 V na wszystkie wejścia wyjścia otwar- te. zasilanie uk!adu 5 V ---.. +---------!--------.------------+- "'----------------...---1 ' ( C2 Sprawdzenie parametrów elektrycznych '' wg tab!. 4. 1---- '----~r-- -----..--1...--.----------..-------i i 7l '(-:1 Sprawdzenie masy wyroth!. U f.. --.-'-'.._...-_.-.._..;..'-..-"..._--~. ' ~... ~~..._..o " ' ''0.' ' -...-------; --J Sprawdzenie trwałoś c i cechowania ~ wg? N-';UT-O 615 p :; 5.6. i) ;'! Ct! Sprawdzenie wy trz Y11;)!cŚC! ~!~ ;;; ~""\; ':. ~.-::;_:;:~ o!~~'~unl; k nrc bicrczy prostopadły do pła szczyz n y -------. _- ~. i wrpu"u tlkiadu mocowanie za obudowę Srrawci;r(' ni!...' w y t!ozyrnalości na \vihracje o stałej czc;-l nl0c;wanic sztywno z. a W"YPi"O\VadZenia" w odle- ~ stotliwo~ c j (dla poziomu jakoróci li). _~_'~;' :~:~.1~ od _.t~":'::::l~ t.~ s7czyz ny.obudo~g Sprawdzcnie wytrzyma-lości na wibó'acjc o zmienncj jw '---'------ --'- ~ i'.ęsl()f!iw{) ~; ci (dla--.:... t>o 7.i{) ~u --.:... j akośct l11 j ~ V) L ~ 4

BN-S3/3375-52/2 5 cd. tabl. 3 Lp. Podgrupa badań Rodzaj badania Wymagania szczegółowe l 2 3 4 9 C7 Sprawdzenie wytrzymałości na zmno ts/g' = -55 C mln 10 CS Sprawdzenie wytrzymałości na suche gorąco Slgmax = 125 C (poziom jakości i V) 11 CO Sprawdzenie wymiarów wg rys. 3 i tabl. l 12 Dl Sprawdzenie odporności na niskie ciśnienie atmo- temperatura narażenia 15 35 C (poziom jakości i V) sferyczne 13 D2 Sprawdzenie wytrzymałości na rozpuszczalniki aceton sprawdzane wymiary A i D wg tabl. l i rys. 3 masa układu 11 g 14 D3 Sprawdzenie palności wg PN-78/T-01615 załącznik 2 p. 4.3 15 D4 Sprawdzenie wytrzymałości na pleśń brak porostu pleśni po badaniu (poziom jakości i V) 16 D5 Sprawdzenie wytrzymałości na mgłę solną położenie układu dowolne (poziom jakości V) Tablica 4. Parametry elektryczne sprawdzane w czasie po badaniu grupy B C D Wartości l 2 3 4 5 6 7 B3 B4 B5 UOL lur wg tabl. 2 C2. C4 C5 UOL lur -/L JH()' JH(2) wg tabl. 2 C9 Dl C2 UOL stan niski wg tab. 2 (podgrupa A3) UOH stan wysoki B6 C6 C7. UUL stan niski wg rab. 2 (podgrupa A3) CS UOH stan wysoki -11L ark. 03 oraz wg rys. 5 Ucc = 525 V: UJ = 04 V na wejście ma - 192 mierzone na pozostałe wejścia 45 V JH() ark. 04 oraz wg rys. 6 Ucc = 525 V; UJ = 24 V na wejście!j.a - 48 merzone na pozostałe wej ścia O V H(2) ark. 04 oraz wg rys. 6 Ucc = 525 V; UJ = 55 V na wejście ma - 12 mierzone na pozostałe wejścia O V Podgrupa Metoda pomiaru Jedno- Sprawdzany parametr Warunki pomaru graniczne badań wg BN-74/ 3375-24 stka mm max Um ark. oraz wg rys. 4 Ucc = 475 V; UJ = 20 V na wejścia V - 048 po kolei 10L = 16 ma z wyjścia mierzonego l OR ark. 06 oraz wg rys. 7 U cc = 475 V; UJ = 08 V na wejście mierzone Ue = 30 V na wyjście mierzone!j.a - 300 7. Pozostałe postanowienia - wg BN-80/3375-52/00. KONEC NFORMACJE DODATKOWE l. nstytucja oprcowująca nonnę Naukowo-Produkcyjne Centrum Półprzewodników Warszawa ul. Komarowa 5. 2. Nonny związane PN-73/ T-01602 Elementy półprzewodnik owe. Zasady podawania parametrów geometrycznych na rysunkach PN-73/T-01603/16 Mikrouklady scalone. Zarysy i wymiary. Mikroukład kompletny A49 PN-78/T-01615 Mikroukłady scalone. Ogólne wymagania i badania BN-74/3375-24/0 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie niskim lecl BN-74/ 3375-24/ 02 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru prądu zasilania w stanie wysokim l ech BN-76/3375-24/ 03 Cyfrowe uk.łady scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie niskim -n BN-76/3375-24/04 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru prądu wejściowego w stanie wysokim H

6 nformacje dodatkowe do BN-83/3375-52/12 BN-76/3375-24/20 Cyfrowe układy scalone. Metoda pomiaru ujemnego napięcia wejściowego -Ul BN-80/3375-52/00 Cyfrowe układy 3. Symbol wg KTM UCY 7406N - 1156321106002 jeżeli 4. Wartości dopuszczalne - wg tab!. -. scalone. Wymagania i badania S. Dane charakterystyczne - wg tab!. 1-2 (przy 10mb = O -:- 70 C nie podano inaczej). 2 3 4 5 6 Ul -ii UOH t slg JQmb Napięcie wejściowe V Ujemny prąd wejściowy ma Napięcie wyjściowe V w stanie wysokim Temperatura przechowywania Temperatura otoczenia w czasie pracy OC OC BN-76/3375-24/06 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Tablica -l. Wartości dopuszczalne Metoda porrtiaru zwrotnego prądu wyjściowego lor Oznaczenie!5ara- Nazwa parametru nost- Jed- BN-76/3375-24/11 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Lp. Metoda pomiaru napięcia wyjściowego w stanie niskim UO L metru ka BN-76/3375-24/16 Cyfrowe układy scalone. Układy kombinatoryjne. Metoda pomiaru czasów propagacji PHL i PLH Ucc Napięcie zasilania V dopuszczalne Wartości mm max - 7-55 - 12-30 -55 +125 O +70 Tablica 1-2. Dane charakterystyczne Lp. Oznaczenie Jedno- Wartości parametru Nazwa parametru Warunki pomaru parametru. stka mm typ max 2 3 4 5 6 7 8 Ucc Napięcie zasilania - V 475-525 2 ccl Prąd zasilania w stanie niskim na wyjściu Ucc = 525 V ma - - 51 Ul = 5 V 3 cch Prąd. zasilania w stanie wysokim na wyjściu Ucc = 525 V ma - - 48 Ul = O V 4 UlH Napięcie wejściowe w stanie wysokim - V 2 - - 5 U L Napięcie wejściowe w stanie niskim - V - - 08 6 U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 475 V; Ul = 20 V V - - 04 OL = 16 ma 7 U OL Napięcie wyjściowe w stanie niskim Ucc = 475 V' V - - 07 Ul = 20 V lal = 40 ma 8 OL Prąd wyjściowy w stanie niskim 't cc = 475 V ma - - 40 Ul = 20 V 9 JH(ll Prąd wejściowy w stanie wysokim Ucc = 525 V JJ.A - - 40 U= 24 V 10 JH(2) Prąd wejściowy w stanie wysokim U cc = 525 V ma - - Ul = 55 V -Ul Ujemne napięcie wejściowe Ucc = 475 V V - - 15-11L = 12 ma 10mb = 25 C 12-11L Prąd wejściowy w stanie niskim Ucc = 525 V ma - - 16 Ul =04 V 13 l OR Zwrotny prąd wyjściowy Ucc = 475 V; JJ.A - - 250 Ul = 08 V; UD = 30 V 14 (PHL Czas propagacji sygnału przy przejściu od Ucc = 5 V ns - - 26 stanu wysokiego do stanu niskiego na wyjściu 15 Czas propagacji sygnału przy przejściu od stanu niskiego do stanu wysokiego na wyjściu C L = 15 pf RL = lon 10mb = +25 C (PLH ns - - 15